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东微半导:国产超级结MOSFET龙头,掘金新能源汽车及光伏市场

来源:开源证券 作者:刘翔 2022-06-23 00:00:00
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国内领先的功率半导体设计厂商,首次覆盖给予“买入”评级公司深耕功率半导体研发与设计,产品覆盖高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET以及具有独立知识产权Tri-gate结构的IGBT等。公司在高压超级结MOSFET领域具有技术优势和深厚的先发积累,是该领域国内龙头企业。我们预计2022-2024年公司可实现归母净利润2.63/3.56/5.07亿元,EPS3.90/5.29/7.52元,当前股价对应PE61.8/45.6/32.1倍。首次覆盖给予“买入”评级。

高压超级结MOSFET产品技术和规模领先,中低压产品料号丰富高压MOSFET应用于新能源汽车充电桩、车载充电机、基站电源等市场,市场空间广阔、行业增速高。公司高压超级结MOSFET采用深沟槽技术,产品性能指标优异,有望引领国内高压MOSFET国产替代。公司的超级硅MOSFET是超级结MOSFET的重要产品系列,主打高频性能,以硅基设计与氮化镓产品形成竞争,有望以其优异性能和性价比优势取得更高市场份额。此外,公司中低压MOSFET料号丰富,技术指标可与海外一线厂商对标,亦有望取得长足发展。

公司TGBT采用自主创新器件结构,打造差异化竞争优势公司的TGBT产品是采用了自主创新的Tri-gate结构的IGBT产品,通过专利技术使得导通电阻与开关速度同时得到优化。2021年公司TGBT产品在光伏逆变器、储能、充电桩、电机驱动等领域获得客户的批量应用,并在以上领域多家头部客户如比亚迪、欣锐科技、古瑞瓦特等开启送测认证,获得客户认可。公司TGBT通过创新的器件结构实现优异性能,有望与市场上功率半导体器件形成差异化竞争。目前公司TGBT产品已实现产业化,将为公司成长提供新动能。

募投项目夯实综合产品实力,长期发展可期借助上市契机,公司拟投入募集资金9.39亿元,积极推进功率器件的研发及产业化项目,一方面夯实自身在超级结MOSFET的技术和规模领先优势,另一方面加强中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT等产品线建设,并积极布局第三代半导体,提升功率半导体综合供应能力,长期发展可期。

风险提示:公司代工资源变动;需求不及预期;行业竞争加剧,毛利率下滑。





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