成都华微电子科技股份有限公司2025 年年度报告摘要
公司代码：688709 公司简称：成都华微
成都华微电子科技股份有限公司
成都华微电子科技股份有限公司2025 年年度报告摘要
第一节 重要提示
划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
公司已在本报告中详细说明公司在经营过程中可能面临的各种风险，敬请查阅本报告“第三节 管
理层讨论与分析 四、风险因素”。
虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
□是 √否
经公司第二届董事会第九次会议审议，公司2025年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本
为基数分配利润。本次利润分配方案如下：
公司拟向全体股东每10股派发现金红利人民币0.49元（含税）。截至2025年12月31日公司总股本
占公司2025年度合并报表归属于母公司所有者净利润的20.32%，不送红股，不进行资本公积转增股本
。如在本报告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动的，公司拟维持分配
总额不变，相应调整每股分配比例。如后续总股本发生变化，将另行公告具体调整情况。
该利润分配方案尚需经公司2025年年度股东会审议通过后实施。
母公司存在未弥补亏损
□适用 √不适用
□适用 √不适用
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第二节 公司基本情况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称
A股 上海证券交易所科创板 成都华微 688709 /
□适用 √不适用
董事会秘书 证券事务代表
姓名 李春妍 周文明、蔡进
联系地址 四川省成都市双流区双江路二段688号 四川省成都市双流区双江路二段688号
电话 028-85136118 028-85136118
传真 028-85187895 028-85187895
电子信箱 investors@csmsc.com investors@csmsc.com
成都华微主要从事特种集成电路的研发、生产、检测、销售和服务，公司产品涵盖数字集成电路
产品和模拟集成电路产品，其中数字集成电路包含了可编程逻辑器件（FPGA/CPLD/SoPC/RF-FPGA）、
MCU/SoC/SIP 系统级芯片、存储器、TSN 时间敏感网络芯片等，模拟集成电路包含了模数/数模转换器
（AD/DA）芯片、接口和驱动电路、电源管理等，同时为客户提供 ASIC/SoC 系统芯片级解决方案。产
品广泛应用于尖端技术领域，作为特种集成电路配套骨干企业，产品得到行业用户的高度认可。
（1）逻辑芯片
公司的逻辑芯片类产品以可编程逻辑器件为代表，主要包括 CPLD（复杂逻辑可编程器件）、FPGA
（现场可编程门阵列），SOPC（全可编程片上系统芯片）以及 RF-FPGA（集成高速 ADC/DAC 的射频直采
FPGA），具有用户可编程的特性。公司已形成完善的可编程逻辑器件产品体系，并配套全流程自主开发
工具，相关产品具有非易失、小型化、高安全性等特点。目前，公司的主要产品具体情况如下：
产品大类 产品系列 产品介绍 产品图示
采用 1Xnm CMOS 工艺，可用门数达 8,600
万门，逻辑单元数可达约 860K，支持
FPGA VU+系列
率 DDR4，集成 PCIE4 硬核
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采用 28nm CMOS 工艺，可用门数最高达
奇衍系列 700K，最高可支持 13.1Gbps 高速串行接
口，支持 1866Mb/s 速率 DDR3，集成
PCIE3 硬核
采用 65nm CMOS 工艺，可用门数最高达
采用 0.13μm-0.22μm CMOS 工艺，可用
约 80K
采用 28nmCMOS 工艺，集成 CPU 和 FPGA 资
源，双核 CPU 主频 866MHz，逻辑单元数覆
SOPC HWD7Z 系列 盖 85K 至 450K，可支持 12.5Gbps 高速串
行接口，支持 1866Mb/s 速率 DDR3，集成
PCIE3 硬核
采用 28nmCMOS 工艺，集成高速 ADC/DAC
和 FPGA 资源，ADC：14bit/3.2G，DAC：
RF-FPGA HWDSF 系列
支持 12.5Gbps 高速串行接口
采用 55μm CMOS 工艺，可用门数达 500
HWD10M 系列
万门，逻辑单元数可达约 50K
HWD240/2210 等系 采用 0.18μm CMOS 工艺，最大容量为
CPLD
列 2,210 个逻辑单元
HWD14/14XL 等系 采用 0.18μm CMOS 工艺，最大容量为 288
