南京晶升装备股份有限公司2025 年年度报告摘要
公司代码：688478 公司简称：晶升股份
南京晶升装备股份有限公司
南京晶升装备股份有限公司2025 年年度报告摘要
第一节 重要提示
划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“四、
风险因素”部分，请投资者注意投资风险。
虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
□是 √否
公司第二届董事会第十八次会议审议通过了《关于 2025 年年度利润分配方案的议案》，鉴于
未来资金需求，为实现公司持续、稳定、健康发展，更好地维护全体股东的长远利益，公司 2025
年度拟不进行利润分配，即不派发现金分红，不送红股，不进行资本公积转增股本。该事项尚需
提交公司 2025 年年度股东会审议。
母公司存在未弥补亏损
√适用 □不适用
经会计师事务所审计，截至报告期末，公司母公司财务报表中存在累计未弥补亏损人民币
分红》等相关法律法规的规定，公司目前不满足实施现金分红的前提条件。敬请广大投资者注意
相关投资风险。
□适用 √不适用
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第二节 公司基本情况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票上市交易所
股票种类 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
上海证券交易所
A股 晶升股份 688478 不适用
科创板
□适用 √不适用
董事会秘书 证券事务代表
姓名 吴春生 王薇
联系地址 南京经济技术开发区综辉路49号 南京经济技术开发区综辉路49号
电话 025-87137168 025-87137168
传真 025-87131200 025-87131200
电子信箱 cgee@cgee.com.cn cgee@cgee.com.cn
公司是一家半导体专用设备供应商，主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售。自成立以
来，公司基于高温高真空晶体生长设备的技术同源性，结合“晶体生长设备—工艺技术—晶体材
料”产业链上下游技术协同优化的能力，致力于新产品、新技术及新工艺的研究与开发，并聚焦
于半导体领域，向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他
设备等定制化产品。公司凭借多应用领域产品技术开发经验，已在晶体生长设备领域形成丰富产
品序列，可满足客户差异化、定制化的晶体生长制造工艺需求，逐步发展成为国内具有较强竞争
力的半导体级晶体生长设备供应商。依靠优质的产品及服务质量，公司得到了众多主流半导体厂
商的认可，陆续开拓了上海新昇、金瑞泓、神工股份、三安光电、合晶科技、比亚迪等客户，已
取得良好的市场口碑，确立了公司在半导体级晶体生长设备领域的市场地位。
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根据客户在晶体技术指标、产品类型及工艺路线、设备配置及技术规格参数等不同的定制化
工艺方案，公司主要为半导体材料厂商及其他材料客户提供定制化晶体生长设备，以满足不同客
户差异化、定制化的晶体生长制造工艺需求。经过多年持续的研发投入和技术工艺积累，公司开
发了包括半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉及其他设备等主要产品，具体情况如下：
（1）半导体级单晶硅炉
公司生产的半导体级单晶硅炉主要应用于 8-12 英寸半导体硅片制造，设备结构设计具有高
稳定性、高可靠性等特点，通过配备自主研发晶体生长控制、热场系统，能够满足不同技术规格
半导体级硅片的生长及制造要求。
根据不同客户关于产品技术规格及晶体生长工艺的需要，公司开发了与产品相配套的标准化
工艺方案，可为客户提供热场开发、长晶控制系统策略、视觉识别系统、磁力强度及分布设计、
氧化物过滤系统等主要构成要素的定制化“晶体生长设备+工艺方案”，从而更好地满足不同客
户的差异化应用需求。
产品主要系列/
产品特点 应用领域 产品图例
型号
设备具有高稳定性、高可靠
性的结构设计，配备了自主
研发的晶体生长控制系统，
配合低能耗、高清洁度热场
SCG200 系列 8 英寸硅片制造
系统及超导磁场，可实现全
自动长晶，生长晶体可满足
半导体级 8 英寸轻掺硅片指
标要求。
设备具有高稳定性、高真空
度、高可靠性的结构设计，配
备自主研发的功率控制、锁
拉速等生长控制算法，热场
SCG300 系列 12 英寸硅片制造
系统具有高水平微缺陷控制
能力，配合水冷套、超导磁场
及工艺包，生长晶体可满足
COP-FREE 硅片指标要求。
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产品主要系列/
产品特点 应用领域 产品图例
型号
设备具有大尺寸、高抽速的
真空设计，配备先进的液面
距测量、宽幅炉压精确控制、 12 英寸重掺硅片及
SCG400 系列 氧化物处理等系统，生长晶 12-18 英寸半导体硅
体可满足 12 英寸重掺硅片、 耗材制造
的要求。
公司半导体级单晶硅炉完整覆盖主流 12 英寸、8 英寸轻掺、重掺硅片制备，生长晶体制备硅
片可实现 19nm 存储芯片、28nm 以上通用处理器芯片、CIS/BSI 图像传感器芯片，以及 90nm 以上
