苏州长光华芯光电技术股份有限公司2025 年年度报告摘要
公司代码：688048 公司简称：长光华芯
苏州长光华芯光电技术股份有限公司
苏州长光华芯光电技术股份有限公司2025 年年度报告摘要
第一节 重要提示
划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险，具体内容详见本报告第三节“管理层讨论与分
析”之“四、风险因素”相关内容
虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
□是 √否
综合考虑公司目前经营状况以及未来发展需要，为保障公司生产经营的正常运行，增强抵御
风险的能力，实现公司持续、稳定、健康发展，更好地维护全体股东的长远利益，公司 2025 年利
润分配预案为：不派发现金红利，不进行公积金转增股本、不送红股。以上利润分配方案已经公
司第二届董事会第二十次会议审议通过，尚需公司 2025 年年度股东会审议通过。
母公司存在未弥补亏损
√适用 □不适用
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
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及板块
上海 证券 交易 所
A股 长光华芯 688048 不适用
科创板
□适用 √不适用
董事会秘书 证券事务代表
姓名 闵大勇 孙亮
联系地址 苏州高新区漓江路56号 苏州高新区漓江路56号
电话 0512-66896988-8008 0512-66896988-8008
传真 0512-66806323 0512-66806323
dongban@everbrightphotonics.co
电子信箱 dongban@everbrightphotonics.com
m
公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺（光刻）、解理/镀膜、封装测试、光纤
耦合等 IDM 全流程工艺平台和 2 吋、3 吋、6 吋量产线，应用于多款半导体激光芯片开发，突破
一系列关键技术，是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时，依托公司高功率
半导体激光芯片的技术优势，公司业务横向扩展，建立了高效率 VCSEL 激光芯片和高速光通信芯
片两大产品平台，另外公司业务向下游延伸，开发器件、模块及终端直接半导体激光器产品，上
下游协同发展，公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升。
公司聚焦半导体激光领域，始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造，主要产品包括
高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率 VCSEL 系列产品及光通信芯片系列产品等，
逐步实现半导体激光芯片的国产化。公司紧跟下游市场发展趋势，不断开发具有领先性的产品、
创新优化生产制造工艺、布局建设生产线，已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体
激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，成为半导体激光行业的垂直产业链公司。公司产品可广
泛应用于：光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器、直接半导体激光输出加工应
用、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、机器视觉定位、智
能安防、消费电子、3D 传感与摄像、人脸识别与生物传感、光通信等领域。报告期内，公司主营
业务未发生重大变动。
公司核心产品为半导体激光芯片，并且依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力，纵向
往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸，横向往 VCSEL 芯片及光通信芯片等半导体激光芯片
扩展。主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率 VCSEL 系列产品及光通
信芯片系列产品。
高 功
率 单
管 系
列 产 高功率单管芯片系 高功率单管器件 光纤耦合模块系 直接半导体激光
品 列 系列 列 器系列
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高 功
率 巴
条 系
列 产 高功率巴条芯片系 高功率巴条器件
阵列模块系列
品 列 系列
激 光
雷 达
与 3D
传 感
系 列
激光雷达 VCSEL 系列 激光雷达 EEL 系列 3D 传感 TOF 系列 3D 传感 SL 系列 激光医美系列
产品
光 通
信 芯
