纳思达合作项目相变存储器实现规模量产在国际上首次实现嵌入式应用_股票频道

（原标题：纳思达合作项目相变存储器实现规模量产在国际上首次实现嵌入式应用）

上海微系统所联合中芯国际、纳思达(002180)去年推出的嵌入式相变存储芯片开始规模量产。截止至2017年6月，共完成超过1600万颗芯片的市场销售。这也是国际上相变存储器在嵌入式领域的首次应用，也填补了我国在存储器制造领域自主知识产权的空白。

据介绍，相变存储器是一种兼具寿命长且断电后仍可保存数据两种优点的存储器，而目前通用的存储器技术主要是动态随机存储器和闪存两种，占了95%的市场份额。其中动态随机存储器虽然速度快寿命长，但一断电数据就没了；闪存掉电可以保存数据，但速度慢寿命短。

相变存储器具有速度快、寿命长、功耗低、掉电不丢失数据等优点，上可改变计算机体系架构、大幅提高计算性能，下可提高电子产品的速度、功耗、性价比，为用户带来更好的体验，被业界认为是下一代存储技术的最佳解决方案之一。

目前，国际上英特尔、镁光、三星等国际知名半导体公司都在开发相变存储器技术。2017年英特尔和镁光共同研发的“傲腾”存储器，被称为是25年来存储领域最大的革新，即是一种三维相变存储器技术。

中国科学院上海微系统与信息技术研究所相变存储器课题组从2003年于国内率先开展相变存储器的研发。在存储材料、制造工艺、电路设计、芯片测试、应用等实现存储器芯片的所有环节进行了深入研究。2011年，课题组在130nm工艺平台上成功研制出了我国第一款自主设计、制造的相变存储器芯片。2012年，课题组决心把相变存储器芯片推向商业化。

上海微系统所把高速低功耗嵌入式市场作为我国相变存储器芯片商业化应用的突破口，并将其首先应用于打印机耗材领域。在推向市场前，课题组科研人员又与制造商、客户一起，对芯片进行了数千次反复测试和技术修补，终于突破了相变存储芯片商业化应用的一个个技术瓶颈，并通过了全球市场60余种型号打印机的实测，填补了国内自主知识产权上的空白。

据了解，接下来课题组将继续推进嵌入式芯片的产业化，进一步开发110纳米和40纳米技术节点的相变存储器芯片；同时在研发大容量高密度的三维相变存储器上发力，对包括双向阈值开关器件、三维制造工艺、三维集成电路等重大科学工程问题展开攻关。