刻蚀设备领军者，技术新品不断突破

（以下内容从华安证券《刻蚀设备领军者，技术新品不断突破》研报附件原文摘录）
中微公司(688012)
主要观点：
刻蚀设备领军者，深耕技术不断取得突破
公司主要产品为刻蚀、薄膜沉积设备，是半导体设备的重要市场（WFE总资本开支合计占43%）。成立以来，公司先后突破了CCP刻蚀、MOCVD，ICP刻蚀、LPCVD等半导体设备产品。其中，公司的CCP刻蚀产品进入2D和3D存储器生产线，有270+反应台进入5nm及以下生产线；ICP刻蚀的双台机产品已进入生产线，为公司带来显著的市场份额增长；深硅刻蚀产品在国内TSV/MEMS成为主流设备；LPCVD为新产品，已在3D存储器验证通过，开始贡献营收。
国产化推动支持下，大陆晶圆产能快速扩张
根据SEMI数据，2000年，美国和日本主导着全球半导体产能的半壁江山，中国大陆的产能仅占2%。到了2010年，半导体产能开始向亚洲转移，韩国和中国台湾两者相加的产能达到了全球产能的35%，而此时中国大陆的产能提升至9%。2020年，随着中国大陆产线的建设以及原有产线的扩产，中国大陆的产能占比提升至17%。展望2026年，中国大陆12寸晶圆产能将占到25%的比重，跃升为全球12寸晶圆产能第一，主要驱动力来自于产线国产化和成熟节点投资。
随着制程节点不断进步，晶体管结构愈发复杂，刻蚀重要性愈发凸显
随着芯片制造中线宽的进一步缩小和先进工艺的广泛采用，对沉积与刻蚀技术的精确性和控制能力提出了更高的要求。此外，随着3D NAND层数变高，刻蚀需要超高深宽比控制，推动刻蚀设备需求大幅增长，ICP和CCP设备凭借精准的深孔加工能力，成为3D NAND制造的核心工具。随着层数继续提升，刻蚀技术将持续在高存储密度制造中发挥关键作用。
持续的高研发投入下，公司不断取得产品突破
公司常年保持高研发投入，研发费用率稳定在10%以上水平。与海外设备商应用材料，泛林半导体相比，公司2020年起研发费率便一直高于海外。公司不断突破性能和产品效率，拓宽产品线，近年来先后推出了双反应台刻蚀，LPCVD等设备。2024年5月，公司发布Preforma UniflexHW和AW设备，专注于高深宽比金属钨沉积，采用自主生长梯度抑制工艺和优化热场系统，实现复杂结构的精确填充和高生产效率。
投资建议
我们预计2024-2026年公司归母净利润分别为16、25、34亿元，对应的EPS分别为2.6、4.0、5.5元，对应2025年4月10日收盘价PE分别为72x、47x、34x。首次覆盖给予“买入”评级。
风险提示
扩产不及预期、研发进度不及预期、产业竞争加剧、贸易摩擦加剧。