气派科技股份有限公司与华创证券有限责任公司
关于气派科技股份有限公司申请以简易程序向特定对象发行股票的
审核中心意见落实函之回复报告
上海证券交易所：
根据贵所于 2026 年 8 月 7 日下发的审核中心意见落实函，气派科技股份有
限公司（以下简称“气派科技”、“公司”或“发行人”）与保荐机构华创证券
有限责任公司（以下简称“保荐机构”）、天职国际会计师事务所（特殊普通合
伙）
（以下简称“会计师”）对问询函所涉及的问题认真进行了逐项核查和落实，
现回复如下，请予审核。
如无特别说明，本回复报告中的简称与募集说明书中“释义”所定义的简
称具有相同含义，所用字体对应内容如下：
字体 含义
黑体 审核问询函所列问题
宋体 对审核问询函所列问题的回复
除特别说明外，本回复报告所有数值均保留两位小数，若出现总数与各分
项数值之和尾数不符的情况，均为四舍五入原因造成。
问题 1
结合本次募投项目相关产品的市场空间及产能利用率、技术先进性等，并与
同行业可比公司对比分析，进一步论证新增产能的合理性及具体消化措施，本次
募集资金是否符合投向科技创新领域的要求。
回复：
一、本次募投项目相关产品的市场空间及产能利用率、技术先进性等，并与
同行业可比公司对比分析，进一步论证新增产能的合理性及具体消化措施，本次
募集资金是否符合投向科技创新领域的要求
（一）本次募投项目产品的技术先进性
公司本次募集资金投资项目“高密度高性能芯片封测项目”围绕大尺寸
QFN/DFN、DFN（第三代半导体：氮化镓、碳化硅）、FC-QFN/DFN、大尺寸 LQFP
封装测试产品。
公司目前已掌握倒装封装技术（Flip Chip）、凸块工艺（Bumping）、微电
子机械系统封装（MEMS）、系统级封装（SiP）等先进封装技术，结合前述封装
技术演进和技术规格情况，考虑到 FC 是应用最广泛的先进封装技术，结合公司
现有业务规模、技术研发和设备投入成本，公司选取了已掌握的倒装封装技术
（Flip Chip）和凸块工艺（Bumping）运用到 QFN/DFN 产品，并将 FC-DFN/QFN
作为本次募投项目重点扩产产品之一，扩充 3 亿只 FC-DFN/QFN 产能，占本次
募投项目设计总产能的 58.36%。
FC-DFN/QFN 核心技术原理、互联方式、工艺流程、主流应用场景如下：
项目 内容
倒装芯片（Flip Chip）封装技术，芯片正面朝下，通过芯片上的凸点
核心技术原理
直接与引线框架焊接实现互连
采用晶圆级制备的铜凸点/焊料凸点，芯片倒装后直接与框架引脚回流
核心互连方式
焊接，实现面阵式互连，无引线结构
晶圆减薄→划片→倒装贴片→回流焊接→塑封→电镀→打印→切割→
核心工艺流程
包装，工序简洁，步骤少，但工艺难度高
输入/输出密度 面阵互连无引线限制，输入/输出密度显著更高，可实现更多引脚数，
能力 最小引脚间距可做到 0.2mm 以下，适配高引脚数芯片
高频高速、高功率密度、高性能要求的场景，如射频芯片、高频电源
主流应用场景
管理 IC、汽车电子芯片、5G 通信芯片、高性能计算模拟芯片等
相比传统封装技术，FC 可以缩短连接电路的长度、降低信号传输的延迟、
减小芯片的封装体积，同时允许芯片有更高的输入/输出密度、更优良的热传导
性，是目前技术应用最广泛的先进封装技术之一。公司本次募投项目中 FC-
DFN/QFN 基于其倒装封装技术应用，属于先进封装产品。
集成电路封测的良率和可靠性直接影响芯片产品的质量和使用寿命。因此，
知名芯片设计公司通常对封测供应商及其产品品类有着较为严格的认证条件。通
常情况下，品牌客户对封测企业的认证包括行业或质量体系认证、历史产品良率
数据验证、质量控制制度认证、小批量导入验证等，认证流程较长。公司选取已
掌握的倒装封装技术（FC）拓展先进封装品类，能够保证公司整体良率水平并较
快地导入客户产品体系或导入新客户，较快实现产品效益。
综上，基于公司现有业务规模和技术成熟度，FC-DFN/QFN 产品作为公司实
现先进封装产品的规模化突破，是公司目前的最优选。
（1）公司 QFN/DFN、LQFP 技术先进性
气派科技在 QFN/DFN/LQFP 封装体系中建立了装片精度、芯片长宽比支持
等十四项核心技术指标的先进性优势，这些指标围绕高频信号一致性、高可靠性、
高功率散热、表面处理、多芯片集成、LQFP 细间距、LQFP 超薄型、LQFP 增强
散热这八大技术能力簇有机协同，使得公司 QFN/DFN/LQFP 相比行业常规产品
具有更强技术优势，应用领域相应扩展至 5G 基站射频、AI 服务器 DrMOS、新
能源汽车、商业航天、工业控制、消费电子等前沿市场方向。具体如下：
行业常规
技术指标 气派突破水平 突破意义 应用领域
水平
达到业内一流水平，满
± 基站射频前端、AI
足 5G 毫米波、AI 高速
装片精度 10μm~±20 ±7μm~±15μm 服务器高速互连芯
互连对芯片位置一致性
μm 片、卫星通信射频
的极致要求
芯片
支持 GaN 功放、汽车功
GaN 射 频 功 放 器
芯片长宽 率 MOS 等极端长宽比芯
≤4:1 最大 6:1 件、汽车电子功率
比支持 片封装，应力控制能力
MOSFET
行业领先
AI 服务器 DrMOS
实现涂布均匀性、压力
仅管控下 功率器件、新能源
材料厚度 控制精度的系统性突
限（≥5 ±5μm~±10μm 汽车功率模块、5G
偏差 破，显著提升散热一致
μm） 基站大功率射频器
性和全生命周期可靠性
件
实现线长主动管控，确 5G/5G-Advanced
键合线线 无管控要
＜±40μm 保高频器件的阻抗匹配 射频前端模块、卫
长偏差 求
和增益一致性 星通信射频芯片
实现线间距双向管控， 5G 大 规 模 MIMO
键合线线 仅管控下 保障多通道射频器件和 射频前端、AI 服务
＜±10μm
间距偏差 限 高密度数字芯片的信号 器 高 速 SerDes 互
完整性 连
远超行业平均水平，确
塑封冲弯 5G 射频功放模块、
率 AI 服务器 DrMOS
后电性能一致性
第三代半导体静
形成竞争壁垒，将 5G 基站射频器件、
电防护技术（设
静电防护 常规无特 GaAs/GaN 等 化 合 物 半 卫星通信射频芯
计）、第三代半
（ESD） 殊要求 导体静电良率损失从 片、汽车电子传感
导体静电防护技
术（工艺）
①400℃热风枪
高可靠性 常规无特 5G 基站射频器件、
②-65℃~150℃ 与户外全年温差交变，
