中国国际金融股份有限公司
关于盛合晶微半导体有限公司
中国国际金融股份有限公司（以下简称“中金公司”或“保荐机构”）作为盛合晶微半
导体有限公司（以下简称“盛合晶微”或“公司”）首次公开发行股票并在科创板上市项目
的保荐机构，根据《证券发行上市保荐业务管理办法》《上海证券交易所科创板股票上
市规则》和《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第 1 号——规范运作》等相
关规定对盛合晶微履行持续督导职责，并出具本持续督导半年度跟踪报告。
一、持续督导工作情况
序号 工作内容 持续督导情况
保荐机构已建立健全并有效执行
建立健全并有效执行持续督导工作制度，并针对具体
的持续督导工作制定相应的工作计划
的工作计划
根据中国证监会相关规定，在持续督导工作开始前， 保荐机构已与盛合晶微签订《保
与上市公司或相关当事人签署持续督导协议，明确双 荐协议》，该协议明确了双方在持
方在持续督导期间的权利义务，并报上海证券交易所 续督导期间的权利和义务，并报
备案 上海证券交易所备案
经核查盛合晶微相关资料，2026
持续督导期间，按照有关规定对上市公司违法违规事
年上半年盛合晶微在持续督导期
间未发生按有关规定须保荐机构
告，并经上海证券交易所审核后在指定媒体上公告
公开发表声明的违法违规事项
持续督导期间，上市公司或相关当事人出现违法违
规、违背承诺等事项的，应自发现或应当发现之日起 2026 年上半年盛合晶微及相关当
上市公司或相关当事人出现违法违规、违背承诺等事 违规或违背承诺等事项
项的具体情况，保荐机构采取的督导措施等
保荐机构通过日常沟通、定期或
通过日常沟通、定期回访、现场检查、尽职调查等方 不定期回访等方式，了解盛合晶
式开展持续督导工作 微业务情况，对盛合晶微开展了
持续督导工作
序号 工作内容 持续督导情况
在持续督导期间，盛合晶微及其
董事、高级管理人员遵守法律、法
督导上市公司及其董事、高级管理人员遵守法律、法
规、部门规章和上海证券交易所
发布的业务规则及其他规范性文
他规范性文件，并切实履行其所做的各项承诺
件，切实履行其所做出的各项承
诺
督导上市公司建立健全并有效执行公司治理制度，包 保荐机构检查了公司执行《公司
管理人员的行为规范等 符合相关法规要求
在持续督导期间，保荐代表人和
督导上市公司建立健全并有效执行内控制度，包括但
项目组成员对盛合晶微的内控管
不限于财务管理制度、会计核算制度和内部审计制
理制度的设计、实施和有效性进
行了核查，盛合晶微的内控制度
投资、衍生品交易、对子公司的控制等重大经营决策
符合相关法规要求并得到了有效
的程序与规则等
执行，能够保证公司的规范运行
督导上市公司建立健全并有效执行信息披露制度，审
保荐机构督促盛合晶微严格执行
阅信息披露文件及其他相关文件，并有充分理由确信
上市公司向上海证券交易所提交的文件不存在虚假记
件及其他相关文件
载、误导性陈述或重大遗漏
对上市公司的信息披露文件及向中国证监会、上海证
券交易所提交的其他文件进行事前审阅，对存在问题 保荐机构对盛合晶微的信息披露
上市公司不予更正或补充的，应及时向上海证券交易 向上海证券交易所报告的情况
所报告
对上市公司的信息披露文件未进行事前审阅的，应在
上市公司履行信息披露义务后五个交易日内，完成对
经核查，在持续督导期间，盛合
晶微未发生该等情况
及时督促上市公司更正或补充，上市公司不予更正或
补充的，应及时向上海证券交易所报告
关注上市公司或其控股股东、实际控制人、董事、高
盛合晶微无控股股东、实际控制
级管理人员受到中国证监会行政处罚、上海证券交易
人，本持续督导期间，公司及其
董事、高级管理人员未发生该等
情况，并督促其完善内部控制制度，采取措施予以纠
事项
正
持续关注上市公司及控股股东、实际控制人等履行承 公司股权较为分散，无控股股东
行承诺事项的，应及时向上海证券交易所报告 东等不存在未履行承诺的情况
关注社交媒体关于上市公司的报道和传闻，及时针对
市场传闻进行核查。经核查后发现上市公司存在应披
经核查，在持续督导期间，盛合
晶微未发生该等情况
及时督促上市公司如实披露或予以澄清；上市公司不
予披露或澄清的，应及时向上海证券交易所报告
序号 工作内容 持续督导情况
发现以下情形之一的，保荐机构应当督促上市公司做
出说明并限期改正，同时向上海证券交易所报告：
（一）涉嫌违反《股票上市规则》等本所业务规则；
（二）中介机构及其签名人员出具的专业意见可能存
经核查，在持续督导期间，盛合
晶微未发生该等情况
或其他不当情形；（三）公司出现《保荐办法》第七
十条规定的情形；（四）公司不配合保荐机构持续督
导工作；（五）上海证券交易所或保荐机构认为需要
报告的其他情形
保荐机构已制定了现场检查的相
保荐机构应当制定对上市公司的现场检查工作计划，
明确现场检查工作要求，确保现场检查工作质量
工作要求
上市公司出现下列情形之一的，保荐机构、保荐代表
人应当自知道或者应当知道之日起十五日内进行专项
现场核查：（一）存在重大财务造假嫌疑；（二）控
股股东、实际控制人及其关联人涉嫌资金占用；
经核查，在持续督导期间，盛合
晶微未发生该等情况
际控制人及其关联人、董事或者高级管理人员涉嫌侵
占上市公司利益；（五）资金往来或者现金流存在重
