SiC具有优秀的材料特性。碳化硅（SiC）是一种化合物半导体材料，被称为第三代半导体材料。由于SiC具有宽禁带宽度，从而导致其有高击穿电场强度、低本征载流子浓度，使得SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。SiC器件适用于高压、高频场景，且可以缩小系统体积。
衬底是产业链核心环节。SiC产业链主要包括衬底、外延、器件制造、封测等环节，而衬底的成本占比较高，是核心环节。根据衬底电阻率的不同，SiC衬底可以分为导电型、半绝缘型衬底，分别应用于功率器件、射频通信领域。国产厂商目前在导电型衬底领域市占率较低，但山东天岳在半绝缘型衬底领域占有一席之地。随着各厂商产能的扩充，SiC衬底价格在逐步下降。
SiC应用方兴未艾。根据Yole的预测，2027年全球SiC器件市场规模达到63亿美元，较2021年的复合增速为34%，其中汽车SiC市场预计增长到50亿美元，占比提升到79%。除汽车之外，能源、工业也是SiC的重要应用下游。随着特斯拉在Mode
3的主逆变器中首次采用全SiC功率器件，越来越多的厂商开始发布搭载SiC器件的车型。除汽车领域外，SiC器件也应用到光伏逆变器、轨交牵引逆变器中。
国产SiC器件在快速追赶。从SiC的器件形态来看，目前主要分为SiC二极管、SiC MOSFET以及SiC模组，而SiC IGBT仍在研发中。SiC肖特基二极管发展较为成熟，国内外有多家公司已有量产。SiCMOSFET最早由Cree（现Wolfspeed）在2011年推出，海外多家厂商随后进行几轮迭代。对比来看，国产SiC MOSFET的导通电阻和品质因素较国外产品稍差，不过在快速追赶中。
高压领域下SiC器件预计将逐步显现系统成本优势。根据CASA Research统计的半导体器件经销商网上平均报价（元/安培）来看，650V SiC SBD报价在2018~2020年的复合降幅达到25%，而650V SiC MOSFET的复合降幅为32%。由于SiC器件价格的下降，其与硅基器件的价差也在逐渐缩小。考虑到SiC对系统成本的减少，例如减少散热组价和缩小体积，我们预计在高电压场景下，SiC器件将有更大优势。
投资建议：建议关注衬底领域产品获得下游认可、产能扩产进度较快的天岳先进、东尼电子、露笑科技等；SiC器件领域建议关注产品进展较快的斯达半导、时代电气、士兰微、扬杰科技、新洁能等；SiC封装、设备领域建议关注博敏电子、北方华创等。
风险提示：下游需求发展不及预期、SiC成本下降速度不及预期、行业竞争加剧风险。
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