验证 殊要求 汽车电子
层
常规 较常规提升 2~3 个数量
功率处理 DFN<1W 级，通过 Clip 铜片、双 5G 基站射频器件、
；高功率 最高 300W
能力 面散热、烧结银协同实 AI 服务器
QFN<65
现
W
解决传统镀纯锡产品在
高温下的“铜迁移”问
表面处理 5G 基站射频器件、
镀锡 镀镍锡 题；在板级高温、应力方
能力 AI 服务器
面具备高品质和高可靠
性
“构建和集成”高性能
单一封装
系统封装的核心手段， 5G 基站射频器件、
多芯片处 体内集成 单一封装体内集
突破单一芯片物理极 AI 服务器、汽车电
理能力 1~3 颗芯 成 4~10 颗芯片
限、延续并拓展摩尔定 子
片
律的关键路径
在相同封装尺寸下容纳
汽 车 域 控 制 器
主流 0.4mm 间距已量 更多引脚，满足芯片输
LQFP 细 /MCU、工业 PLC/
间距高密 伺服驱动、5G 小基
距；最高 208pin，0.3mm 求，0.4mm 高良率能力是
度 站/通信设备、SSD
主控/FPGA
核心门槛
为 PCB 叠加和电池扩容 TWS 耳机、智能手
LQFP 超 典型厚度 1.0mm 超薄，厚 提供宝贵空间，切入便 表、便携医疗设备、
薄型 1.4mm 度减少 28.6% 携设备供应链的差异化 智能家居中控、
竞争点 AR/VR 设备
①底部裸露焊盘
从被动散热、主动散热、 车 载 电 机 驱 动
（EP）散热
内嵌散热递进，使 LQFP /BMS、工业功率逆
LQFP 增 无散热增 +110%
可承载高功耗芯片，切 变 器 、 快 充
强散热 强设计 ②反向成型+散
入车规功率驱动和工业 IC/PMIC、5G 基站
热器设计
逆变器市场 PA、LED 大灯驱动
③嵌入热沉设计
（2）公司 QFN/DFN、LQFP 大尺寸产品应用领域
基于前述技术特点，本次发行募投项目中的大尺寸 QFN/DFN、DFN（第三
代半导体：氮化镓、碳化硅）和 LQFP 产品的应用品类众多，应用领域广泛，具
体如下：
封装形式 技术特点 应用品类 应用领域
电源管理芯片、MCU 1、消费电子
微处理器芯片、锂电 手机、平板：PMIC 电源管理、DC?DC、
QFN5*5
保护芯片、音视频驱 负载开关、音频芯片、触控 IC；TWS
动和放大器芯片等 蓝牙耳机、智能穿戴：蓝牙射频、音
频功放、充电管理、传感器；数码相
电源管理芯片、MCU
机、便携小家电、智能家居终端、USB
微处理器芯片、智能
QFN6*6 接口芯片、LED 驱动等；
物联芯片、快充控制
芯片等
WiFi、蓝牙、Sub?G 射频芯片、无线
电力载波抄表控制主 收发芯片；智能模组、智能门锁、摄
DFN（双边扁平无引 芯片、语音处理芯片、像头、各类物联网终端 MCU、信号转
QFN7*7 脚）、QFN（四方扁平 MCU 微处理器芯片、换芯片等；
无引脚）属于无引脚 电机控制驱动芯片、 3、汽车电子
表面贴装封装，优势 逻辑处理芯片等 BMS 电池管理、车身控制 MCU、车
QFN8*8 及 是体积小、厚度薄、电 安全加密 SoC 芯片、灯驱动、车载音频、车载传感器（压
以上 气性能好、底部裸焊 智能物联芯片等 力、温度、雷达辅助）、电机驱动、
盘散热优异、成本可 电源管理等；
DFN7*10 控，广泛用于电源管 4、工业控制
理、MCU、射频、传 工业 MCU、信号采集、模拟接口、隔
感器、驱动类芯片封 离芯片；开关电源、电机驱动、工业
测、车规功率类芯片 传感器、PLC 外围、工业仪表、LED
等 工业驱动、保护器件等；
各类 DC?DC、LDO、充电 IC、MOS
GaN 射频功放芯片 管驱动、氮化镓 GaN 驱动、负载开关
DFN6.5*7
等；
安防：安全加密芯片、摄像头处理、
接口芯片等；
医疗电子：便携医疗设备、检测仪器
内部控制与电源芯片（低功耗小型
化）等
LQFP（薄型四方扁平 MCU 微处理器芯片，1、工业控制
封装），属于有引脚表 电机控制驱动芯片、 工业主控 MCU、PLC 主控制器、运
LQFP7*7
面贴装封装，引脚从 电力载波抄表控制主 动控制芯片、变频器、伺服驱动器、
四边向外引出，引脚 芯片、电力载波抄表 工业网关、数据采集模块、工业人机
封装形式 技术特点 应用品类 应用领域
数量覆盖 48～256 脚 控制芯片、蓝牙控制 界面 HMI、工控板、仪器仪表、传感
为主。 主控芯片等 器信号处理芯片等；
具有引脚多、输入/输 2、汽车电子
出资源丰富、焊接工 车身域控制器、整车各类车身 MCU、
艺成熟等特点，成本 仪表盘主控、车载网关、BCM 车身控
中等，适合中大规模 制模块、空调控制单元、车载多媒体
MCU、主控、通信、 中控、ADAS 辅助外围处理芯片等；
信号处理芯片。 3、消费电子
电视、机顶盒、路由器、交换机主控
芯片、打印机、复印机、智能家居中
控主板主控 MCU、家电主控（变频空
调、洗衣机、冰箱主控芯片）等；
网络交换机、路由器、光通信的接口
MCU 微处理器芯片，控制芯片、无线通信模组主控，基带
LQFP10*10 电机控制驱动芯片、 辅助芯片、宽带设备、网关设备、以
智能物联芯片等 太网控制器等；
NVR/DVR 硬盘录像机主控、网络摄
像头 SOC、视频编解码芯片、安防报
警主机，门禁控制器主控等；
便携医疗设备、监护仪、检测设备主
控 MCU、医疗仪器信号处理、人机控
制单元等；
光伏逆变器、储能变流器的主控与信
号处理芯片、电力计量芯片、智能电
表主控等
由上表，公司本次发行募投项目中的大尺寸 QFN/DFN、DFN（第三代半导
体：氮化镓、碳化硅）和大尺寸 LQFP 产品系中高端先进产品，细分应用领域广
泛，大尺寸 QFN/DFN、DFN（第三代半导体：氮化镓、碳化硅）应用场景包括
消费电子、物联网 IoT 与无线通信、汽车电子、工业控制、电源与功率半导体、
安防、医疗等；大尺寸 LQFP 产品应用场景包括工业控制、汽车电子、消费电子、
通信网络、安防监控、医疗电子和电力能源等，大尺寸 QFN/DFN、DFN（第三
代半导体：氮化镓、碳化硅）和大尺寸 LQFP 产品基于各自的产品特性，在大类
应用领域的细分产品应用存在一定的互补性，能够较好地拓展公司下游客户领域
和细分产品应用的进一步完善。
以汽车电子为例，近年我国新能源汽车发展迈入快车道，2024 年我国新能
源汽车销量近 1287 万辆，渗透率达到 40.9%，2025 年我国新能源汽车销量近 1649