列 个逻辑单元
（2）存储芯片
公司专注于 NORFlash 及 EEPROM 存储器的研制，在环境适应性等方面具有显著优势。
公司 NORFlash
存储器既可用于 FPGA 配置存储器，提供完整的可编程解决方案，亦可独立用于数据存储场景，已形成
大、中、小容量三个系列产品，覆盖 512Kbit-1Gbit 等容量类型，所有产品已进入批量供货阶段。最
新研制的 2Gbit 大容量产品已进入测试验证阶段。
目前，公司的主要产品具体情况如下：
产品大类 产品系列 产品介绍 产品图片
NORFlash 支持通用串行及并行接口，存储容量涵
HWD16P/32P 系列
存储器 盖 512Kbit～256Mbit
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产品大类 产品系列 产品介绍 产品图片
支持并行接口，存储容量涵盖
NORFlash
HWD29GL 系列 128Mbit～1Gbit，可用于 FPGA 配置存
存储器
储器
EEPROM 存 支持 I2C 接口，存储容量涵盖
HWD24C 系列
储器 16Kbit～2Mbit
（3）微控制器（MCU）芯片
公司专注于特种集成电路领域全系列 MCU 产品的研制，覆盖低功耗 MCU、通用 MCU 和高性能 MCU，
主推产品 HWD32F1 系列、HWD32F4 系列和 HWD32F7 系列均已实现批量供货。基于 RISC-V 内核的低功耗
MCU 产 品 目 前 已 完成 流 片 ， 正 在 进 行 产 品 推 广 和 客户 试 用 。 公 司 自 主 研 发 的 32 位 高 速 高 可 靠
MCUHWD32H743，基于 32 位精简指令集内核，运行频率高达 400MHz，提供强大双精度浮点数字信号处理
能力，拥有高达 2MB 的 Flash 和 512KBSRAM，在工业控制、电机控制、AIOT、机器人和智能设备等领域
具有广泛应用潜力。
（4）智能异构系统（SoC）芯片
智能异构系统（SoC）芯片融合了 CPU、GPU、NPU 以及 eFPGA 等核心 IP，实现异构多核协同处理，
形成高效处理标量、矢量和张量等多种计算的灵活高能效比计算平台。最新研制的 HWD109XX 系列和
HWD090XX 产品，已集成高性能 CPU、AI 加速单元 NPU、eFPGA 等组件相关产品已进入样品用户试用验
证阶段。
（5）时间敏感网络（TSN）芯片
时间敏感网络（TSN）芯片面向工业、车载、航空航天等场景，提供纳秒级时间同步、微秒级低时
延与确定性传输，满足高可靠实时通信需求。TSN 研发中心，核心团队参与《箭载 TSN 技术规范》制
定，已推出首款万兆 TSN 网络交换板卡，采用“FPGA+TSN 算法+专用 ASIC”架构，支持双千兆网卡、16
口千兆交换，适配 IEEE802.1AS/Qbv 等标准。目前产品进入头部院所与核心客户试用验证，收获特种领
域意向订单，正在推进多场景应用落地。
（1）数据转换芯片
公司瞄准国际先进水平，坚持自主正向的发展路线，针对高速 ADC/DAC 高集成度、大带宽、高线
性度、低误码率、低功耗的产品发展趋势，以及高精度 ADC/DAC 超高线性度、超高温度漂移偏差等要
求，形成了覆盖分辨率 8～12 位、采样率 8～128GSPS 的高速 ADC/DAC 谱系化产品，采样精度 16 位及
以上的高精度 ADC，12～14 位的高速高精度 ADC，12～14 位高精度 DAC 产品，部分产品达到国际先进
水平，填补国内空白。为卫星通信、雷达探测、电子对抗、高端仪器仪表、工业测量、能源勘探、自动
化、地震监测、数据采集系统等领域提供国内解决方案。具体情况如下：
产品大类 产品系列 产品介绍 产品图片
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产品采样率 40GSPS，分辨率 12bit，带宽达到
高速高精度 HWD12B40 系 19GHz 以上，无杂散动态范围≥54dB，集成 96 对
ADC 列 JESD204C 高速串行接口，支持芯片内/芯片间多
通道同步。
产品采样率单通道 6～16GSPS 连续可配置，分辨
高速高精度 HWD12B16 系 率 12bit，四通道支持芯片内/芯片间多通道同
ADC 列 步，宽达到 10GHz 以上，无杂散动态范围≥60dB，
集成 32 对 JESD204C 高速串行接口。
产品采样率 8GSPS，分辨率 12bit，带宽达到 5GHz
以上，信噪比≥58dB，无杂散动态范围≥75dB，
高速高精度 HWD9213 系 功耗≤3.0W,支持 DC 耦合和多片同步,内置 DDC
ADC 列 模块,集成 16 对 JESD204B 标准高速接口，具有
抗总剂量辐射能力。
产品是一款单通道、8 位超高速 A/D 转换器，典
型采样率支持 32GSPS、40GSPS、50GSPS、64GSPS，
