中微半导体设备（上海）股份有限公司2025 年年度报告摘要
公司代码：688012 公司简称：中微公司
中微半导体设备（上海）股份有限公司
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第一节 重要提示
划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可
能存在的相关风险，敬请查阅第三节管理层讨论与分析“四、风险因素”部分内容。
虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
□是 √否
公司拟向全体股东每10股派发现金红利3.50元（含税）。截至本公告披露日，公司总股本626,145,307
股，以此计算合计拟派发现金红利219,150,857.45元（含税）。
公司拟以资本公积金向全体股东每10股转增4.9股。截至本公告披露日，公司总股本626,145,307
股，以此计算合计转增306,811,200股，转增后公司总股本将增加至932,956,507股（具体以中国证
券登记结算有限责任公司登记为准）。
上述事项已经董事会审议通过，尚需提交股东会审议。
母公司存在未弥补亏损
□适用 √不适用
□适用 √不适用
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第二节 公司基本情况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
上海 证券 交易 所
A股 中微公司 688012 不适用
科创板
□适用 √不适用
董事会秘书 证券事务代表
姓名 刘方 胡潇
上海市浦东新区金桥综合保税区泰华 上海市浦东新区金桥综合保税
联系地址
路 188 号 区泰华路 188 号
电话 021-61001199 021-61001199
传真 021-61002205 021-61002205
电子信箱 IR@amecnsh.com IR@amecnsh.com
报告期内，公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世
界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进
封装、LED 外延片生产、功率器件、MEMS 制造以及其他微观工艺的高端设备领域。
中微公司开发的 CCP 高能等离子体和 ICP 低能等离子体刻蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀
设备已可以覆盖大多数刻蚀的应用。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内和国际一
线客户，从 65 纳米到 3 纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用。中微公司最近十年着重开发多种导体
和半导体化学薄膜设备，如 LPCVD、ALD、EPI 设备等，并取得了可喜的进步。中微公司开发的用
于 LED 和功率器件外延片生产的 MOCVD 设备早已在客户生产线上投入量产，并在全球氮化镓基
LED MOCVD 设备市场占据领先地位。此外，中微公司已全面布局光学和电子束量检测设备，并开
发多种泛半导体微观加工设备。
公司主要为集成电路、LED 外延片、功率器件、MEMS 等半导体产品的制造企业提供刻蚀设
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备、薄膜沉积设备、MOCVD 设备及其他设备，其中主要产品的具体情况如下：
报告期内，公司主营业务未发生变化。
公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED 外延片、先进封
装、MEMS 等半导体产品的制造公司销售刻蚀设备、薄膜设备和 MOCVD 设备、提供配件及服务
实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于
设备相关配件销售及设备支持服务等。
公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行
性阶段、Alpha 阶段、Beta 阶段、量产阶段。
公司按照刻蚀设备、薄膜设备、MOCVD 设备等不同研发对象和项目产品，组成了相对独立的
研发团队。不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，
而在电气工程、平台工程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理
的方法，实现了人才、营运等资源在不同的产品及技术服务之间灵活分配，实现共享经验知识，
优化资源使用效率，使公司能够快速响应不断变化的研发要求，进行持续的技术创新。
为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、
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研发和设计能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及付款周期等众多