万辆，渗透率超过 50%。
汽车电动化、智能化接续发力
资料来源：百度&Apollo《百度智能驾驶开发白皮书 1.0》
汽车智能化升级不断推进，带动单车芯片用量显著提升。据半导体产业纵横
测算，传统燃油车所需芯片数量约为 600 至 700 颗，新能源汽车因三电系统和电
子控制单元增加，芯片用量提升至 1600 颗左右；而智能汽车在感知、决策、执
行等系统中的计算与传感需求更为密集，单车芯片数量突破 3000 颗，较电动车
时代再次实现接近翻倍增长，芯片单车价值量随之提升，汽车电子已成为半导体
市场需求增长的重要下游之一。公司本次募投项目对应的大尺寸 DFN/QFN、
LQFP 中高端先进产品在汽车电子领域中的传感器、MCU、通讯芯片有着丰富的
应用场景，市场需求旺盛。公司 2024 年、2025 年、2026 年 1-6 月车规级产品实
现收入分别为 141.75 万元、409.55 万元和 406.83 万元，收入规模增长迅速，2026
年上半年收入规模已接近 2025 年全年水平，目前车规级产品收入规模较小主要
受限于产能瓶颈和资金缺口。公司已完成国际汽车工业组制定的质量管理体系认
证，已满足汽车电子委员会制定的集成电路应力测试认证标准、汽车功能安全国
际标准，具备车规级封装能力要求，现有客户已完成可靠性验证，待进一步扩充
车规级产品产能满足现有客户的增量需求。公司将募投项目新增车规级产品产能
划分单独区域进行专线建设，满足整车厂商专项产线要求和更多车规级产品客户
的产品需求，预计 2027 年下半年实现大批量出货，为公司贡献车规封装增量收
入，带动公司封装业务毛利率提升和客户结构优化。
综上，公司综合自身经营状况和资金实力，选择了目前技术应用最广泛的先
进封装技术 FC（倒装封装）作为公司先进封装量产产品的突破端口，本次募投
项目产品兼顾大尺寸 DFN/QFN、LQFP 中高端先进产品，应用领域涵盖汽车电
子、工业控制、消费电子、无线通讯、医疗电子和电力能源等国家鼓励产业。
（二）本次募投项目相关产品的市场空间
半导体封装测试产品类型众多，单一细分产品无权威统计数据，现从全球和
中国大陆集成电路封测行业市场规模说明如下：
从市场规模看，全球集成电路封测行业的市场规模从 2019 年的 554.6 亿美
元增长至 2024 年的 1,014.7 亿美元，复合增长率为 12.8%。2023 年，受智能手
机、消费电子需求疲软、客户库存调整、经济不确定性等因素的影响，全球集成
电路封测市场总体处于下行周期，市场规模较 2022 年同比出现下降。2024 年，
随着智能手机、消费电子需求的逐步回暖以及库存水平的逐步调整，且高性能运
算需求持续旺盛，全球集成电路封测行业市场规模同比恢复增长。
从需求端看，数字经济带来人工智能、数据中心、云计算、物联网、虚拟/增
强现实等新兴应用场景，也为封测行业的发展提供了多元化动力。预计全球集成
电路封测行业市场规模将在 2029 年达到 1,349.0 亿美元，2024 年至 2029 年复合
增长率为 5.9%。预计 2024 年至 2029 年，全球先进封装市场将保持 10.6%的年
复合增长率。2024 年全球传统封装市场规模为 407.6 亿美元，2019 年至 2024 年
的年复合增长率为 15.0%，未来传统封装市场亦将保持持续增长，预估 2024 年
至 2029 年年复合增长率为 2.1%。
根据 Yole 的研究报告，传统封装的市场规模未来将继续保持增长。传统封
装具备性价比高、产品通用性强、使用成本低、应用领域广泛等竞争优势，与先
进封装将继续保持多代并存，不存在明确的替代关系。
资料来源：Yole，灼识咨询
从市场规模看，受益于产业政策的大力支持以及下游应用领域的需求带动，
中国大陆封测市场跟随集成电路产业实现了总体发展，市场规模由 2019 年的
务结构看，中国大陆封测市场仍主要以传统封装为主，2024 年中国大陆先进封
装占封测市场的比重约 15.5%。
未来，随着全球集成电路产业重心逐步转移至中国大陆，中国大陆封测行业
将保持增长态势。预计中国大陆集成电路封测行业市场规模将在 2029 年达到
市场规模为 2,805.5 亿元，占整个封测市场规模的 84.53%，2024 年至 2029 年，
我国传统封装市场规模仍将保持 3.8%的年复合增长率，并将持续占据主导地位。
同时，随着领先企业在先进封装领域的持续投入，以及下游应用对先进封装需求
的增长，预计 2024 年至 2029 年，中国大陆先进封装市场将保持 14.4%的年复合
增长率。
资料来源：中国半导体行业协会，灼识咨询
亿元，预计到 2029 年倒装封装的全球市场规模将达到 2,453.00 亿元，中国大陆
市场规模为 678.9 亿元，倒装封装 2024 年至 2029 年全球市场规模年复合增长率
为 4.80%，2024 年至 2029 年中国大陆市场规模年复合增长率为 11.60%，保持较
快增长。2024 年至 2029 年，倒装封装全球和中国大陆的市场规模均高于晶圆级
封装、2.5D、3DIC、3D 等先进封装形式的市场规模。
单位：亿元
先进封装类 2024 年市场空间 2029 年市场空间
增长率
型
全球 中国大陆 全球 中国大陆 全球 中国大陆
倒装封装 1,941.80 392.7 2,453.00 678.9 4.80% 11.60%
晶圆级封装 403.9 91.9 543.6 150.2 6.10% 10.30%
数据来源：灼识咨询、财通证券研究所
根据 WISEGUY REPORTS 数据，2023 年全球 DFN/QFN 封装市场规模为
DFN/QFN 封装市场规模将从 2024 年的 149.3 亿美元增长至 2032 年的 306.8 亿
美元。
根据博研咨询统计数据，我国 DFN/QFN 封装市场规模近年来呈现稳步增长
的态势，2025 年，我国 DFN/QFN 封装市场规模达到 406.8 亿元。在应用领域方
面，消费电子仍是 DFN/QFN 封装产品最大的应用市场，新能源汽车市场的爆发
式增长带动了车载信息娱乐系统、传感器及电源管理单元等对高可靠性和紧凑封
装方案的需求，车规级 DFN/QFN 封装产品需求有望持续增长。根据各研究机构
数据，中高端产品 DFN/QFN 产品受益于消费电子、汽车电子和工业控制等应用
领域的需求增长，未来在全球和我国的市场规模仍将保持较快增长。
综上，集成电路传统封装和先进封装未来将保持持续增长，传统封装仍占我