片 系
列 产 VCSEL 系列 EML 系列 DFB 系列 PIN PD 系列
品
公司主要从事半导体激光芯片及其器件、模块等产品的研发、生产和销售，通过向下游客户
销售半导体激光芯片系列产品实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入均来源于半导体激
光芯片及其器件、模块等产品的销售。
公司主要通过对接下游厂家及终端用户，国内市场主要以直销方式进行销售，海外市场以代
理商经销商销售为主。
对于成熟且有明确行业标准或规格的产品，公司主要通过现有客户推荐、参加国内外展会、
学术会议、客户拜访、邀请客户来访、行业媒体、客户经理对业务领域及渠道的拓展等方式寻求
新客户。
对于新产品，公司在客户拓展过程中存在产品导入期。首先，公司根据客户需求进行产品设
计、材料选型、样品制造等，对于芯片、器件类产品，由于涉及的性能参数较多，公司先行实施
内部可靠性测试。然后将样品送至客户处做性能测试。性能测试通过后，客户会对公司产品实施
可靠性测试。可靠性测试通过后，客户会向公司下单采购。公司开始对客户小批量供货，多批次
同时合格后，会转入批量供货阶段。
在产品定价策略上，公司结合市场供求状态、产品的技术先进性、制造工艺的复杂程度、产
品制造成本等因素，经过与客户谈判协商后，确定产品价格。
公司制定了供应商管理制度，对供应商选定程序、价格、控制机制、跟进措施进行了规定。
根据公司对生产材料的需求，采购部通过展会、行业介绍等方式寻找潜在的供应商，收集供应商
资料，组织对供应商的能力进行调查，要求供应商提供样品，送技术部门进行测试和验证。根据
公司根据生产计划，综合考虑产品定价、产品质量、付款方式、供货能力等诸多因素，经审
批后与相关供应商订立采购协议。为确保主要材料品质的稳定性，公司主要以其行业地位及市场
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占有率为考虑因素选择行业内知名供应商。对于部分主材，考虑外部环境的变化、价格的波动及
生产用料的安全性，适当保证一定的库存量。
对于交期短且单价低的材料，以月或周为单位，向供应商下具体订单采购。对于交期长且成
本高的材料，以年度或半年度合约招投标的模式进行采购。同时，公司持续监控及评估现有及潜
在供应商能否满足公司的要求及标准。公司对供应商进行定期考核，综合考虑原材料质量、交货
期、后期服务、价格等因素，进行动态管理。
公司以行业发展、应用需求及国家科研项目需求为基础，确定研发方向，新产品从概念设计
开始先后经历 6 个阶段，满足各阶段的要求之后才能进入下一阶段。
（1） 概念设计阶段（项目立项）
由市场销售部牵头，根据客户的要求、市场调研及预测的信息等内容，提出新项目导入申请，
填写《产品阶段审批表》报评审委员会审批。经评审委员会指定项目负责人，会签《产品阶段评
审表》后交由品质部存档、受控、发行后，新产品由概念设计阶段转入技术开发阶段。
（2） 技术开发阶段
根据概念设计阶段的资料，项目负责人牵头展开技术开发阶段各项工作，包含：确定技术开
发性质，明确客户需求，明确参与人员、预算、工作计划，进行可行性分析、参数性能分析、环
保分析、产品特性分析，评估风险及对应的控制措施等。
（3） α样品阶段
研发项目团队在试产前应进行成本分析、安全和环境评估、可靠性实验分析，制定工作计划、
质量保证计划，确定外观指标，进行供应商开发评审，并开始试制。样品试制完成后，项目负责
人整理产品验证的相关技术资料，并根据样品情况更新原理草图、设计方案，完善技术指标。
（4） β样品阶段
β样品生产前，研发项目团队根据市场销售部识别的信息，适时依：①原理草图、设计方案、
外观指标；②质量保证计划、研发预算、成本分析；③安全和环境评估、测量系统分析、设备和
夹具分析、人员分析等，制定关键控制点控制计划、材料清单、材料标准、作业指导书等技术文
件，制定正式生产工作计划并实施。β样品生产完成后，研发项目团队对产品进行可靠性实验分
析、单道工艺认证分析及寿命分析等。
（5） 小批量阶段
初步作业标准化试生产前，研发项目团队总结β样品生产过程中的问题点并予以优化，进一
步进行产品的初始能力分析、成本分析、风险分析和评估、设备和夹具分析、人员分析、可靠性
实验分析、寿命分析、环保分析等，依据β样品试产的技术资料和过程试验报告，制定试生产工
作计划并实施。试生产完成后，进行客户认证。
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（6） 量产阶段
通过客户认证后，制造中心对产能进行评估，对设备投入实施管理，对人员、潜在失效模式
及后果、安全和环境评估等进行分析，确认已具备量产能力，制定生产计划并组织实施。
公司外延片、晶圆、芯片、器件、模块及直接半导体激光器的生产模式属于垂直一体化的 IDM
模式，覆盖芯片设计、外延片制造、晶圆制造、芯片加工及器件封装测试全流程，设计、制造等
环节协同优化，有利于公司充分发掘技术潜力，有助于公司率先开发并推行新技术。
由于公司生产工序较多，生产周期较长，公司实行“订单式”生产为主，结合“库存式”生
