上海古鳌电子科技股份有限公司拟了解
新存科技（武汉）有限责任公司
股东全部权益价值项目
估值咨询报告
沃克森咨报字(2026)第0216号
（共一册）
沃克森（北京）国际资产评估有限公司
二〇二六年四月十日
上海古鳌电子科技股份有限公司拟了解
新存科技（武汉）有限责任公司股东全部权益价值项目估值咨询报告
目 录
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估值咨询报告声明
一、 沃克森（北京）国际资产评估有限公司（以下简称：本估值机构）接受
上海古鳌电子科技股份有限公司的委托，在新存科技（武汉）有限责任公司提
供财务、运营、研发、商业规划及其他资料的基础上的基础上，按照通行的
估值方法，对新存科技（武汉）有限责任公司的股东全部权益进行了估值。
二、 委托方、被估值咨询单位应当对其提供资料的真实性、准确性、
完整性、合法性负责。
三、 本估值咨询报告属咨询性质，本估值咨询报告不是一份根据中国
资产评估准则要求所撰写的报告，报告的观点仅基于财务分析，未将商业、
法律、税务、监管环境等其他因素纳入考虑。
四、 本估值咨询报告仅供委托方、估值委托合同中约定的其他估值咨
询报告使用人和法律、行政法规规定的估值咨询报告使用人使用；除此之外，
任何未经估值机构确认的机构或个人不能由于得到估值咨询报告而成为估
值咨询报告使用者。
五、 本报告仅为委托方了解新存科技（武汉）有限责任公司市场价值
所需，本估值咨询报告不得用于股权交易、增资扩股、借款融资等任何投资、
融资等经济行为。
六、 本估值咨询报告中的分析、判断和结论受估值咨询报告中假设和
限定条件的影响或限制，委托方或者估值委托合同约定的其他估值咨询报告
使用人应当充分考虑估值咨询报告中载明的假设、限定条件及其对估值结论
的影响。
七、 本估值咨询报告是在新存公司按其商业计划书及管理层提供的盈利
预测所述规划经营发展、 IP授权到期后续转让如期实施、按商业计划书实
现其产品后续迭代研发进度及技术性能、顺利融资以保持持续经营能力，不
存在资金链断裂的情况、生产线如期筹建并按时投产、产品销售定价不存在
较大偏差、产品良率实现预期水平的特定假设前提上得出的，提请报告使用
者予以关注。
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八、 委托方或者估值委托合同约定的其他估值咨询报告使用人只能按
照估值咨询报告载明的估值目的使用估值咨询报告，委托方或者估值委托合
同约定的其他估值咨询报告使用人使用估值咨询报告，请务必阅读估值咨询
报告全文并特别注意“特别风险提示及估值咨询报告使用限制”的影响。
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股东全部权益价值项目
估值咨询报告·摘要
沃克森咨报字(2026)第 0216 号
上海古鳌电子科技股份有限公司：
沃克森（北京）国际资产评估有限公司接受贵公司的委托，根据新存科技（武
汉）有限责任公司提供的损益预测表、商业计划及现场访谈反馈等资料信息，按
照必要的估值程序，对新存科技（武汉）有限责任公司于 2025 年 12 月 31 日的股
东全部权益进行了估值咨询。现将估值咨询情况及估值咨询结果摘要报告如下：
一、估值咨询目的
根据估值咨询业务委托合同，上海古鳌电子科技股份有限公司拟了解新存科
技（武汉）有限责任公司于估值咨询基准日的股东全部权益价值。
二、 估值咨询对象与估值咨询范围
本次估值咨询对象为新存科技（武汉）有限责任公司的股东全部权益价值；
估值咨询范围为经济行为之目的具体涉及的全部资产和负债。
新存科技（武汉）有限责任公司估值咨询基准日财务报表经过中汇会计师事
务所（特殊普通合伙）武汉分所审计，出具中汇汉会审[2026]第 0012 号带有强调
事项段的无保留意见的年度审计报告。
三、价值类型
市场价值。
四、估值咨询基准日
五、估值咨询方法
收益法。
六、估值咨询结论及其使用有效期
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在经过实施必要的估值咨询程序，对新存科技（武汉）有限责任公司股东全
部权益估值咨询结论如下：
截至估值咨询基准日 2025 年 12 月 31 日，新存科技（武汉）有限责任公司的
股东全部权益价值为 181,062.16 万元。
估值咨询报论使用有效期为一年，自估值咨询基准日 2025 年 12 月 31 日起至
有效期以内，当经济行为发生时，如企业发展环境未发生影响其经营状况较大变
化的情形，估值咨询结论在使用有效期内有效。
七、特别风险提示
鉴于被估值咨询单位新存科技（武汉）有限责任公司产品目前已研发公布了
一代商用产品，其一代产品尚未实现量产，其 IP 授权到期后续转让实施、产品后
续迭代研发进度及技术性能、生产线筹建投产、产品销售定价良率等方面存在重
大不确定性，本报告仅为了解新存科技（武汉）有限责任公司特定假设前提下的
股东全部权益市场价值所需，本估值咨询报告不得用于股权交易、增资扩股、借
款融资等任何投资、融资等经济行为。
本估值咨询报告是在新存公司按其商业计划书及管理层提供的盈利预测所
述规划经营发展、IP 授权到期后续转让如期实施、按商业计划书实现其产品后续
迭代研发进度及技术性能、顺利融资以保持持续经营能力，不存在资金链断裂的
情况、生产线如期筹建并按时投产、产品销售定价不存在较大偏差、产品良率如
期实现预期水平的特定假设前提上得出的。提请报告使用者予以关注。
以上内容摘自估值咨询报告正文，欲了解本估值咨询业务的详细情况和正确
理解估值咨询结论，应当阅读估值咨询报告正文。
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估值咨询报告·正文
沃克森咨报字(2026)第 0216 号
上海古鳌电子科技股份有限公司：
沃克森（北京）国际资产评估有限公司接受贵公司的委托，根据新存科技（武
汉）有限责任公司提供的损益预测表、商业计划及现场访谈反馈等资料信息，按
照必要的估值咨询程序，对新存科技（武汉）有限责任公司于 2025 年 12 月 31 日
的股东全部权益进行了估值咨询。现将估值咨询情况报告如下：
一、 委托方、被估值咨询单位及其他估值咨询报告使用人
（一） 委托方
企业名称：上海古鳌电子科技股份有限公司（以下简称“上海古鳌”）
统一社会信用代码：91310000630452159C
注册地址：上海市普陀区同普路 1225 弄 6 号
法定代表人：徐迎辉
注册资金：34,006.2839 万人民币
成立日期：1996 年 7 月 8 日
经营范围：一般项目：货币专用设备制造：货币专用设备销售：电子专用设
备制造；电子专用设备销售：安防设备制造；安防设备销售；机械设备研发；通
用设备修理：计算机软硬件及辅助设备批发；计算机软硬件及辅助设备零售；计
算机软硬件及外围设备制造；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术
转让、技术推广：信息系统集成服务：通讯设备销售：软件开发：计算机及通讯
设备租赁；非居住房地产租赁，接受金融机构委托从事信息技术和流程外包服务
(不含金融信息服务):软件外包服务：承接档案服务外包：信息技术咨询服务：数
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据处理和存储支持服务：人工智能应用软件开发；人工智能基础软件开发；人工
智能理论与算法软件开发；人工智能通用应用系统：人工智能行业应用系统集成
服务；人工智能硬件销售；人工智能公共服务平台技术咨询服务；数字广告制作：
数字广告发布；数字广告设计、代理；数字内容制作服务(不含出版发行)，互联
网数据服务；信息咨询服务(不含许可类信息咨询服务):货物进出口；技术进出口：
金属门窗工程施工。计算机系统服务、云计算装备技术服务、云计算设备制造、
云计算设备销售；人工智能基础资源与技术平台；人工智能公共数据平台；大数
据服务；数据处理服务；信息系统运行维护服务；互联网设备销售；（除依法须
经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）许可项目：第一类增值电
信业务；人民币鉴别仪产品生产；建筑智能化系统设计；电气安装服务；建设工
程施工。(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营
项目以相关部门批准文件或许可证件为准)
（二） 被估值咨询单位
企业名称：新存科技（武汉）有限责任公司（以下简称“新存公司”或“被
估值咨询单位”）
统一社会信用代码：91420100MABTET690R
注册地址：武汉东湖新技术开发区高新大道 999 号武汉未来科技城龙山创意
园一期 B4 栋 18 号楼 534（自贸区武汉片区）
法定代表人：鞠韶复
注册资金：1785.7540 万人民币
实收资本：1386.9918 万人民币
成立日期：2022 年 7 月 29 日
经营范围：一般项目：集成电路设计；集成电路芯片及产品制造；技术服务、
