晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制备方法”，专利申请号为CN202510031601.7，授权日为2025年5月9日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构的制备方法，属于半导体技术领域。所述制备方法至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上依次形成垫氧化层、中间材料层和垫氮化层；刻蚀所述垫氮化层、所述中间材料层、所述垫氧化层和所述衬底，形成浅沟槽，在所述浅沟槽内形成绝缘介质层，直至所述浅沟槽内的所述绝缘介质层突出于所述垫氮化层；平坦化所述绝缘介质层直至暴露所述垫氮化层；对所述中间材料层进行氧化处理，获得氧化材料层；刻蚀去除所述垫氮化层；以及平坦化所述氧化材料层和所述绝缘介质层。通过本发明提供的半导体结构的制备方法，能够避免浅沟槽隔离结构的表面出现碟形凹陷，提高浅沟槽隔离结构表面的平坦度。

今年以来晶合集成新获得专利授权124个，较去年同期增加了2.48%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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