标准要求的供应商，才可以被考虑纳入公司合格供应商名录，并定期审核。目前，公司已经与全
球众多供应商建立了长期、稳定的合作关系。
公司主要采用以销定产的生产模式，实行订单式生产为主，结合少量库存式生产为辅的生产
方式。订单式生产是指公司在与客户签订订单后，根据订单情况进行定制化设计及生产制造，以
应对客户的差异化需求。库存式生产是指公司对设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内
部需求及生产计划进行预生产，主要为快速响应交期及平衡产能。
公司采取直销为主的销售模式，因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域通过代理商模式
进行销售。公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理，下设中国大陆、中国台湾、韩国、
日本、新加坡、美国等国家或地区的销售和支持部门。
(1). 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
半导体设备行业是一个全球化程度较高的行业，受经济形势、半导体市场、终端消费市场需
求等影响，其发展呈现一定的周期性波动。当宏观经济和终端消费市场需求变化较大时，客户会
调整其资本性支出规模和对设备的采购计划，从而对公司的营业收入和盈利产生影响。
全球集成电路和以 LED 为代表的光电子器件的销售额合计占所有半导体产品销售额的 90%以
上，是半导体产品最重要的组成部分。公司所处的细分行业为半导体设备行业中的刻蚀设备行业、
薄膜设备行业和 LED 设备行业中的 MOCVD 设备行业。
集成电路设备包括晶圆制造设备、封装设备和测试设备等，晶圆制造设备的市场规模约占集
成电路设备整体市场规模的 80%。
晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、量检测、离子掺杂等品类，其中刻蚀设备、
薄膜沉积设备、光刻设备是集成电路前道生产工艺中制程步骤数量庞大，工艺开发颇具挑战性的
三类核心设备。根据 Gartner 历年统计，全球刻蚀设备、薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值
量约 22%和 23%。
随着集成电路芯片制造工艺的进步，线宽关键尺寸不断缩小、芯片结构 3D 化，晶圆制造向 3
纳米以及更先进的工艺发展。由于目前先进工艺芯片加工使用的光刻机受到波长限制，14 纳米及
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以下的逻辑器件微观结构的加工多通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合——多重模板工艺来
实现，使得刻蚀等相关设备的加工步骤增多。由于存储器技术由二维转向三维架构，随着堆叠层
数的增加，刻蚀设备和薄膜沉积设备越来越成为关键核心的设备。
MOCVD 设备广泛应用于包括光学器件、功率器件等多种薄膜材料的制备，是目前化合物半导
体材料外延的核心装备。MOCVD 设备既能实现高难及复杂的化合物半导体材料生长，又能满足产
业化对高效产出的需求，在化合物半导体芯片产业链中有着举足轻重的作用。
随着化合物半导体材料应用领域的不断拓展，MOCVD 设备除用于制造通用照明和背光显示的
LED，还可制造应用于高端显示的 Mini-LED 和 Micro-LED、用于杀菌消毒和空气净化的紫外 LED、
应用于电力电子的功率器件等。随着这些新兴领域的不断出现，预计 MOCVD 设备的市场有望进
一步扩大。
过去几年，LED 外延芯片公司扩产的主要方向为蓝绿光外延片，下游应用也主要集中在照明
市场。在 Mini-LED 背光及直接显示技术逐渐成熟，生产成本逐渐降低的推动下，近两年高端显示
类的 LED 外延片需求量明显增加，并逐渐从商业显示向个人消费领域渗透。2025 年，RGB Mini-LED
背光电视正在成为高端电视中的新生力量，加速了除传统蓝绿光 Mini-LED 外，红光 Mini-LED 的新
增市场需求。 Micro-LED 显示技术也越来越受到业内关注，基于单色 Micro-LED 显示的 AR 眼镜已
经实现了全面量产，基于 Micro-LED 的高端显示产品也开始实现小规模试生产，预计在未来几年
将会有更多的新兴产品出现。总体上，LED 外延片产品需求从单一的蓝光扩展到红绿蓝三色，外
延材料增加了对砷化镓基红光外延片的需求。
此外，随着消费电子、电动汽车、智能驾驶、数据中心、新能源发电与储能等应用爆发式增
长，带动功率半导体市场迎来高景气周期，尤其是氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体是近些
年的行业热点。据 Yole 公司报告，氮化镓功率器件主要应用在高频中小电压范围，预计市场规模
将从 2024 年的 3.6 亿美金快速增长到 2030 年超过 29 亿美金，复合年均增长率达 42%。因此，面