产为辅的生产方式。 “订单式”生产主要表现为以客户订单为标准，采用客户订单及全年预计的销
售意向进行排产安排，及时更新客户需求及排产计划。 “库存式”生产是指公司根据需求预测进行
合理的库存备货，以备生产高峰期产能不足的情况。此综合模式可以快速响应客户需求及满足客
户日益提升的差异化要求。
(1). 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）行业的发展阶段及基本特点
公司聚焦半导体激光细分行业，主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元
器件的研发、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》 （GB/T4754-2017）
，公司
所处行业属于门类“C 制造业”中的大类“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976 光电子
器件制造”，指利用半导体光—电子（或电—光子）转换效应制成的各种功能器件制造。
半导体产业是现代信息产业的基础，广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、智能化工业
设备等领域，是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。半导体激光行业
通常包括激光芯片、激光器件、激光模块及直接半导体激光器等领域，而直接半导体激光器则是
半导体激光行业的终端产品，由半导体激光器模块、输出光学系统、电源系统、控制系统及机械
结构等构成，在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。根据不同的光子类型，其下
游激光器类型众多，应用领域较为广泛，具体情况如下：
光子类型 激光器类型 应用领域
打标、雕刻、切割、焊接、金属 3D 打印等材料加工
光纤激光器泵浦 领域，应用于航空航天、汽车制造、船舶制造、钢铁
冶金、3C 电子、国家战略高技术等
精密切割、打孔、剥离、去除、划片、调阻调频、微
固体及超快激光器泵浦 纳结构加工，应用于半导体微电子、显示面板与照明、
能量光子 航空航天、汽车、太阳能、3C 电子、3D 增材制造等
焊接、熔覆、淬火、表面热处理，应用于汽车制造、
直接半导体激光器
发电设备、3C 电子、航空航天、高铁、钢铁冶金等
生物医学用激光器 医美、理疗、手术、光动力
定向能用激光器 科研与国家战略高技术
光通信激光器 接入网、主干网、数据中心；5G、物联网；
硅光芯片 数据传输与运算
信息光子
激光雷达与探测器
人驾驶、机器视觉、测距和尺寸测量
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传感器 液体、气体等物质传感器、接近传感器等
中远红外、太赫兹激光器 检测与影像、光电对抗
显示光子 红、绿、蓝三色激光器 激光电视、激光投影、汽车车灯、激光照明等
在工业领域，随着激光技术的逐步成熟和产业化，一方面，国产激光设备的质量、技术与服
务在竞争中慢慢提高，国产激光产品的崛起正在逐步取代进口的激光产品；另一方面，激光技术
的应用比许多传统制造技术更具成本效益，使激光应用得以迅速普及。从我国激光器市场来看，
国产光纤激光器逐步实现由依赖进口向自主研发、替代进口到出口的转变。随着国内光纤激光器
企业综合实力的增强，国产光纤激光器功率和性能逐步提高。公司生产的高功率半导体激光芯片
是产业链中游各类光泵浦激光器的核心泵浦光源，包括光纤激光器、固体激光器、液体激光器等，
属于工业激光器生产制造的核心元器件，广泛应用于激光加工、激光切割、生物医疗等工业领域。
在科研与特殊领域，离不开激光器的帮助，尤其在高端制造、精密材料、制导、雷达及光电
对抗等领域的科研项目，对激光器的性能要求将会更高。随着全球各国对科研和国家经费的不断
投入，将促进激光器在此领域的快速发展。
在激光雷达市场，随着人工智能、5G 技术的逐渐普及，无人驾驶、高级辅助驾驶、服务型机
器人和车联网等行业发展前景广阔。这些技术的实现能够大幅减少人为失误带来的交通风险、提
高交通运输效率、提升道路通行能力、改变汽车生产消费模式，实现交通运输安全、高效、绿色
的发展愿景。受无人驾驶车队规模扩张、激光雷达在高级辅助驾驶中渗透率增加、以及服务型机
器人及智能交通建设等领域需求的推动，激光雷达整体市场预计将呈现高速发展态势，随着 3D
传感技术在各领域的深度应用，将持续推动 VCSEL 激光器市场的快速发展。
在光通信领域，近年来，AI 需求呈现指数级增长，带动全球推理算力需求快速攀升。这一趋
势推动互联网云厂商持续加大投入，加速建设智算中心，也驱动光模块技术向更高速率演进，光
模块市场正经历从 400G 向 800G 和 1.6T 的迭代升级。下一代 LPO/CPO 等技术已成为光通信演进
的主流趋势，这一变革正推动激光芯片向高功率、低噪声、高集成度方向加速升级。在此背景下，