指纹识别、电源管理、信号管理、液晶驱动芯片等半导体器件制造，28nm 以上制程工艺已实现批
量化生产。
产品主要系列/型号 规格 半导体器件应用领域 可应用制程工艺
指纹识别、电源管理、信号管理、液
SCG200MCZ 系列 8 英寸 90nm 以上
晶驱动（面板驱动）芯片
CIS/BSI 图像传感器芯片、通用处理器
SCG300MCZ 系列 12 英寸 19nm 以上
芯片、存储芯片
SCG400MCZ 系列 12 英寸 功率器件 65nm-90nm
（2）碳化硅单晶炉
公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于 6-12 英寸碳化硅单晶衬底的制备，具有高精度控温控
压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行、结构设计模块化、占地小等特点。
公司碳化硅单晶炉需满足客户在特定工艺技术路线下关于控温精度、控压精度、工艺气体流
量精度、极限真空、压升率的指标参数要求，保证设备长晶产出的一致性和稳定性，满足客户特
定压力及温度控制策略的应用需要，匹配客户晶体生长工艺/技术路线要求。针对不同客户对于设
备指标参数、晶体生长工艺/技术路线的差异化适配性需求，产品具有定制化特点。公司可根据不
同客户关于设备指标参数、晶体生长工艺/技术路线的需要，实现腔室结构、加热方式、生长过程
监控、控制方式等主要产品构成要素的定制化方案，可满足不同下游客户差异化应用需求。公司
碳化硅单晶炉结构的模块化设计，可根据不同客户的不同需求，切换设备功能部件，便于备货并
能大大缩短供货周期。
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产品主要系列
产品特点 应用领域 产品图例
/型号
设备采用模块化架构设计，
兼容主动水冷与气体对流双
模式石英腔室冷却系统。采
用全金属 VCR 密封结构，实
现超高真空保持性。创新性
JSSD 系列
应用旋转液压驱动层流冷却
感应加热 PVT
技术，使石英腔室壁面周向
碳化硅单晶炉
更为均匀。 配置的 PID 智能温
控 系 统 （ 精 度 ± 0.5 ℃
@2000℃）和压力闭环调节
模块（波动±0.2%），显著提
升晶体生长良率。
设备集成高频电磁屏蔽结构
设计，采用真空腔体参数定
点标定与温度二次补偿校准
SCET420 系列 技术，配置独立装料模块，基
感应加热 PVT 于二次定位技术的感应线圈
碳化硅单晶炉 装配工艺，有效抑制系统偏
差，提升制程复现性，保障装
备长期运行稳定性与工艺一
主要用于生产 6-12
致性。
英寸碳化硅单晶衬
SCMP 系列感应加热 PVT 碳
底
化硅长晶炉拥有丰富型号配
置，可支持 6 英寸、8 英寸及
备功能完善，已通过大批量
市场验证，技术成熟、运行稳
定、操作简便。
优化高度空间，占地面积，提
SCMP 系列 升设备适用性；
感应加热 PVT 2、集成感应线圈精密装配与
碳化硅单晶炉 定位校准技术，超低速驱动
技术及高稳定性（±3Pa）动
态压力控制技术，满足第三
代半导体晶体生长的严苛工
艺条件；
速分子泵+联合开发低漏率 O
圈，改善长晶环境，满足 12
英寸碳化硅单晶在 AR 镜片、
热沉片、AI 算力等新兴高端
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产品主要系列
产品特点 应用领域 产品图例
/型号
应用需求，为下一代功率与
射频半导体提供核心材料支
撑。
SCRP 系列电阻加热 PVT 碳化
硅长晶炉型号丰富，可支持 6
英寸、8 英寸及 12 英寸碳化
硅单晶生长。设备功能完备，
具备晶体提升、旋转、测温等
常规功能，并采用创新可视
化设计，打破传统“盲盒式”
晶体生长无法实时观测的局
SCRP 系列 限。 主要用于生产 6-12
电阻加热 PVT 1、采用多段式电阻加热，可 英寸碳化硅单晶衬
碳化硅单晶炉 实现长晶过程温度梯度的动 底
态调整；
技术，可降低长晶过程的热
场衰减，增加热场寿命，提升
热场稳定性；
统，实时检测晶体生长状态，
以提升长晶效率与良率。
设备基于顶部籽晶溶液生长
法（TSSG），集成 CCD 在线
晶体形貌监测系统、高精度
质量传感器及电阻法熔体液
位动态反馈技术，实现籽晶-
熔体接触界面精确调控与晶
SCMP/LP 系列
体生长动力学参数原位监
TSSG 法碳化
测，通过多物理场协同作用
硅单晶炉
优化晶体生长速率及缺陷抑
制。结合径向梯度生长工艺， 主要用于生产 6-8 英
突破大尺寸（>6 英寸）碳化 寸碳化硅单晶衬底
硅单晶制备瓶颈，实现高载
流子浓度导电晶体可控生
长。
设备创新采用一体化结构设
计，通过紧凑型热场布局与
SCMP570D
模块化组件集成，显著提升
系列
空间利用率并降低厂房高度
碳化硅单晶炉
与设备占地面积需求。在核
心部件选型中构建起关键部
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产品主要系列
产品特点 应用领域 产品图例
/型号
件国产化替代体系，通过定
制化开发与验证流程，精准
适配国产高精度温控、压力
控制等关键模块。
设备框架采用轻量化支撑结
构，优化电磁屏蔽方案，为晶
体稳定生长提供可靠的磁场
环境。
设备在 PVT 法线圈内置金属
炉技术架构基础上，创新开
发感应耦合液相单晶生长系
统，通过多物理场协同仿真
模型实现温场梯度、磁场强
度与熔体对流的精确匹配。
针对 8 英寸 SiC 晶体生长需
LP-SCMP1200 求，采用梯度致密化热场结