向氮化镓功率器件的外延设备的需求具有很大的增长空间。
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(2). 公司所处的行业地位分析及其变化情况
目前半导体设备市场主要由欧美、日本等国家的企业所占据。近年来我国半导体设备行业整
体水平不断提高。
在刻蚀设备方面，全球刻蚀设备市场呈现垄断格局，海外少数几家公司占据主要市场份额；
公司刻蚀设备已应用于全球先进的 3 纳米及以下集成电路加工制造生产线。在海外先进的 3 纳米
芯片生产线及下一代更先进的生产线上，公司的 CCP 刻蚀设备均实现了批量销售。公司的 ICP 双
台机 Primo Twin-Star，反应台之间刻蚀速度控制的最好精度已达到每分钟 0.2A（0.02 纳米，即
度约等于硅原子直径 2.5 埃的十分之一，是人类头发丝平均直径的 350 万到 500 万分之一。受益
于公司完整的单台和双台刻蚀设备布局、核心技术持续突破、产品升级快速迭代、刻蚀应用覆盖
丰富等优势，2025 年公司 CCP 和 ICP 刻蚀设备的销售增长和在国内主要客户芯片生产线上市占率
不断提升。
公司近两年新开发的 LPCVD 薄膜设备和 ALD 薄膜设备，目前已有多款新型设备产品进入市场
并获得重复性订单。其中，薄膜设备累计出货量已突破 300 个反应台，其他二十多种导体薄膜沉
积设备也将陆续进入市场，能够覆盖全部类别的先进金属应用；公司硅和锗硅外延 EPI 设备已顺
利运付客户端进行量产验证，并且获得客户高度认可。
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在 MOCVD 领域，用于氮化镓基 LED 外延生产的设备已在行业领先客户生产线上大规模投入
量产，自 2017 年起已经成为氮化镓基 LED 市场份额最大的 MOCVD 设备供应商，牢牢占据行业内
的领先地位。公司在 Micro-LED 和高端显示领域的 MOCVD 设备开发上取得了良好进展，2025 年
已完成行业头部 Micro-LED 外延公司的量产验证。公司正积极布局用于氮化镓基功率器件领域，
新型 MOCVD 设备目前已发往下游客户进行量产验证，为 GaN 功率器件外延设备的国产化做好充
分准备。另外，AsP 材料专用的 MOCVD 设备正在根据应用需求定制开发中，其中，面向红光 LED
和 Mini-LED 的 AsP 材料专用设备也已发往显示头部 IDM 公司进行量产验证，其他应用包括红光
Micro-LED、光电子材料外延等也正在逐步推进中。
随着微观器件越做越小，量检测设备也成为了更关键的设备，为占总设备市场约 13%的第四
大设备门类。根据 QYResearch 调研数据，2024 年全球量检测设备市场规模为 120.8 亿美元，预计
成立子公司，全面布局了量检测设备板块，子公司超微公司引入多名国际顶尖的电子束量检测设
备领域专家和领军人才，均拥有 10 年以上电子束设备研发与产品商业化经验，已规划覆盖多种量
检测设备产品。
同时，公司拟通过发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金的方式购买杭州众硅电子科
技有限公司控股权实现从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。这一整合不仅填补了上
市公司在湿法设备领域的空白，更显著提升了公司在先进制程中为客户提供系统级整体解决方案
的能力。
(3). 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
随着芯片制程的不断提升，在每一代芯片新技术上，晶体管体积都在不断缩小，同时芯片性
能不断提升，先进的芯片中已有超过 100 亿个晶体管。随着工艺的提升，先进芯片从平面结构过
渡到复杂的三维架构。随着晶体管结构的复杂度不断提升，各种半导体设备技术的创新和突破起
到决定性作用，对于刻蚀和薄膜沉积技术提出了更高的要求。
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刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻
蚀偏差，通常用于工艺尺寸较大的应用，或用于干法刻蚀后清洗残留物等。等离子体干法刻蚀是
目前主流的刻蚀技术。
根据产生等离子体方法的不同，干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻
蚀；根据被刻蚀材料类型的不同，干法刻蚀主要是刻蚀介质材料、硅材料和金属材料。电容性等
离子体刻蚀主要是以高能离子在较硬的介质材料上，刻蚀高深宽比的深孔、沟槽等微观结构；而
电感性等离子体刻蚀主要是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的或较薄的材料。这
两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀应用。
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电容性等离子体刻蚀反应腔 电感性等离子体刻蚀反应腔
p
p