兼具高能效与成本优势的 200-400mW CW DFB 光源，凭借其与 800G/1.6T 模块的适配性及规模化
生产潜力，正成为高速光互连领域的核心增量器件。LightCounting 在最新报告中指出，光通信芯
片组市场预计将在 2025 至 2030 年间以 17%的年复合增长率（CAGR）增长，总销售额将从 2024
年的约 35 亿美元增至 2030 年的超 110 亿美元。
（2）主要技术门槛
半导体激光器作为光子时代的核心器件，技术门槛主要体现在核心芯片与关键光电子元器件
高度依赖自主研发，需在材料体系、芯片设计、精密制造等环节实现关键突破，同时要持续向更
高功率、更优光束质量等方向迭代升级。其作为光纤激光器、固体激光器等的核心泵浦源，对电
光转换效率、可靠性、寿命、波长覆盖范围等指标要求严苛，且随着激光应用场景快速渗透、高
功率激光器需求持续增长，对产品一致性、规模化量产与下游应用适配能力均提出高要求，形成
了从材料、芯片到器件、系统的全链条技术壁垒。
高端光芯片因速率、功率、传输距离要求提升，研发与工艺壁垒极高。设计需多学科交叉融
合，精度要求严苛；制造工序复杂，对产线稳定性要求高。高速率芯片在核心结构开发中需兼顾
光电性能、可靠性与工艺可行性，形成显著技术与制造壁垒。
(2). 公司所处的行业地位分析及其变化情况
作为国家战略的重要践行者，公司精准卡位高功率激光核心赛道，为“激光芯片第一股”。公
司在突破国外技术封锁与市场垄断、推动我国激光产业链自主可控及产业高速发展方面，具备深
远的战略意义。公司已构建涵盖芯片设计、MOCVD 外延、光刻、解理/镀膜、封装测试及光纤耦
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合的全流程 IDM 工艺平台及量产线，是全球少数具备高功率半导体激光器芯片研发与量产能力的
企业之一，同时也是全球极少数拥有 6 吋高功率半导体激光芯片生产线的厂商，在行业赛道中持
续保持领先竞争地位。公司高亮度单管芯片及光纤耦合输出模块、高功率巴条与叠阵等核心产品，
在输出功率、亮度、光电转换效率及寿命等关键指标上屡获突破，拥有多项核心专利，整体技术
实力与全球先进水平同步。
术突破及多元化市场拓展，持续巩固行业龙头地位，实现从“技术引领”向“规模领跑”，行业影
响力进一步提升。
公司不仅在传统的工业高功率激光芯片领域持续保持领先，更在光通信、车载激光雷达等新
兴高速增长赛道成功卡位，实现了从“单一龙头”向“多元化平台型”的公司迈进。
(3). 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
AI 需求呈现指数级增长，带动全球推理算力需求快速攀升。这一趋势推动互联网云厂商持续
加大投入，加速建设智算中心，也驱动光模块技术向更高速率演进，光模块市场正经历从 400G
向 800G 和 1.6T 的迭代升级。
公司重点布局光通信领域，为日益加剧的速率、算力竞争带来源头解决方案，助力解决当前
行业各种光芯片供货短缺的痛点，目前已形成 VCSEL、DFB、EML、PIN 四大类光通信芯片产品矩
阵，可满足超大容量的数据通信需求。与此同时，公司已通过产业投资和技术研发，在硅光、薄
膜铌酸锂等下一代技术方向进行了前瞻布局。
硅光集成正在推动光通信行业从“电主导”转向“光主导”。以光代电突破摩尔定律限制，支
撑 AI 算力指数级增长。随着 3.2T 模块、量子光芯片等下一代技术演进，硅光集成将深度绑定全
球数字化进程，成为光通信不可逆的技术主线。同时硅光集成也是激光传感（如激光雷达）、激光
显示等应用的发展趋势。公司通过全资子公司出资成立苏州星钥光子科技有限公司，已提前布局
硅光集成技术路线。星钥光子项目尚处于建设期，预计 2026 年底通线试运行。我们持续紧跟行业
技术演进趋势，以技术创新和产品竞争力支撑公司的长期稳健发展。
单位：元 币种：人民币
本年比上年
增减(%)
总资产 3,360,214,545.98 3,302,078,019.35 1.76 3,415,866,946.81
归属于上市公
司股东的净资 3,008,933,152.27 2,985,940,002.80 0.77 3,104,690,480.70
产
营业收入 477,377,559.44 272,639,604.16 75.09 290,210,054.83
利润总额 13,479,732.42 -131,112,073.18 不适用 -118,535,451.34
归属于上市公
司股东的净利 21,764,076.48 -99,735,915.07 不适用 -91,947,202.28
润
归属于上市公
司股东的扣除
-32,935,650.70 -145,607,167.99 不适用 -112,018,553.43
非经常性损益
的净利润
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经营活动产生
的现金流量净 21,700,713.45 -66,145,727.51 不适用 25,235,667.75
额
加权平均净资 增加4.00个百分
产收益率（%） 点