技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广（除许可业务外，可自主
依法经营法律法规非禁止或限制的项目）
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新存科技（武汉）有限责任公司是一家以存储芯片研发和销售为主的高科技
企业，公司由我国存储领域唯一的国家级创新平台——国家先进存储产业创新中
心孵化而来，核心成员均源自国家先进存储产业创新中心项目管理层。公司通过
获得国家先进存储产业创新中心在三维相变存储器领域积累的全部技术及知识
产权许可（已申请发明专利合计 273 件，国际专利 60 件，中国专利 213 件；已获
授权中国专利 51 件；已获授权集成电路布图设计 11 个），并作为该技术的独占
实施许可方。
新存科技（武汉）有限责任公司成立于 2022 年 7 月 29 日，初始注册资本 700
万元，公司现持有统一社会信用代码为 91420100MABTET690R 的营业执照，注册
资本 1785.754 万人民币，营业期限为 2022 年 7 月 29 日至无固定期限。公司注
册地为武汉东湖新技术开发区高新大道 999 号武汉未来科技城龙山创新园一期 B4
栋 18 楼 534（自贸区武汉片区）。
截至估值咨询基准日，公司股权结构及注册资本实缴情况如下表：
单位：人民币万元
序号 股东名称 认缴金额 实缴金额 认缴比例
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合 计 1785.7540 1386.9918 100.00%
截至估值咨询基准日，公司有 8 家子公司。明细如下：
序号 被投资企业 成立时间 投资占比
其中上海浦芯微科技有限责任公司已于 2026 年 3 月 9 日注销。
被估值咨询单位近三年合并口径的资产及负债状况如下表所示：
单位：人民币万元
项 目 2023 年 12 月 31 日 2024 年 12 月 31 日 2025 年 12 月 31 日
流动资产 18,008.35 5,148.91 7,346.78
非流动资产 24,022.61 21,514.83 12,732.65
其中：债权投资
其他债权投资
长期应收款 584.36 630.88 627.97
长期股权投资 213.10
其他权益工具投资
其他非流动金融资产
投资性房地产
固定资产 183.63 1,592.18 1,444.54
在建工程 151.62 407.03 407.03
生产性生物资产
油气资产
使用权资产 21,520.52 18,126.89 9,662.77
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项 目 2023 年 12 月 31 日 2024 年 12 月 31 日 2025 年 12 月 31 日
无形资产 63.64 92.63 49.43
开发支出
商誉
长期待摊费用 665.22 327.81
递延所得税资产
其他非流动资产 1,518.84
资产总计 42,030.96 26,663.74 20,079.44
流动负债 13,190.79 30,089.98 55,050.56
非流动负债 14,015.14 10,348.35 1,094.08
负债合计 27,205.93 40,438.33 56,144.64
净资产（所有者权益） 14,825.01 -13,774.59 -36,065.21
损益状况如下表所示：
单位：人民币万元
项 目 2023 年度 2024 年度 2025 年度
一、营业收入 94.55 133.18 305.18
其中：主营业务收入 94.55 133.18 305.18
其他业务收入
减：营业成本 94.55 133.18 536.42
其中：主营业务成本 94.55 133.18 536.42
其他业务成本
税金及附加 21.53 18.72 12.70
销售费用 - 1.00 181.90
管理费用 2,298.27 4,589.58 4,529.28
研发费用 16,967.33 37,611.54 25,174.33
财务费用 475.45 742.15 510.42
资产减值损失 -
信用减值损失 -5.73 -2.16 7.20
加：其他收益 20.84 356.63
投资收益 26.13
净敞口套期收益
公允价值变动收益
资产处置收益 499.87
二、营业利润 -19,756.85 -42,913.86 -29,790.56
加：营业外收入
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项 目 2023 年度 2024 年度 2025 年度
其中：补贴收入
减：营业外支出 0.06 0.40 9.88
三、利润总额 -19,756.91 -42,914.26 -29,800.44
减：所得税费用 2.00 5.37
四、净利润 -19,758.91 -42,919.63 -29,800.44
注：以上 2023-2024 财务数据已经立信会计师事务所（特殊普通合伙）审计，并出具信会师
报字[2025]第 ZE50159 号带有强调事项段的无保留意见年度审计报告；2025 年财务数据已经中
汇会计师事务所（特殊普通合伙）武汉分所审计，并出具中汇汉会审[2026]第 0012 号带有强
调事项段的无保留意见年度审计报告。
新存公司主要业务领域是三维相变存储器。三维相变存储器是一种基于硫系
化合物非晶和多晶之间的快速相变来实现信息存储的存储器。相变材料的物理状
态可以通过加热或冷却来改变，从而实现信息的写入和读取。相比于传统的闪存
存储器，三维相变存储器具有以下特点：
（1）高密度存储：三维相变存储器的特殊结构可以将存储单元缩小到几纳
米，从而实现高密度存储。
（2）快速写入：三维相变存储器的写入速度可以达到几纳秒，比传统的闪
存快得多，可以满足高速存储的需求。
（3）低功耗：由于其特殊的结构，功耗可以降低到几毫焦耳，比传统的闪
存低得多，满足人们对低功耗存储的需求。
新存科技(武汉)有限责任公司于 2024 年 9 月 23 日发布了公司自主研发的国产
首款最大容量新型三维存储器芯片——“NM101”。与市场上大容量非易失性产品相
比，“NM101”芯片展现出了显著的优势。其单颗芯片容量高达 64Gb，最高速度可
达 3200MT/s，支持随机读写，读写均可提速 10 倍以上，同时寿命增加了 5 倍。凭
借这些卓越指标，系统解决方案的性能可以得到大幅提升，进而为虚拟化、数据
库等应用领域的终端用户带来更加优质、高效的服务。
款新产品不仅单颗芯片容量达到了 128Gb，更在性能上实现了重大突破，支持 4K
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高速访问，读带宽高达 3.2GB/s，位宽 8bit，使用环境温度为 0~70 度。该芯片不仅
在块存储等高性能场景能发挥巨大的性能优势，也可提供远超主流存储元件的允
许数据写入量，是企业级用户降本增效的优秀选择。
以上两款产可用于企业级或消费级高性能存储产品。
（三） 委托方与被估值咨询单位的关系
上海古鳌电子科技股份有限公司是上海昊元古信息管理合伙企业(有限合伙)
的合伙人，持有上海昊元古信息管理合伙企业(有限合伙)93.0714%股权；上海昊元
古信息管理合伙企业(有限合伙)是被估值咨询单位新存科技（武汉）有限责任公
司的股东，持有新存公司 24.8432%股权。
（四） 其他估值咨询报告使用人
根据估值咨询委托合同中约定的委托方为估值咨询报告使用人，无其他估值
咨询报告使用人，任何未经估值咨询机构和委托方确认的机构或个人不能由于得
到估值咨询报告而成为估值咨询报告使用人。
二、 估值咨询目的
根据估值咨询业务委托合同，上海古鳌电子科技股份有限公司拟了解特定假
设前提下新存科技（武汉）有限责任公司于估值咨询基准日的股东全部权益价值。
三、 估值咨询对象和估值咨询范围
本次委托估值咨询对象和估值咨询范围与经济行为涉及的估值咨询对象和
估值咨询范围一致。本次经济行为涉及的新存科技（武汉）有限责任公司的相关
资料由委托方及被估值咨询单位提供。
（一）估值咨询对象
估值咨询对象为新存科技（武汉）有限责任公司的股东全部权益价值。
（二）估值咨询范围
估值咨询范围为经济行为之目的具体涉及的全部资产和负债。新存科技（武
汉）有限责任公司估值咨询基准日财务报表经过中汇会计师事务所（特殊普通合
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伙）武汉分所审计，出具中汇汉会审[2026]第 0012 号带有强调事项段的无保留意
见年度报表审计报告。
截至估值咨询基准日新存公司经审计的合并资产负债情况如下：
单位：人民币万元
科 目 期末余额
货币资金 5,617.42
应收账款 282.80
预付账款 2.62
其他应收款 3.64
存货 -
其他流动资产 1,440.30
流动资产合计 7,346.78
长期应收款 627.97
