斯达半导15亿元可转债方案注册获批

（原标题：斯达半导15亿元可转债方案注册获批）

3月11日晚间，斯达半导公告称，公司于近日收到中国证监会出具的《关于同意斯达半导体股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券注册的批复》，同意公司向不特定对象发行可转换公司债券的注册申请。

据可转债募集说明书申报稿，本次公司拟募集资金总额不超过15亿元，计划投向车规级SiC MOSFET模块制造项目、IPM模块制造项目、车规级GaN模块产业化项目及补充流动资金项目。

公司自成立以来一直专注于以IGBT和SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。在SiC领域，公司自2020年起陆续获得了国内外多个SiC MOSFET主电机控制器项目定点，并于2022年实现国内首个800V高压SiC主电机控制器平台批量装车。目前，公司车规级SiC MOSFET芯片和模块已经在国内外主流整车厂多车型大批量装车，产品销量持续快速增长。

从行业情况来看，根据Omdia的数据，2023年全球功率半导体市场规模约503亿美元，预计2027年将增长至596亿美元。

对于本次发行的目的，斯达半导介绍，通过车规级SiC MOSFET模块制造项目和车规级GaN模块产业化项目的实施，公司将充分利用自身在新能源汽车领域的行业地位及技术优势，把握新能源汽车领域快速发展的历史机遇，满足客户对车规级第三代功率模块的技术和市场需求。

同时，公司表示，通过IPM模块制造项目的实施，公司将依托现有优质家电行业客户群体，加快IPM模块在白色家电领域的市场渗透，推动产品在变频白色家电等应用场景中的规模化配套，进一步提升公司在白色家电领域的市场占有率与行业地位。

效益方面，据披露，车规级SiC MOSFET模块制造项目建设周期为3年，据测算，项目内部收益率为18.45%（所得税后），预计投资回收期（所得税后）为7.88年（含建设期3年）。

IPM模块制造项目建设周期为4年，项目内部收益率为16.00%（所得税后），预计投资回收期（所得税后）为8.46年（含建设期4年）；车规级GaN模块产业化项目建设周期亦为4年，项目内部收益率为18.73%（所得税后），预计投资回收期（所得税后）为8.06年（含建设期4年）。

谈及对公司财务的影响，斯达半导认为，新建项目产生效益需要一定的过程和时间，若本次发行的可转债转股较快，募投项目效益尚未完全实现，则可能出现每股收益等财务指标在短期内小幅下滑的情况。但是，随着本次募集资金投资项目的有序开展，公司的发展战略将得以有效实施，公司未来的盈利能力、经营业绩将会得到提升。