晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构、半导体结构的制造方法及NMOS晶体管”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构、半导体结构的制造方法及NMOS晶体管”，专利申请号为CN202411415516.2，授权日为2025年1月10日。

专利摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法及NMOS晶体管，该半导体结构内形成有源漏掺杂区和P型掺杂阱区；其中，P型掺杂阱区内与源漏掺杂区相邻的区域形成有掺杂过渡区；其中，掺杂过渡区的掺杂浓度小于源漏掺杂区的掺杂浓度，大于P型掺杂阱区的掺杂浓度，并且掺杂过渡区的掺杂浓度沿着远离源漏掺杂区的方向减小；掺杂过渡区中掺杂有第一离子和第二离子；第一离子的相对原子质量大于形成P型掺杂阱区的掺杂离子的相对原子质量或相对分子质量；第二离子与第一离子不同，且第二离子的相对分子质量小于第一离子的相对原子质量。通过本申请实施例，提升了对CMOS器件的结漏电抑制效果和阈值电压调节效果，降低了改善CMOS器件性能的难度。

今年以来晶合集成新获得专利授权1个。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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