新洁能获得发明专利授权：“一种集成式高压半导体器件结构及其制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种集成式高压半导体器件结构及其制作方法”，专利申请号为CN202411857388.7，授权日为2025年5月9日。

专利摘要：本发明涉及一种集成式高压半导体器件结构及其制作方法。本发明包括N型衬底上的N型外延层，背面设有漏极金属，结构分为M1器件区域、M2器件区域及隔离区，N外延层内排列P型柱，并在其上方设置P型体区，连接不同掺杂的N型和P型源极；M2器件区域设有阈值调整区，器件表面覆盖栅氧化层和多晶硅栅极；介质层分别分布在各区域，M1源极金属和M2源极金属与P型体区的源极相连；隔离区配置二极管，阳极金属与N型源极连接，阴极金属与P型源极连接，或设置第二栅极多晶硅，分别与重掺杂的N型和P型多晶硅及阴阳极金属连接。本发明降低了电路拓扑的损耗，提高系统效率和集成度。

今年以来新洁能新获得专利授权2个，较去年同期减少了84.62%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了1.04亿元，同比增18.82%。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。