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中微公司:业绩稳定增长,半导体设备迎国产化机遇

来源:东吴证券 作者:陈显帆,周尔双 2020-04-17 00:00:00
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事件:公司发布2019年度报告,实现营收19.47亿元(同比+18.77%);归母净利1.89亿元(同比+107.51%),扣非归母净利1.48亿元(同比+41.48%)。

投资要点

业绩稳定增长,2020年以来中标加速迎国产化机遇

1)2019年在全球半导体设备及LED设备不太景气的背景下,公司仍实现近20%的收入增长,我们认为整体符合预期。分业务看,专用设备收入15.87亿元,同比+13.55%。备品备件收入3.38亿元,同比+49.23%,服务收入0.21亿元,同比+44.21%。

2)公司净利润增长108%,显著高于收入增长的19%,主要原因为2018年计入非经常性损益的股份支付费用达1.02亿元,本期无该类费用,且19年研发费用加计扣除增加等因素导致本期所得税费用减少。

3)根据中国国际招标网,2020年以来公司先后中标长江存储9台刻蚀设备(累计市占率达17%),华力集成2台刻蚀设备(累计市占率达13%),华虹半导体3台设备(累计市占率达21%),下游晶圆厂的招投标加速将为公司带来国产化机遇。

毛利率维持平稳,期间费用控制良好

1)2019年主营业务毛利率34.93%,同比-0.57pct,整体基本维持稳定。

2)2019年净利率9.71%,同比+4.15pct;若扣除非经常性损益影响,2019年净利率同比+1.2pct。期间费用率为27.7%,同比-1.4pct,整体费用控制良好,研发费用率达12%,同比+4.8pct。

研发投入持续加大,新设备开发稳步推进2019年公司研发经费投入达4.25亿元,占营业收入比例的22%;研发人员数量为276人,同比增长15%,占公司员工总人数的比例为38%。报告期内公司产品研发持续推进,获得较多进展:1)逻辑集成电路制造环节:公司刻蚀设备已运用在国际知名客户65nm到7nm的芯片生产线上;同时已开发出5nm刻蚀设备用于若干关键步骤的加工,并已获得行业领先客户的批量订单。

2)3DNAND芯片制造环节:公司CCP刻蚀设备可应用于64层的量产,同时正在开发新一代能够涵盖128层关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。

3)ICP刻蚀设备:已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产,并在进行下一代产品的技术研发,以满足7纳米以下的逻辑芯片、1X纳米的DRAM芯片和128层以上的3DNAND芯片等产品的ICP刻蚀需求,并进行高产出的ICP刻蚀设备的研发。

本土晶圆厂密集招标提供国产化机遇,下游工艺升级带来更多设备空间

1)2020年以来长江存储招标加速,自主研发的64层3DNAND目前产能规模约为2万片/月,预计至2020年底前产能超过5万片/月,2021年完成10万片/月的目标;此外华力集成也在3月份以来开启了密集招标;中微均在其中占据较高份额。我们认为下游晶圆厂密集招标将为公司带来国产化大机遇。

2)随着3DNAND层数增加和集成电路线宽不断缩小,制造环节要求重复多次薄膜沉积和刻蚀工序步骤,意味着单条产线所需刻蚀设备增加,催生更多的刻蚀设备需求。同时由于逻辑器件和存储器件的结构变化,市场对ICP刻蚀工艺的需求迅速增长。公司已覆盖3DNAND中2/3的介质刻蚀工艺,目前公司ICP设备已经量产,有望进一步提升刻蚀工艺覆盖广度,提高刻蚀业务竞争力。

盈利预测与投资评级:我们预计公司2020/2021年净利润分别为2.7/3.7亿,对应PE分别为304/220倍;公司是晶圆制造环节唯一进入全球龙头晶圆厂供应链的国产设备商,技术水平达到5nm先进制程,享有估值溢价,首次给予“增持”评级。

风险提示:晶圆厂投产不及预期,新品研发不及预期。





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