功率半导体趋势：围绕性能升级，向更高频高压领域进发公司横向对比：各有千秋，时代、斯达、BYD产品优势凸显投资建议：IGBT赛道和第三代半导体赛道“龙头低估”&“小而美”产品线布局的广度：闻泰科技、华润微布局最全（覆盖80%），士兰微其次（覆盖73%）；第三代半导体器件布局趋向全面，九成以上公司布局SiC赛道。
产品技术深度：IGBT：斯达、时代、BYD、士兰微对标国际英飞凌最新Gen.7；SiC：斯达、时代、BYD领先车规级SiC模块；GaN：闻泰、三安、华润微领先8英寸硅基GaN器件。
产品议价能力：时代、BYD、斯达以IGBT模块产品均价高于百元量级，其他公司均价个位数；一些公司在第三代半导体价格端优势显现：泰科天润SiC二极管均价两位数，安世GaN晶体管均价上百元，斯达SiCMOSFET模块均价高达几千元。
实际经营情况：(1)闻泰科技体量最大，营收达138亿元；(2)东微半导人均创收1043万元，管理效率最高；(3)闻泰科技研发支出最高，高达37亿元；(4)圣邦微PMIC盈利能力最强，毛利率高达53%；(5)闻泰科技、苏州固锝运营能力最强，存货周转天数仅45天、48天。
持续看好半导体国产替代趋势，重点关注IGBT及SiC布局的相关公司。随着车规级IGBT需求驱动以及第三代半导体加速渗透，持续看好IGBT和SiC&GaN布局的“小而美”成长型公司，其中重点关注斯达半导、BYD半导、时代电气等。同时“龙头赛道”具备长期配置价值，重点关注闻泰科技、华润微、士兰微等。
功率半导体分类：功率分立器件+功率模块+功率IC市场结构化演变，转向高频高压领域：二极管、三极管、晶闸管→主流的MOSFET、IGBT行业未来发展趋势：（1）内部结构迭代升级；（2）功能模块集成度升级；（3）宽禁带材料替代突破硅限
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