电子行业：功率器件价格跟踪系列，IGBT、MOS渠道价格整体稳定，部分料号有所上涨

中低压MOSFET价格整体稳定，高压MOSFET部分料号有涨价。根据正能量电子网显示的功率器件渠道报价，我们梳理了MOSFET等产品的主要海外厂商的价格情况。从MOSFET产品来看，中低压小信号MOSFET价格自21Q4下行以来，目前价格已经稳定。中高压MOSFET方面，整体稳中有涨。例如，安森美150V的沟槽型产品价格保持稳定，而其500V的超级结产品价格继续保持高位。英飞凌的100V车规产品在5月环比4月有小幅上涨，显示车规需求仍较好。

IGBT单管价格稳定。我们选取600V、1200V各两款产品以跟踪IGBT单管目前的市场情况。从数据可以看出，进入Q2后IGBT单管价格保持稳定，其中1200V产品价格环比持平，而安森美和英飞凌的600V产品环比Q1仍有一定上涨。由于IGBT单管下游应用领域广泛，包括工业、光伏、充电桩、汽车等，所以预计在需求景气带动下，IGBT单管价格今年仍将保持在高位。

SiC器件报价在持续下降，并与硅基器件价差逐渐缩小。根据CASAResearch统计的半导体器件经销商网上平均报价（元/安培）来看，SiC肖特基二极管（SBD）以及SiCMOSFET器件近年来在逐步下降，其中650VSiCSBD报价在2018~2020年的复合降幅达到25%，而650VSiCMOSFET的复合降幅为32%。

由于SiC器件价格的下降，其与硅基器件的价差也在逐渐缩小。

压高压SiC与硅基价差缩小更明显。根据元器件经销商Mouser的数据，我们选取了650V和1200V分别一款IGBT单管和SiCMOSFET产品价格进行对比。在650V产品上，SiCMOSFET产品的渠道报价是IGBT单管的3.8倍，而1200V产品上，SiCMOSFET的渠道报价是IGBT单管的3.5倍，显示高压领域SiCMOSFET价格差距要更小一点。根据CASAResearch的说法，SiC器件的实际成交价基本约为公开报价的60%-70%，所以我们预计SiC与硅基器件的实际成交价差距可能缩小至3倍以下。

投资建议：推荐关注受益于下游需求景气以及功率器件国产化加速的公司，标的包括：宏微科技、士兰微、斯达半导、时代电气、新洁能、扬杰科技。

风险提示：下游需求不及预期，行业竞争加剧风险，产品迭代升级进度不及预期风险。