长期股权投资 213.10
固定资产 1,444.54
在建工程 407.03
使用权资产 9,662.77
无形资产 49.43
长期待摊费用 327.81
非流动资产合计 12,732.65
资产总计 20,079.44
流动负债合计 55,050.56
非流动负债合计 1,094.08
负债合计 56,144.64
所有者权益 -36,065.21
注：以上财务数据已经中汇会计师事务所（特殊普通合伙）武汉分所审计，并出具中汇汉会
审[2026]第 0012 号带有强调事项段的无保留意见年度审计报告。
新存公司是从长江先进存储产业创新中心有限责任公司三维相变存储器项目
技术团队孵化而来。2023 年 7 月长江先进存储产业创新中心有限责任公司通过了
股东会会议文件议案 5《关于公司三维相变存储器项目产业化方案的议案》，议
案商定现有员工根据自愿原则转入新存公司，并拟定将三维相变存储器项目研发
初/中期阶段形成的技术及知识产权以可撤销的独占实施许可授权给新存公司。
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北京中企华资产评估有限责任公司以 2023 年 2 月 28 日为评估基准日采用成
本法对三维相变存储器项目涉及到的生产技术“Trident 项目”及其专有技术研发
过程中形成的专利、集成电路布图设计进行了评估，并出具了《中企华评报字
（2023）第 3457 号》评估结论为 123,973.50 万元的资产评估报告。
三维相变存储器项目由技术及知识产权授权单位长江先进存储产业创新中心
有限责任公司于 2019 年 8 月开发立项，已成功开发出我国首款三维相变存储器测
试芯片和原型芯片且完成芯片基本功能验证，并于 2022 年 7 月送样原型芯片首批
Working Sample。
根据 2023 年 7 月长江先进存储产业创新中心有限责任公司通过了股东会会议
文件议案 5《关于公司三维相变存储器项目产业化方案的议案》，相关技术成果
已达到产业化条件，目前处于产业化研发推进阶段。新存公司就此和长江先进存
储产业创新中心有限责任公司于 2023 年 7 月 26 日签订了技术许可协议，许可年
限为 5 年，协议约定许可费按照第一代产品销售收入的 1.5%、第二代产品销售收
入的 1%收取，并约定最晚于许可协议结束后由新存公司购买相关无形资产并按
照许可协议约定支付转让对价。
三维相变存储器具备低成本的价格优势，低延迟、高带宽、高速度的性能表
现和非易失性的特性使其在服务器、数据中心、云存储方面有良好的市场前景。
新存科技将持续推进与我国头部云服务厂商的技术合作，在现有的我国首款三维
相变存储器原型芯片的基础上，加快研发出我国首款三维相变存储器产品芯片。
新存科技(武汉)有限责任公司于 2024 年 9 月 23 日发布了公司自主研发的国产首款
最大容量新型三维存储器芯片——“NM101”。其单颗芯片容量高达 64Gb，最高
速度可达 3200MT/s，支持随机读写，读写均可提速 10 倍以上，同时寿命增加了 5
倍。2025 年 1 月 22 日，新存公司发布了新一代非易失性新型存储器“NM102”。
这款新产品单颗芯片容量达到了 128Gb，在性能支持 4K 高速访问，读带宽高达
以正式商用。
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（三）主要资产配置、概况和权属情况
实物资产为机器设备和电子设备。上述实物资产主要分布新存公司及其下属
公司的办公场所内。具体实物资产类型及特点如下：
机器设备 14 台，主要为爱德万 T5835 测试机和 DTH E3 tester 设备。经与被工
作单位了解，截至估值咨询基准日，纳入估值咨询范围的机器设备维护、保养、
使用正常。
电子设备共计 300 项，主要为笔记本电脑、台式电脑、打印机、考勤机、音
响等。
截至估值咨询基准日，纳入估值咨询范围的电子设备维护、保养、使用正常。
（四） 经营租入资产情况
本次估值咨询范围存在经营租入资产和账外无形资产。
序 租赁物 年租金 租赁期
租赁物 承租人 出租人 位置
号 ㎡ （元） 限
新存科技
长江存储 2024/8/1
（武汉）有
限责任公 2,703,811.30
责任公司 2028/8/31
司
长江先
新存科技 进存储
创新中心设 （武汉）有 产业创
备租赁 限责任公 新中心
司 有限责
任公司
第一年：
武汉长 1,603,476.00
新存科技 第二年：
江存储 湖北省武汉 2024/11/1
（武汉）有 1,635,228.00
科技服 市东湖新技 1323 至
光谷未来馆 限责任公 第三年： 2028/10/31
务有限 术开发区未 1,666,980.00
CFB-5-01 号
国家存储器 1,714,608.00
场地
新存科技 武汉长 基地项目一
期未来馆 2023/11/1
（武汉）有 江存储
限责任公 科技服 2028/10/31
司 务有限
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公司
武汉长
新存科技
江存储 2025/1/1
（武汉）有
限责任公 2025/12/31
务有限
司
公司
第一年：
湖北省武汉 992,880.00
武汉长 市东湖新技 第二年：
新存科技 1,022,666.40
江存储 术开发区未 2024/5/15
（武汉）有 第三年：
限责任公 1,053,303.84
务有限 国家存储器 2028/5/15
司 第四年：
公司 基地项目一
期未来馆 第五年：
新存科技
长江存储 2026/1/1
长存设备 （武汉）有
（新） 限责任公 责任公司 2027/12/31
司
新存科技
长存 长江存储 2024/7/1
（武汉）有
赁
限责任公 责任公司 2025/12/31
司
新存科技
长存 长江存储 2026/1/1
（武汉）有
赁
限责任公 责任公司 2027/12/31
司
（五）企业申报的可辨认无形资产类型、数量、法律权属状况
账面记录的无形资产系办公用软件及域名，共计 4 项，具体如下：
单位：人民币元
序号 名称 取得日期 原始入账价值 账面价值
（六）企业申报表外资产的类型、数量
新存科技（武汉）有限责任公司申报表外资产系三维相变存储器方面与 CMOS
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器件结构和工艺、BEOL（包括引线相关的结构和工艺、半导体工艺、方法和制程）
相关的技术及知识产权分为授权部分、自有部分。具体情况如下：
（1） 授权部分
根据长江先进存储产业创新中心有限责任公司与新存科技（武汉）有限责任
公司签订的《技术及知识产权许可合同》，新存公司以免许可费的、全球范围内
的、永久的、可撤销的、非排他许可且分许可仅为其定制化代工方的方式取得三
维相变存储器方面与 CMOS 器件结构和工艺、BEOL（包括引线相关的结构和工艺、
半导体工艺、方法和制程）相关的技术及知识产权，许可期限自 2023 年 7 月 26
日起。
该合同涉及具体知识产权清单情况如下：
a)涉及专利
序号 发明名称 申请号 申请日 法律状态 申请人
Novel distributed array and CMOS architecture for 2 stack 3D phase PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
change memory with higher array efficiency （指定期满） 新中心有限责任公司
A novel distributed array and contact architecture for 4 stack 3D PCM PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
memory （指定期满） 新中心有限责任公司
An array and CMOS architecture for 3D phase change memory with PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
higher array efficiency （指定期满） 新中心有限责任公司
New cell structure with reduced programming current and thermal PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
cross talk for 3D x-point memory （指定期满） 新中心有限责任公司
Novel program and read biasing scheme for distributed array and PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
CMOS architecture for 4 stack 3D PCM memory （指定期满） 新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
