光伏行业：关于颗粒硅的几点看法

事件： 近期，保利协鑫能源（3800.HK）的颗粒硅技术引发了行业对于多晶 硅环节技术路径的讨论。在调研了行业内主要公司、产业第三方以及下游硅 片主流企业后，我们总结了关于近期多晶硅行业技术路线争议的一些看法， 主要观点如下。

颗粒硅（流化床法）相对于块状硅（改良西门子法）的主要优点： 1、质量方面：密度小&流动性好，利于 CCZ（连续直拉）。 目前后端硅片拉 棒环节的主要技术为 RCZ（单晶复投），是拉完一根再复投加料拉下一根； 而 CCZ（连续直拉）可以实现一边加料一边拉晶，能够节约加料时间且单晶 的电阻率的一致性非常好。由于颗粒硅密度小且流动性好，因此相比于块状 硅更适合 CCZ。目前的主要问题是因为 CCZ 是连续加料，前面残留的锅底 料会影响到后面拉的品质，因此对总杂质含量要求很高，目前颗粒硅的纯度 还达不到要求。 2、成本方面：电耗低、单位投资额少。 目前改良西门子法每公斤耗电在 60度，颗粒硅仅为 20度，因此理论电耗仅为改良西门子法的 1/3；此外，由于 流程工艺相对更为简单，因此颗粒硅的单位投资额相对更少（采用 6代线后 可降至 7-7.5亿/万吨），改良西门子法目前为 10亿/万吨，因此相应的流化床 法的折旧成本也比较低。二者共同导致颗粒硅的理论生产成本比块状硅要低。

颗粒硅相对于块状硅的主要缺点： 1、后端环节：含氢量高导致跳硅，会对拉棒产生一定不利影响。 由于流化床 法自身的生产工艺原因，颗粒硅中氢含量相比块状硅要高，在后端拉棒环节 受热容易生产跳硅，即所谓的氢跳现象，从而对单晶炉热场的使用寿命和拉 棒的稳定性和质量产生不利影响。 2、质量方面：含碳量高以及粉尘问题影响产品纯度。 由于颗粒硅体积很小， 因此在生产过程中会撞击器壁从而损伤生产设备器壁。为解决这一问题，一 般设备的内衬多为坚硬的碳基材料（如碳化硅），但在生产过程中硅仍然会撞 击器壁从而使得颗粒硅中含碳量较高。此外，颗粒硅表面积较大，导致其容 易吸附更多粉尘。两个问题均会影响产品纯度，其中 N 型料对于纯度的要求 更高，目前颗粒硅还满足不了这么高的纯度要求。 3、成本方面：目前稳定运行和产品一致性问题仍是制约降本的主要问题。 虽 然颗粒硅的电耗、单位投资额以及人工成本方面相比块状硅具有优势，但这 只是理论情况。实际上，由于颗粒硅撞击器壁的问题，根据目前掌握的信息 颗粒硅的生产连续性较差，需要隔几个月就更换新的碳基内衬，造成了较大 的成本增加。此外，由于颗粒硅体积很小，目前成品中仍有较多粉状颗粒硅， 属于废料，也造成了较大的成本增加。因此，这两个问题是颗粒硅后续能否 成功降本的关键。