中微公司获得发明专利授权：“刻蚀方法及等离子体刻蚀装置”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“刻蚀方法及等离子体刻蚀装置”，专利申请号为CN202310907612.8，授权日为2026年9月8日。

专利摘要：本发明公开了一种刻蚀方法及等离子体刻蚀装置，其中，刻蚀方法包括：提供一反应腔，所述反应腔内放置一基片；刻蚀步骤：在0℃以下刻蚀所述基片；升温步骤：将基片升温至60℃以上，使沉积于所述基片上的副产物以气态形式排出；所述刻蚀步骤和所述升温步骤交替进行。本发明在刻蚀进行一段时间后，对基片升温至60℃以上，使原本粘附在基片上的副产物从基片上排出，以提高刻蚀效率。刻蚀步骤和升温步骤交替循环进行，使每次刻蚀步骤都能保持更快的刻蚀速度，充分发挥低温刻蚀的优势。

今年以来中微公司新获得专利授权116个，与去年同期持平。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了13.1亿元，同比增17.31%。

通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了31家企业，参与招投标项目92次；财产线索方面有商标信息131条，专利信息1745条，著作权信息13条；此外企业还拥有行政许可88个。

数据来源：天眼查APP

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