HWD08B64GA 并且可调，输入带宽支持 19GHz，误码率低至 1e
超高速 ADC 15
片同步功能，集成了 32/16 对可配置的 JESD204C
高速串行接口。
主要为 16～18 位多通道系列产品，具有工作电
HWD976/977 压高、转换精度高、功耗低的特点，采用 0.6μ
高精度 ADC
等系列 mCMOS 工艺设计，采样率主要为 200Ksps，输入电
压范围可达±10V，功耗范围为 85-200mW。
主要为 24～31 位多通道系列产品，具有转换精
HWD1281/77
超高精度 度高的特点，采用 0.18～0.25μmCMOS 工艺，采
ADC 样率区间主要为 1Ksps-125Ksps，含片上增益以
系列
及偏移校准寄存器，支持系统校准。
主要为 12～14 位多通道系列产品，具有转换精
高速高精度 YAK12/14 等 度与速度均较高的特征，采用 28nm～0.18μm
ADC 系列 CMOS 工艺，采样率区间主要为 65Msps～3.2Gsps，
功耗范围为 290mW-2.4W。
主要为 12～16 位多通道系列高压产品，具有工
HWD660 等系
高精度 DAC 作电压高、转换精度高的特点，采用 0.35～0.6
列
μm CMOS 工艺，输出电压范围可达±10V。
（2）电源管理
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公司专注于末级电源管理芯片的研制，主要产品包括线性电源 LDO 和开关电源 DC-DC 等。其中 LDO
为低压差线性稳压器，用于实现低压差场景下的降压转换，具有低噪声、纹波小、高精度等特征；而
DC-DC 可以实现降压、升压、升降压转换等多种功能，电压及电流适用范围更广，能够实现高转换效
率。目前，公司已推出多款大电流快速瞬态响应 LDO 产品，输出电流能力全面覆盖 1A 至 5A 等多种规
格，超低噪声 LDO 输出噪声指标达到 1.5μVrms；DC-DC 已形成最高输入电压 6V-28V 的系列化产品，
输出负载电流最高可达 16A。
目前，公司的主要产品具体情况如下：
产品大类 产品系列 产品介绍 产品图片
具有多通道、快速瞬态响应的特点，输出电流覆
盖1A至5A，具有多种输出电压模式，主要用于为
HWD703/767
数字电路器件提供输入和内核电源电压，用于输
等系列
入电压和输出电压压差较低的场景下的电压调
线 性 电 源 节。
LDO HWD7151 系列超低噪声高 PSRR 线性电压调整器，
输入电压范围 4.5V～16V，输出电压范围 1.5V～
HWD7151 系
列
源抑制比 90dB，用于为频率源、PLL、VCO、AD/DA
转换等对噪声敏感的模拟电路供电。
可实现多种场景下的降压功能，主要用于系统电
HWD46XX 系 能转换和传送，已形成输入电压4.5V-16V的系列
列 化产品，输出负载电流最高可达36A，可为系统提
供负载点电源。
开 关 电 源
DC-DC
可实现高电压轨降压功能，已形成输入电压
HWD140xx 系
列
（3）总线接口
公司产品覆盖了主流串行通讯协议以及并行通讯电平转换类接口，广泛应用于系统间信号传输等
领域。目前，公司的主要产品具体情况如下：
产品大类 产品系列 产品介绍 产品图片
具有 ESD 保护能力强、兼容多种串行协议
串行通讯 HWD3490/
的特点，抗静电保护范围可达±15kv，传输
协议类接 1490/3232
速率可达 30Mbps，
兼容 RS485/RS422/RS232
口 /2850 等系列
等系列协议标准。
具有 ESD 保护能力强、通讯速率快的特点，
并行通讯 HWD16T2
抗静电保护范围可达±15kv，传输速率可
电平转换 45/164245
达 400Mbps，在系统中起到隔离及驱动的作
类接口 /4245 等系列
用。
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公司建立了特种集成电路检测中心，拥有综合性的公共可靠性型服务平台，专注于集成电路及分
立元器件测试、可靠性试验及失效分析。检测中心拥有 600 余台（套）大规模集成电路测试系统、可
靠性环境试验、失效分析仪器以及各类高精度仪器仪表设备，能涵盖 GJB597、GJB7400、GJB2438、
SJ/T20668、GJB548、GJB360、GJB128 等标准的要求和试验方法，具有大规模集成电路测试开发、试验
验证、失效分析和批量筛选的能力，通过 CNAS 资质认证。
检测中心已熟练掌握多种复杂集成电路和分立元器件的测试技术。其中包括超大规模可编程逻辑
器件（FPGA/CPLD/SoPC）、高速高精度转换器（AD/DA）
、MCU/SoC/SIP 系统级芯片、存储器、接口电路、
驱动电路、电源管理、运算放大器、射频器件等集成电路，以及电阻、电容、电感、二极管、三极管、
MOSFET、IGBT 等分立元器件。无论是复杂的集成电路，还是各类分立元器件，都能提供精准、高效的