系列 构，温度梯度更加合理，可提
液相碳化硅单 升晶体生长速率与晶体品
晶炉 质。
采用的模块化炉体架构可实
现设备快速组装并大幅提升
维护便利性。创新设计的可
调式感应线圈系统，支持
±50mm 动态升降调节，结合
熔体流动状态，实时优化磁
场分布，提高工艺开发效率。
公司碳化硅单晶炉包含 PVT 感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG 单晶炉等类别产品，下游应用
完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅
外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅 MOSFET 等功率器件，下游应用
领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS 等）、
光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化
硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成 HEMT 等微波射频器件，下游应
用领域主要包括 5G 通信、卫星、雷达等。
产品类型 应用碳化硅衬底制备领域 半导体器件应用领域
PVT 法感应加热碳化硅单晶炉 碳化硅二极管、碳化硅 MOSFET
等功率器件；HEMT 等微波射频
PVT 法电阻加热碳化硅单晶炉 碳化硅衬底
器件
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产品类型 应用碳化硅衬底制备领域 半导体器件应用领域
LPE 法碳化硅单晶炉 P 型 IGBT 等高功率器件
衬底
（3）其他设备
除上述主要产品外，公司根据客户差异化应用需求，研发并供应其他定制化设备。
凭借半导体级单晶硅炉的设计与制造经验，公司向新的业务领域进行拓展，自主开发了光伏
级单晶硅炉。该设备具有高度的可靠性与稳定性，可满足光伏市场规模化生产、高自动化程度、
高拉速等要求。为达到并匹配客户对于晶体技术指标的需求，公司开发了新一代晶体提拉机构、
坩埚升降机构等，提高设备在引晶、转肩、等径、收尾运行过程中的稳定性；设备配备自主研发
的自动化拉晶控制系统（软硬件），实现了拉晶过程全自动化运行，并可结合信息化集控软件，进
行远程集控操作。且根据客户关于产品技术规格及晶体生长工艺的需要，公司开发了与产品相配
套的标准化工艺方案，可为客户提供“单晶炉整机+控制系统+工艺方案”为主要构成要素的定制
化服务方案，从而更好地满足不同客户的差异化应用需求。
公司自主研制的自动化拉晶控制系统（软硬件），主要应用于 G10 至 G12 太阳能电池片的制
造，该全自动控制系统具有高可靠性、通用性、安全性等特点。通过配备自主研发的液面距精确
控制、直径控制、生长控制等技术，可进一步提高系统的自动化程度和智能控制水平，能够满足
光伏单晶硅片高效率、高产量的市场需求。该控制系统，依据多年积累的研发经验及工艺验证，
在采用 PIDF 嵌套式、多循环控制算法的基础上，配备了自主开发的多功能视觉系统和信息化集成
控制软件，可实现长晶过程全自动运行和即时监控反馈，同时可实现各辅助工步（例如复投、化
料等）自动化操作，无需人工过多干预，极大地提高了客户处设备大规模生产的运行稳定性和单
晶生产效率。
公司生产的碳化硅外延炉主要用于 6-8 英寸碳化硅外延片生产。贴合主流外延工艺路线，公
司针对性开发了行星式外延炉与水平式外延炉，二者在外延片品质、生产效率、生产成本等方面
相较于传统外延炉均有较大提升。系列产品搭载自主研发的晶圆传输系统，减少人员操作，稳定
可靠，同时避免了过程污染。同时公司针对不同工艺路线的外延炉，定向开发了稳定成熟的工艺
配方，可实现高品质外延生长。
加工设备是由晶体坯料转变成晶圆片不可缺少的工艺设备，在晶体生长完成后，使用多线切
割机切片，再由减薄机进行厚度的减薄，最后由抛光机达到需要的表面平坦度。其中，减薄机还
可以用在外延后及封装阶段。公司的加工设备具有高运动精度、高刚性、长效稳定性等特点。公
司半导体多线切割机采用精密无反向间隙摇摆工作台机构，实现了机构整体结构刚性，防护和润
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滑的优化配置，同时其自动寻边系统可以替代人工自动对工字轮寻边校准并实时检测，使设备具
备自动化、智能化。减薄机配备了半导体晶圆减薄机 TTV 自动调整技术，减薄过程中实时检测晶
圆中心和边缘的厚度差，通过精密机械调整机构调整晶圆的 TTV 和面形参数。此外，公司通过碳
化硅化学机械抛光的工艺研究寻找合适的压力、转速、温度、化学抛光液的配比，使物理去除和
化学去除的速度相匹配，从而提高效率并提升表面质量。
产品
产品主要系列/型号 产品简介 产品图例
类别
设 备采 用 先进 的 磁流 体
密封技术、新型旋片阀结
构、高拱型封头式炉盖结
构、高精度主副炉室提升
/旋转结构、稳定的提拉
光伏级
机构及坩埚升降机构，使
单晶硅 SG160S 系列
设备整体具有高稳定性、
炉
高可靠性。配备自主研发
的 自动 化 拉晶 控 制系 统
（软硬件），可实现拉晶
过程全自动化运行，并能
够进行远程集控操作。
设 备采 用 先进 的 控制 逻
辑 算法 和 模块 化 控制 设
计思路，可极大提高系统
的可靠性、通用性、规模
生产的重复性；在多功能
视 觉系 统 和逻 辑 算法 的
加持下，可实现液面距和
拉速、直径的精确测量和
自动化 控制，且拉晶过程从调温
