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东微半导:高压MOS龙头,TGBT开启新成长曲线

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投资逻辑高压 MOSFET 龙头,深度受益新能源快速发展。公司深耕高性能功率器件领域,产品主攻工业和新能源汽车相关等中大功率的应用。短期来看,我们看好新能源车、充电桩、光伏及储能逆变等下游的旺盛需求;中长期来看,公司凭借差异化设计、丰富的料号和出色的产品性能有望在和国内同行的竞争中保持领先优势,在国产替代进程中实现市占率的提升。

高压超级结、中低压屏蔽栅 MOSFET 性能优异,国产替代市场空间广阔。

高压超级结 MOSFET 主要下游应用为直流充电桩、OBC、光伏储能逆变器、服务器电源等,中低压屏蔽栅 MOSFET 主要下游应用为电动工具、逆变器、UPS 电源、消费电子充电器等。根据芯谋研究,2021年 MOSFET 国产化率为 30.5%,预计随着国产替代的加速,至 2026年 MOSFET 国产化率将达 64.5%。1H22公司高压超级结 MOSFET 营收为 3.64亿元,占比78.05%。我们预测 2022~2024年,公司高压超级结 MOSFET 营收为8.85、11.38和 14.11亿元,同比+55.57%、+28.68%、+23.95%。

技术创新丰富产品线,IGBT 开启新的成长曲线。公司创新设计的 650V 三栅 TGBT 性能已达到国际领先的英飞凌 IGBT 7代水平,第二代 TGBT 产业化进展顺利。2021年公司 TGBT 产品已送测至比亚迪、汇川等工控和汽车领域客户,批量出货至新明海、欧亚玛等光伏客户。我们测算,IGBT 目前的国产化率小于 20%,中国 IGBT 市场规模将在 2025年达到 458亿元,2020~2025年 CAGR 为 21%。1H22公司 TGBT 业务实现营收 1700万元,占比 3.67%。我们预计 2022~2024年,公司 TGBT 业务将迅速扩张,营收分别为 0.5、1.5和 3亿元,分别同比+780.28%、+200.00%和+100.00%。

IPO 情况:新股发行 16.84百万股,募集资金净额 20.07亿元,对应发行价130.00元/股。资金拟投入超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化、新结构功率器件研发及产业化、研发中心建设以及科技和发展储备资金项目。

盈利预测与估值:

预测公司 2022~2024年净利润分别为 2.90、4.07和 5.35亿元,EPS 分别为 4.31、6.04、7.94元,对应 PE 为 56.01、39.91、30.38倍。首次覆盖给予公司 2023年 46xPE,“买入”评级,目标价 278元。

风险提示:

产品结构单一的风险、供应链管理的风险、新产品研发推广不及预期的风险、限售股解禁的风险。





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