国泰海通：存储供需缺口仍在加深 高盈利韧性支撑长景气周期

（原标题：国泰海通：存储供需缺口仍在加深 高盈利韧性支撑长景气周期）

智通财经APP获悉，国泰海通发布研报称，存储行业已经从AI算力投资的受益方转变为制约AI基建的关键瓶颈，AI需求驱动的结构性短缺贯穿全产业链，供需缺口仍在加深。行业关注重点有望从单季度价格/利润弹性转向高盈利的多年持续性，从基于价格涨跌预期的周期博弈转向基于高盈利确定性的重新定价，推动估值中枢上行。价格端，26Q3合约价涨幅放缓并非周期见顶信号，预计涨价趋势有望延续至2027年；长期协议并非限制涨价空间，而是让价格趋势更可预判，以短期价格弹性换取长期盈利和现金流可见性。

产能端，该行认为供给纪律性仍然被市场低估，原厂大部分新增资本开支投向新建厂房和洁净室建设，扩产计划呈梯度推进，投产时间仍可跟随下游需求调整，26-27年实际新增产能有限。结构端，行业已经充分预期消费类终端需求疲软，而数据中心AI主线需求持续强劲，产能灵活调控下传统消费终端对行业供需格局的边际影响下降，不会改变供需失衡和价格温和上行的趋势。

国泰海通主要观点如下：

预计26Q3通用DRAM合约价上涨13-18%，NAND合约价上涨10-15%。

据TrendForce，26Q2通用DRAM合约价上涨58-63%，NAND合约价上涨55-60%，预计26Q3通用DRAM合约价上涨13-18%，NAND合约价上涨10-15%。现货价格方面，DDR3-DDR5大部分规格现货价维持上涨，部分DDR4 16Gb现货价下跌。NAND方面，7月TLC NAND现货价环比跌幅收窄至1.5%-1.9%，QLC NAND现货价环比持平，MLC NAND现货价环比上涨11.1%-11.4%，原厂退出/减产导致MLC NAND现货价涨幅较大。

6月韩国DRAM/NAND出口额同比增长超3倍，5月韩国半导体产/销量/库存同比+1.46%/-3.56%/-7.28%。

6月韩国存储出口额397.1亿美元，同比增长280.3%，环比增长23.6%。其中DRAM出口额218.5亿美元，同比增长385.2%;NAND出口额24.9亿美元，同比增长301.1%。5月韩国半导体产量/销量/库存同比+1.46%/-3.56%/-7.28%，产/销量同比增幅收窄/略下降主要由于产品价值量提升。

中国台湾主要存储产业链厂商6月营收延续高增。

中国台湾主要存储原厂、主控芯片厂商和品牌/模组厂商6月营收分别同比增长325.6%/296.0%/312.0%。南亚科Q2法说会表示产业结构性转变扩大需求缺口，预计存储供给短缺将持续，目前长约比重达到50%。

风险提示：技术发展不及预期风险；AI投资过热风险；宏观环境波动风险；地缘政治风险；供应链风险。