拉晶控 -引晶-放肩-转肩-等径-收
制系统 SG160 系列 尾实现全自动化运行；配
（软硬 备信息化集控软件，可实
件） 现 单晶 炉 大批 量 数据 的
远程监控、数据采集与分
析，减少炉台间的机差，
提 升批 量 一致 化 生产 的
良率和产量。
该 控制 系 统主 要 应用 领
域为光伏电池片制造，可
通 过小 幅 改动 匹 配不 同
型 号炉 台 的长 晶 控制 需
求，适应性强。
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产品
产品主要系列/型号 产品简介 产品图例
类别
设 备采 用 行星 式 热场 架
构，支持 9×6 英寸与 6×8
英 寸生 产 模式 ， 外延 成
本 、洁 净 间占 地 成本 最
低。配套全封闭晶圆装载
系统，杜绝过程污染同时
碳化硅 释放超强产能。闭环式多
SCMC8150 系列
外延炉 片 晶圆 表 面温 度 自动 检
测 及控 制 ，片 间 均匀 性
好 ，结 合 先进 的 热场 结
构 ，实 现 高品 质 外延 生
长。系列产品还可用于氮
化镓、砷化镓等外延层的
生长。
设 备采 用 水平 式热 场 结
构设计。整合高稳定性氨
气 掺杂 工 艺与 高 精度 晶
圆 旋转 速 率闭 环 控制 技
术，确保外延片品质。系
统 内置 多 通道 独 立气 源
配比模块，通过动态碳硅
碳化硅
SCML320A 系列 比 优化 算 法实 现 沉积 过
外延炉
程精准调控，显著降低设
备停机维护频次，延长维
护周期。同步配置全封闭
式智能晶圆传输系统，以
超 净环 境 保障 实 现零 人
工干预生产，降低缺陷数
量。
设 备采 用 水平 式 双腔 布
局，结构紧凑，占地面积
小，完善的互锁系统，可
实现 A、B 腔安全独立运
行，更适合工厂的规模化
碳化硅
SCMLD335 系列 生产。标配 SMIF 模块，
外延炉
适配 OHT 天车系统，实现
全自动化生产。配备移载
式热场，最大限度优化清
理与维护方式，大幅降低
维护时长。
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产品
产品主要系列/型号 产品简介 产品图例
类别
设备采用高刚性床身，高
精密主轴、进给和摇摆系
多线切 SCMWC8/SCMWC10 统，可持续稳定运行。具
割机 系列 备断线检测、线弓检测、
工字轮寻边检测功能，切
割精度和面形精度高。
设备采用高刚性床身，高
精度进给系统，精密气浮
轴承，高性能主轴，加工
减薄机 SCMT8 系列 范围大。全自动运行，可
在线测厚，自动调整 TTV，
自 动寻 边 找中 。 干进 干
出，无污染无废物。
特制精修不锈钢抛光盘，
持久耐用，长期使用仍可
保持高精度。具备精细压
抛光机 SCMP8 系列
力调整，独立驱动，盘面
恒温控制等功能，兼容无
蜡、含蜡工艺。
设 备采 用 高性 能 长寿 命
主轴，摇摆切割系统。断
石材多
线、线弓检测可减少断线
线切割 STC3320 系列
风险，罗拉中心距可调，
机
节 能降 耗 ，操 作 智能 简
便。
设 备采 用 感应 加 热的 方
式高效合成碳化硅原料；
配 备高 精 度控 温 控压 技
碳化硅 术 和感 应 线圈 高 精度 安
原料合 HC-SCMP 系列 装与定位等技术，工艺重
成炉 复性高；同时多种碳化硅
生 长工 艺 压力 控 制方 案
可 适应 不 同客 户 不同 碳
化硅原料生长工艺需求。
设 备采 用 分段 式 高纯 度
石 墨电 阻 加热 及 热场 结
构，温场均匀性好；通过
碳化硅
气 流路 径 优化 与 热场 防
原料合 HC-SCET1000 系列
护技术，具有高腐蚀性气
成炉
氛下排杂、杂质的定向沉
积与热场稳定的特点，可
满 足高 品 质碳 化 硅原 料
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产品
产品主要系列/型号 产品简介 产品图例
类别
合成；设备最大装料量达
到 100KG，大幅提升了原
料合成效率。
设 备采 用 全金 属 保温 系
统，可靠的密封设计可有
效 降低 晶 体中 的 碳和 氧
元素含量；分段式钨网加
热器温度梯度可控，周向
氮化铝
温度均匀性好；多种测温
原料提 ANET920 系列
方 式相 结 合使 得 测温 精
纯炉
度高；自主开发的温度、
压力控制系统，可兼容多
种温度、压力控制模式，
满 足不 同 长晶 工 艺的 需
求。
设备采用坩埚下降法，多
集成电 温区控温，通过优化气路
路刻蚀 设计，可有效避免热场和
用硅材 MSIR1050 系列 晶体的相互污染；自动化
料长 程度高；可根据需要定制
晶炉 晶体形状，提高效率和原
料的利用率。
设备配备 36~37 英寸热场
系统，可满足直径 24 英
寸 的大 尺 寸晶 体 生长 条
件。设备结构可靠稳定，
运行平稳，气体流量及温
度控制精确，晶体生长过
硅部件
SCG600 系列 程 由高 可 靠的 可 编程 计
单晶炉
算机控制器控制，结合自
主 研发 的 视觉 软 件控 制
系统，可实现长晶过程全
自动控制。主要应用于制
造 刻蚀 用 单晶 硅 部件 材
料领域。
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产品
产品主要系列/型号 产品简介 产品图例
类别
设备创新采用 3 层套管进
气结构，显著减少进气口
处的副产物沉积，提高产
品品质及工艺稳定性；通
过 热场 内 部提 前 收集 副
产物，减少泵和管道的堵
塞，降低清理难度；采用