国封测行业主导地位，市场需求不断增加，与先进封装将继续保持多代并存，不
存在明确的替代关系；倒装封装（FC）在全球和中国大陆的市场规模高于 2.5D、
长，中国大陆市场规模增速高于全球市场规模增速；中高端产品 DFN/QFN 全球
和我国市场受益于消费电子、汽车电子和工业控制等应用领域需求的增长亦将保
持持续增长。
（三）产能利用率
况如下：
单位：万只
封装形式
产能 产能利用率 产能 产能利用率
DFN/QFN 330,540.08 89.75% 203,225.76 90.99%
LQFP 2,407.24 75.49% 3,460.32 67.06%
本次募投项目新增 DFN/QFN 产能 42,400.00 万只，占 2025 年 DFN/QFN 产
能比例为 12.83%，新增 LQFP 产能 9,000 万只，较 2025 年 LQFP 产能增加 6,592.76
万只。
其中 DFN/QFN 产品产能利用率为 89.75%、90.99%。公司封装测试和 DFN/QFN
产品产能利用率已达到较高水平，主要系：（1）报告期内，公司通过自筹资金
进行设备投入，持续扩充了封装测试产能，产能扩充有产能爬坡阶段，需要进行
产线工艺参数设置、调试测试程序等工序，故新增产能爬坡阶段与理论产能存在
差距；（2）由于不同封装外形的尺寸和引脚数不同，封装产线切换产品生产需
要更换专用的塑封模具、引线框架的夹具，同时需要重新配置键合设备，更换与
新产品引脚布局、间距匹配的键合劈刀，并重新设置参数，调整装片设备芯片拾
取和放置的精度，以适应新芯片或基板的尺寸，因此产线切换产品需要停机以调
试相关参数，使得设备使用过程中需要一定的时间进行产线切换，导致产能损耗，
相应产能利用率难以达到理论值 100%的水平；（3）对于新客户导入、新材料切
换、老客户的产品升级迭代，都需要从工程批开始到小批量生产的验证，在行业
景气度高的情况下，工程批和小批量验证的数量较大，该部分所占用的设备的产
能利用率较低；（4）公司产品类型较多，订单数量众多，订单的结构和产能结
构不一定完全匹配，个别产品的订单可能在一段时间内有所波动，导致该产品的
产能利用率无法达到较高的水平。
产能利用率呈下降情况，主要系 2025 年 LQFP 产能为 2,407.24 万只，产能规模
在公司整体规模中占比仅为 0.18%，占比极小。受益于 2026 年 LQFP 订单的大
幅增加，公司已将 LQFP2026 年上半年产能扩充至 3,460.32 万只，已超 2025 年
全年产能，产能规模扩充幅度大，需要一段时间进行产能填充，因此产能利用率
有所下降。2025 年 LQFP 产品产量为 1,817.14 万只，2026 年上半年 LQFP 产品
产量为 2,320.63 万只，已超过 2025 年全年产量水平，2026 年上半年 LQFP 产品
产能利用率较 2025 年下降主要系 LQFP 产品产能快速扩充导致。2026 年 4-6 月，
公司 LQFP 产品的产能利用率已提升至 76.60%，较 2026 年 1-3 月有了较大幅度
的提升，LQFP 产品产能消化情况良好。
（四）同行业可比公司对比情况
根据甬矽电子于 2025 年披露的向不特定对象发行可转换公司债券募集说明
书的内容，甬矽电子将其封装产品所属范围分为两类，分别为大尺寸/细间距扁平
无引脚封装产品（QFN/DFN）等中端先进封装产品和系统级封装（SiP）、高密
度细间距凸点倒装产品（FC 类产品）等高端先进封装产品。甬矽电子 2022 年至
单位：万元、%
项目
金额 占比 金额 占比 金额 占比
SIP 158,974.41 44.96 124,880.10 52.42 122,524.49 56.86
DFN/QFN 126,157.77 35.68 74,846.58 31.42 63,184.17 29.32
FC 类产品 56,978.98 16.12 36,564.94 15.35 29,206.06 13.55
MEMS - - 280.64 0.12 537.12 0.25
其他 11,459.53 3.24 1,657.17 0.70 35.50 0.02
合计 353,570.69 100.00 238,229.42 100.00 215,487.34 100.00
由上表数据，甬矽电子 2022 年-2024 年的主营业务收入持续增长，DFN/QFN
产品收入增长迅速，2023 年同比增长 18.46%，2024 年同比增长 68.56%，占主营
业务比例由 2022 年的 29.32%增至 2024 年的 35.68%，DFN/QFN 是甬矽电子的
主要产品之一且增长较快，DFN/QFN 具有广阔的市场前景，是其产能布局的重
要组成部分。
根据通富微电 2026 年度向特定对象发行 A 股股票募集的相关文件披露，其
募投项目及封装形式与其现有业务的对应关系情况如下：
序 项目投资总
募投项目 封装形式与通富微电现有业务的对应关系
号 额（万元）
存 储 芯片 封 测 产能 提 涉及晶圆层面的减薄、堆叠，以及芯片层面
升项目 BGA、wBGA、PoP 等存储领域封装形式，
汽 车 等新 兴 应 用领 域 涉及大尺寸车规级 LQFP、QFN 等封装形
封测产能提升项目 式
晶 圆 级封 测 产 能提 升
项目（晶圆级 bumping）
晶 圆 级封 测 产 能提 升
项目（部分资金用于同 涉及小尺寸车规级 QFN、TSSOP 等封装形
厂 区 的车 载 芯 片封 测 式
产能）
高 性 能计 算 及 通信 领
域封测产能提升项目
由上表，通富微电 2026 年募资投资项目涵盖了大尺寸车规级 LQFP、QFN
等封装形式、小尺寸车规级 QFN、TSSOP、高性能计算及通信领域的 FC 等封装
形式，且相关项目投资总额较大。募投项目重点围绕国家集成电路产业发展战略、
半导体国产替代趋势及本土化封测产能配套需求开展，统筹推进传统封装产能优
化升级与先进封装能力布局完善，既包括汽车等新兴应用领域的 LQFP、QFN、
TSSOP 等传统封装相关产能，也包括存储芯片封测产能、晶圆级、高性能计算及
通信领域的 BGA、FC、SiP 等先进封装相关产能。
公司本次募集项目新增大尺寸 QFN/DFN、DFN（第三代半导体：氮化镓、
碳化硅）、FC-QFN/DFN、大尺寸 LQFP 的封装形式与甬矽电子的主要封装形式