基本每股收益
（元／股）
稀释每股收益
（元／股）
研发投入占营 减少22.51个百
业收入的比例 24.18 46.69 分点 40.98
（%）
单位：元 币种：人民币
第一季度 第二季度 第三季度 第四季度
（1-3 月份） （4-6 月份） （7-9 月份） （10-12 月份）
营业收入 94,281,135.17 119,783,298.76 125,325,758.13 137,987,367.38
归属于上市公司股东的
-7,499,282.76 16,473,802.36 11,968,033.69 821,523.19
净利润
归属于上市公司股东的
扣除非经常性损益后的 -19,441,529.30 7,987,189.87 -12,693,972.59 -8,787,338.68
净利润
经营活动产生的现金流
-27,757,095.06 -302,355.23 -8,125,155.18 57,885,318.92
量净额
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
名股东情况
单位: 股
截至报告期末普通股股东总数(户) 28,373
年度报告披露日前上一月末的普通股股东总数
(户)
截至报告期末表决权恢复的优先股股东总数
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（户）
年度报告披露日前上一月末表决权恢复的优先
股股东总数（户）
截至报告期末持有特别表决权股份的股东总数
（户）
年度报告披露日前上一月末持有特别表决权股
份的股东总数（户）
前十名股东持股情况（不含通过转融通出借股份）
质押、标记或冻结
持有有 情况
股东名称 报告期内 期末持股 限售条 股东
比例(%)
（全称） 增减 数量 件股份 性质
股份
数量 数量
状态
苏州华丰投资中心
（有限合伙）
苏州英镭创业投资合
-2,613,000 23,517,000 13.34 0 无 0 其他
伙企业（有限合伙）
长春长光精密仪器集 国有法
团有限公司 人
境内非
哈勃科技创业投资有
-675,740 5,908,765 3.35 0 无 0 国有法
限公司
人
国投（上海）创业投
资管理有限公司－国
投（上海）科技成果 -6,125,709 4,294,173 2.44 0 无 0 其他
转化创业投资基金企
业（有限合伙）
伊犁苏新投资基金合
-5,588,277 2,723,697 1.55 0 无 0 其他
伙企业（有限合伙）
香港中央结算有限公 境外法
司 人
全国社保基金一一四
-522,826 1,800,000 1.02 0 无 0 其他
组合
境内自
王刚 1,619,346 1,619,346 0.92 0 无 0
然人
境内自
廖永久 1,545,664 1,545,664 0.88 0 无 0
然人
上述股东关联关系或一致行动的说明 不适用
表决权恢复的优先股股东及持股数量的说明 不适用
存托凭证持有人情况
□适用 √不适用
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截至报告期末表决权数量前十名股东情况表
√适用 □不适用
单位:股
持股数量 表决 报告期内 表决权受
表决权数
序号 股东名称 特别表决权 权比 表决权增 到限制的
普通股 量
股份 例 减 情况
资中心（有 32,409,000 32,409,000 18.38 0 /
限合伙）
业投资合伙
企业（有限
合伙）
密仪器集团 11,531,000 11,531,000 6.54 0 /
有限公司
业投资有限 5,908,765 5,908,765 3.35 -675,740 /
公司
创业投资管
理有限公司
－国投（上
海）科技成 4,294,173 4,294,173 2.44 -6,125,709 /
果转化创业
投资基金企
业（有限合
伙）
资基金合伙
企业（有限
合伙）
算有限公司
金一一四组 1,800,000 1,800,000 1.02 -522,826 /
合
合计 / 87,691,406 87,691,406 / / /
□适用 √不适用
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□适用 √不适用
□适用 √不适用
□适用 √不适用
第三节 重要事项
公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
报告期内，公司实现营业收入 47,737.76 万元，同比上升 75.09%；归属于上市公司股东净利
润 2,176.41 万元；归属于上市公司的扣除非经常性损益的净利润-3,293.57 万元；归属于上市公司
股东的净资产 300,893.32 万元，较上期增加 0.77%，主要受当期盈利的影响，总资产 336,021.45
万元，较上期增加 1.76%。
止上市情形的原因。
□适用 √不适用
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