碳化硅 闪蒸系统，实现硅源大流
涂层设 TC-SCR2295 系列 量 液态 源 精确 供 给与 稳
备 定控制；特殊的炉体防腐
蚀措施，延长炉体使用寿
命，降低设备漏水风险。
结 合多 场 耦合 热 力学 仿
真模型，使反应区内轴向
/径 向温 差 控 制在 ± 5℃
范围内，达到涂层均匀性
好、附着力强的效果。
采用 CVD 工艺制备碳化
钽涂层，涂层厚度均匀可
控，致密结构可完全阻隔
石 墨基 体 与反 应 气体 接
触，涂层纯度达 99.999%
以上，耐卤素及强腐蚀性
气氛侵蚀；涂层与基体结
碳化钽
合强度优异，可在室温至
涂层石 碳化钽涂层石墨件
墨件
期服役，有效延长石墨件
使用寿命，降低设备维护
频率。通过精准调控 CVD
沉积参数，可获得柱状晶
或细晶等不同微观织构，
满 足从 长 晶到 外 延的 多
样化工艺环境需求。
设 备为 高 压环 境 下熔 液
提 拉法 晶 体生 长 专项 设
计，采用电阻加热方式，
专 业用 于 碲锌 镉 、磷 化
电阻加热高压长晶
高压炉 铟、砷化镓等高性能半导
炉
体晶体制备。设备最高承
载压力可达 5MPa，在高
压环境下稳定工作，高效
抑制晶体原料组分挥发，
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产品
产品主要系列/型号 产品简介 产品图例
类别
保障晶体成分均匀、生长
质量稳定。在高压承载条
件下，实现坩埚高精度升
降、旋转双运动，整机全
程密封无泄漏，运行平稳
可靠，满足高压下精密生
长。采用多段式电阻加热
结构，可精细调控温度梯
度，为晶体定向生长、减
少缺陷、提升晶体完整性
提供优异温场条件。
公司主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售，通过向半导体材料厂商及其他材料客户提
供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他设备等定制化产品，同时销售设备相关配件等配套产
品，提供设备售后维护升级等技术服务，实现收入和利润。
公司主要采取自主研发模式，以高温晶体生长设备为基础，以半导体级晶体生长设备为核
心，持续进行研发投入，开展自主研发及创新，不断提升设备品质，优化设备性能，取得了晶体
生长设备关键核心技术领域的重要成果，并同时积极推进新产品布局，不断拓展技术应用领域。
公司采购的原材料主要包括机械加工件、机械标准件、热场件、系统部件、电气控制件、仪
器仪表及气路部件等。其中，机械加工件、热场件、系统部件及气路部件等零部件由公司进行设
计开发，由第三方供应商依据公司提供的图纸自行采购原材料，完成定制加工后向公司供应；其
他标准零部件则面向市场独立进行采购。为了保证公司产品的质量，公司制定了严格的供应商引
入、选择评价制度，对供应商进行多个维度评价，包括：品质管理体系、量具管理、制程管理、
供方管理、售后服务等，进而选择优质的厂家进行合作。整个采购流程注重效率与质量控制，确
保供应链的稳定性和产品的高品质。
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公司主要采取订单式生产结合库存式生产的生产模式，根据客户的差异化需求，进行定制化
设计及生产制造，实施订单式生产为主，少量库存式生产为辅的生产方式。其中，订单式生产指
公司在与客户签订订单或客户有较明确的采购预期后，根据订单情况进行设计并组织生产。库存
式生产指公司对标准化模块或批量出货设备常用组件，根据内部需求及生产计划进行预生产，达
到快速响应客户需求及平衡产能。
公司通过直销模式销售产品，与潜在客户主要通过商务谈判等方式获取订单。公司配备了专
业的销售与服务团队，负责市场推广、客户开发、销售及售后等服务。客户基于自身的业务发展
情况及定制化需求，对公司产品提出要求，并在公司向其提供技术设计方案后进行评审确认。待
客户通过公司制定的设计方案后，根据客户的要求提供公司相关的资质材料，完成客户对公司的
资质认证，并将公司纳入客户的合格供应商体系中。经履行商务谈判程序后，公司与客户按照双
方确认的产品技术设计方案、验收标准及生产、交付、结算等合同条款，签订合同及技术协议
书。公司组织生产并完成产品交付、产品验收程序。
(1). 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）所属行业
公司是一家半导体专用设备供应商，主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售，向半导体
材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他设备等定制化产品。
根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》（GB/T 4754-2017），公司所属行业为“专用设
备制造业”下的“半导体器件专用设备制造”（C3562）；根据国家统计局发布的《战略性新兴产
业分类（2018）》，公司属于“1、新一代信息技术产业”中“1.2 电子核心产业”中的“1.2.1 新
型电子元器件及设备制造-3562*半导体器件专用设备制造”。
（2）所属行业的发展情况
①半导体行业
半导体行业具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游
应用广泛的特点，其技术水平与发展规模已成为衡量一个国家综合国力和产业竞争力的重要标准
南京晶升装备股份有限公司2025 年年度报告摘要