Novel integration scheme to form vertical 3D x-point memory with PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
lower cost （指定期满） 新中心有限责任公司
New cell stack with reduced WL and bl resistance for 3D x-point PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
memory to improve program and increase array size （指定期满） 新中心有限责任公司
A new replacement bit line and word line scheme for 3D phase change PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
memory to improve program and increase array size （指定期满） 新中心有限责任公司
Program and read biasing scheme for distributed array and CMOS PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
architecture for 2 stack 3D PCM memory （指定期满） 新中心有限责任公司
New array layout and program scheme for 3D crosspoint memory to PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
lower latency and increase array size （指定期满） 新中心有限责任公司
Novel distributed array and contact architecture for 4 stack 3D x-point PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
memory （指定期满） 新中心有限责任公司
Phase-change memory devices having metal filament threshold PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
switching selector and methods for forming the same （指定期满） 新中心有限责任公司
Method to use laminate gap fill to reduce thermal cross talk in 3D PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
x-point memory array （指定期满） 新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
A new constriction cell structure and fabrication method with reduced PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
programming current and thermal cross talk for 3D x-point memory （指定期满） 新中心有限责任公司
Novel self-aligned half damascene contact scheme to reduce cost for PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
Multiple integration scheme with ASIC or FPGA chip bonding to 3D PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
crosspoint chip （指定期满） 新中心有限责任公司
Array and contact architecture for four stack three dimensional cross PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
point memory （指定期满） 新中心有限责任公司
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序号 发明名称 申请号 申请日 法律状态 申请人
memory array efficiency and enable scaling （指定期满） 新中心有限责任公司
Architecture, method and memory cell for 3D NAND style mfmis fefet PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
to enable 3D ferroelectric nonvolatile data storage （指定期满） 新中心有限责任公司
ARCITECTURE, STRUCTURE, METHOD AND MEMORY PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
NONVOLATILE DATA STORAGE （指定期满） 新中心有限责任公司
ARCITECTURE, STRUCTURE, METHOD AND MEMORY PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
ARRAY FOR 3D FeRAM （指定期满） 新中心有限责任公司
A program and read bias and access scheme to improve data PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
throughput for 2 stack 3D PCM memory （指定期满） 新中心有限责任公司
Memory devices having memory cells with multiple threshold voltages PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
and methods for forming and operating the same （指定期满） 新中心有限责任公司
A novel gap fill and cell structure for improved selector thermal PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
reliability for 3D PCM （指定期满） 新中心有限责任公司
Novel segmented word line and bit line scheme for 3D PCM to PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
improve line integrity and prevent line toppling （指定期满） 新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
New bitline architecture and method to improve page size and PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
performance of 3dnand （指定期满） 新中心有限责任公司
New super-lattice cell structure and fabrication method with reduced PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
programming current and thermal cross talk for 3D x-point memory （指定期满） 新中心有限责任公司
Novel recess liner confined cell structure and fabrication method with PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