随着国际上先进芯片制程从 3 纳米阶段向更先进工艺的方向发展，当前光刻机受光波长的限
制，需要结合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸，使得刻蚀技
术及相关设备的重要性进一步提升。下图展示二重和多重模板工艺原理，涉及多次刻蚀：
芯片线宽的缩小及多重模板工艺等新制造工艺的采用，对刻蚀技术的精确度和重复性要求更
高。刻蚀技术需要在刻蚀速率、各向异性、刻蚀偏差、选择比、深宽比、均匀性、残留物、等离
子体引起的敏感器件损伤、颗粒沾污等指标上满足更高的要求，刻蚀设备随之更新进步。
集成电路 2D 存储器件的线宽已接近物理极限，NAND 闪存已进入 3D 时代。目前 200 层以上
不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数。刻蚀要在氧化硅和氮化硅的叠层结构上，加工 40：
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比，并且对刻蚀设备的需求比例进一步加大。
从上个世纪末开始，主流的半导体工艺节点开始采用钨作为接触孔材料，以减少纯铝连接对
前端器件的损伤，到如今钨依然是接触孔工艺的主流方案。伴随着技术节点的推进，器件外阻逐
渐超过内阻，成为影响器件速率的关键因素，同时器件密度的提高使得原本的单层接触孔结构向
多层接触孔演变。在先进的节点，钨接触孔是目前最有竞争力的解决方案之一。
CVD 钨制程需要良好的附着和阻挡层，一般是用附着性、稳定性以及阻挡性都非常优秀的氮
化钛材料。在传统工艺中，关键尺寸比较大，填充难度不高，业界都是用物理气相沉积的方法来
沉积氮化钛。如今主流的逻辑和存储芯片接触孔或者连线的关键尺寸很小，深宽比很高，传统的
物理气相沉积氮化钛由于较低的阶梯覆盖率，不能够满足高端器件的需求。原子层沉积的氮化钛
具有优秀的阶梯覆盖率，逐渐成为接触孔阻挡层和粘结层的主要选择。
随着 3D NAND 堆叠层数增加，阶梯接触孔的深宽比会达到 40：1 到 60：1 以上，这对氮化钛
阻挡层的生长和极高深宽比的钨填充都提出了更高的要求，堆叠层数的提高还需要更具挑战性的
WL 线路填充，包括更高的深宽比和更长的横向填充。
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同时，先进逻辑器件工艺节点向 3 纳米及更先进工艺方向发展，器件互联电阻逐渐增大成为
影响器件速度的关键因素。在 90 纳米到 28 纳米的传统工艺节点中，降低接触孔电阻的关键是降
低钨膜的电阻率。但是在 14 纳米及更先进工艺节点，金属阻挡层、金属形核层对接触孔阻值的影
响越来越明显，如何减少或者消除阻挡层和形核层的电阻是降低接触孔电阻的关键。钴、钼、钌
等金属的应用以及无阻挡层的工艺也在更先进工艺节点上开发和应用。
随着逻辑器件制程的进步，栅极作为逻辑器件中的重要组成部分，其类型逐渐由多晶硅栅极
向金属栅极发展，进而大大地提高了器件的性能。从 28nm 技术节点开始，金属栅极成为了先进
逻辑器件的重要基础，并且一直沿用至今。先进逻辑器件,尤其是采用鳍式场效应晶体管之后，对
金属栅薄膜均匀性，污染物控制，稳定性，功函数调节和台阶覆盖率都提出了更高的要求，从而
提高器件的性能和稳定性。
以上在先进逻辑和存储器件中的新工艺都要通过先进的金属 CVD 或 ALD 来实现。
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制造照明用蓝光 LED 外延片的 MOCVD 技术已达到成熟量产的阶段，应用于 Mini-LED 新型显
示的 MOCVD 设备发展较为迅速，整体产业技术从专注于白光 Mini-LED 背光逐渐升级向 RGB
Mini-LED 背光和小间距直显等性能更为卓越的显示方案。MOCVD 设备的迭代更新主要目标是在提
高大规模生产的前提下满足外延生长的性能要求、从而达到降低生产成本、提高生产效率的目的。
此外，开发面向 AsP 材料的专用 MOCVD 设备，从而覆盖红光 LED 和 Mini-LED 的应用需求，是报
告期内一个新的发展趋势。主要的发展路径包括：具备大尺寸、多片外延材料的生长能力，满足
高均匀性和高生产效率的指标要求。
应用于 Micro-LED 高端显示的 MOCVD 设备对外延片在产出波长均匀性、颗粒度等方面有更为
苛刻的技术要求，以此降低 Micro-LED 应用的制造成本，加速高品质显示应用的推广。MOCVD 设
备发展的主要方向将在提升产出波长均匀性，减少外延片颗粒度，提升设备的自动化性能以及大
尺寸外延片生长能力等方面进行。应用于氮化镓功率器件生产的 MOCVD 设备处于快速发展阶段。
基于硅基衬底的氮化镓功率器件是当前应用端采用的主流技术。相比于蓝宝石异质外延，硅基氮
化镓异质外延会引入了更高的应力，这对外延的均匀性和应力控制提出了更高的挑战。因此，需
要对量产型 MOCVD 设备的温度场、气体流动场和多方位的监测控制进行更精细的迭代优化。
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单位：元 币种：人民币
本年比上年
增减(%)