之一。半导体行业遵循螺旋式上升规律，下游应用行业的需求增长是半导体产业快速发展的核心
驱动力。人工智能、数据中心、云计算、物联网、汽车电子及消费电子等多个应用领域共同推动
全球半导体行业快速发展，各领域以不同的技术与产品需求，形成多层次、强共振的增长动力。
其中，人工智能的颠覆性应用、数据中心基础设施的持续扩张，正推动逻辑芯片与存储芯片需求
双双攀升。据 WSTS 报告，2025 年全球半导体市场规模约为 7720 亿美元，同比增长 22.5%，预计
周期性定律，逐渐进入一个由 AI 长期驱动的新增长阶段。
碳化硅作为第三代半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高等特点，碳化
硅器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势，广泛应用于新能源汽车、光伏逆
变、轨道交通、5G 通讯等领域。特别是随着新能源汽车渗透率的不断升高以及多款搭载 800V 及
以上高压平台的车型量产，碳化硅产业链被持续催化。根据 Yole 统计及预测，未来全球碳化硅器
件市场将继续稳步攀升，2030 年有望达到 103 亿美元的规模。在现有应用领域加速渗透的同时，
碳化硅在 AR 眼镜、先进封装、算力建设等其他新兴领域也展现出显著的应用潜力。碳化硅作为
AR 眼镜突破重量、显示效果、耐用性瓶颈的核心材料，将推动 AR/VR 设备从概念走向量产。此外，
得益于碳化硅材料的高压耐受、高导热率等特性，碳化硅成为了构建 800V 乃至更高电压架构服务
器电源的成熟选择，而碳化硅在先进封装中的应用也有望破解 AI 芯片高功耗带来的散热难题。未
来，受下游应用领域发展驱动，第三代半导体材料的需求将持续增加，全球产业已迎来高速发展
机遇。
②半导体设备行业
随着半导体产业的第三次转移，中国大陆半导体行业快速发展，而国际贸易纷争引发的电子
信息安全等问题也驱动着国内半导体设备行业技术水平的不断提升。在国产设备不断取得突破，
持续通过客户验证且下游客户产能顺利爬坡后，国产化率有望得到显著提升。但过去一段时间，
受到终端市场需求疲软因素影响，半导体行业曾出现短暂调整期，导致主要晶圆厂商在资本投入
方面较为谨慎，相应长晶设备采购节奏有所放缓。2024 年以来，受贸易战及技术封锁等影响，以
及下游部分终端需求复苏，行业自前期持续下滑的趋势有所好转。除传统硅基晶圆制造外，以碳
化硅为代表的第三代半导体材料产业链也愈发成熟。但由于下游部分领域需求增速放缓以及大尺
寸碳化硅衬底良率及技术水平发展相对缓慢，供应与需求短期错配导致碳化硅衬底市场竞争较为
激烈，主要厂商放缓了扩产的节奏，设备采购需求也有所下降。但随着下游市场如新能源汽车领
域、AI 领域的快速发展，未来第三代半导体设备市场仍具有良好的发展潜力。
南京晶升装备股份有限公司2025 年年度报告摘要
由于不同技术等级的芯片需求大量并存，决定了不同技术等级的半导体设备依然存在较大的
市场需求，各类技术等级的设备均有其对应的市场空间，短期内将持续并存发展。受人工智能计
算需求推动，全球半导体行业正展示出强大的增长潜力，其中中国的半导体设备支出尤为可观。
据 SEMI 预测，在先进逻辑、存储器及先进封装技术的持续催化下，半导体设备总销售额有望在
未来随着下游客户新建产线及更新升级，各半导体设备厂商将迎来巨大的成长机遇，拥有更
多机会使设备产品获得验证和试用。这也为国内半导体设备企业开发新产品、扩大市场占有率构
建有利的竞争环境，形成“设备—工艺—产品”良好的相互促进作用，使国内半导体产业进一步
发展，缩小与国际产业水平的差距。
③半导体级晶体生长设备行业
半导体级晶体生长设备主要以硅片制备和化合物材料制备的晶体生长设备为主，其中，化合
物材料主要以碳化硅为主。硅片/碳化硅材料主要用于制造芯片，应用于通信、消费电子、汽车、
工业等领域。晶体生长设备的技术先进性对半导体级硅片、碳化硅单晶衬底的规格指标及性能优
劣具有决定性作用。
基于成本等因素的考虑，半导体硅片不断向大尺寸方向演进，12 英寸硅片占据市场主要份额，
对大尺寸单晶硅晶体生长设备产生较大需求；此外，由于设备投入成本较高，技术难度较大等因
素，国内 12 英寸硅片主要依赖于进口，国内厂商市场份额和国产化率较低，进口替代空间巨大。
半导体级单晶硅晶体生长设备，尤其是大尺寸设备未来市场前景广阔。
作为整个碳化硅产业链中成本占比最大、技术门槛最高的环节，碳化硅衬底同样处于由 6 英
寸向大尺寸升级的阶段，国内外 8 英寸及 12 英寸碳化硅正加速布局。而碳化硅晶体生长设备的国
产化率较高，衬底端的良率突破有望给设备端带来大规模放量。应用方面，国内新能源汽车、光
伏逆变等应用领域在全球处于主导地位。以新能源汽车和光伏逆变技术为代表的碳化硅功率器件
的广泛应用，是推动碳化硅衬底市场及其上游晶体生长设备市场规模显著增长的核心驱动因素。
此外，AR 眼镜、先进封装、算力建设等市场需求的快速增长及技术水平的突破进步也将推动碳化
硅的产能扩张与成本下降，从而与新兴应用的发展和规模化普及形成正向循环。因此，不同尺寸、
不同类型的碳化硅材料及不同的下游应用需求又将进一步大幅提升对碳化硅单晶炉的需求。在市
场保持高景气度的情况下，在国内产能加速扩张叠加设备国产化率提升的双重因素驱动下，我国
碳化硅晶体生长设备市场发展潜力巨大。
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(2). 公司所处的行业地位分析及其变化情况
国内碳化硅晶体生长设备厂商已具备相对成熟的技术能力及产业应用经验，可满足下游碳化