检测服务。
公司采用 Fabless 模式，主要负责芯片的研发、设计与销售，晶圆加工与封装由专业的外协厂商完
成。同时，由于公司产品应用于特种领域，下游客户对产品的可靠性要求较高，因此公司建立了特种
集成电路检测中心，测试环节亦主要由公司自行完成。
Fabless 晶圆代工厂 封装厂 测试厂
芯片设计 芯片制造 芯片封装 芯片测试
作为一家专业的 Fabless 集成电路设计公司，产品的研发与设计是公司赖以生存的核心竞争力。公
司高度重视产品的设计与研发环节，在设计与研发方面制定了《科研任务管理制度》
《科研进度管理制
度》
《质量评审管理制度》等完备的研发制度；设立了科学技术委员会，负责牵头公司技术发展战略及
重点科研技术研究工作，指导科研项目技术方案论证、关键技术攻关，参与解决技术疑难问题，开展
技术合作等对外交流工作；同时设有可编程研发中心、SoC 研发中心、转换器前沿技术研发中心、电源
管理研发中心、总线接口研发中心等部门，具体负责公司相应产品的规划、研发推进、产品设计等工
作，建立了完善的研发体系。
公司研发项目类型主要分为国拨研发项目及自筹研发项目两大类。国拨研发项目系公司承接国家
相关主管部门研发项目，通过招投标等方式竞标取得相应项目的研发资格后，委托单位向公司提供研
发资金并由公司开展研发工作，研发完成后需由相应委托单位验收成果。公司作为承研方享有技术成
果专利的申请权、持有权和非专利成果的使用权，而委托方可取得该项专利和成果的普遍实施许可。
自筹研发项目系公司根据市场、客户需求及自身发展规划等方面的研发需求，通过立项等内部程序后，
通过自有资金开展的研发项目。
公司将晶圆加工与封装交由专业的外协厂商完成，产品设计和测试环节主要由公司自行完成。因
此，公司主要采购内容为晶圆及管壳等材料，封装及测试等外协加工服务，主要生产内容为集成电路
的测试。根据质量管理体系的要求，公司制定了包括《供应商管理制度》《采购管理制度》《物资招标
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采购管理办法》等制度，有效管理采购过程中的各个环节。
公司主要采用直销模式，设置了市场总部，并下设若干销售片区，全面覆盖国内下游主流特种集
成电路产品应用客户。
(1). 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）行业发展阶段
近年来，随着国内新质生产力、数字经济的不断发展和全球人工智能浪潮下大模型和算力的迭代
升级，集成电路的应用领域及市场规模均实现了高速扩张，逐渐成为全球经济的核心支柱产业之一。
根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）数据测算，2025 年全球集成电路的市场规模约 7,280 亿美元，
其中亚太地区消费占比 68%～78%，是全球最大的市场板块；其中，中国作为全球最大的电子产品制造
和消费体，推动了亚太地区在全球市场的主导地位，根据中国半导体行业协会（CSIA）统计，2025 年
中国本土集成电路产业规模达 1.88 万亿元；国内集成电路终端消费市场规模约 1.53 万亿元。
基于不同应用领域对于产品环境适应性及质量可靠性等性能指标的需求，集成电路产品按质量等
级划分，通常可分为消费级、工业级（含车规级）以及特种级，其中消费级指消费电子及家用电器等
应用场景，工业级指工业控制及汽车电子等应用场景，特种级指特种领域装备的各类应用场景。随着
特种电子行业国产化水平的不断提升以及各类先进技术的不断实现，特种集成电路作为电子行业重要
组成部分以及功能实现的重要载体，2025 年实际市场规模突破 920 亿人民币，市场前景持续广阔。
（2）行业基本特点、主要技术门槛
由于整体行业的最终应用场景及环境特征相较于其他领域更为复杂，特种集成电路对产品的性能
要求更高、可靠性要求更为严格，因此在设计理念及核心技术、生产加工环节、市场准入资质等方面
相较于其他领域具有显著的区别。
产品性能及可靠性需求不同。由于特种集成电路的实际应用环境特殊且复杂，对于芯片的安全性、
可靠性、低功耗以及部分特殊性能（如抗震、耐腐蚀、耐极端气温、防静电）的要求相对较高，同时
还需要具备较长的寿命周期。
产品设计理念及核心技术不同。特种集成电路由于需要高可靠性及安全性，因此设计需要根据不
同的产品及应用环境选择合理的工艺制程。先进的工艺制程通常具有更小的晶体管尺寸，进而带来芯
片性能的提升以及面积的减小，但同时会降低电路的稳定性。由于特种集成电路应用领域多为大型装
备，高可靠性相较于单纯的面积缩减更加重要，因此在芯片功能设计、性能优化的同时，更需要保障
产品的可靠性。
产品生产环节不同。流片方面，特种集成电路产品由于对产品性能需求的不同，一般无法直接采
用通用的标准单元库，在与工艺厂保持充分的沟通后由特种集成电路设计厂商自行设计并提供，以保