总资产 29,846,018,981.43 26,217,544,719.07 13.84 21,525,546,561.69
归属于上市公
司股东的净资 22,694,616,797.16 19,736,912,284.36 14.99 17,826,122,876.82
产
营业收入 12,384,638,268.11 9,065,165,097.69 36.62 6,263,513,581.37
利润总额 2,189,849,396.66 1,708,934,664.34 28.14 2,010,381,608.63
归属于上市公
司股东的净利 2,111,472,990.43 1,615,675,746.81 30.69 1,785,907,974.46
润
归属于上市公
司股东的扣除
非经常性损益
的净利润
经营活动产生
的现金流量净 2,295,352,919.08 1,458,401,788.71 57.39 -976,926,439.66
额
加权平均净资 增加1.31个百
产收益率（%） 分点
基本每股收益
（元／股）
稀释每股收益
（元／股）
研发投入占营
增加3.18个百
业收入的比例 30.23 27.05 20.15
分点
（%）
单位：元 币种：人民币
第一季度 第二季度 第三季度 第四季度
（1-3 月份） （4-6 月份） （7-9 月份） （10-12 月份）
营业收入 2,787,322,884.42 4,322,073,152.69
归属于上市公司股东 313,082,457.72 392,834,078.62 505,275,864.48 900,280,589.61
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的净利润
归属于上市公司股东
的扣除非经常性损益 298,301,989.05 240,465,857.41 348,036,426.83 662,992,115.14
后的净利润
经营活动产生的现金 1,095,412,692.0
流量净额 1
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
名股东情况
单位: 股
截至报告期末普通股股东总数(户) 53,625
年度报告披露日前上一月末的普通股股东总数
(户)
截至报告期末表决权恢复的优先股股东总数
（户）
年度报告披露日前上一月末表决权恢复的优先
股股东总数（户）
截至报告期末持有特别表决权股份的股东总数
（户）
年度报告披露日前上一月末持有特别表决权股
份的股东总数（户）
前十名股东持股情况（不含通过转融通出借股份）
质押、标记或冻结
持有有 情况
股东名称 报告期内 期末持股 限售条 股东
比例(%)
（全称） 增减 数量 件股份 性质
股份
数量 数量
状态
上海创业投资有限 国有法
公司 人
巽鑫（上海）投资有 国有法
-12,522,906 68,473,916 10.94 0 无 0
限公司 人
香港中央结算有限
公司
华芯投资管理有限
国有法
责任公司－国家集 -1,364,201 23,076,115 3.69 0 无 0
人
成电路产业投资基
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金二期股份有限公
司
招商银行股份有限
公司－华夏上证科
创板 50 成份交易型 -13,610,876 14,554,687 2.32 0 无 0 其他
开放式指数证券投
资基金
中国工商银行股份
有限公司－易方达
上证科创板 50 成份 -5,029,504 13,200,100 2.11 0 无 0 其他
交易型开放式指数
证券投资基金
中信证券股份有限
公司－嘉实上证科
创板芯片交易型开 314,708 9,693,892 1.55 0 无 0 其他
放式指数证券投资
基金
中国工商银行－上
证 50 交易型开放式 -124,178 8,037,604 1.28 0 无 0 其他
指数证券投资基金
中国工商银行股份
有限公司－华泰柏
瑞沪深 300 交易型开 -315,049 7,305,186 1.17 0 无 0 其他
放式指数证券投资
基金
中国建设银行股份
有限公司－华夏国
证半导体芯片交易 -1,889,983 6,129,895 0.98 0 无 0 其他
型开放式指数证券
投资基金
上述股东关联关系或一致行动的说明 巽鑫（上海）投资有限公司与华芯投资管理有限
责任公司－国家集成电路产业投资基金二期股
份有限公司存在关联关系。除此之外，未知上述
其他股东是否存在关联关系或一致行动关系。
表决权恢复的优先股股东及持股数量的说明 /
存托凭证持有人情况
□适用 √不适用
截至报告期末表决权数量前十名股东情况表
□适用 √不适用
□适用 √不适用
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□适用 √不适用
□适用 √不适用
□适用 √不适用
第三节 重要事项
公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
止上市情形的原因。
□适用 √不适用
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