硅厂商产业发展需要，国内碳化硅晶体生长设备主要市场份额已由国内厂商占据。
公司为国内碳化硅单晶炉主要厂商之一，具备国内领先的碳化硅单晶炉产业技术能力和较强
的竞争优势。公司产品在碳化硅单晶炉主要技术指标（设备规格指标参数及晶体生长控制指标参
数）方面具有先进性。此外，公司产品具有国内行业领先的定制化能力，量产阶段的产业经验及
下游量产应用进度较国内竞争对手具有领先性。公司产品已大批量交付多家国内下游碳化硅材料
主流厂商，并已实现新能源汽车、光伏、工业等下游领域的认证及量产，形成认证壁垒。
为保持产品的持续竞争力，公司根据行业发展趋势及市场需求，不断对产品进行优化升级和
迭代更新。公司较早开始 8 英寸和 12 英寸碳化硅长晶设备的布局，自主研发的 8 英寸碳化硅单
晶炉已向市场批量供应，12 英寸碳化硅单晶炉也已完成小批量发货。
半导体级单晶硅炉方面，国内产业发展时间较短，国内半导体级晶体生长设备市场由国外供
应商占据主要份额，国内供应商市场份额快速增长。
公司为国内较早开展半导体级单晶硅炉产品研发及产业化的公司之一，实现了 12 英寸半导
体级单晶硅炉国产化，产品下游量产应用进度、技术水平在国内厂商中均处于第一梯队。公司覆
盖的硅片厂商均为国内行业龙头企业，并与其建立了稳定的合作关系。公司已实现批量产品供应
的客户数量处于国内同行业前列。晶体生长控制指标参数方面，在单晶直径控制精度、液面距控
制技术等参数，公司产品控制精度已达到国外竞争对手的指标参数水平。公司产品生长的晶体品
质达到 COP-FREE 水平，可满足 19nm 工艺技术节点要求，处于国内领先水平。
随着下游半导体芯片认证进度推进、认证品类的不断丰富，公司将持续进行技术突破，积累
产业应用时间和验证经验，以迎接国内半导体级晶体生长设备进口替代的更大机遇。
(3). 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
得重大突破，被广泛应用于数据中心、智能终端等领域，成为推动行业发展的关键力量。ChatGPT、
DeepSeek 等生成式 AI 应用的兴起，对芯片的算力和能效等提出了更高要求，促使芯片厂商不断
优化 AI 芯片架构。同时，Chiplet 技术逐渐成熟，通过模块化设计实现芯片性能跃升，成为 AI 芯
片和高效能计算的核心路径。此外，随着 AI 和高性能计算的快速发展，HBM 市场需求也正持续增
长。作为一种革命性的内存技术，HBM 能够满足高性能计算和海量数据处理的需求，成为未来存
储市场的重要发展方向。汽车电子领域对半导体的需求也正持续增长。特别是在自动驾驶、车载
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传感器和电动汽车充电系统中，半导体的应用大幅增加。特斯拉等公司的自动驾驶系统不断更新，
对高性能芯片的需求持续攀升。随着电动汽车和智能驾驶技术的快速发展，半导体行业的技术进
步和市场拓展也迎来进一步催化。
在材料方面，碳化硅和氮化镓等第三代半导体材料的应用正进一步扩大。由于禁带宽度大、
热导率高、临界击穿场强高等优点，碳化硅在新能源车、光伏逆变器等领域正快速替代传统的硅
材料。碳化硅器件主要被应用于逆变器、DC-DC 转换器、车载充电器等部件中，在新能源汽车的
功率电子系统中起着关键作用。特斯拉、比亚迪等车企推动车规级 SiC 模块规模化应用。碳化硅
在光伏领域的应用也愈发成熟。碳化硅器件可帮助有效提高光伏发电转换效率，降低能量损耗，
提升设备循环寿命。新兴应用方面，智能产品如 AR 眼镜的创新也催生出碳化硅等高性能半导体
材料的更多市场空间。不同于传统玻璃镜片，碳化硅凭借其高折射率、轻质高强、散热优异的特
性，有望成为 AR 眼镜主流光学方案并推动行业迈向规模化商用。随着 AI 算力需求持续爆发、先
进封装散热要求不断提升。在新一代 GPU 处理器的技术规划中，碳化硅被引入先进封装中介层
方案，有望从热管理、结构可靠性与互连密度三个维度，突破高功耗、高密度封装带来的技术限
制。此外，AI 算力需求的剧增也使得 AI 数据中心供配电系统的升级愈发迫切。英伟达在《下一代
AI 基础设施的 800 伏直流架构》白皮书中，推出了面向未来 AI 数据中心的 800V 高压直流（HVDC）
电源架构，碳化硅等第三代半导体将在其中发挥核心作用。为进一步降低碳化硅材料成本与满足
新兴下游应用领域需求，国内外 8 英寸及 12 英寸碳化硅加速布局，碳化硅 6 英寸向大尺寸扩径
成为目前碳化硅技术升级的核心方向。未来碳化硅成本的下降也将推动第三代半导体材料在更多
领域的应用。
单位：元 币种：人民币
本年比上年
增减(%)
总资产 1,788,026,198.77 1,865,042,657.87 -4.13 2,109,856,954.53
归属于上市公
司股东的净资 1,507,834,447.48 1,575,921,423.74 -4.32 1,582,992,270.33
产
营业收入 115,525,141.02 424,966,295.63 -72.82 405,570,772.55
扣除与主营业
务无关的业务
收入和不具备 114,941,465.31 424,966,295.63 -72.95 405,567,276.97
商业实质的收
入后的营业收
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入
利润总额 -50,007,423.17 59,356,309.22 -184.25 77,651,652.20
归属于上市公