DFN/QFN、FC 和通富微电 2026 年募投项目扩产的 LQFP、QFN 等封装形式保
持一致，符合行业中高端产能布局方向，不存在显著差异。
公司基于自身经营状况和本次募资规模考虑，选取已掌握的 FC（倒装封装
技术）成熟先进封装技术作为公司先进封装产品规模化量产的突破口，同时兼顾
大尺寸 DFN/QFN、LQFP 封测产品应用领域广泛，兼具性能优良和性价比高的
特点，产能消化预期良好，产能扩充后能够提升公司整体盈利能力，故公司本次
募投项目产能设计符合公司现有生产状况、技术特点和未来技术路线规划，能够
为公司未来盈利能力提供持续动能。
（五）在手订单
截至 2025 年 5 月 31 日，公司在手订单总额为 1.05 亿元，对应产品数量为
品数量为 26.80 亿只，在手订单总额同比增长 85.71%。其中，截止 2025 年 5 月
只，截止 2026 年 5 月 31 日，DFN/QFN 产品在手订单总额为 5,152.99 万元，对
应产品数量为 5.48 亿只，在手订单总额同比增长 59.88%。截止 2026 年 5 月 31
日，LQFP 产品的在手订单总额为 400.98 万元，对应产品数量为 1,324.37 万只，
在手订单总额同比增长 441.77%，在手订单情况良好。
综上，公司募投项目对应产品的在手订单情况良好，且呈现较大增长，本次
募投项目产品新增产能消化预期良好。
（六）公司拟采取的产能消化措施
经过多年的长期合作，公司与兆易创新、普冉股份、英集芯、芯迈半导体、
钰太科技、天钰科技、上海贝岭、矽力杰、晟矽微电、蕊源科技、博威公司等企
业建立了稳固的合作伙伴关系，在产品质量、交货期、专业服务等方面赢得了客
户的高度认可。其中兆易创新、普冉股份、英集芯、芯迈半导体、上海贝岭等上
市客户营收增长迅速，具体如下：
单位：亿元
公司简称 营业收 同比增 营业收 同比增 营业收 同比增
报告期
入 速 入 速 入 速
兆易创新
（603986.SH）
普冉股份
（688766.SH）
英集芯
（688209.SH）
芯迈半导体
（H02240.HK）
上海贝岭
（600171.SH）
注：上表中各公司 2026 年数据涵盖报告期分别为 1-3 月、1-4 月和 1-6 月。
公司核心客户 2025 年、2026 年收入呈现较快增长，特别是 2026 年以来收
入增速显著提高，公司订单以及业绩也将受益于下游客户蓬勃需求，呈现较快增
长趋势。
公司将持续巩固与现有核心客户的合作关系，把握核心客户的发展周期，持
续提升对核心客户的产品覆盖广度、项目参与深度及供货份额，推动既有合作向
多产品、多平台、多项目延伸，为新增产能消化提供稳定的订单来源。公司已针
对主要客户配备专属销售及技术支持团队，定期了解客户在交付、价格、质量等
方面的需求，通过前期导入和深度协同，提前锁定客户后续增量需求。同时，公
司将持续提升服务响应速度和沟通效率，结合执行进展定期复盘和动态优化，确
保客户合作持续深化、采购份额稳步提升，从而增强新增产能的消化保障能力。
在新客户导入方面，公司已建立较为完善的客户拓展与分层管理机制，由专
门团队负责现有中小客户的持续维护与需求挖掘、潜在新客户的开发与导入等，
形成存量客户深耕与增量客户拓展并行推进的业务体系。依托公司现有技术平台、
成熟量产经验及良好行业口碑，公司将持续加大对工业控制、汽车电子、通信网
络电力能源等重点领域潜在客户的拓展力度，积极推动更多项目由送样验证、小
批量试产向规模量产转化，不断提升客户储备厚度和拓宽公司产品的应用领域，
为新增产能释放提供充足的项目储备和业务支撑。
公司将加强新增设备调试、工艺验证、量产爬坡及生产协同管理，持续提升
新增产能的良率水平和设备稼动率；同时通过优化排产管理、强化供应链协同、
提升质量管控和交付保障能力，增强客户粘性和重复下单能力，提高新增产能使
用效率。
公司将根据客户导入进度、订单获取情况及市场需求变化，统筹安排募投项
目实施节奏，在建设期三年内按照规划逐步释放新增产能，避免产能一次性集中
投放带来的经营压力，提升新增产能释放与市场需求匹配度。
公司根据现有客户订单预计、正在导入客户和洽谈客户情况等，预估本次募
投项目对应产品大尺寸 QFN/DFN、DFN（第三代半导体：氮化镓、碳化硅）、
FC-QFN/DFN、大尺寸 LQFP 产能消化应用领域的占比情况如下：
新增产能
产品名称 应用领域占相应产品新增产能比例情况
（万只）
大尺寸 QFN/DFN、
消费电子：41.22%；通讯与物联网 24.77%；
DFN（第三代半导体： 12,400.00
汽车电子：19.37%；工业控制：14.64%
氮化镓、碳化硅）
消费电子：59.26%；汽车电子 25.93%；工业
FC-QFN/DFN 30,000.00
控制：14.81%
消费电子：50.23%；通讯与物联网：19.25%；
大尺寸 LQFP 9,000.00
汽车电子：17.37%；工业控制：13.15%
综上，公司本次新增产能规划系基于现有主要产品销售情况和先进技术应用
规划、现有产能利用率水平、客户储备情况等综合审慎确定，与下游应用市场需
求相匹配，在手订单充足，具有合理性。公司已从产能优化布局、新老客户开发、
运营效率提升等方面制定具体产能消化措施，新增产能具备逐步消化的业务基础。
（七）本次募集资金是否符合投向科技创新领域的要求
公司本次募集资金扣除发行费用后净额全部用于建设高密度高性能芯片封
测项目，新增大尺寸 QFN/DFN、DFN（第三代半导体：氮化镓、碳化硅）、FC-
QFN/DFN、大尺寸 LQFP 等封装测试产能 5.14 亿只/年。
版），公司的技术产品属于“1 新一代信息技术产业”之“1.3 电子核心产业”之
“1.3.1 集成电路”，符合其中“集成电路芯片封装，采用 SiP、MCP、MCM、CSP、
WLP、BGA、FlipChip、TSV 等技术的集成电路封装”的相关要求。
公司 FC-QFN/DFN 产品所应用的 FlipChip（倒装封装技术）属于《战略性新
LQFP 产品的应用领域符合投向科技创新领域的要求
成电路等前沿领域，推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。氮化镓、碳化硅
属于宽禁带的第三代半导体，受国家多项政策鼓励。
公司本次募投项目大尺寸 QFN/DFN、DFN（第三代半导体：氮化镓、碳化
年本）》鼓励类应用领域，包括“电力系统数字化升级”、“高端医疗器械创新