障产品对稳定性和可靠性的需求。封装方面，特种集成电路应用场景可能会涉及高低温、强电磁干扰、
强振动、冲击、水汽、高盐雾浓度、高气密性要求等各类复杂工况条件，因此一般采用陶瓷封装或者
高等级的塑料封装，必要时需安装散热板以满足芯片对特定工况条件的高可靠性需求。测试方面，特
种集成电路为了保证预定用途所要求的质量和高可靠性需求，所有芯片产品必须经过各种严格的环境
试验、机械试验、电学实验等测试程序，包括各类功能和性能的电测试，以及针对不同鉴定检验标准
的环境与可靠性试验，相较于普通工业及消费级芯片测试项目多且周期长。
市场准入资质不同。特种集成电路市场相对特殊，参与竞争存在一定的准入门槛，需要在保密体
制、质量管理体系、研制许可等多方面取得相应的认证资质，并且需要进行定期的检查以及复审，对
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于公司的日常管理要求较高，市场准入具有一定的壁垒，竞争成本相对较高。
(2). 公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司作为国家“909”工程集成电路设计公司和国家首批认证的集成电路设计企业，公司研发团队
具有丰富的芯片设计经验，具备 28 纳米 CMOS、0.13 微米 Bi-CMOS 及 0.18 微米 BCD 先进制程的数字
模拟混合信号设计技术，连续承接国家“十一五”、
“十二五”、
“十三五”FPGA 国家科技重大专项，
“十
三五”高速高精度 ADC 国家科技重大专项、高速高精度 ADC 国家重点研发计划，智能异构可编程 SoC
国家重点研发计划，是国内少数几家同时承接数字和模拟集成电路国家重大专项的企业。
公司涵盖模数/数模转换器（AD/DA）、时间敏感网络（TSN）
、可编程逻辑器件（FPGA/CPLD/SoPC）
、
MCU/SoC/SiP 系统级芯片、存储器、接口和驱动电路、电源管理几大系列，公司近 300 款产品可为客户
提供系统级解决方案。产品广泛应用于尖端技术领域，作为集成电路配套骨干企业，经过多年的市场
验证，公司的产品已得到国内特种集成电路行业下游主流厂商的认可，核心产品高速高精度 ADC 以及
高精度 ADC、CPLD/FPGA 处于国内领先地位，TSN 团队核心专家受商业航天邀请参与《箭载时间敏感网
络（TSN）技术规范》的制定，持续推动 TSN 技术在高端装备领域的落地与应用。
同时，公司建立了特种集成电路检测线，拥有中国合格评定国家认可委员会 CNAS 认证的国家级
检测中心。中航成飞设计研究所指定元器件检验站资质认证，并通过中国商飞（COMAC）审核，获试
验服务平台合格供方认证，具有较为完备的集成电路成品测试能力。
(3). 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
（1）技术迭代推动高性能产品的不断发展
①FPGA产品面向智能异构与射频直采数据处理等方面创新迭代
可编程逻辑器件的发展紧密依托于先进的工艺制程以及创新的封装工艺方案这些技术显著提升了
芯片的集成度、性能和可靠性。结合CPU技术的持续演进，包括多核架构、能效优化和指令集扩展，以
及高速射频直采型模数转换器的突破，实现了智能异构计算加速平台芯片的开发。这一平台通过整合
不同的计算、处理以及采样单元，为高带宽、大动态范围以及智能数据处理方面的进步提供了集成化
支撑，从而推动雷达通讯、人工智能等领域的创新，具体体现在传输处理的延迟显著降低和传输数据
速率的大幅提升，例如在 5G通信、自动驾驶雷达系统和智能感知设备中实现更高效、实时的数据处理
与传输。在“十四五”规划期间，公司主要完成了大规模FPGA、集成CPU的SOPC以及集成高速ADC和DAC
的RF-FPGA样品的研制与验证，这些样品在性能测试中表现出优异的信号处理能力和功耗控制，为后续
产品化与市场应用奠定了坚实技术基础。目前，公司正在积极研发集成AI和CPU的AI SOPC产品，处于智
能异构技术发展的初期阶段，正逐步探索异构计算在高效能处理中的广泛应用潜力，如云计算数据中
心、边缘计算节点和物联网终端设备，以应对未来智能社会对高性能、低功耗计算解决方案的多样化
需求。
②模数转换器技术产品面向超高速大动态以及超高精度方面持续耕耘
高速数模转换器方面，公司已成功研制出采样率高达 128GSps、分辨率 10bit 的高速射频直采 ADC
芯片，具备超宽带宽、低功耗与高信噪比特性，支持 L/S/C/X 波段全频段直接采样。该产品突破了传统
中频采样架构瓶颈，显著简化系统链路、降低延迟，并已通过雷达整机环境下的长期可靠性验证，进
入小批量试产阶段。
同时，公司已经成功进入零中频收发机开发阶段，聚焦高集成度、低功耗与多频段兼容性设计，
重点突破 I/O 通道增益/相位一致性校准、本振泄漏抑制及宽带噪声建模等关键技术，首款基于万次跳
频功能的零中频收发机产品已推向市场。
