半导体HBM专题报告：HBM需求增长强劲，新技术带来设备、材料端升级

（以下内容从山西证券《半导体HBM专题报告：HBM需求增长强劲，新技术带来设备、材料端升级》研报附件原文摘录）
投资要点：
存力已成AI芯片性能升级核心瓶颈，AI推动HBM需求强劲增长。英伟达发布最新AI芯片H200，内存配置明显提升，存储技术提升为AI性能提升的关键。HBM作为基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，打破内存带宽及功耗瓶颈，GPU性能提升推动HBM技术不断升级。算力驱动AI服务器出货量迅猛增长，叠加GPU搭载HBM数量提升和HBM容量与价值增长，全球HBM市场规模有望从2023年的15亿美元增至2030年的576亿美元，对应2023-2030的年复合增长率达68.3%。
HBM量价齐升趋势已现，三大原厂积极扩产。龙头厂商海力士透露明年扩产2倍，公司采用最先进10nm技术扩大2024年产量，其中大部分增量由HBM3e填充，预计2030年HBM出货量有望达到每年1亿颗。三星、美光紧随其后，同样宣布大规模扩产。新技术HBM3e、HBM4等陆续推出，行业量价齐升。
TSV为HBM核心工艺，新技术带来设备、材料端升级。TSV技术主要涉及深孔刻蚀、沉积、减薄抛光等关键工艺，多层堆叠结构提升工序步骤，带动量检测、键合等设备需求持续提升。HBM芯片间隙采用GMC或LMC填充，带动主要原材料low-α球硅和low-α球铝需求增长，同时电镀液、电子粘合剂、封装基板、压敏胶带等材料需求也将增加。
投资建议：重点关注HBM产业链。材料端：神工股份、联瑞新材、华海诚科、雅克科技；设备端：赛腾股份、中微公司；封测端：通富微电、长电科技；经销商：香农芯创。
风险提示：AIGC发展不及预期；AI服务器出货量不及预期；HBM技术发展不及预期；设备和材料的国产替代不及预期。