发展”、“汽车电子控制系统”、“智能汽车关键零部件及技术”、“新一代通
信网络基础设施”和“通信设备”等。
大尺寸 QFN/DFN、DFN（第三代半导体：氮化镓、碳化硅）、大尺寸 LQFP
综上，本次募集资金新增募投产品产能符合投向科技创新领域的要求。
（八）公司过往先进封装研发项目情况及公司未来发展规划
公司过往先进研发项目主要围绕 FC、MCM、SiP 等先进封装形式展开，具体如下：
项目名称 项目达到目标 技术水平 应用场景 技术应用情况
应用 MCM 封装技术，单一封装体内集成了 4~10
开发第二代散热及性能更好
超大功率高散热氮化镓第二 颗芯片，芯片包含多个 GaN 芯片和电容芯片。有
的 5G 基站用 GaN 射频器 项目产品主要应用于
代 5G 基站产品研发及产业 行业先进水平 限空间中集成多个不同功能的裸芯片，对应形成
件，适用于更严苛的使用环 5G 基站
化 的产品服务于 5G 及更高基站射频功放等核心通
境条件
信设备
应用 MCM 封装技术，单一封装体内集成了 4~10
设计超大功率超高频异结构
GaN 功放塑封封装，突破行 项目产品主要应用于
异结构 GaN 功放塑封封装 大功率封装领 决了超大功率 GaN 器件在塑料封装下的散热与
业内的金属陶瓷封装技术制 5G 宏基站
技术及产业化 先水平 可靠性难题，打破了高频、大功率器件必须依赖
约，大大降低成本
昂贵陶瓷封装的行业惯例
在公司现有制程能力基础上 应用 SiP 封装技术，在极小封装内集合声学/气压
项目产品广泛应用于
MEMS 硅麦器件封装技术 开发一整套完整的 MEMS 等传感器、ASIC 驱动芯片、埋容埋阻基板并通
行业先进水平 消费电子，如智能手
研发及产业化 硅麦产品制程工艺方案，同 过特殊封装结构大幅降低产品加工内应力，已实
机、电脑等
时满足客户的可靠性要求 现最高 74dB，属于国内领先水平
设计开发目前 DFN/QFN 最
应用 SiP 封装技术，通过系统级的集成创新，将
大规格尺寸的产品，提供可
项目产品主要应用家 功率、控制、感知等多个不同功能的芯片高效融
智能电机驱动芯片封装技术 靠且稳定的封装技术，实现
行业先进水平 用电器，如冰箱、吸 合，通过多芯片异构集成封装，将它们整合在一
开发 客户可靠性要求的前提为
尘器、空调、风扇 个封装体内，将封装从单纯的“物理保护壳”提升
IPM 产品提供一套完整的封
为决定系统性能的核心技术
装方案并实现稳定生产
开发设计 1~2 款高散热的系 应用 SiP 封装技术和 FC 技术，通过将过去独立
系统级功率器件双面散热封 应用于高端的 CPU
统级 QFN 功率器件封装， 行业先进水平 的驱动器（Driver）、高侧 MOSFET（HSMOS）
装和测试技术研发及产业化 和 GPU 供电领域
满足日益增长的算力芯片供 和低侧 MOSFET（LSMOS）三颗芯片整合进一个
电需求，完善公司功率器件 封装内，实现了体积大幅缩减、功率密度倍增、
封装技术能力 设计大幅简化
开发公司第一款双面散热封 双面散热封装技术，通过 Clip 铜片技术和顶部暴
装，提升 PDFN56 散热能 应用于大功率无人 露金属焊盘等工艺，将芯片顶部的热量高效传导
MOSFET 双面散热封装技
力，提升公司在功率器件封 行业先进水平 机、汽车助力转向控 至封装表面，将散热从“单行道”升级为“上下立
术开发
装技术领域优势，达到国内 制等领域 体双车道”。解决了高功率密度场景下的热管理
先进水平 瓶颈
倒装芯片封装技术（FC）:将芯片倒置并通过遍布
广泛应用于消费电 整个芯片表面的凸点实现直接连接，通过缩短物
子、汽车电子、工业 理距离、增加连接通道，解决了高性能芯片在速
开发 Q/DFN Flip chip 及真空
扁平无引脚倒装封装及真空 控制、通信与网络、 度、密度、散热和可靠性方面的核心痛点。是中
塑封技术，丰富公司封装种 行业先进水平
塑封技术开发 便携医疗、物联网终 高端芯片从传统引线键合封装向先进倒装封装
类，并提升工艺能力
端及功率与射频器件 升级的核心路径。该封装技术广泛应用于 5G 通
等领域 信基站射频前端模块、AI 服务器电源管理芯片、
汽车电子功率器件等国家战略性新兴产业领域
公司未来将持续研发并提高先进封装能力，丰富先进封装产品品类并提升产
能，聚焦算力基建、新能源汽车、5G 通信、光伏储能四大增长赛道，从传统封
装向先进封装全面转型升级，逐步向国内先进封装第一梯队靠拢。
（1）先进封装产品规划：形成功率器件与集成电路两大产品矩阵并行发展
格局。
散热器件、源极朝下功率器件、SiC 系列；
端工控全场景。
（2）先进封装技术规划：沿“散热技术突破+集成度提升+新材料应用”三
维路线演进。
性攻克功率器件热管理难题；
（SiP）、晶圆级封装（WLCSP），从单芯片倒装走向晶圆级全集成，功率密度
提升 3 倍。
（3）公司在研先进封装研发项目情况
公司在研先进封装研发项目主要围绕 OMP、FC-QFN、LGA、DQPAK、TOLT、
DrMOS、SiP 等先进产品展开，具体如下：
先进封装技
项目名称 实施方案 产出产品 应用领域
术应用情况
采用 与芯片 CTE 匹配 的
高可靠性大
铜钼铜材料做热沉，铆接
功率射频器 多芯片异构 OMP-780、OMP- 5G 基站、反
热沉与框架；匹配塑封料
件封装技术 集成技术 1203、OMP-270 无人机系统
与烧结银，实现高可靠封
开发
装
倒装芯片封 引进芯片倒装键合机、真
倒 装 焊 消费电子、
装 QFN 类产 空 塑 封 设 备 ， 建 立 FC- FCQFN-1*1~6*6
+QFN 高 密 工业控制、
品量产平台 QFN 工 艺 规 范 与 测 试 标 系列倒装芯片
度封装 汽车电子
搭建 准，增加 FC-QFN2X2~FC-
QFN5X5 等多款大尺寸的
封装形式
LGA 阵列栅
引进和开发 LGA 基板设
格封装，WB
LGA 封测技 计、印刷和被动原件 SMT 服务器、通
键合、倒装 LGA-48~168 系
术量产平台 工艺、底部填充工艺、倒 信模块、工
焊、多芯片 列封装器件
搭建 装芯片工艺和基板金属线 控主板
异构集成等
键合工艺
技术
顶部散热功
开发顶部散热的封装结构 充电桩、工
率器件封测 顶部直接散 DQPAK、TOLT
设计、采用烧结铜等低热 业变频、电
技术量产平 热技术 系列功率器件
阻界面材料 源模块
台搭建