大异常；（六）上海证券交易所或者保荐机构认为应
当进行现场核查的其他事项。
二、保荐机构和保荐代表人发现的问题及整改情况
三、重大风险事项
公司面临的风险因素主要如下：
（一）核心竞争力风险
集成电路先进封测行业生产工艺复杂、技术含量极高，其技术研发同时包含多种前
中后段工艺，涉及多学科、多领域的交叉，并需要在研发过程中持续投入大量的资金和
人力。
作为在集成电路先进封测领域持续攻关行业前沿技术的科技企业，公司高度重视技
术研发及产业化，持续保持较高水平的研发投入。然而，由于新技术的研发存在一定的
不确定性，若公司在研发过程中关键技术未能实现突破、性能指标无法达到预期，则将
面临研发失败的风险；此外，由于先进封测的技术研发需要经历前期的技术论证及后期
的生产实践，周期较长，若公司未能准确判断行业技术的发展趋势，导致工艺技术定位
偏差，则将面临研发产业化进度不及预期甚至研发产业化失败的风险。若发生上述情形，
公司前期的研发投入可能难以取得相匹配的回报，进而对长期发展产生不利影响。
集成电路先进封测行业属于人才密集型行业，对专业人才的知识背景、研发能力及
经验积累要求较高，拥有高端专业人才是先进封测企业保持市场竞争力的关键。近年来
在国家政策的大力支持下，先进封测企业数量增加，部分传统封测企业也正在布局进入
先进封测领域，行业内高端专业人才的供给存在一定缺口，人才争夺日益加剧。
公司已制定了较为合理的薪酬体系、激励措施，以稳定和吸引优秀的技术人才。但
是，若公司仍无法吸引到相匹配的专业人才，或由于不能对核心研发人员实行有效的约
束和激励造成较大规模的人才流失，均可能导致公司在行业竞争中处于不利地位，进而
影响公司的持续发展和经营业绩。
知识产权保护体系是集成电路先进封测企业发展和竞争的关键因素之一。公司通过
申请专利或形成技术秘密等方式对知识产权进行保护，并建立了严格的保密制度，和相
关技术人员签署了保密协议及竞业限制协议。但是，若由于技术秘密保护措施的局限性、
研发人员的流动性、外部因素造成的被动泄密及其他不可控因素，导致公司的核心技术
或重要研发成果泄密，将可能在一定程度上削弱公司的技术优势并对公司的经营业绩产
生不利影响。
（二）经营风险
集成电路先进封测行业的下游市场集中度较高，且下游市场头部企业的业务规模处
于绝对领先地位，特别地，芯粒多芯片集成封装行业的下游市场更是被少数技术水平高、
综合实力强的头部企业占据，若公司现有主要客户的经营状况发生重大不利变化，或外
部地缘政治环境变化导致公司现有主要客户下达的订单减少，或产业链上下游的发展程
度和稳定性造成公司现有主要客户的订单需求下降，均可能对公司的业绩稳定性产生不
利影响。此外，若公司无法持续深化与现有主要客户的合作关系与合作规模，无法有效
开拓新客户并转化为营业收入，将可能对公司经营业绩的增长性产生不利影响。
报告期内，公司募集资金投资项目按照整体建设规划稳步推进，此外多层细线宽系
统集成封测项目（一期）、东盛合芯三维集成芯片制造（一期）项目开工。上述项目的
推进一方面有利于公司进一步完善产业布局，提升经营规模和盈利能力，但另一方面也
对公司的市场开拓能力、营销推广能力等提出了更高的要求。现阶段，公司所处行业存
在市场竞争加剧的风险，若公司未来的市场开拓和营销推广不达预期，或在激烈的市场
竞争中处于不利地位，将导致公司面临新增产能无法消化的风险。
（三）财务风险
公司业绩受宏观经济环境、行业下游需求、行业竞争格局、公司技术研发及产业化
能力等内外部因素影响，近年来国际贸易形势亦发生较快变化，如果未来上述因素发生
重大不利变化，且公司不能采取有效的应对措施，将可能对公司整体收入及盈利水平产
生不利影响，导致出现收入增速减缓、净利润水平下滑等影响公司经营业绩可持续性的
风险。
公司作为红筹企业，记账本位币为美元，日常经营中的购销交易采用人民币、美元、
日元、欧元等多币种结算。公司在经营过程中重视外币资产和外币负债在规模上的匹配，
合理控制外汇风险敞口。但未来如果境内外经济环境、政治形势、货币政策等因素发生
变化，使得本外币汇率大幅波动，公司或将面临汇兑损失的风险。
集成电路先进封测行业是技术和资本密集型行业，持续的研发投入和产能扩充是保
证行业地位的重要措施，其需要大量的资金投入作为保障，尤其对于芯粒多芯片集成封
装，技术研发和产线建设的资金投入均极大。
未来，公司仍将保持较高水平的研发投入，并进一步扩充产能规模，以满足客户对
综合性能更强、平台更多元的先进封测服务的需求。但是，若公司未能准确判断行业发
展方向，及时应对下游市场变化；或市场竞争加剧，公司业务拓展不及预期，均可能导
致公司前期的研发投入和资本开支无法充分兑现为经营业绩，一方面将对公司的现金流
状况产生不利影响，另一方面已有固定资产形成的折旧费用也将影响公司的盈利能力。
（四）行业风险
近年来，先进封装的市场规模及占总体封测市场的比重均持续上升，吸引了大量的
市场参与者。一方面，领先的综合型封测企业凭借强大的资金和技术实力以及优质的客
户基础扩大在先进封装环节的投资，另一方面，新兴的先进封测企业凭借在特定领域积
累的技术以及吸收的资本市场投资进入先进封装行业。现有市场参与者扩大产能及新兴
市场参与者的进入，将可能导致市场竞争加剧甚至出现行业产能过剩的状况。若公司未
