电子：存储价格有望进入上行区间，CUBE替代机遇有望加速

（以下内容从信达证券《电子：存储价格有望进入上行区间，CUBE替代机遇有望加速》研报附件原文摘录）
本期内容提要:
全球大厂capex大增，需求端有望提升。根据Bloomberg数据，2025年Meta、谷歌、亚马逊和微软的合计资本开支预计达2972亿美元，同比增长36.8%。微软近期虽调整部分数据中心租约策略，但其明确表示未来三年将保持基础设施投资强度，2024财年已投入超800亿美元。这一投入方向与AI算力需求的长期增长趋势一致。阿里巴巴宣布未来三年将投入3800亿元用于云和AI基础设施建设，创下国内民营企业同类投资纪录。其通义千问大模型家族衍生模型数量超9万个，成为全球最大开源模型社区之一。腾讯、百度等企业则加速推进DeepSeek大模型的行业应用，覆盖政务、金融、医疗等领域。2025年，国内三大厂商（腾讯、百度、阿里巴巴）资本开支预计同比增长19.1%，达154.2亿美元。
存储原厂积极减产，有望推动存储价格进入上行区间。自2023年起，各大NAND Flash原厂已深刻认识到供给过剩对产业造成的严重冲击，供应商需积极调整生产策略，以避免价格下行周期持续扩大。2025年初，各NAND Flash原厂均采取更为坚决的减产措施，缩减全年投产规模，期待有效降低供应位元增长率，此举有助于快速减轻市场供需失衡的压力，为价格反弹铺定基础。其中，三星已于2024年底决定降低西安工厂的NAND闪存产量，削减幅度达到10%以上，此外还调低了华城12号和17号生产线的产量，以期进一步控制整体产量。根据TrendForce预测显示，今年一季度随着三星等原厂减产、智能手机库存去化、AI及DeepSeek效应带来的需求增长，NAND Flash供需结构将有望显著改善，三季度NAND Flash有望环比上涨10-15%，四季度有望继续增长8-13%。
原厂逐步退出DDR3/DDR4竞争，关注CUBE窗口期替代机遇。根据DIGITIMES，由于DRAM价格正因需求疲软而下跌，DRAM三大原厂三星、SK海力士和美光有意把生产资源集中在DDR5与高带宽存储器（HBM），因而将在2025年内停产DDR3和DDR4。华邦电等宣布推出CUBE(定制化超高带宽组件)新内存解决方案，通过大幅优化内存技术，展现高性能的边缘AI运算能力，帮助客户在主流应用场景中完成边缘AI计算的应用，相当于4至32个LP-DDR4x4266Mbps x16IO带宽，有机会最小化SoC芯片尺寸，进而省下TSV面积损失，有望为边缘AI设备带来更明显的成本优势，拓宽了DDR4的应用范围。
建议关注：【存储模组】德明利/江波龙/佰维存储/香农芯创/同有科技；【存储芯片】兆易创新/北京君正/普冉股份/聚辰股份/东芯股份/恒烁股份等；
风险因素：下游需求不及预期风险；上游原厂供给过剩风险。