memory （指定期满） 新中心有限责任公司
A novel liner confined cell structure and fabrication method with PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
memory （指定期满） 新中心有限责任公司
New liner electrode cell structure and fabrication method with reduced PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
programming current and thermal cross talk for 3D x-point memory （指定期满） 新中心有限责任公司
Phase-change memory cell structure and method for fabricating the PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
same （指定期满） 新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
Three-dimensional phase-change memory devices and methods for PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
forming thereof （指定期满） 新中心有限责任公司
Three-dimensional phase-change memory devices and methods for PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
forming the same （指定期满） 新中心有限责任公司
Three-dimensional phase-change memory devices and forming method PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
thereof （指定期满） 新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
Phase-change memory devices with selector having defect reduction PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
material and methods for forming the same （指定期满） 新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
Three-dimensional memory device and method of manufacturing PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
thereof （指定期满） 新中心有限责任公司
Memory peripheral circuit having recessed channel transistors and PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
method for forming the same （指定期满） 新中心有限责任公司
Memory peripheral circuit having recessed channel transistors with PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
elevated sources/drains and method for forming thereof （指定期满） 新中心有限责任公司
Memory system, memory device, and method for read reference PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
voltage management （指定期满） 新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
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序号 发明名称 申请号 申请日 法律状态 申请人
Microelectromechanical system pressure sensor with pressure sensing PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
element having phase-change material （指定期满） 新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
Three-dimensional phase-change memory and methods for making PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
same （指定期满） 新中心有限责任公司
A multi-stack three-dimensional phase-change memory and methods PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
for making the same （指定期满） 新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
（指定期满） 新中心有限责任公司
Three-dimensional phase-change memory devices and controlling PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
method thereof （指定期满） 新中心有限责任公司
Three-dimensional phase-change memory devices and controlling PCT 进入指定国 长江先进存储产业创
method thereof （指定期满） 新中心有限责任公司
用于具有更高阵列效率的 2 堆叠 3D 相变存储器的新型分布式阵列 长江先进存储产业创
和 CMOS 架构 新中心有限责任公司
长江先进存储产业创
新中心有限责任公司
长江先进存储产业创
新中心有限责任公司
用于 3D X-Point 存储器的具有减小的编程电流和热串扰的新单元 长江先进存储产业创
结构 新中心有限责任公司
针对用于 4 堆叠 3D PCM 存储器的分布式阵列和 CMOS 架构的新 长江先进存储产业创
颖的编程和读取偏置方案 新中心有限责任公司
长江先进存储产业创
新中心有限责任公司
长江先进存储产业创
新中心有限责任公司
偏置方案 新中心有限责任公司
用于 3D 交叉点存储器降低时延并增加阵列大小的新阵列布局和编 长江先进存储产业创
程方案 新中心有限责任公司
长江先进存储产业创
新中心有限责任公司
实质审查 | 复 长江先进存储产业创
审 新中心有限责任公司
用于使用层压间隙填充来减少 3D 交叉点存储器阵列中的热串扰的 长江先进存储产业创
方法 新中心有限责任公司
长江先进存储产业创
新中心有限责任公司
用于 3D 交叉点存储器的具有减小的编程电流和热串扰的缩小单元 长江先进存储产业创
结构和制造方法 新中心有限责任公司
长江先进存储产业创
新中心有限责任公司
长江先进存储产业创
新中心有限责任公司
长江先进存储产业创
新中心有限责任公司
长江先进存储产业创
新中心有限责任公司
通过 XTACKING 形成的用以提高存储器阵列效率并且实现缩放的 长江先进存储产业创
新型 3D 交叉点存储器结构 新中心有限责任公司
用于 3D NAND 类型 MFMIS FeFET 以实现 3D 铁电非易失性数据 长江先进存储产业创
存储的架构、方法和存储器单元 新中心有限责任公司
用于实现 3D 铁电非易失性数据储存的 3D FeFET 的架构、结构、 长江先进存储产业创
方法和存储阵列 新中心有限责任公司
长江先进存储产业创
新中心有限责任公司
用以提高 2 堆叠体 3D PCM 存储器的数据吞吐量的编程和读取偏置 长江先进存储产业创
和访问方案 新中心有限责任公司
实质审查 | 复 长江先进存储产业创
审 新中心有限责任公司
用于 3D PCM 的改进的选择器热可靠性的新颖间隙填充和单元结 长江先进存储产业创