能持续提高制造能力和技术水平，将在加剧的市场竞争中丧失现有的行业领先地位，甚
至可能处于不利的竞争境地。
集成电路是国民经济和社会发展的战略性、基础性、先导性产业，是现代化产业体
系的核心枢纽，也是利用新质生产力实现经济社会高质量发展的关键保障，关系到国家
安全和中国式现代化进程。近年来，国家各级政府出台了一系列产业政策，从财税、投
融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用等方面为集成电路企业提供了更
多的支持，以推动行业发展，提高产业创新能力和国际竞争力。未来，若国家相关产业
政策出现重大不利变化，将对公司的发展经营情况产生一定的不利影响。
（五）宏观环境风险
集成电路先进封测行业的业绩表现与宏观经济的发展以及下游行业的需求密切相
关。一方面，宏观经济和下游行业的周期性波动会对集成电路先进封测行业的发展产生
影响。另一方面，各下游行业对集成电路先进封测服务的需求均会受到多重内外部因素
的影响，比如，智能手机、消费电子等受到宏观经济景气度、消费者预期与信心的影响，
高性能运算、数据中心、人工智能等受到算力基础设施建设进度、国际政治与贸易形势、
先进制程产能制约、高算力芯片研发及产业化进度的影响。若上述因素发生不利变动，
均会造成集成电路先进封测行业的需求下降，从而对公司的经营业绩产生不利影响。
随着地缘政治冲突加剧，国际出口管制态势趋严，美国近年来出台了一系列限制半
导体制造设备和限制芯片出口的相关管制政策，一些国家/地区也相继出台了类似管制
措施，给全球半导体市场和芯片供应链稳定带来不确定风险。
《出口管制条例》“实体清单”。根据《出口管制条例》的规定，供应商在向“实体清单”
中的企业销售“受管制物品”时需预先从美国商务部取得“出口许可证”。
销售方面，虽然公司被列入“实体清单”原则上不影响客户正常购买公司的产品或服
务，但不排除客户因自身情况的考量而减少或暂停向公司采购的可能性，若发生上述情
况，将对公司经营业绩的稳定性产生不利影响。采购方面，若公司的供应商无法从美国
商务部持续取得“出口许可证”，且相关采购物项的本地供应进度不及预期，将对公司的
供应链保障产生不利影响，进而影响公司正常的生产、经营和研发。
此外，若国际贸易摩擦和政策限制升级，导致公司无法与上下游合作伙伴持续合作，
对公司的销售、采购以及日常生产、经营和研发均可能产生不利影响。
（六）其他重大风险
公司股东主要为产业投资机构、专业投资机构以及员工持股平台等，股权较为分散，
且单个主体无法控制股东会或董事会多数席位，公司无实际控制人和控股股东。公司的
经营计划主要由管理层制定、董事会决定，经营计划的执行有赖于行业经验丰富以及对
公司具有深入了解的管理团队。公司存在未来因无控股股东及实际控制人所导致的效率
低下和决策失准的风险；同时，分散的股权结构可能导致公司遭到恶意收购，或出现因
其他股东通过一致行动或其他约定等安排使得公司的控制权发生变化的情形，则可能对
公司的日常经营与发展造成不利影响。
此外，由于公司股东持有公司股份不以控股为主要目的，若未来公司股东基于自身
战略作出后续持股安排，则可能因公司股权结构发生变化而对公司董事会、股东会决策
产生影响，进而导致公司生产经营和业务发展受到影响。未来不排除公司存在控制权发
生变动的风险，可能会导致公司正常经营活动受到影响。若因股东变动引发董事会频繁
更迭，可能导致技术研发、市场布局等中长期决策的连贯性受损，尤其在行业周期波动
时，股东风险偏好差异或加剧战略短期化倾向。投资者需特别关注无实际控制人架构与
控股股东主导模式的治理差异，审慎评估股东协商机制变化、控制权潜在转移等特有因
素对公司价值及投资回报的影响。
公司为一家根据《开曼群岛公司法》设立的公司。根据《国务院办公厅转发证监会
关于开展创新企业境内发行股票或存托凭证试点若干意见的通知》（国办发〔2018〕21
号）的规定，试点红筹企业的股权结构、公司治理、运行规范等事项可适用境外注册地
公司法等法律法规规定，但关于投资者权益保护的安排总体上应不低于境内法律要求。
公司治理制度需遵守《开曼群岛公司法》和《公司章程》的规定，关于投资者权益
保护的安排总体上不低于境内法律要求，但与目前适用于注册在中国境内的一般 A 股
上市公司的公司治理制度在资产收益、参与重大决策、剩余财产分配等方面存在一定差
异。
四、重大违规事项
五、主要财务指标的变动原因及合理性
（一）主要会计数据
单位：元 币种：人民币
本报告期 本报告期比上年
主要会计数据 上年同期
（1－6月） 同期增减(%)
营业收入 3,406,831,397.09 3,177,996,180.51 7.20
利润总额 439,379,584.46 434,943,470.70 1.02
归属于上市公司股东的净利润 449,359,445.31 434,894,465.01 3.33
归属于上市公司股东的扣除非经常性
损益的净利润
经营活动产生的现金流量净额 1,473,511,282.85 1,700,386,280.46 -13.34
本报告期末比上
本报告期末 上年度末
年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产 19,293,023,996.47 14,427,851,311.79 33.72
