化工新材料行业:高盟新材

本周行业观点。

南大光电拟建设193nm 光刻胶,国产光刻胶逐步向高端化迈进。

2018年1月12日晚,南大光电发布公告,公司拟投资建设高端集成电路制造用193nm 光刻胶材料以及配套关键材料研发及生产项目,其中一期总投资预计约9.6亿元,达产后年产值预计约3.75亿元,年税预计收约8000万元。

光刻胶是具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,作为转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介,被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作,是微细化工技术的关键性材料。光刻胶按应用领域可划分为PCB 光刻胶、LCD 光刻胶和半导体光刻胶。目前,半导体市场上主要使用的光刻胶包括g 线(436nm)、i 线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(157nm)四类光刻胶,其中g 线和i 线光刻胶是市场上使用量最大的光刻胶。为适应集成电路线宽不断缩小的要求,光刻胶的感光波长逐步由紫外宽谱向g 线、i 线、KrF、ArF、F2以及更高端的方向发展,同时功能性材料配方的精准度和效能的稳定性也逐渐向更高技术等级水平发展。

目前,全球光刻胶市场规模大概在350亿元左右,增速约5%,中国市场规模近100亿元,增速10-20%,其中半导体领域市场空间约7-8亿元。我国光刻胶生产及研发水平与国际差距较大,用于分立器件的环氧橡胶类光刻胶已经基本实现国产化,g/i 线光刻胶(436/365nm)自给率仅15%,主要进口自台湾和日本,而KrF 和ArF 等高端光刻胶基本被包括陶氏化学、JSR、信越化学、东京应化等日本和美国企业所垄断。

近年来,我国光刻胶产业取得了一定进步。晶锐股份承担国家重大科技项目02专项“i 线光刻胶产品开发及产业化”项目,在国内率先实现i 线光刻胶的量产,北京科华(南大光电持股31.39%)则依托02国家重大专项在248nm 取得了一定成果,产品已经通过中芯国际认证。南大光电此次193nm 光刻胶产线的建设计划,说明北京科华和南大光电合作的193nm 光刻胶产业化项目也已经取得了初步成功。

风险提示:集成电路产业发展不及预期;集成电路制造技术快速迭代。