电子行业深度研究报告：AlN应用性能出众，国产替代机遇显著_股票频道

（以下内容从华西证券《电子行业深度研究报告：AlN应用性能出众，国产替代机遇显著》研报附件原文摘录）
主要观点:
氮化铝热导性绝缘性出众，应用前景广
氮化铝具有一系列优良特性，核心优势特性为优良的热导性、可靠的电绝缘性、以及与硅相匹配的热膨胀系数等。它既是新一代散热基板和电子器件封装的理想材料，也可用于热交换器、压电陶瓷及薄膜、导热填料等，应用前景广阔。
半导体、新能源领域激发AlN需求增长
根据MaxmizeMarketResearch数据，2021年全球陶瓷基板市场规模达到65.9亿美元，预计2029年全球规模将达到109.6亿美元，年均增长率约6.57%。
氮化铝作为陶瓷基板的理想材料市场广阔，不同产品类型应对不同应用场景需求，其中以AMB、DBC、DPC、HTCC和结构件为主要产品类型。AMB、DBC借IGBT之风，伴随新能源与电动车领域发展迅猛；DPC受大功率LED市场青睐；HTCC因射频、军工领域拉动需求增长；半导体硅片所用的静电吸盘则为AlN结构件重要应用。因此我们认为AlN需求将持续受益于高速增长的半导体与新能源市场。
氮化铝粉体至关重要，粉板一体企业优势明显
高性能的氮化铝关键在于粉体制备，粉体质量直接影响基板性能，我们认为上下游一体化企业将获得更明显竞争优势。随着近年来电子产业的高速发展，我国氮化铝粉体市场需求快速增长，根据旭光电子公告的数据，中国氮化铝粉体需求量将保持15%左右的增速，到2025年国内市场需求量约5,600吨。国内氮化铝产量不能满足市场需求，粉料大量依赖进口。但随着国内研究不断深入，氮化铝制备技艺不断提高，国内外差距正在逐渐缩小，且随着我国政策大力支持加之市场需求不断扩大，国内粉体产业正向高质量推进。
投资建议
我们预计AlN凭借出色的热导性、绝缘性附加与硅相匹配的热膨胀系数，作为散热件和结构件将在半导体、新能源及军工领域获得大量新增需求。国内AlN产业发展迅猛，国产替代空间巨大，因为粉体质量直接影响基板性能，我们认为布局粉板兼有的上下游一体化公司将脱颖而出。核心受益：旭光电子、国瓷材料、三环集团、宏达电子。
风险提示
相关产业政策低于预期，影响市场需求释放规模；新技术研发进程缓慢，产品研发不及预期；系统性风险。