总资产 27,477,432,397.19 22,603,487,460.17 21.56
（二）主要财务指标
本报告期 本报告期比上年同
主要财务指标 上年同期
（1－6月） 期增减(%)
基本每股收益（元／股） 0.27 0.27 -
稀释每股收益（元／股） 0.25 0.26 -3.85
扣除非经常性损益后的基本每股收益
（元／股）
加权平均净资产收益率（%） 2.80 3.14 减少 0.34 个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净资
产收益率（%）
研发投入占营业收入的比例（%） 11.57 11.53 增加 0.04 个百分点
利润总额、归属于上市公司股东的净利润和归属于上市公司股东的扣除非经常性损
益的净利润增加，主要系销售规模增长所致。
经营活动产生的现金流量净额减少，主要系公司结合业务发展需求，增加人员布局，
本期付现薪酬增加，以及向客户收取的信用保证金到期退回所致。
归属于上市公司股东的净资产增加，主要系公司经营积累导致留存收益增加以及首
发募集的权益资本增加所致。
基本每股收益、稀释每股收益和扣除非经常性损益后的基本每股收益较上期基本保
持稳定，主要系本期公司净利润增长，一定程度抵消了新发行股份带来的股本摊薄影响。
六、核心竞争力的变化情况
（一）高效的研发体系与持续研发创新的能力
集成电路先进封装行业具有创新力度强、综合性技术要求高等特征，人才的知识背
景、研发能力和经验是企业持续创新的基石。公司高度重视研发团队的建设，目前已拥
有一支经验丰富的研发团队，其中核心人员均拥有超过 20 年的集成电路制造或先进封
装等行业经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的研判能力。
公司建立了高效的研发体系，以研发部门为核心，通过与技术平台部门以及其他职
能部门的密切对接，使项目在设计开发阶段即能够同时运用研发部门的研发能力和技术
平台部门的工艺能力，从而充分考虑后续客户导入验证和量产阶段的技术要求，大大加
快了项目推进的进程，有效保证了产出质量与可靠性，缩短了研发周期，提高了研发效
率及研发成果转化率。
基于优秀的研发团队和高效的研发体系，公司取得了丰富的研发成果，截至报告期
末，公司共拥有专利 665 项，其中发明专利 266 项。报告期内新增已授权专利 38 项。
（二）跻身境内外一流客户的供应链体系，构建了显著的客户壁垒
公司已进入了多个行业头部客户的供应链，并在交付能力、质量控制、技术水平等
方面获得了境内外一流客户的广泛认可，通过跻身境内外一流客户的供应链体系，公司
构建了显著的客户壁垒：1）行业头部客户对新供应商的认证标准高、认证周期长，部
分全球业务的客户在中国大陆的供应链布局较为集中，对于特定采购项目通常只会认证
引入个别合格供应商；2）公司根据行业头部客户的定制化要求持续攻关调优，能够提
升客户对公司服务的粘性；3）公司长期服务头部客户，已经形成了良好的市场声誉，
有利于优质客户的进一步拓展；4）与优质客户的合作可以帮助公司更好地把握下游需
求的发展方向，从而在技术路线上作出更精准的前瞻性布局。
（三）先进的制造和管理体系
公司自业务开展之初即采用前段晶圆制造环节先进的制造和管理体系，并根据先进
封装的生产工艺特点，不断扩展质量管控的广度和深度。目前，公司在质量、环保、信
息安全、安全管理、汽车行业、海关等领域通过了多项国际标准认证，覆盖了从工艺研
发到产品交付的全流程，并在具体的日常工作中严格按照国际标准的要求执行。
由于先进封装涉及大量晶圆处理工艺，且对洁净度、精细度、自动化等的要求更接
近于晶圆制造而远高于传统封装，因此，相对于从传统封装向先进封装延伸的封测企业，
公司在主营业务领域拥有先进制造和管理体系上的优势，尤其在与晶圆制造环节联系最
密切的芯粒多芯片集成封装领域优势更为显著。
（四）多元化、有韧性的供应链体系
公司建立了完善的采购管理体系，持续构建安全、可靠、有韧性的供应链体系。公
司以前瞻性视野在推进供应商的多元化、本地化，按照一流的技术和质量标准验证本土
供应商。通过构建多元化、本地化的供应链体系，提升供应链韧性，增强议价权，优化
采购成本，并降低国际物流周期带来的隐性成本，显著提升产能扩充和生产响应的效率，
实现降本增效；此外，公司也能够更好地稳定产能供应、保障交付连续性，提升客户对
公司长期服务的信心。
（五）卓越、专业的管理团队
公司的管理团队均具备集成电路制造或先进封装的研发、运营和管理经验，同时，
公司还吸收了多位具备海外经验的资深专业技术人才。公司的管理团队多元、互补，既
对行业整体格局及公司自身定位具有全面、深刻的认识，也对行业的未来发展趋势具有
前瞻性的研判能力，为持续提升公司核心竞争力和开发新工艺提供了强有力的人力资源
支持。未来，在兼具国际化视野、先进管理理念及卓越专业能力的管理团队的带领下，
公司将进一步追赶全球最领先技术水平，持续保持行业领先地位。
七、研发支出变化及研发进展
有研发人员 875 人，占公司总人数的 13.01%。研发进展如下：