开发 1 颗控制芯片驱动 2
多芯片异构 颗 MOSFET 的 紧 凑 封 装
高功率密度
集成，倒装 结构，高侧 MOSFET 采用 DrMOS6*5 、 AI 算力芯片
功 率 器 件
焊、铜夹键 倒装工艺同时搭配铜夹键 DrMOS5*5 系列 供电、GPU、
SIP 封 测 量
合等多工艺 合工艺实现，开发引线框 功率器件产品 CPU 供电
产平台搭建
集成技术 架印刷工艺、MOSFET 倒
装焊接、铜夹键合工艺
综上所述，公司已制定切实可行的先进封装研发规划，并已经取得了较为
理想的研发成果，将为公司经营业务的持续稳定发展提供坚实的技术支持。
二、中介机构核查程序
针对上述事项，保荐机构执行了以下核查程序：
情况，分析本次募投项目产品的产能消化情况；
司募投项目产品是否符合投向科技创新领域的要求；
三、中介机构核查意见
经核查，保荐机构认为：
划、现有产能利用率水平等综合审慎确定，与市场需求相匹配，与可比公司产品
分布情况或产品扩产情况不存在显著差异，在手订单充足，具有合理性。公司已
从产能优化布局、新老客户开发、运营效率提升等方面制定具体产能消化措施，
新增产能具备逐步消化的业务基础。
问题 2
结合公司与可比公司报告期内各类产品的平均单价及毛利率情况，进一步
说明本次募投产品单价及毛利率等主要测算指标是否谨慎合理
回复：
一、可比公司报告期各类产品的平均单价及毛利率情况
公司本次募投扩产大尺寸 QFN/DFN、DFN（第三代半导体：氮化镓、碳化
硅）、大尺寸 LQFP，鉴于可比公司未披露对应大尺寸 QFN、DFN、FC-QFN/DFN、
LQFP 产品的毛利率，公司选取华宇电子 QFN/DFN 整体毛利率对比如下：
根据华宇电子申请在北交所上市相关披露文件，其 2023 年至 2025 年上半年
QFN/DFN 销售单价及整体毛利率情况如下：
单位：元/只
项目
平均单价 毛利率 平均单价 毛利率 平均单价 毛利率
QFN/DFN 0.0944 28.55% 0.1009 27.14% 0.1215 34.56%
注：华宇电子后续披露文件及年度报告未披露 2025 年 QFN/DFN 产品平均单价和毛利率情
况，截止本回复出具日，华宇电子尚未披露 2026 年半年度报告。
华宇电子 2023 年 QFN/DFN 平均单价为 0.1215 元/只，毛利率为 34.56%，
QFN/DFN 平均单价为 0.0944 元/只，毛利率为 28.55%，单价呈下降趋势，毛利
率先降后升。
平。
单价区间为 0.4961 元/只至 0.7116 元/只，毛利率区间为 27.24%至 34.63%。本次
募投项目对应的大尺寸 DFN/QFN 产品为大尺寸中高端产品，产品附加值和毛利
率水平较高，募投项目对应的大尺寸 DFN/QFN 产品 2023 和 2024 年毛利率略高
于华宇电子同期 DFN/QFN 产品整体毛利率水平。
各公司封装测试产品由于制造工艺、用料差异（铜线、金线等）和产品规模
差异等导致各公司同类产品单价存在一定差异，公司募投项目对应产品系大尺寸
产品 ，产品性能和毛利率水平较 高，故略高于华 宇电子 2023 年和 2024 年
QFN/DFN 整体毛利率水平。
因此，公司募投项目对应 DFN/QFN 产品毛利率水平略高于华宇电子同期
DFN/QFN 产品整体毛利率水平，主要系对应 DFN/QFN 产品为大尺寸产品，产
品性能和附加值较高，故毛利率水平较高。
二、募投项目产品报告期内单价和毛利率情况
本次募投项目产能规划情况如下：
设计产能 T+1 T+2 T+3 起达产（万
封装形式
（万只） （万只） （万只） 只）
QFN5*5 5,000.00 1,500.00 3,500.00 5,000.00
QFN6*6 3,000.00 900.00 2,100.00 3,000.00
QFN7*7 2,000.00 600.00 1,400.00 2,000.00
QFN8*8 及以上 600.00 180.00 420.00 600.00
DFN7*10 1,000.00 300.00 700.00 1,000.00
DFN6.5*7 800.00 240.00 560.00 800.00
FC-QFN/DFN 30,000.00 9,000.00 21,000.00 30,000.00
LQFP7*7 6,000.00 1,800.00 4,200.00 6,000.00
LQFP10*10 3,000.00 900.00 2,100.00 3,000.00
合计 51,400.00 15,420.00 35,980.00 51,400.00
报告期内，公司募投项目对应产品的收入规模、单价与测算单价情况如下：
（一）已实现的收入规模
公司 2023 年至 2026 年 1-6 月，本次募投项目涉及封装产品各期已实现的
收入金额如下：
单位：万元
封装形式 2026 年 1-6 月 2025 年 2024 年 2023 年
QFN5*5 1,008.90 915.72 1,043.72 826.39
QFN6*6 265.97 359.18 516.64 358.45
QFN7*7 16.05 34.95 18.75 14.59
QFN8*8 及以上 66.51 156.95 139.09 156.09
DFN7*10 1,456.05 2,588.43 1,995.70 1,076.02
DFN6.5*7 384.22 725.52 826.09 478.05
FC-QFN/DFN 11.18 3.10 - -
LQFP7*7 36.97 0.77 - -
LQFP10*10 3.60 1.11 5.38 4.38
由上表，2023 年至 2026 年上半年，公司募投项目对应产品收入规模超 100
万元的封装形式包括 QFN5*5、QFN6*6、DFN7*10、DFN6.5*7、QFN8*8 及以
上，其中 DFN7*10 收入规模最高且呈持续增长趋势，QFN5*5 收入规模位居第
二且 2026 年上半年快速增长，已超过 2025 年度全年水平。
（二）销售单价变动情况
封装形式 售单价区间（元/ 价区间（元/ 价区间（元/ 价区间（元/
只） 只） 只） 只）
QFN5*5 、 QFN6*6 、
QFN7*7、QFN8*8 及以
上 、 DFN7*10 、
DFN6.5*7 、 FC-
QFN/DFN、LQFP7*7、
LQFP10*10