构 新中心有限责任公司
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序号 发明名称 申请号 申请日 法律状态 申请人
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新中心有限责任公司
长江先进存储产业创
新中心有限责任公司
长江先进存储产业创
新中心有限责任公司
长江先进存储产业创
新中心有限责任公司
用于 3D X 点存储器的具有减小的编程电流和热串扰的衬垫电极单 长江先进存储产业创
元结构和制造方法 新中心有限责任公司
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新中心有限责任公司
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新中心有限责任公司
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新中心有限责任公司
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新中心有限责任公司
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新中心有限责任公司
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新中心有限责任公司
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新中心有限责任公司
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新中心有限责任公司
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新中心有限责任公司
具有带有升高源极/漏极的凹槽式沟道晶体管的存储器外围电路及 长江先进存储产业创
其形成方法 新中心有限责任公司
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新中心有限责任公司
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新中心有限责任公司
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审 新中心有限责任公司
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新中心有限责任公司
长江先进存储产业创
新中心有限责任公司
沃克森（北京）国际资产评估有限公司 电话：（8610）52596085 传真：（8610）88019300
地址：北京市海淀区车公庄西路 19 号 37 幢三层 305-306 （100044） 24
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新存科技（武汉）有限责任公司股东全部权益价值项目估值咨询报告
序号 发明名称 申请号 申请日 法律状态 申请人
长江先进存储产业创
新中心有限责任公司
长江先进存储产业创
新中心有限责任公司
PCT 进入指定国 长江存储科技有限责
（指定期满） 任公司
长江存储科技有限责
任公司
长江存储科技有限责
任公司
长江存储科技有限责
任公司
长江存储科技有限责
任公司
Spacial arrangments of and critical dimensions for bit line contacts of 长江存储科技有限责
three-dimensional phase-change memory devices 任公司
PCT 进入指定国 长江存储科技有限责
（指定期满） 任公司
长江存储科技有限责
任公司
长江存储科技有限责
任公司
长江存储科技有限责
任公司
长江存储科技有限责
任公司
长江存储科技有限责
任公司
PCT 进入指定国 长江存储科技有限责
（指定期满） 任公司
长江存储科技有限责
任公司
长江存储科技有限责
任公司
授权 | 期限延 长江存储科技有限责
长 任公司
长江存储科技有限责
任公司
长江存储科技有限责
任公司
长江存储科技有限责
任公司
Phase-change memory devices, systems, and methods of operating PCT 进入指定国 长江存储科技有限责
thereof （指定期满） 任公司
长江存储科技有限责
任公司
Phase-change memory devices, systems, and methods of operating 授权 | 期限延 长江存储科技有限责
thereof 长 任公司
长江存储科技有限责
任公司
长江存储科技有限责
任公司
b)集成布图
名 称 登记号 申请日 权利人
长江先进存储产业创新中心
带隙基准电路 235522678 2023/4/1
有限责任公司
长江先进存储产业创新中心
译码器电路 21557382X 2021/6/23
有限责任公司
长江先进存储产业创新中心
存储器件的驱动电路 215573862 2021/6/23
有限责任公司
长江先进存储产业创新中心
存储器的驱动电路 215573919 2021/6/23
有限责任公司
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名 称 登记号 申请日 权利人
长江先进存储产业创新中心
串并转换器电路 215573935 2021/6/23
有限责任公司
长江先进存储产业创新中心
读操作电压调节器电路 215573943 2021/6/23
有限责任公司
长江先进存储产业创新中心
输出信号驱动电路 215573978 2021/6/23
有限责任公司
长江先进存储产业创新中心
振荡器电路 215573994 2021/6/23
有限责任公司
长江先进存储产业创新中心
输出阻抗校准模拟电路 215652207 2021/11/9
有限责任公司
长江先进存储产业创新中心
基准电压电路 215652215 2021/11/9
有限责任公司
长江先进存储产业创新中心
读写对比检查电路 215652223 2021/11/9
有限责任公司
长江先进存储产业创新中心
数据读写电路 215652231 2021/11/9
有限责任公司
（2） 自有部分-专利
估值咨询基准日，新存公司提供的专利清单显示共有 164 项专利，其中办登
序号 申请号 申请日 公开号 公开/授权日 状态 标题 申请人
相变存储器及其形
新存科技（武汉）有
限责任公司
法
半导体器件及其控 新存科技（武汉）有
制方法 限责任公司
半导体器件、存储系 新存科技（武汉）有
统及电子设备 限责任公司
一种存储系统及其 新存科技（武汉）有
操作方法 限责任公司
存储器装置及存储 新存科技（武汉）有
器系统 限责任公司
新存科技（武汉）有
限责任公司
新存科技（武汉）有
限责任公司
固定膜组件以及缓 新存科技（武汉）有
冲膜 限责任公司
半导体存储器件及 新存科技（武汉）有
其制造方法 限责任公司
一种具有对准标记 新存科技（武汉）有
的半导体结构 限责任公司
命令地址信号的训 新存科技（武汉）有
练方法及存储器 限责任公司
芯片测试方法和电 新存科技（武汉）有
子设备 限责任公司
存储器及其操作方 新存科技（武汉）有
法 限责任公司
存储器及其操作方 新存科技（武汉）有
法和存储系统 限责任公司
存储器及其制备方 新存科技（武汉）有
法 限责任公司
半导体器件和半导 新存科技（武汉）有
体系统 限责任公司
沃克森（北京）国际资产评估有限公司 电话：（8610）52596085 传真：（8610）88019300
地址：北京市海淀区车公庄西路 19 号 37 幢三层 305-306 （100044） 26
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序号 申请号 申请日 公开号 公开/授权日 状态 标题 申请人
装置及研磨垫修整 限责任公司
盘更换系统
新存科技（武汉）有
限责任公司
数据读取方法、仅选
新存科技（武汉）有
限责任公司
器系统
相变存储器及其形 新存科技（武汉）有
成方法 限责任公司
新存微科技（北京）
存储器装置及其操 有限责任公司,新存
作方法 科技（武汉）有限责
任公司
新存微科技（北京）
存储器及其操作方 有限责任公司,新存
法 科技（武汉）有限责
任公司
新存微科技（北京）
有限责任公司,新存
科技（武汉）有限责
任公司
新存微科技（北京）
有限责任公司,新存
科技（武汉）有限责
任公司
相变存储器及操作 新存科技（武汉）有
方法 限责任公司
存储器的操作方法
新存科技（武汉）有
限责任公司
系统
相变存储器及其制 新存科技（武汉）有
造方法 限责任公司
存储器的监控方法 新存科技（武汉）有
及存储器 限责任公司
存储阵列的修复方 新存科技（武汉）有
法及存储器 限责任公司
新存微科技（北京）