（一）核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司的主营业务包括中段硅片加工、晶圆级封装和芯粒多芯片集成封装，基于多年
的研发投入和技术积累，公司在上述业务领域均形成了一系列具有自主知识产权核心技
术的技术平台。
公司主要技术平台的核心技术基本情况如下：
主营业
技术平台 技术工艺特征和先进性表征 所处阶段
务领域
掌握适用于更先进制程芯片的混合凸块（Mix bump）制造技术
业，并可解决更先进制程芯片混合凸块、高深宽比、高疏密比、纯
铜柱凸块等特殊设计导致的凸块共面性问题
间距/直径，单颗芯片的凸块数量可达数十万个，与全球领先封测企
Bumping 大规模量产
业处于同一先进水平
（1）在更先进制程芯片的检测上提供更低的辐射能量避免对产品
造成影响
中段硅 （2）提高晶圆边缘不完整裸片的凸块缺陷检测的自动化程度、检
片加工 测效率和准确率
（3）实现更小尺寸、更小高度的微凸块共面性、高度、金属含量
等的检测
现高阶定制化的数据处理和检查功能，提高作业质量和效率
芯片开发测试方案，并开发出适用于更先进制程芯片、硅转接板、
芯粒多芯片集成封装等的高端测试方案
CP 大规模量产
项创新性的改造升级，可降低作业成本，提高作业效率，并提升作
业的灵活度和稳定性
形变等多方面业界领先
的破片或背崩风险，可实现优于全球领先封测企业的最小晶圆减薄
厚度，契合客户对于芯片超薄化的发展需求
及以下）WLCSP，由于晶圆前段加工工艺采用低介电常数（Low-
WLCSP K）材料作为介电层，导致芯片切割环节面临新的更大的工艺难点，大规模量产
晶圆级 需要额外引入激光开槽工艺切割 Low-K 材料介电层，公司在激光
封装 开槽精度上与全球领先封测企业处于同一先进水平
陷（Die crack）的检测，全面筛选出芯片加工过程中产生的隐裂缺
陷，确保产品出货的质量安全
Enhanced-
不匹配导致的翘曲问题 大规模量产
WLCSP
主营业
技术平台 技术工艺特征和先进性表征 所处阶段
务领域
产生裂痕、芯片背面易破裂、芯片易与重布线层接触不良等风险，
可显著提高产品的可靠性和稳定性
平台之一，全球范围内只有少数最领先的晶圆制造企业和封测企业
能够量产相似的技术平台
（1）通过背面研磨后平坦化露铜的方式，可实现硅转接板中硅通
孔“盲孔”的平齐裸露，提供符合芯粒多芯片集成工艺要求的高平坦
度和表面粗糙度
（2）优化介电层沉积工艺，改善介电层与基底硅的结合力，提高
可靠性和稳定性
（1）可实现多块掩模版的无偏差拼接，提供最大硅转接板尺寸约
SmartPose
合 3 倍光罩的产品 大规模量产
r-Si
（2）通过优化硅转接板上芯片的硅占比，有效降低大尺寸硅转接
板的翘曲程度
（3）掌握临时键合和解键合工艺，可有效增强超薄转接板的加工
强度并降低碎片率
（1）支持封装的芯片（晶粒）尺寸可达 50mm*50mm 以上，对应
封装成品尺寸可达 75mm*75mm 以上
（2）大尺寸封装下支持 130um 的最小凸块间距，并搭配高导热方
芯粒多 案，实现对同时具备大尺寸和高 I/O 密度特点的高性能芯片的封装
芯片 作业
集成封 1、多层超细线宽/线距重布线制造技术：可实现小至 2um/2um 的线
装 宽/线距，以及多达 6P6M（6 层金属层 6 层介电层）的互联层数
SmartPose （1）可实现多块掩模版的无偏差拼接
小量试产
r-RDL （2）通过工艺调控克服大尺寸有机转接板的高翘曲性，可实现总
体工艺环节的低翘曲度
涵盖多层超细线宽/线距重布线制造技术、大尺寸扇出型技术、多芯
片异构集成技术、大尺寸 FCBGA 技术等
SmartPose 已完成全流
（1）高铜柱制造技术：通过制造高铜柱凸块，实现硅桥转接板内
r-BD 程验证
部垂直方向的电气互联
（2）类似前段 CMP 工艺的湿抛技术：实现对合金/无机复合物/有
机复合物的异质界面的高精度研磨，并可解决传统干法研磨工艺易
导致硅桥芯片中硅通孔纵深破裂的问题
显著提升 I/O 密度和数据传输带宽，使芯片系统在同等尺寸下拥有
SmartPose
更多功能和更高算力
r-3DIC- 大规模量产
BP 2、有源芯片背面露铜技术：可实现有源晶圆上的芯片堆叠，且有
源晶圆中硅通孔的孔径和密度均较 2.5D 技术显著提升
主营业
技术平台 技术工艺特征和先进性表征 所处阶段
务领域
三维芯片系统的散热能力，并节省空间
号传输能力
整平技术，在硅片表面实现高密度的亚微米尺寸级别的铜互联，可
SmartPose 达到三层及以上的互联层数
已完成全流
r-3DIC- 2、混合键合技术：采用极细间距的铜-铜垂直连接方式代替微凸块
HB 程验证
实现芯片互联，可实现 10um 及以下的间距
垂直连接，可实现 5um 及以下的开口尺寸
SmartPose 方向的电气互联
规模量产/
r-POP/ 2、多层超细线宽/线距重布线制造技术：可实现小至 2um/2um 的线
已完成全流
SmartPose 宽/线距，以及多达 6P6M（6 层金属层 6 层介电层）的互联层数
r-AiP 程验证
片的三维堆叠整合
（二）报告期内获得的研发成果
报告期内，公司获得发明专利 11 项，实用新型专利 27 项。截至报告期末，公司拥
有发明专利 266 项、实用新型专利 399 项、软件著作权 25 项。