高精度数模转换器方面，公司已成功突破 32bit，38.4k采样率的高精度ΔΣ型ADC芯片，具备超低
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噪声、超高线性度与优异的温漂稳定性，攻破四阶ΔΣ 模拟调制器与三级数字滤波器架构设计与数字
滤波算法协同优化难题，相关产品已通过高精度传感器与精密仪器领域的功能与环境适应性测试，已
成功推向市场试用。
公司通过定制化规则文件开发，完善抗辐照结构的验证；用 skill 按需优化调整 pcell，构建半定制
化 PDK 的方式，完成耐辐照 ADC 产品设计验证闭环，相关产品已通过辐照试验验证。
③片上集成系统与智能算力芯片技术面向边缘侧NPU架构方面构建生态
基于自主研发的 NPU 架构，公司推出的边缘侧 AI 芯片已成功实现 12Tops 的算力水平，并在此基
础上进一步突破了更高算力瓶颈，成功研制出性能达 64Tops 的芯片产品。该芯片支持 INT4、INT8 及
FP16 多精度混合计算能力，能够灵活应对不同计算复杂度与能效要求的 AI 任务。在软件与系统层面，
芯片依托国产化操作系统及全国产化硬件平台，完成了端侧模型的轻量化部署与推理优化，显著提升
了在资源受限环境下的运行效率。该方案已适配视觉识别任务及伪目标自我迭代算法，并在实际应用
场景中开展了系统的功能化测试与验证。
展望“十五五”期间，公司将进一步加强AI芯片与SoC的深度融合，推动计算架构向存算一体方向
演进，致力于提升能效比与计算密度。同时，公司将加快相关芯片及解决方案在智能驾驶、工业质检
等典型场景的规模化落地应用，并同步构建覆盖开发、部署、优化全流程的自主安全AI工具链，以支撑
更广泛的产业智能化需求。
④微控制器系统技术面向RISC-V架构构建国产化MCU架构与实时操作系统深度融合
AI融合趋势加深，边缘AI使MCU能处理高性能数据并实时决策，近年来具备AI功能的MCU产品在特
种领域及汽车电子、智能家居等领域占据重要地位。集成度持续提高，将AI加速器、通信模块、传感
器等多模块集成于单芯片，简化设计并降低功耗成本。架构创新与制程进步推动多核异构设计，28nm、
进创新。
公司已完成RISC-V指令集架构的深度定制与扩展，成功研制包含自主设计的 32 位RISC-V内核的轻
量化MCU产品，其内核采用 3 级流水线设计，最高工作频率为 20MHz，并支持硬件乘法和除法指令，
为轻量级计算任务提供了基础算力保障芯片结合了多层次低功耗设计技术，实现了业界领先的功耗控
制。具体表现为：在待机（Standby）模式下，功耗小于 1μA，并能在 150 微秒内快速唤醒。芯片内置
了 12 位精度、采样率达 1MSPS的ADC和DAC，以及比较器，能够直接处理传感器信号。在数字接口方
面，它提供了包括 2 个USART、1 个LPUART、SPI、I2C以及一个CAN 2.0 总线控制器在内的丰富外设，满
足了工业控制和物联网设备的连接需求，且内置 64KB嵌入式闪存（eFlash）和 8KB SRAM。为适应小型
化设备，提供了QFN20（3mm x 3mm）和QFN28（4mm x 4mm）等多种小型封装形式。公司将开展基于
张量运算扩展指令集的研究，旨在推动人工智能计算平台从异构走向同构，使得开发者能更便捷地进
行模型部署。
⑤接口芯片技术面向高集成度与高效率方面进行关键技术攻关
采用PAM4 调制技术将单通道带宽提升至 32Gbps，降低信号衰减。采用uBGA、WLP等先进封装技术
缩小芯片面积，适配可穿戴设备。结合电源门控技术实现电源域动态管理，进一步降低静态功耗。协
议兼容与扩展性：单芯片集成USB、I2C、SPI等多种接口协议，增强系统灵活性。通过可编程FPGA架构
支持协议动态切换，适应工业物联网中异构设备的互联需求。
在传统总线接口应用方面，公司已有相关设计方案，采用专用芯片实现电平转换，并设计了包括
终端匹配电阻、高性能泄放二极管在内的完整保护电路，以提供最高正负 15KV的ESD防护，确保在严
苛环境下的通信可靠性。
电平转换器方面，通过电路创新专利，致力于解决高集成度芯片中的多电压域管理和功耗问题，
并避免因反相器下管无法完全关闭而导致的漏电流，显著提升多电压域切换速度与静态功耗控制精度。
成都华微电子科技股份有限公司2025 年年度报告摘要
可靠性设计方面，聚焦板级应用电磁兼容性优化与容错机制设计，为用户提供板级设计技术支持，
进一步提升产品整体抗干扰能力。
⑥电源管理芯片技术面向低噪声、高电源抑制比、低导通电阻方向发展
随着通信系统的工作频率与采样速率不断提升，其核心时钟、频率源及信号采样电路对供电电源
的噪声、纹波特性和电流驱动能力提出了更严苛的要求。当前国际顶尖产品的噪声水平已低于 1μVrms，
PSRR超过 90dB，输出电流可达 5A以上。
“十四五”期间 ，公司电源管理类产品主要朝着高能效、大电