司股东的净利 -38,330,530.13 53,747,098.58 -171.32 71,017,511.98
润
归属于上市公
司股东的扣除
-57,302,291.88 30,225,845.92 -289.58 42,390,985.42
非经常性损益
的净利润
经营活动产生
的现金流量净 -51,195,489.21 3,187,791.23 -1,705.99 -91,689,806.41
额
加权平均净资 减少5.90个百
-2.49 3.41 5.77
产收益率（%） 分点
基本每股收益
-0.28 0.39 -171.79 0.56
（元／股）
稀释每股收益
-0.28 0.39 -171.79 0.56
（元／股）
研发投入占营
增加26.68个百
业收入的比例 37.09 10.41 9.37
分点
（%）
单位：元 币种：人民币
第一季度 第二季度 第三季度 第四季度
（1-3 月份） （4-6 月份） （7-9 月份） （10-12 月份）
营业收入 70,813,548.29 11,470,809.61 20,594,166.44 12,646,616.68
归属于上市公司股东的
-2,533,160.76 -1,652,820.74 -4,214,342.88 -29,930,205.75
净利润
归属于上市公司股东的
扣除非经常性损益后的 -7,834,671.65 -8,637,843.47 -7,828,398.52 -33,001,378.24
净利润
经营活动产生的现金流
-50,979,416.16 13,492,505.10 -21,616,612.88 7,908,034.73
量净额
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
√适用 □不适用
公司在确认 2025 年销售收入时，将已完成发货、安装调试并获取了客户的验收单后的部分
业务分批确认了收入。2025 年，公司下游部分行业进入深度调整周期，客户的开工及生产都受
到影响。在 2025 年年报审计过程中，会计师根据期后该业务中设备实际运行状态和对应的付款
进度比例，基于谨慎性原则，将该项业务收入的确认时间点进行了调整。经公司与注册会计师进
行充分沟通，尊重其专业判断，对相应的财务报表及披露信息进行更正。目前该业务项下相关设
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备已持续运行一定时间，上述所涉及调整的收入预计将于 2026 年上半年确认。本次调整属于会
计核算层面的谨慎性处理。
名股东情况
单位: 股
截至报告期末普通股股东总数(户) 6,284
年度报告披露日前上一月末的普通股股东总
数(户)
截至报告期末表决权恢复的优先股股东总数
（户）
年度报告披露日前上一月末表决权恢复的优
先股股东总数（户）
截至报告期末持有特别表决权股份的股东总
数（户）
年度报告披露日前上一月末持有特别表决权
股份的股东总数（户）
前十名股东持股情况（不含通过转融通出借股份）
质押、标记或
冻结情况
持有有限
股东名称 报告期内 期末持股 比例 股东
售条件股
（全称） 增减 数量 (%) 性质
份数量 股份
数量
状态
境内自
李辉 252,707 22,249,406 16.08 21,968,699 无 0
然人
厦门市鑫鼎国瑞资
产管理有限公司－ 境内非
鑫瑞集诚（厦门） -3,278,000 13,740,358 9.93 0 无 0 国有法
创业投资合伙企业 人
（有限合伙）
境内非
南京明春科技有限
-2,766,954 12,929,979 9.34 0 无 0 国有法
公司
人
境内自
卢语 0 9,009,719 6.51 无 0
然人
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南京盛源企业管理 境内非
合伙企业（有限合 0 6,581,020 4.76 6,581,020 无 0 国有法
伙） 人
境内非
南京海格半导体科
技有限公司
人
境内自
张小潞 0 2,322,484 1.68 0 无 0
然人
境内自
张坚 1,345,000 1,345,000 0.97 0 无 0
然人
深圳红荔湾投资管
理有限公司－红荔
湾昌雄三号私募证
券投资基金
境内自
张莉 702,407 1,109,256 0.80 0 无 0
然人
上述股东关联关系或一致行动的说明 海格科技与李辉先生存在法定的一致行动关
系。
除上述关联关系外，公司未知其他股东之间是
否存在关联关系或一致行动关系。
表决权恢复的优先股股东及持股数量的说明 不适用
存托凭证持有人情况
□适用 √不适用
截至报告期末表决权数量前十名股东情况表
□适用 √不适用
√适用 □不适用
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√适用 □不适用
□适用 √不适用
□适用 √不适用
第三节 重要事项
公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
报告期内，公司实现营业收入 115,525,141.02 元，同比减少 72.82%；归属于上市公司股东的
净利润-38,330,530.13 元，同比减少 171.32%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益净利润-
止上市情形的原因。
□适用 √不适用
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