金属新材料行业专题报告：碳化硅：第三代半导体之星_股票频道

（以下内容从浙商证券《金属新材料行业专题报告：碳化硅：第三代半导体之星》研报附件原文摘录）
耐高温高压高频，碳化硅电气性能优异
碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等指标具有显著优势，可满足现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G通信等。
工艺难度大幅增加，长晶环节是瓶颈
碳化硅制造工艺具有高技术壁垒，衬底长晶存在条件控制严、长晶速度慢、晶型要求高三大技术难点，而加工难度大带来的低产品良率导致碳化硅成本高；外延的厚度和掺杂浓度为影响最终器件的关键参数。
下游应用场景丰富，新能源带来最大增长点
碳化硅器件下游应用领域包括电动汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、5G通信等，其中新能源汽车为最大终端应用市场。高转换效率和高功率带来整车系统成本下降，特斯拉、比亚迪、小鹏等车企相继使用SiCMOSFET。Yole预计2027年全球导电型碳化硅功率器件市场规模有望达63亿美元，其中电动汽车下游领域占比达80%。
碳化硅供需缺口持续扩大，海内外厂商加速研发扩产
供给端：海外龙头主导出货量，全球有效产能仍不足。全球碳化硅市场呈美国、欧洲、日本三足鼎立的格局，海外厂商已实现量产6英寸碳化硅衬底，计划2023年实现8英寸量产；国内仍以小尺寸为主，部分实现6英寸量产，正加速研发缩小与国际龙头的差距，整体来看全球有效产能仍不足。需求端：下游需求不断扩大，百亿市场空间可期。据我们测算，2025年全球碳化硅衬底市场需求达188.4亿元，碳化硅器件市场需求达627.8亿元。2025年之前行业仍呈现供给不足的局面。
投资建议：
建议关注：合盛硅业。
风险提示
技术研发进度不及预期；全球碳化硅行业竞争加剧。