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英唐智控拟控股上海芯石 转型升级渐入佳境

来源:证券时报网 作者:孙亚华 2020-11-17 07:58:11
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证券时报记者 孙亚华

近期在半导体芯片领域动作频频的英唐智控(300131)也在积极布局碳化硅(SiC)领域。在不久前成功收购英唐微技术有限公司(以下简称“英唐微技术”)后,其正在持续推进对英唐微技术现有的技术、产品及产线的深入了解、对接和融合,努力发挥和挖掘英唐微技术的潜能及其所处日本半导体产业核心区域的位置优势。

英唐智控11月16日晚间披露的公告显示,其原参股上海芯石半导体股份有限公司(以下简称“上海芯石”)10%-20%股权的方案将升级为收购多数股权并实现控股的方案。

据英唐智控称,上海芯石未来SiC器件流片、大批量制造工作将可直接由产线改造升级完成后的英唐微技术进行承接,实现公司设计、制造业务的高效对接。而对上海芯石收购控股,可以实现公司与上海芯石利益的高度统一,并深度绑定上海芯石管理及技术团队,极大地保障上海芯石在第三代半导体领域的技术、行业优势全面快速的转化为英唐智控自身优势。英唐智控还可以利用多年分销经验、渠道及客户资源在外部资源、资金支持等方面为上海芯石发展提供强力后盾支持,利用上海芯石在专业领域的经验和能力,最大限度地服务于公司围绕第三代半导体打造从设计、制造到销售的半导体全产业链条战略目标的实现。

碳化硅(SiC)是目前发展最成熟的第三代半导体材料,世界各国对SiC的研究非常重视,纷纷投入大量的人力物力积极发展。根据IHS Markit数据,受新能源汽车庞大需求的驱动,以及光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升,预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美元。

在这一领域国内也有部分企业开始布局生产,但国内的企业均处于初创期或者刚刚介入SiC领域,包括传统的功率器件厂商华润微、捷捷微电、扬杰科技,从传统的硅基MOSFET、晶闸管、二极管等切入SiC领域的IGBT厂商斯达半导、比亚迪半导体等,但国内当前的SiC器件营收规模都比较小,市场潜力巨大。

据悉,英唐微技术在对现有产线进行升级改造后,可以使得原有硅基生产线兼容生产具有高温、高频、抗干扰特性的SiC器件产品的能力。首期改造将形成SiC器件月产能约2,000片晶圆。改造完成后,除原有车载芯片、OEIC、LCD、光学传感器产品外,还将兼备以SiC-SBD为主的第三代半导体功率器件的生产,并在持续升级设备和工艺后,逐渐拓展至其他的第三代半导体产品。

英唐智控实施向上游半导体纵向延伸战略规划已是昭昭在目,在通过对英唐微技术产品线的部分改造来获得SiC功率器件的生产制造能力后,将依托于上海芯石在SiC领域的技术沉淀和人才储备来获得对SiC功率器件产品的设计研发能力,从而建立起围绕硅基、碳化硅为基础的模拟电路、大功率器件等半导体芯设计及生产制造的完整产业链条。

据了解,上海芯石是半导体国内领先的分立器件研发、设计与销售企业,在第三代半导体SiC-SBD器件领域,上海芯石已经通过代工厂实现了部分SiC型号产品的小批量量产并形成销售收入,上海芯石还引入了多名具备丰富学术理论知识和国际产业经验的顾问,并和国内高校的SiC团队达成了技术合作。

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