晶合集成获得发明专利授权：“浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构”，专利申请号为CN202510059120.7，授权日为2025年5月13日。

专利摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构，具体涉及半导体技术领域。所述浅沟槽隔离结构的制备方法包括：提供基底，所述基底包括衬底和形成在所述衬底内的沟槽氧化物，所述沟槽氧化物凸出于所述衬底的部分具有凹陷；在所述衬底上形成图形化的硬掩模层，所述图形化的硬掩模层在对应所述沟槽氧化物的区域具有开口；在所述图形化的硬掩模层上形成氧化物层，所述氧化物层覆盖所述沟槽氧化物并填充所述凹陷；以所述图形化的硬掩模层为停止层，平坦化处理所述氧化物层；去除所述图形化的硬掩模层。该方法可以有效改善浅沟槽隔离结构中的凹陷问题，提高器件的可靠性。

今年以来晶合集成新获得专利授权130个，较去年同期增加了7.44%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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