有限责任公司,新存
科技（武汉）有限责
任公司
存储器及其操作方 新存科技（武汉）有
法 限责任公司
新存科技（武汉）有
限责任公司
新存微科技（北京）
存储系统的操作方 有限责任公司,新存
法以及存储系统 科技（武汉）有限责
任公司
新存科技（武汉）有
限责任公司
存储单元及其操作 新存科技（武汉）有
方法 限责任公司
新存科技（武汉）有
限责任公司
一种相变存储器阵
新存科技（武汉）有
限责任公司
方法、装置及介质
电压确定电路及存 新存科技（武汉）有
储器 限责任公司
新存微科技（北京）
相变存储器及电子 有限责任公司,新存
设备 科技（武汉）有限责
任公司
新存微科技（北京）
有限责任公司,新存
科技（武汉）有限责
任公司
相变存储器的自适
应控制方法、相变存 新存科技（武汉）有
储器、介质及电子设 限责任公司
备
沃克森（北京）国际资产评估有限公司 电话：（8610）52596085 传真：（8610）88019300
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序号 申请号 申请日 公开号 公开/授权日 状态 标题 申请人
相变材料以及存储 新存科技（武汉）有
器 限责任公司
一种半导体器件及
新存科技（武汉）有
限责任公司
和存储系统
一种导体器件及其
新存科技（武汉）有
限责任公司
存储系统
相变材料以及存储 新存科技（武汉）有
器 限责任公司
相变存储单元、存储 新存科技（武汉）有
芯片及存储系统 限责任公司
选通器件材料及存 新存科技（武汉）有
储器 限责任公司
一种半导体结构及
新存科技（武汉）有
限责任公司
储器
半导体器件、存储器 新存科技（武汉）有
和存储系统 限责任公司
半导体器件和存储 新存科技（武汉）有
器 限责任公司
半导体器件、存储器 新存科技（武汉）有
和存储系统 限责任公司
半导体器件、存储器 新存科技（武汉）有
和存储系统 限责任公司
一种半导体结构及 新存科技（武汉）有
其制备方法 限责任公司
相变存储器和存储 新存科技（武汉）有
系统 限责任公司
存储器及其操作方 新存科技（武汉）有
法、存储器系统 限责任公司
振荡器及其操作方 新存科技（武汉）有
法、电子设备 限责任公司
存储器装置和存储 新存科技（武汉）有
器系统 限责任公司
仅选择器存储器及 新存科技（武汉）有
存储器系统 限责任公司
半导体结构及其形 新存科技（武汉）有
成方法 限责任公司
存储器的制备方法 新存科技（武汉）有
和存储器 限责任公司
存储器的制作方法、 新存科技（武汉）有
存储器及存储系统 限责任公司
半导体器件及其制 新存科技（武汉）有
造方法 限责任公司
半导体结构及其形 新存科技（武汉）有
成方法 限责任公司
相变存储器和存储 新存科技（武汉）有
系统 限责任公司
存储器及其制备方 新存科技（武汉）有
法 限责任公司
存储器及存储器系 新存科技（武汉）有
统 限责任公司
相变存储器的制备 新存科技（武汉）有
方法 限责任公司
一种存储器的制备 新存科技（武汉）有
方法及存储器 限责任公司
存储器的数据处理 新存科技（武汉）有
电路以及存储器 限责任公司
存储器装置及存储 新存科技（武汉）有
器系统 限责任公司
相变存储器及其制 新存科技（武汉）有
作方法和存储系统 限责任公司
存储器及其制备方 新存科技（武汉）有
法 限责任公司
存储器件的磨损均
新存科技（武汉）有
限责任公司
器系统
存储颗粒及应用于
新存科技（武汉）有
限责任公司
检方法
沃克森（北京）国际资产评估有限公司 电话：（8610）52596085 传真：（8610）88019300
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序号 申请号 申请日 公开号 公开/授权日 状态 标题 申请人
存储器的测试系统 新存科技（武汉）有
和测试方法 限责任公司
半导体器件及其制 新存科技（武汉）有
造方法 限责任公司
相变存储器及操作 新存科技（武汉）有
方法 限责任公司
一种相变存储器的
新存科技（武汉）有
限责任公司
和相变存储器
存储器的操作方法 新存科技（武汉）有
及存储器 限责任公司
存储器及其制备方 新存科技（武汉）有
法 限责任公司
用于抛光有机介质
层的抛光组合物及 新存科技（武汉）有
半导体器件的制造 限责任公司
方法
相变存储器的形成 新存科技（武汉）有
方法 限责任公司
新存微科技（北京）
有限责任公司,新存
科技（武汉）有限责
任公司
一种相变存储器及 新存科技（武汉）有
存储器系统 限责任公司
选通器件材料及存 新存科技（武汉）有
储器 限责任公司
选通器件材料及存 新存科技（武汉）有
储器 限责任公司
新存科技（武汉）有
限责任公司
对准标记结构及半 新存科技（武汉）有
导体结构 限责任公司
数据处理装置及其 新存科技（武汉）有
操作方法、电子设备 限责任公司
一种选通材料、半导 新存科技（武汉）有
体器件和存储器 限责任公司
一种半导体器件、存 新存科技（武汉）有
储器和存储系统 限责任公司
相变存储器及其形 新存科技（武汉）有
成方法 限责任公司
新存微科技（北京）
存储器和存储器系 有限责任公司,新存
统 科技（武汉）有限责
任公司
新存微科技（北京）
存储控制结构、控制 有限责任公司,新存
调节方法及存储器 科技（武汉）有限责
任公司
新存微科技（北京）
存储器的操作方法 有限责任公司,新存
以及存储器 科技（武汉）有限责
任公司
半导体结构的制造 新存科技（武汉）有
方法和半导体结构 限责任公司
相变存储器的测试 新存科技（武汉）有
结构及测试方法 限责任公司
半导体结构的制造 新存科技（武汉）有
方法 限责任公司
半导体器件以及半
新存科技（武汉）有
限责任公司
法
存储器及其制造方 新存科技（武汉）有
法、存储器系统 限责任公司
测试电路、测试系统 新存科技（武汉）有
及存储系统 限责任公司
测试电路、测试系统 新存科技（武汉）有
及存储系统 限责任公司
新存微科技（北京）
地址处理结构及存
储器
科技（武汉）有限责
沃克森（北京）国际资产评估有限公司 电话：（8610）52596085 传真：（8610）88019300
地址：北京市海淀区车公庄西路 19 号 37 幢三层 305-306 （100044） 29
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序号 申请号 申请日 公开号 公开/授权日 状态 标题 申请人
任公司
新存微科技（北京）
电平转换电路、存储 有限责任公司,新存
器及电子设备 科技（武汉）有限责
任公司
新存微科技（北京）
比较电路、阻值校准 有限责任公司,新存
系统及存储器 科技（武汉）有限责
任公司
半导体结构及其检 新存科技（武汉）有
测方法 限责任公司
新存科技（武汉）有
限责任公司
半导体结构及其检 新存科技（武汉）有
测方法 限责任公司
新存科技（武汉）有
限责任公司
新存微科技（北京）
信号产生电路及存 有限责任公司,新存
储器 科技（武汉）有限责
任公司
新存微科技（北京）
存储系统的操作方 有限责任公司,新存
法以及存储系统 科技（武汉）有限责
任公司
新存科技（武汉）有
限责任公司
新存科技（武汉）有
限责任公司
半导体器件及其形 新存科技（武汉）有
成方法 限责任公司
新存微科技（北京）
内存管理方法、装置 有限责任公司,新存
及存储设备 科技（武汉）有限责
任公司
一种存储材料、
新存科技（武汉）有
限责任公司
制造方法
半导体器件及其形 新存科技（武汉）有
成方法 限责任公司
半导体器件的形成 新存科技（武汉）有
方法 限责任公司
半导体器件及其形 新存科技（武汉）有
成方法 限责任公司
新存科技（武汉）有
限责任公司
存储健康测试方法 新存科技（武汉）有
及存储器 限责任公司
版图检测方法及电 新存科技（武汉）有
子设备 限责任公司
一种保持电流确定 新存科技（武汉）有
方法及相关装置 限责任公司
存储系统的操作方 新存科技（武汉）有
法以及存储系统 限责任公司
存储系统的操作方 新存科技（武汉）有
法以及存储系统 限责任公司
新存微科技（北京）
存储器件的读取方 有限责任公司,新存
法、装置以及存储器 科技（武汉）有限责
任公司
一种三维堆叠存储 新存科技（武汉）有
器及其制造方法 限责任公司
新存科技（武汉）有
限责任公司
新存科技（武汉）有
限责任公司
新存科技（武汉）有
限责任公司
一种等离子体刻蚀
新存科技（武汉）有
限责任公司
存储器
沃克森（北京）国际资产评估有限公司 电话：（8610）52596085 传真：（8610）88019300
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序号 申请号 申请日 公开号 公开/授权日 状态 标题 申请人
新存科技（武汉）有
限责任公司
一种存储器及其形 新存科技（武汉）有
成方法 限责任公司
仅选择存储器及其 新存科技（武汉）有
形成方法 限责任公司
新存微科技（北京）
一种相变存储器阵
有限责任公司,新存
科技（武汉）有限责
及系统
任公司
新存微科技（北京）
存储阵列的验证方
有限责任公司,新存
