芯联集成获得发明专利授权：“半导体结构的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制备方法”，专利申请号为CN202210389762.X，授权日为2025年4月15日。

专利摘要：本公开涉及一种半导体结构的制备方法。所述方法包括：提供基底，所述基底的表面形成有层间介质层；刻蚀所述层间介质层，以于所述层间介质层内形成初始互连孔，所述初始互连孔的底部留有部分层间介质层；对上述所得结构进行热氧化处理，以使所述初始互连孔底部的所述部分层间介质层形成热氧化层；通过所述热氧化层向所述基底进行离子注入以使基底表面形成损伤层；刻蚀所述热氧化层，以暴露出所述基底表面的损伤层；于所述基底表面的损伤层上形成金属层及金属化合物层，所述金属化合物层位于所述基底的表面，所述金属层位于所述金属化合物层远离所述基底的表面。采用本方法能够改善所得半导体结构中金属层的宏观形貌和微观形貌。

今年以来芯联集成新获得专利授权19个，较去年同期减少了9.52%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了8.69亿元，同比增33.75%。

数据来源：天眼查APP

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