通富微电获得发明专利授权：“多层堆叠高宽带存储器封装方法及封装结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示通富微电（002156）新获得一项发明专利授权，专利名为“多层堆叠高宽带存储器封装方法及封装结构”，专利申请号为CN202111496903.X，授权日为2025年6月17日。

专利摘要：本发明提供一种多层堆叠高宽带存储器封装方法及封装结构，该方法提供缓冲芯片和多个第一存储器芯片，以上芯片均设置有多个导电通孔。在第一存储器芯片的第一表面对应导电通孔处依次形成第一导电凸块和第二导电凸块。在第一存储器芯片的第二表面对应导电通孔处形成第一焊盘。通过热压焊工艺，将每相邻两个第一存储器芯片的第二导电凸块和第一焊盘嵌套，将多个第一存储器芯片依次绝缘堆叠在缓冲芯片上。通过回流焊工艺，将堆叠完成的多个第一存储器芯片和缓冲芯片回流焊接。形成塑封层，塑封层包裹多个第一存储器芯片和缓冲芯片。本发明通过两步焊接工艺，将第二导电凸块和第一焊盘相嵌套，可减小第二导电凸块的变形，实现超细间距的互连。

今年以来通富微电新获得专利授权4个，较去年同期减少了50%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了15.33亿元，同比增31.96%。

数据来源：天眼查APP

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