流输出与高集成度方向推进，成功研制超低噪声LDO和高效率、宽电压范围的DC-DC产品，已实现最高
输入电压范围可达 4.5V-100V，输出负载电流最高可达 36A，转换效率高达 93%的高性能电源管理芯片，
为整体供电系统的负载点电源需提供更高的电流驱动能力，同时在有限空间内最大化功率输出，电源
的转换效率、电流输出能力及功率密度。
⑦主控芯片最小系统、高速信号采集系统以及微控制系统集成解决方案
特种集成电路不断向高端化、系统化、智能化、小型化、低功耗方向加速延伸。集成电路采用系
统级芯片设计或封装，可以进一步高效地实现相关电路的高度集成化，有效地降低电子信息系统产品
的开发成本，缩短开发周期，进一步实现性能、功耗、稳定性、工艺难度几方面影响因素的平衡，进
一步提高产品竞争力，已经成为当前业界主要的产品开发理念和方向。
公司加速推进"核心技术+系统方案"的战略转型，依托在高速AD/DA、高性能FPGA及SoC领域的多年
技术积累，构建了覆盖芯片设计、固件开发、系统集成等全栈式解决方案能力，形成从IP核、芯片、
板卡到系统级软硬件协同优化的完整技术闭环。公司已经成功研制多款面向射频直采、主控芯片最小
应用系统、陀螺仪信号采集处理、车载以太网系统、微型计算机系统等典型应用场景的专用SiP模块，
集成主控MCU、高速存储、电源管理及定制化I/O接口，面积较传统PCB方案缩减 60%以上，互连延迟降
低 40%，已应用于相关技术领域。在可靠性方面，公司构建了基于系统集成芯片的保障体系，覆盖芯片
级、板级与系统级的全链条。
⑧场景化应用板级系统面向高速信号采集处理、时间敏感网络模组方面融合升级
在高速信号采集处理系统方面，公司实现了光耦通信技术、超声扫描技术、量子通信技术等多方
面信号处理技术的重大突破，相关技术可广泛应用于通信、高端仪器仪表和科学研究等领域，显著提
升了信号处理的可靠性与效率。通过采用自研的高速模数转换器，其采样率高达数 GSPS，结合高性能
FPGA 产品的同时，结合自主开发的同步技术以及信号处理算法，确保了多源信号的高效整合与优化，
从而在复杂电磁环境下实现精准数据采集与处理。此外，公司还提供从硬件设计、算法优化到系统集
成的一站式解决方案，帮助用户快速部署并降低开发成本，满足雷达、测试测量和高端仪器等多样化
需求。
在时间敏感网络（TSN）模组方向，公司突破了高精度时钟同步算法与硬件时间戳引擎关键技术，
通过创新设计实现了端到端抖动小于 50 纳秒、同步精度达到±10 纳秒的确定性传输能力，这对于工
业自动化、智能交通和实时控制系统的低延迟通信至关重要。公司为用户提供FPGA与TSN IP融合的芯
片以及对应的模组产品，这些芯片集成了高效的逻辑资源与专用TSN处理单元，支持灵活配置和低功耗
运行。模组全面支持IEEE 802.1AS、Qbv、Qbu等TSN核心协议栈，并兼容更多扩展标准，确保网络中的
时间敏感流量得到优先调度。同时，产品支持纳秒级时间戳标记与硬件级流量整形，增强了数据传输
的确定性和可靠性，为智能制造、车载网络和航空航天等领域提供了高性能的网络基础设施。
（2）工艺进阶与新兴技术融合演进
根据行业权威数据显示，国内特种集成电路市场呈现增长态势。全球半导体贸易统计协会(WSTS)
数据显示，2025 年全球半导体市场规模达 7,956 亿美元，同比增长 26.2%，为特种集成电路产业提供
了广阔发展空间。
成都华微电子科技股份有限公司2025 年年度报告摘要
①可编程计算技术：向更深度的异构集成、更高性能、更低功耗、更广泛的应用领域发展，国内
需在整体架构、资源规模、数据带宽、计算性能、AI算力以及EDA软件，流片工艺和封装工艺等方面不
断突破。
②转换器与接口芯片技术：
“十五五”期间，精密转换器与接口芯片将向更高精度、更低功耗、更
小封装和更强智能化演进，技术融合（如AI与模拟技术结合）与新材料（如GaN/SiC）应用成为关键推
动力。高速高精度ADC将持续突破数字校准技术，重点发展实时校准算法以应对动态场景需求；接口芯
片将进一步提升传输速率与协议兼容性，适应工业物联网与车规级应用的严苛要求。
③SoC与AI芯片技术：前沿制程将向 3nm/2nm跃迁，同时探索光子芯片、量子芯片等非硅基技术路
径，构建多元化技术生态。AI芯片架构向“存算一体化”演进，可提升大模型推理效率 10 倍以上，车
规级芯片实现功能安全等级全栈自主化。RISC-V架构在边缘计算领域渗透率将突破 40%，国产企业需
平衡兼容性与自主性，突破ARM生态壁垒。
④电源管理技术：为提升系统能效并减少线路损耗，在服务器、数据中心与算力中心等领域，48V
总线负载点多相电源有望成为新趋势。电源将集成PMBus等数字控制接口，通过与上位机实时通信，依
据系统状态动态调整电压，并实现工作状态监控与故障诊断，从而优化整体能效。
⑤TSN 技术：将持续根据“场景驱动”的特点，在更多应用场景中灵活部署，进一步提升系统的可
靠性和适应性，满足不同领域对高带宽、高可靠、高实时的需求。针对安全关键型应用，TSN IP 内核
