晶合集成获得发明专利授权：“3DCMOS图像传感器及其形成方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“3DCMOS图像传感器及其形成方法”，专利申请号为CN202210850651.4，授权日为2025年4月1日。

专利摘要：本发明提供了一种3D CMOS图像传感器及其形成方法，涉及图像传感器领域，包括：衬底，衬底内包括至少一个光电二极管；阱区，阱区形成于所述光电二极管上方并与所述光电二极管连接，所述阱区为薄膜空腔结构；浮置扩散区，浮置扩散区形成于所述衬底上且位于所述阱区上方，并与所述阱区连接；以及，传输栅，传输栅浮置于所述衬底上方且将所述阱区包围，所述传输栅为金属栅。通过将所述传输栅和浮置扩散区浮置于所述衬底上方，浮置扩散区可以自由扩展面积，增加满阱容量。另外，使用金属栅作为传输栅，减少了栅电阻，增加传输栅响应速度，有利于增加光量子效率。采用薄膜空腔结构构成阱区，阱区无需作额外的离子注入掺杂，有利于降低工艺难度。

今年以来晶合集成新获得专利授权88个，较去年同期增加了37.5%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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