由上表，2023 年至 2026 年 1-6 月，募投项目对应产品的销售单价均呈现一
定幅度的波动，整体呈现出收入规模较大产品销售单价波动幅度较小的趋势。
低依次为 DFN7*10、QFN5*5、DFN6.5*7、QFN6*6、QFN8*8 及以上，前述封装
形式的产品波动较小。
对于 DFN7*10、QFN5*5、DFN6.5*7、QFN6*6、QFN8*8 等产品，影响销售
单价的主要因素有：1、不同市场情况下公司的定价策略差异；2、部分客户仅采
购封装服务，其采购单价低于其他客户的封装测试单价；3、产能紧张的情况下
公司优先承接单价较高客户的订单；4、部分产品产能未满产的情况下承接部分
低价订单；5、客户产品用料差异（金线、铜线等）。
主要为实现的工程批产品收入。
三、以 2026 年上半年销售单价作为设定单价的效益测算情况
原效益测算中，原设定单价综合考虑了 2025 年相应产品单价和公司的提价
措施影响因素。考虑到本次募投项目对应产品在 2026 年上半年均已实现规模化
销售或一定规模销售，以及公司基于产能紧张陆续与客户进行提价沟通的情况，
以 2026 年上半年的销售单价作为效益测算的设定单价更贴近企业的实际销售情
况和未来预期，对于 FC-QFN/DFN、LQFP7*7、LQFP10*10 收入规模较小的产
品，基于谨慎性角度考虑采用设定单价 0.04 元/只、0.27 元/只、0.71 元/只，低于
如下：
单位：万元
序号 项目 T+1 T+2 T+3 T+4 T+5
按 2026 年上半年平均销售单价测算，募投项目 T+1 到 T+5 的营业收入分别
为 3,931.80 万元、9,174.20 万元、13,106.00 万元、13,106.00 万元、13,106.00 万
元；毛利率分别为 21.75%、22.71%、25.31%、23.80%、23.56%；净利润分别为
分别为 7.81%、8.89%、10.69%、9.32%、8.68%。
对应产品 2023 年至 2026 年上半年毛利率，故本次募投项目的毛利率测算谨慎合
理。
本次募投项目建设期为 3 年，本次效益测算计算期为 12 年，在计算期内，
本项目达产后年均营业收入 13,106.00 万元，年均净利润 1,207.37 万元。本项目
税后内部收益率（IRR）为 9.29%，税后静态投资回收期（含建设期）为 8.83 年，
税后动态投资回收期（含建设期）为 12.00 年。故本募投项目财务效益情况良好。
根据《气派科技股份有限公司章程》第一百一十条规定的董事会行使下列职
权：
“（一）召集股东会，并向股东会报告工作；
（二）执行股东会的决议；
（三）决定公司的经营计划和投资方案；
（四）制订公司的利润分配方案和弥补亏损方案；
（五）制订公司增加或者减少注册资本、发行债券或其他证券及上市方案；
（六）拟订公司重大收购、收购本公司股票或者合并、分立、解散及变更公
司形式的方案；
（七）在股东会授权范围内，决定公司对外投资、收购出售资产、资产抵押、
对外担保事项、委托理财、关联交易、对外捐赠等事项；
（八）决定公司内部管理机构的设置；
（九）决定聘任或者解聘公司总经理、董事会秘书及其他高级管理人员，并
决定其报酬事项和奖惩事项；根据总经理的提名，决定聘任或者解聘公司副总经
理、财务总监等高级管理人员，并决定其报酬事项和奖惩事项；
（十）制定公司的基本管理制度；
（十一）制订本章程的修改方案；
（十二）管理公司信息披露事项；
（十三）向股东会提请聘请或更换为公司审计的会计师事务所；
（十四）听取公司总经理的工作汇报并检查总经理的工作；
（十五）法律、行政法规、部门规章、本章程或股东会授予的其他职权。”
本次效益测算不涉及项目总投资及具体构成、建设期和建设地点等变化，参
照《气派科技股份有限公司章程》的第一百一十条关于董事会职权的规定，未规
定募投项目效益模拟测算系董事会职权事项，且项目的效益分析不涉及变更预案
和可行性分析报告内容，本次效益测算无需重新召开董事会审议。董事会授权董
事长对于募投项目模拟测算结果进行确认，董事长梁大钟对于前述修改后的募投
项目效益测算出具了确认意见。
综上，以 2026 年上半年的销售单价作为效益测算的设定单价更贴近企业的
实际销售情况和未来预期，本次募投产品单价及毛利率等主要测算指标谨慎、合
理。
四、中介机构核查程序
针对上述事项，保荐机构执行了以下核查程序：
成、经济效益以及相关测算假设和测算过程情况等；
析；
标客户的报价数据；
目效益，与按设定价格测算的募投项目效益情况进行比较；
五、中介机构核查意见
经核查，保荐机构认为：
本次募投产品单价及毛利率等主要测算指标谨慎合理。
保荐机构总体意见
对本回复材料中的公司回复，本保荐机构均已进行核查，确认并保证其真实、
完整、准确。
（以下无正文）
（本页无正文，为《气派科技股份有限公司与华创证券有限责任公司关于气派科
技股份有限公司以简易程序向特定对象发行股票的审核中心意见落实函之回复
报告》之发行人签章页）
气派科技股份有限公司
年 月 日
发行人董事长声明
本人已认真阅读《气派科技股份有限公司与华创证券有限责任公司关于气
派科技股份有限公司以简易程序向特定对象发行股票的审核中心意见落实函之
回复报告》的全部内容，确认本回复的内容真实、准确、完整，不存在虚假记
载、误导性陈述或者重大遗漏，并对上述文件的真实性、准确性、完整性、及
时性承担相应的法律责任。
发行人董事长：
梁大钟
气派科技股份有限公司
年 月 日
（本页无正文，为《气派科技股份有限公司与华创证券有限责任公司关于气派
科技股份有限公司以简易程序向特定对象发行股票的审核中心意见落实函之回
复报告》之保荐人签章页）
保荐代表人：
王兆琛 王 江
华创证券有限责任公司
年 月 日
保荐机构（主承销商）董事长声明
本人已认真阅读气派科技股份有限公司本次审核中心意见落实函之回复报
告的全部内容，了解问询函回复涉及问题的核查过程、本公司的内核和风险控制
流程，确认本公司按照勤勉尽责原则履行核查程序，审核问询函的回复不存在虚
假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对上述文件的真实性、准确性、完整性、
及时性承担相应法律责任。
保荐机构董事长、法定代表人：
陶永泽
华创证券有限责任公司
年 月 日
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