将进一步集成高精度容错时间同步、冗余传输等可靠性设计，支持根据用户场景进行协议裁剪与定制，
适应资源受限环境下的低功耗与弱计算条件。
单位：元 币种：人民币
本年比上年
增减(%)
总资产 4,304,778,964.36 3,669,593,588.18 17.31 2,274,217,612.93
归属于上市公司
股东的净资产
营业收入 759,987,312.37 603,889,863.51 25.85 926,053,722.41
利润总额 180,422,431.61 136,003,197.34 32.66 332,251,580.32
归属于上市公司
股东的净利润
归属于上市公司
股东的扣除非经
常性损益的净利
润
经营活动产生的
-344,749,421.76 25,464,993.83 不适用 53,736,512.48
现金流量净额
加权平均净资产 增加0.37个百分
收益率（%） 点
基本每股收益（
元／股）
稀释每股收益（
元／股）
研发投入占营业 减少10.59个百
收入的比例（%） 分点
成都华微电子科技股份有限公司2025 年年度报告摘要
单位：元 币种：人民币
第一季度 第二季度 第三季度 第四季度
（1-3 月份） （4-6 月份） （7-9 月份） （10-12 月份）
营业收入 155,667,231.84 199,257,728.61 162,727,977.16 242,334,374.76
归属于上市公司股东的净利润 21,881,762.52 13,838,727.07 26,884,591.66 91,000,400.34
归属于上市公司股东的扣除非
经常性损益后的净利润
经营活动产生的现金流量净额 -158,271,051.37 -111,701,131.79 -112,178,188.09 37,400,949.49
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
名股东情况
单位: 股
截至报告期末普通股股东总数(户) 21,056
年度报告披露日前上一月末的普通股股东总数(户) 21,190
截至报告期末表决权恢复的优先股股东总数（户） 0
年度报告披露日前上一月末表决权恢复的优先股股东总数（户） 0
截至报告期末持有特别表决权股份的股东总数（户） 0
年度报告披露日前上一月末持有特别表决权股份的股东总数（户） 0
前十名股东持股情况（不含通过转融通出借股份）
质押、标记或冻
结情况
持有有限
股东名称 报告期内 期末持股数 比例 股东
售条件股
（全称） 增减 量 (%) 性质
份数量 股份
数量
状态
中国振华电子集团 国有法
有限公司 人
华大半导体有限公 国有法
司 人
成都华微众志共创
企业管理中心（有 -2,613,586 46,162,950 7.25 0 无 0 其他
限合伙）
中电金投控股有限 国有法
公司 人
成都华微电子科技股份有限公司2025 年年度报告摘要
成都华微展飞伙伴
企业管理中心（有 -1,819,900 13,815,808 2.17 0 无 0 其他
限合伙）
成都华微同创共享
企业管理中心（有 -1,782,407 11,067,764 1.74 0 无 0 其他
限合伙）
四川省国投资产托 国有法
-2,000,000 10,000,000 1.57 0 无 0
管有限责任公司 人
成都华微共融众创
企业管理中心（有 -1,532,445 8,442,258 1.33 0 无 0 其他
限合伙）
成都创新风险投资 国有法
-19,080,000 7,829,133 1.23 0 无 0
有限公司 人
中信证券股份有限
公司－嘉实上证科
创板芯片交易型开 2,565,942 4,343,559 0.68 0 无 0 其他
放式指数证券投资
基金
上述股东关联关系或一致行动的说明 1.中国振华电子集团有限公司、华大半导体有限公
司、中电金投控股有限公司均为公司实际控制人中
国电子信息产业集团有限公司控制的企业；
国投资产托管有限责任公司 100%的股权，间接持
有成都创新风险投资有限公司 36.79%的股权。
表决权恢复的优先股股东及持股数量的说明 不适用
存托凭证持有人情况
□适用 √不适用
截至报告期末表决权数量前十名股东情况表
□适用 √不适用
√适用 □不适用
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√适用 □不适用
□适用 √不适用
□适用 √不适用
第三节 重要事项
公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
请参见“第三节管理层讨论与分析”之“二、经营情况讨论与分析”。
止上市情形的原因。
□适用 √不适用
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