磷化铟领域重大突破！七大概念股盘点（名单）

近日，磷化铟领域迎来重磅消息。据九峰山实验室消息，九峰山实验室近日在磷化铟材料领域取得重要技术突破，成功开发出6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。这一成果也是国内首次在大尺寸磷化铟材料制备领域实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用，为光电子器件产业化发展提供重要支撑。

铟，化学符号为In，其质地极为柔软，呈银白色并略带淡蓝色光泽，具有良好的延展性，熔点较低，沸点却较高。铟在地球地壳中的含量相对稀少，且并无独立的矿床，主要以杂质形式存在于锌、铅等其他金属矿中。

在半导体行业中，磷化铟(InP)属于第二代III-V族化合物半导体。磷化铟晶体具有闪锌矿型结构，其熔点为1070°C。多晶合成方法一般包含水平布里奇曼法和直接注入法，单晶制备主要采用垂直布里奇曼法(VB)、垂直温度梯度凝固法(VGF)和液封直拉法(LEC)，其中单晶生长方法主要有高压液封直拉法(HPLEC)及其改进技术和温度梯度凝固法。

据了解，磷化铟是仅次于硅之外最成熟的半导体材料之一，凭借其卓越的电子迁移率、出色的耐辐射性能以及宽大的禁带宽度，磷化铟被广泛应用于生产射频器件、光模块、LED(MiniLED及MicroLED)、激光器、探测器、传感器等器件。利用磷化铟芯片制造的卫星接收器和放大器，能够在100GHz以上的超高频率下稳定工作，且性能稳定可靠。相较于砷化镓半导体材料，磷化铟的击穿电场更高、热导率更优，同时电子迁移率也更为出色。

在光通信系统中，必需的III-V族三元合金(如InGaAs光电探测器)和四元合金等器件(如InGaAsP激光器)都工作在这个波长范围内，而InP单晶与这些合金具有晶格匹配性。因此，InP成为生产光通讯中InP基激光二极管(LD)、发光二极管(LED)和光电探测器等核心器件的关键材料。例如，思科400G光模块采用磷化铟EML激光器，应用于阿里云数据中心，单模块每秒传输数据量达400Gbps。

据Yole预测，磷化铟光电子市场规模2027年将达56亿美元，年复合增长率达14%。6英寸磷化铟工艺的突破，有望推动国产光芯片成本降至3英寸工艺的60%-70%，有助于增强国产光芯片市场竞争力。

这里证券之星为大家整理了部分磷化铟概念股，需要注意的是，相关概念股仅供投资者参考，不构成任何投资建议。

1、海特高新：公司通过其参股公司华芯科技，为光通信等行业提供关键的磷化铟半导体材料，并实现了磷化铟和砷化镓等产品的量产

2、云南锗业：公司是国内锗行业龙头，其控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司生产磷化铟单晶片(衬底片)，主要用于生产光通信用激光器和探测器，已向国内外多家客户供货

3、三安光电：公司是从事化合物半导体材料研发与应用的主要上市公司之一，核心主业包括以磷化铟等半导体新材料所涉及的外延片、芯片

4、源杰科技：公司主要从事高速半导体芯片的研发、设计和生产，产品涵盖从2.5G到50G磷化铟激光器芯片，广泛应用于光纤到户、数据中心与云计算、5G移动通信网络、通信骨干网络和工业物联网等领域

5、凯德石英：公司产品应用于半导体集成电路芯片领域和光伏太阳能领域。公司的业务涉及提供用于生产光模块中激光器、探测器芯片的磷化铟衬底产品。此外，凯德石英与美国TAXT公司的子公司通美晶体建立了合作关系，共同成立了合资公司，并供应磷化铟、砷化镓等产线所需的材料

6、跃岭股份：公司通过其参股公司中石光芯在磷化铟领域展开布局。中石光芯专注于基于磷化铟基的化合物半导体激光器光芯片的研发和批量生产

7、博杰股份：公司通过其参股公司鼎泰芯源参与到相关的研发和生产中