本期新增 累计数量
申请数（个） 获得数（个） 申请数（个） 获得数（个）
发明专利 88 11 986 266
实用新型专利 40 27 500 399
外观设计专利 0 0 0 0
软件著作权 0 0 25 25
其他 0 9 77 42
合计 128 47 1,588 732
注：“累计数量”中的“获得数”为获得且有效的专利，不包括授权后失效的专利。“其他”为商标。
（三）研发投入情况表
单位：元
本期数 上年同期数 变化幅度（%）
费用化研发投入 394,162,002.15 366,521,145.82 7.54
资本化研发投入
研发投入合计 394,162,002.15 366,521,145.82 7.54
研发投入总额占营业收入比 增加 0.04 个百分
例（%） 点
研发投入资本化的比重（%）
（四）在研项目情况
单位：万元
预计总投资 本期投入 累计投入 进展或阶 技术
序号 项目名称 拟达到目标 具体应用前景
规模 金额 金额 段性成果 水平
应用于高端图
SmartPoser-Si 高密度硅穿孔中介 持续精进，技术成熟度满足量产
形应用、高性能
层集成封装平台 需求。
段 行业 据中心对 3D 存
期） 寸硅基载板的先进封装技术，实
段 人 工 智 能
（AI），超级计
介层集成封装平台开发-六代 率、成本更低、更高规格的封装
算
要求。
应用于下一代
SmartPoser-RDL 扇出型载板集成 AI 算力芯片、
实 现 2.5D 有 机 载 板 大 尺 寸 方
封装平台 调试验证 行业 消费电子、通
SmartPoser-RDL 扇出型载板集成 阶段 领先 讯、大数据、物
需求
封装平台开发-三代 联网等高端芯
片
SmartPoser-BD 芯 片底 部 互 联扇 1、完成全流程产品结构、电性、
出型载板集成封装平台 可靠性验证，并导入量产
扇出型载板集成封装平台开发-一 证阶段 高翘曲，窄间距等技术点完成全 AI 算力芯片、
代 2、开发阶 流程产品结构验证，满足先进封 消费电子、通
扇出型载板集成封装平台技术精 3、试产阶 3、实现 EB die 超薄路线全流程 领先 联网等高端芯
进（一期） 段 产品结构、电性、可靠性验证， 片、人工智能
源硅超薄双面凸块底部互联芯片 段 4、在现有平台上进行更大尺寸 算
技术开发 的扇出型硅桥封装，完成全流程
预计总投资 本期投入 累计投入 进展或阶 技术
序号 项目名称 拟达到目标 具体应用前景
规模 金额 金额 段性成果 水平
扇出型载板集成封装平台开发-三
代
SmartPoser-POP 三维高密度扇出 在现有平台基础上进行技术拓
应用于消费电
型封装平台 展，实现更高质量、更高良率、 行业
SmartPoser-POP 三维高密度扇出 降本工艺开发，满足先进封装产 领先
设备
型封装平台技术精进-2.1 品导入要求
应用于下一代
SmartPoser-3DIC-BP 高密度有源
AI 算力芯片、
硅穿孔中介层集成封装平台
调试验证 完成电性、可靠性验证，导入量 国内 消费电子、通
阶段 产 领先 讯、大数据、物
介层集成封装平台技术精进（一
联网等高端芯
期）
片
SmartPoser-3DIC-HB 混合键合与 HPC、XPU、大
TSV 技术的 3DIC 平台 调试验证 完成全流程产品结构、电性、可 国内 数据分析、自动
SmartPoser-3DIC 混 合 键 合 与 阶段 靠性验证，实现产品导入 领先 驾驶、云计算等
TSV 技术的 3DIC 平台开发-一代 领域
用于数据中心
的网络、计算等
SmartPoser-CPO 光电合封技术开 场景；在硅光非
发 全流程可靠性通过；不同路线产 行业 通信市场应用
基于 SmartPoser 的光电合封技术 品点亮 领先 前景也很大，例
开发项目 如硅光 Lidar、
消费者医疗、可
穿戴市场等
SmartPoser-TSV Last 垂直互联集 TSV Last 应 用
成封装技术 调试验证 实现 TSV last 与背金工艺的开 国内 在 AI 算力、消
TSV Last 垂直互联集成封装技术 阶段 发，达到量产 领先 费电子、汽车电
开发 子、射频等领域
SmartPoser-INTP 硅 基 载 板 平 台 调试验证 具备厚铜硅基载板结构的制造 行业 CPO 共封装光
开发 阶段 能力 领先 学，高功率相干
预计总投资 本期投入 累计投入 进展或阶 技术
序号 项目名称 拟达到目标 具体应用前景
规模 金额 金额 段性成果 水平
SmartPoser-INTP 硅 基 载 板 平 台 光通信模块，高
开发-三代 性能 2.5D 电芯
片封装等
难 点 ， 构 建 500W FT BIOS 及 面向先进封装
测试平台
段 2、构建半导体测试数据融合引 2.5D 、 MEMS
发（一期）
段 智能预警规避风险、模块化流程 领先 率、大尺寸芯片
测与进度管控平台研发（一期）
段 与项目管理成熟度。 链路测试，以及
（二期）
据不同类别的产品要求开发测 目导入管理
试程序和测试方案。
技术开发和工艺优化 1、开发特殊结构激光开槽技术，
证阶段
激光开槽技术开发及应用 作业的工艺能力 工业 电子 、AI
证阶段
