证券代码:301413 证券简称:安培龙 公告编号:2026-059
深圳安培龙科技股份有限公司
本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整,没有虚假记
载、误导性陈述或重大遗漏。
深圳安培龙科技股份有限公司(以下简称“公司”)于近日收到国家知识产
权局颁发的 1 项《发明专利证书》,现将本次取得的发明专利具体情况公告如下:
发明名称:一种基于单晶 PZT 薄膜的 MEMS 器件及其制备方法
专利号:ZL 2026 1 0831777.5
专利权人:深圳安培龙科技股份有限公司
专利申请日:2026 年 06 月 10 日
授权公告日:2026 年 08 月 28 日
专利权期限:本专利的专利权期限为 20 年。
本发明公开了一种基于单晶PZT薄膜的MEMS器件及其制备方法,涉及微机电
系统技术领域,包括支撑基底、第一介质层、第一电极、压电层、第二电极和第
一引出电极;压电层设有贯穿至第一电极互联接触区的互联通孔,第一电极内设
有与互联通孔连通且未贯穿第一电极的接触凹槽,导电填充体填充于互联通孔和
接触凹槽内并直接接触第一电极内部金属本体;该结构避开第一电极表面氧化层
或刻蚀损伤层造成的高接触电阻,并使底层电极独立低阻引出;解决单晶PZT薄
膜MEMS器件中,底层电极通孔引出时因电极表面氧化层、卤化反应层或刻蚀损伤
层导致接触电阻升高、接触一致性差以及过刻蚀易损伤底层电极的问题。
本项发明专利为公司在研产品MEMS加速度传感器的一种自主研发的创新型
核心技术,短期内不会对公司的经营业绩构成重大影响,未来将陆续在公司相关
产品应用领域中应用。
本次取得的发明专利有利于公司发挥产品的自主知识产权优势及技术创新
优势,对提升企业核心竞争力、促进市场拓展及研发创新等方面都具有重要意义。
敬请广大投资者理性投资,注意投资风险。
特此公告。
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深圳安培龙科技股份有限公司董事会
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