电子行业周报：涨价逻辑+需求端AI驱动，存储行业或迎超级周期

（以下内容从上海证券《电子行业周报：涨价逻辑+需求端AI驱动，存储行业或迎超级周期》研报附件原文摘录）
核心观点
全球存储芯片价格持续上涨，涨价潮蔓延至中下游。
Flash Wafer价格近一周最高涨幅超10%。根据CFM闪存市场报价显示，10月17日Flash Wafer价格全面上调，其中1Tb QLC涨幅9.09%、1Tb TLC涨幅8.06%、512Gb TLC涨幅10.53%、256Gb TLC涨幅6.25%。
三星、美光等存储芯片大厂提价，涨价潮蔓延至中下游市场。9月以来，存储芯片大厂陆续提价。三星电子发布四季度提价通知，计划将部分DRAM价格上调15%-30%，NAND闪存价格上调5%-10%；美光恢复报价后，新价格普遍上调约20%；闪迪NAND闪存报价上调10%。
受益于AI驱动存储芯片业务复苏，三星电子Q3业绩强劲反弹。近日三星电子发布第三季度初步业绩，业绩表现强劲。根据CounterpointResearch推测，三星电子三季度业绩表现主要归功于DRAM和NAND闪存需求强劲。第三季度营业利润同比增长32%，达12.1万亿韩元（约85亿美元），创三年多以来最高季度利润；第三季度销售额同比增长8.7%，约86万亿韩元，首次单季销售额突破80万亿韩元。
核心因素：市场供需错配导致缺货潮。1）供给端，三星、SK海力士、美光等头部厂商，削减DDR4等传统产品产能，转向DDR5、HBM等高阶且利润更高的产品；2）需求端，AI服务器需要海量内存和存储，驱动存储需求激增。近期OpenAI“星门”项目与三星和海力士签署每月90万平DRAM晶圆供应协议，占全球DRAM产量的约40%。
AI服务器需求激增，刚性需求推动存储产业景气向上。威刚董事长表示，看好四季度是存储严重缺货的起点，在AI快速扩张下，全球大型云端服务商刚性需求将推动DRAM、NAND Flash合约价格继续上涨，明年存储产业将继续处于供货吃紧状态。
投资建议
维持电子行业“增持”评级。建议关注存储产业链，建议关注兆易创新、江波龙、德明利、香农芯创、佰维存储等存储公司；以及各供应链环节，包括联芸科技、赛腾股份、华海诚科等受益个股。
风险提示
技术发展不及预期、终端需求不及预期、市场竞争加剧、国产替代不及预期。