发（一期） 构建高兼容封装平台 一代通讯物联
证阶段 行业
证阶段
发及平台建立 艺，满足芯粒封装的严格要求 片的制造需求，
证阶段
期） 并降低不良率 与磨关键站点
证阶段
效工艺开发（一期） 工工艺稳定性，整合国产供应链
国产设备、材料验证 1、试产阶 1、验证导入芯粒封装中磨划切 国内 依托国产材料
预计总投资 本期投入 累计投入 进展或阶 技术
序号 项目名称 拟达到目标 具体应用前景
规模 金额 金额 段性成果 水平
（二期） 2、调试验 2、验证导入芯粒封装中磨划切 生产安全，结合
开发（一期） 3、试产阶 3、验证导入 WLCSP 中磨划切 材料替代升级
证开发（二期） 4、试产阶 4、验证导入硅基 2.5D 的国产材 开发，实现供应
性能研究及产业化应用 5、调试验 5、剖析非自主关键技术壁垒，评 技术敏捷响应
化验证开发（二期） 风险预警与替代体系，加速核心
器件自主化
面向 AI 算力 、
良率提升 聚焦先进封装高精度与高可靠
调试验证 行业 消费电子、工控
阶段 领先 及物联网等高
升技术研究（一期） 决污染、应力及缺陷问题
端芯片领域
其他 装平台搭建，完成全流程产品结
证阶段
系统集成封装平台开发-一代 2、实现大尺寸基板 FCBGA 封
证阶段 费电子、手持穿
技术精进（二期） 3、在现有平台上进行低成本方
证阶段 行业 运算等领域，适
段 AI 芯片及车载
发探索 5、实现多层薄芯片在垂直方向
证阶段 集成需求
通孔芯片封装平台开发-二代 6、实现晶圆级打线扇出型封装
证阶段
叠封装平台开发-一代 辑芯片进行多芯片合封，完成全
流程产品结构验证
合计 / 228,103.01 38,471.94 90,347.46 / / / /
（五）研发人员情况
单位：万元 币种：人民币
基本情况
本期数 上年同期数
公司研发人员的数量（人） 875 663
研发人员数量占公司总人数的比例（%） 13.01 11.11
研发人员薪酬合计 16,374.23 14,650.16
研发人员平均薪酬 19.82 20.97
教育程度
学历构成 数量（人） 比例(%)
博士研究生 5 0.57
硕士研究生 233 26.63
本科 511 58.40
专科 119 13.60
高中及以下 7 0.80
合计 875 100.00
年龄结构
年龄区间 数量（人） 比例(%)
合计 875 100.00
注：研发人员薪酬合计为职工薪酬与股份支付合计金额。
八、新增业务进展是否与前期信息披露一致（如有）
不适用。
九、募集资金的使用情况及是否合规
（一）募集资金基本情况
根据中国证券监督管理委员会于 2026 年 3 月 3 日出具的《关于同意盛合晶微半导
体有限公司首次公开发行股票注册的批复》（证监许可〔2026〕373 号），公司首次公
开发行人民币普通股（A 股）股票 25,546.6162 万股，发行价格为人民币 19.68 元/股，
本次募集资金总额为人民币 5,027,574,068.16 元，扣除发行费用人民币 248,973,009.21
元（含增值税），实际募集资金净额为人民币 4,778,601,058.95 元。上述募集资金已全
部到位，并经容诚会计师事务所（特殊普通合伙）审验，于 2026 年 4 月 15 日出具《验
资报告》（容诚验字[2026]230Z0052 号）。公司已对上述募集资金进行了专户存储管理，
并与保荐机构、存放募集资金的商业银行签署了《募集资金专户存储三方监管协议》。
报告期内，募集资金专项账户共用于募集资金投资项目（以下简称“募投项目”）支
出为人民币 418,459.18 万元。截至 2026 年 6 月 30 日，公司累计用于募投项目支出为人
民币 418,459.18 万元，募集资金余额为人民币 479,626.41 万元。具体明细如下：
单位：万元 币种：人民币
发行名称 2026 年首次公开发行股份
募集资金到账时间 2026 年 4 月 15 日
本次报告期 2026 年 1 月 1 日至 2026 年 6 月 30 日
项目 金额（注 1）
一、募集资金总额 502,757.41
减：发行费用 24,897.30
二、募集资金净额 477,860.11
减：
以前年度已使用金额 -
本年度使用金额（注 2） 418,459.18
加：
已完成置换审议尚未转出的预先投入募投项目的自筹资
金（注 3）
已完成置换审议尚未转出的以自筹资金支付的发行费用
（注 3）
尚未支付的发行费用 255.00
募集资金利息收入及扣减手续费等净额 67.17
三、报告期期末募集资金余额 479,626.41
注 1：数据如有尾差系四舍五入所致，下同。
注2：其中包括（1）公司以自筹资金预先投入募投项目金额人民币417,860.11万元；（2）2026年1-6
月募集资金专户直接支付的募投项目资金人民币599.07万元。
注3：公司于2026年5月29日召开第一届董事会第十五次会议，审议通过募集资金置换相关议案，详
见《关于使用募集资金置换预先投入募投项目及已支付发行费用的自筹资金的公告》（公告编号：
（二）募集资金管理情况
为规范公司募集资金管理和使用，提高资金使用效率和效益，保护投资者利益，公
