(以下内容从上海证券《电子行业周报:存储原厂端减产提价同步进行,HBM需求持续火热》研报附件原文摘录)
核心观点
市场行情回顾
过去一周(10.23-10.27),SW电子指数上涨2.11%,板块整体跑赢沪深300指数0.64pct,从六大子板块来看,光学光电子、电子化学品II、消费电子、元件、其他电子Ⅱ、半导体涨跌幅分别为1.72%、3.33%、2.66%、3.21%、2.55%、1.64%。
核心观点
存储:大厂减产态度坚决,DRAM、NANDFlash四季度继续保持涨势。据TrendForce集邦咨询最新研究显示,第四季MobileDRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NANDFlash方面,eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%;季涨幅扩大包括几个原因,供应方面:三星扩大减产、美光祭出逾20%的涨幅等,持续奠定同业涨价信心的基础。需求方面:2023下半年MobileDRAM及NANDFlash(eMMC、UFS)除了受传统旺季带动,华为Mate60系列等也刺激其他中国智能手机品牌扩大生产目标,短时间内涌入的需求也成为推动第四季的合约价涨势的原因之一。我们认为,当前存储行业下游需求复苏仍然缓慢,短期的急单并不足以支撑存储合约价格持续上涨,涨价的核心动力来自原厂端为修复供求关系而减产的决心。
HBM:HBM需求持续火热,头部厂商2024年产能已被提前锁定。10月27日,据半导体行业观察消息,SK海力士最近表示,已售罄其计划从2024年开始生产的所有HBM3E,此外,SK海力士预计,即使HBM3E的需求扩大,也不会拉低现有产品HBM3的平均售价(ASP)。这是因为DRAM的需求预计从2024年开始将真正复苏,并且HBM3的需求仍然强劲。同时,TrendForce集邦咨询也在日前表示,随着AI服务器建置热潮,带动了AI加速芯片需求。2023年以来HBM3的需求比重亦随着NVIDIAH100/H800以及AMDMI300系列的量产而提升。HBM相比其他DRAM产品的平均单位售价高出数倍,预期2024年将对存储器原厂的营收有明显助力,预估2024年HBM营收年增长率将达172%。我们认为,未来随着AI加速向相关领域渗透,算力需求进一步提升,HBM的需求紧张状况有望持续至2025年,先进封装产能仍然是未来的关键点。
半导体材料:2023年全球硅晶圆出货量预计下降14%,2024年有望迎来反弹。10月26日,国际半导体产业协会SEMI表示,受半导体需求的持续疲软和宏观经济状况影响,2023年全球硅晶圆出货量预计将下降14%,预计将降至125.12亿平方英寸。机构预测,随着人工智能(AI)、高性能计算(HPC)、5G、汽车和工业等应用带动硅芯片需求的增长,预计2024年全球硅晶圆出货量将反弹8.5%,达到135.78亿平方英寸。这一反弹势头将延续至2026年,预计出货量将超过162亿平方英寸。
投资建议
维持电子行业“增持”评级,我们认为2023年电子半导体产业会持续博弈复苏;目前电子半导体行业市盈率处于2018年以来历史较低位置,风险也有望逐步释放。我们当前重点看好:半导体设计领域部分超跌标的并且具备真实业绩和较低PE/PEG的个股机会,AIOTSoC芯片建议关注中科蓝讯和炬芯科技;模拟芯片建议关注力芯微;建议重点关注驱动芯片领域峰岹科技和新相微;半导体设备材料建议重点关注华海诚科、新莱应材、华兴源创和精测电子;XR产业链建议关注兆威机电;折叠机产业链重点关注东睦股份;建议关注军工电子紫光国微和复旦微电;建议关注华为供货商汇创达。
风险提示
中美贸易摩擦加剧、终端需求不及预期、国产替代不及预期。