司根据《上市公司募集资金监管规则》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引
第 1 号——规范运作》等相关法律法规和规范性文件的规定，结合公司实际情况，制定
了《盛合晶微半导体有限公司（SJ Semiconductor Corporation）募集资金管理制度》（以
下简称“《募集资金管理制度》”），对募集资金的存储、使用、管理与监督等方面作出
了明确的规定。报告期内，公司不存在违反相关法规文件的规定以及公司管理制度的情
况。
公司、全资子公司盛合晶微半导体（江阴）有限公司分别于 2026 年 3 月、2026 年
金专户存储三方监管协议》。上述监管协议与上海证券交易所监管协议范本不存在重大
差异。截至 2026 年 6 月 30 日，上述监管协议履行正常。
截至 2026 年 6 月 30 日，首次公开发行股票募集资金存储情况如下：
单位：万元 币种：人民币
发行名称 2026 年首次公开发行股份
募集资金到账时间 2026 年 4 月 15 日
报告期末余
账户名称 开户银行 银行账号 账户状态
额
盛合晶微半导体有限公司 中国建设银行
NRA32050161613609
（ SJ SEMICONDUCTOR 股份有限公司 2,325.07 使用中
CORPORATION） 江阴支行
中国建设银行
盛合晶微半导体（江阴）有 320501616136000040
股份有限公司 477,301.35 使用中
限公司 79
江阴支行
（三）募集实际使用情况
公司严格按照《上市公司募集资金监管规则》《上海证券交易所科创板上市公司自
律监管指引第 1 号——规范运作》等有关法律法规和规范性文件的规定使用募集资金。
公司于 2026 年 5 月 29 日召开第一届董事会第十五次会议，审议通过了《关于使用
募集资金置换预先投入募投项目及已支付发行费用的自筹资金的议案》，同意公司使用
募集资金人民币 419,903.31 万元置换预先投入募投项目及已支付发行费用的自筹资金，
其中，拟使用募集资金人民币 417,860.11 万元置换预先投入募投项目的自筹资金，拟使
用募集资金人民币 2,043.20 万元置换已用自筹资金支付的发行费用。截至 2026 年 6 月
公司于 2026 年 5 月 29 日召开第一届董事会第十五次会议，审议通过了《关于使用
自有资金支付募投项目所需资金并以募集资金等额置换的议案》，同意公司及实施募投
项目的子公司在募投项目实施期间，根据实际情况先行使用自有资金支付募投项目所需
资金，在履行内部相关审批程序后定期以募集资金等额置换。截至 2026 年 6 月 30 日，
公司尚未实施募集资金等额置换事项。
报告期内，公司不存在使用闲置募集资金暂时补充流动资金的情况。
报告期内，公司不存在对闲置募集资金进行现金管理的情况。
的情况
公司未超募，不存在使用超募资金用于在建项目及新项目（包括收购资产等）或回
购公司股份并注销的情况。
报告期内，公司不存在节余募集资金使用情况。
由于公司首次公开发行股票并在科创板上市实际募集资金净额低于《盛合晶微半导
体有限公司首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书》中披露的募投项目拟投入募
集资金金额，公司于 2026 年 5 月 29 日召开第一届董事会第十五次会议审议通过了《关
于调整募集资金投资项目拟投入募集资金金额的议案》，同意公司根据首次公开发行募
集资金净额的实际情况，调整募投项目拟投入募集资金金额。具体调整情况如下：
单位：万元 币种：人民币
序 调整前拟使用募集 调整后拟使用募集
募集资金投资项目 总投资额
号 资金投入金额 资金投入金额
超高密度互联三维多芯片集成封装
项目
合计 1,140,000.00 480,000.00 477,860.11
公司 2026 年半年度募集资金存放与使用情况符合《上海证券交易所科创板股票上
市规则》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第 1 号——规范运作》和公司
《募集资金管理制度》等法律法规和制度文件的规定，对募集资金进行了专户存储和专
项使用，并及时履行了相关信息披露义务，募集资金具体使用情况与公司已披露情况一
致，不存在变相改变募集资金用途和损害股东利益的情况，不存在违规使用募集资金的
情形。
十、控股股东、实际控制人、董事、高级管理人员的持股、质押、冻结及
减持情况
公司股东主要为产业投资机构、专业投资机构以及员工持股平台等，股权较为分散，
且单个主体无法控制股东会或董事会多数席位，公司无实际控制人和控股股东。
截至 2026 年 6 月 30 日，公司董事和高级管理人员所持有的公司股份均不存在质
押、冻结、减持情况。
十一、上海证券交易所或保荐机构认为应当发表意见的其他事项
截至本持续督导跟踪报告出具之日，不存在保荐机构认为应当发表意见的其他事项。
（以下无正文，为《中国国际金融股份有限公司关于盛合晶微半导体有限公司 2026 年
半年度持续督导跟踪报告》之签章页）
保荐代表人签名：
王竹亭 李 扬
中国国际金融股份有限公司
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