科技（武汉）有限责
及介质
任公司
半导体器件及其制 新存科技（武汉）有
造方法 限责任公司
半导体结构及其制 新存科技（武汉）有
造方法 限责任公司
仅选择器存储器、存 新存科技（武汉）有
储器系统 限责任公司
新存科技（武汉）有
限责任公司
一种 SOM 存储器 新存科技（武汉）有
件及其制造方法 限责任公司
一种存储结构及其 新存科技（武汉）有
制造方法 限责任公司
新存微科技（北京）
存储器件及其制备 有限责任公司,新存
方法 科技（武汉）有限责
任公司
一种相变存储器的
新存科技（武汉）有
限责任公司
储器
半导体器件的测试
新存科技（武汉）有
限责任公司
子设备和介质
一种存储器的形成 新存科技（武汉）有
方法和研磨设备 限责任公司
相变存储器的形成 新存科技（武汉）有
方法和相变存储器 限责任公司
新存科技（武汉）有
限责任公司
一种存储器的操作 新存科技（武汉）有
方法、存储器及介质 限责任公司
三维仅选择存储器
新存科技（武汉）有
限责任公司
子设备和存储介质
新存科技（武汉）有
限责任公司
一种存储器的形成 新存科技（武汉）有
方法以及存储器 限责任公司
半导体器件的形成 新存科技（武汉）有
方法和半导体器件 限责任公司
一种存储器的形成 新存科技（武汉）有
方法和存储器 限责任公司
存储器及其制备方 新存科技（武汉）有
法 限责任公司
一种研磨装置及其 新存科技（武汉）有
控制方法 限责任公司
存储器的读刷新能
力的测试方法以及 新存科技（武汉）有
存储器、电子设备、 限责任公司
计算机存储介质
半导体器件的形成 新存科技（武汉）有
方法和半导体器件 限责任公司
半导体器件的形成 新存科技（武汉）有
方法和半导体器件 限责任公司
一种仅选择器存储
新存科技（武汉）有
限责任公司
选择器存储器
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序号 申请号 申请日 公开号 公开/授权日 状态 标题 申请人
集成电路版图验证 新存科技（武汉）有
方法及其装置 限责任公司
新存微科技（北京）
一种存储芯片的地
有限责任公司,新存
科技（武汉）有限责
芯片
任公司
半导体器件的形成 新存科技（武汉）有
方法和半导体器件 限责任公司
版图电源分析方法、 新存科技（武汉）有
装置以及存储介质 限责任公司
（3）自有部分-集成布图
名 称 登记号 申请日
一种相变存储器中的 16Mb 存储模块的 ARRAY 版图结构 235612987 2023/12/27
一种相变存储器中的 16Mb 存储模块的 CMOS 版图结构 235612995 2023/12/27
一种电编程熔丝的版图结构 235605816 2023/12/11
一种电源产生模块的版图结构 235605824 2023/12/11
一种计数器的版图结构 235605840 2023/12/11
一种内容可寻址存储器的版图结构 235612979 2023/12/27
一种相变存储器布图设计 245516794 2024/3/15
一种分压电阻型基准电压产生器的版图结构 255518072 2025/3/25
一种存储器控制模块的版图结构 255555237 2025/7/15
一种时钟延迟模块的版图结构 25556239X 2025/8/5
一种负电压调节器模块的版图结构 255562403 2025/8/5
一种分压电阻的选择区版图结构 255572085 2025/9/4
一种写操作时进行数据串并转换的解码器的版图结构 25558119X 2025/10/10
（七）利用其他机构报告
本估值咨询报告利用了中汇会计师事务所（特殊普通合伙）武汉分所出具的
带有强调事项段的无保留意见的年度审计报告。
（八）其他需要说明的问题
无。
四、 价值类型
根据估值咨询目的、市场条件、估值咨询对象自身条件等因素，同时考虑价
值类型与估值咨询假设的相关性等，确定本次估值咨询的价值类型为：市场价值。
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五、 估值咨询基准日
本项目估值咨询基准日是 2025 年 12 月 31 日。
本次估值咨询基准日的确定是根据估值咨询业务委托协议，由委托方确定。
六、 估值咨询依据
在本次估值咨询工作中我们所遵循的国家、地方政府和有关部门的法律法规，
以及在估值咨询中参考的文件资料主要有：
（一）法律法规依据
常务委员会第七次会议于 2023 年 12 月 29 日修订通过)；
常务委员会第 3 次会议通过)；
会常务委员会第十五次会议第二次修订)；
表大会常务委员会第二十六次会议《关于修改＜中华人民共和国企业所得税法＞
的决定》修正)；
（二） 企业提供的资料
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（三） 估值咨询机构收集的资料
七、 估值咨询方法
（一） 基本介绍
估值咨询专业人员应当根据估值咨询目的、估值咨询对象、价值类型、资料
收集等情况，分析市场法、收益法和成本法三种基本方法的适用性，依法选择估
值咨询方法。
市场法适用的前提条件是：
（1）估值咨询对象的可比参照物具有公开的市场，以及活跃的交易；
（2）有关交易的必要信息可以获得。
收益法适用的前提条件是：
（1）估值咨询对象的未来收益可以合理预期并用货币计量；
（2）预期收益所对应的风险能够度量；
（3）收益期限能够确定或者合理预期。
成本法（资产基础法）适用的前提条件是：
（1）估值咨询对象能正常使用或者在用；
（2）估值咨询对象能够通过重置途径获得；
（3）估值咨询对象的重置成本以及相关贬值能够合理估算。
本次估值咨询选用的估值咨询方法为：收益法。估值咨询方法选择理由如下：
选取收益法的理由：根据新存公司提供的损益预测及商业计划书资料，未来
预期收益可以预测并可以用货币衡量、获得未来预期收益所承担的风险可以衡量，
故本项目选用收益法。
未选取市场法的理由：考虑新存公司可比的同行业上市公司不满足数量条件、
同时同行业市场交易案例较少、且披露信息不足，故本项目不适用于市场法。
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地址：北京市海淀区车公庄西路 19 号 37 幢三层 305-306 （100044） 34
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未选取资产基础法的理由：考虑标的企业是一家轻资产研发企业，于估值咨
询基准日资产主要为租赁房产、新购入的机器设备、在建工程和办公设备，无法
反应其未来价值，因此本项目不适用资产基础法。
（二） 具体估值咨询思路
我们采用现金流量折现法对新存公司估值咨询基准日的主营业务价值进行
估算，具体方法选用企业自由现金流折现模型。以新存公司收益期企业自由现金
流为基础，采用适当折现率折现后加总计算得出新存公司的主营业务价值。
在得出新存公司主营业务价值的基础上，加上非经营性、溢余资产的价值，
减去非经营性、溢余负债的价值，得出新存公司企业整体价值，之后减去付息债
务价值得出股东全部权益价值。
在企业自由现金流折现模型中，需要进一步解释的事项如下：
（1）企业自由现金流（FCFF）的计算
FCFF=税后净利润+折旧与摊销+财务费用扣税后-资本性支出-营运资金追加
（2）新存公司主营业务价值的计算
新存公司主营业务价值计算公式如下：
n
FCFFi FCFFn ?1
P ? ? (1 ? r)
i ?1
i
?
r ? (1 ? r)n
其中：P：估值咨询基准日的企业主营业务价值；
FCFFi：详细预测期第 i 年企业自由现金流；
FCFFn+1：详细预测期后企业自由现金流；
r：折现率(此处为加权平均资本成本,WACC)；
n：收益期；
i：详细预测期第 i 年。
其中，折现率（加权平均资本成本，WACC）计算公式如下：
WACC ? K e ? We ? K d ? (1 ? T ) ? Wd
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其中：Ke：权益资本成本；
Kd：债务资本成本；
T：新存公司适用的所得税率；
We：权益资本结构比例；
Wd：付息债务资本结构比例。
其中，权益资本成本采用资本资产定价模型（CAPM）计算。
计算公式如下：
K e ? R f ? MRP ? ? ? Rc
其中：Rf：无风险报酬率；
MRP：市场风险溢价；
β：权益的系统风险系数；
Rc：企业特有风险系数。
（3）非经营性、溢余资产的范围
非经营性、溢余资产的范围包括溢余资产和非经营性资产，非经营性、溢余
资产的价值等于溢余资产价值和非经营性资产价值之和。
溢余资产和非经营性资产
新存公司估值咨询基准日的资产划分为两类，一类为经营性资产，第二类为
非经营性资产。经营性资产是新存公司经营相关的资产，其进一步划分为有效资
产和无效资产，有效资产是企业生产经营正在使用或者未来将使用的资产，无效
资产又称为溢余资产，指为经营目的所持有，但在估值咨询基准日未使用或者可
以预测的未来不会使用的资产。
溢余资产和非经营性资产定义具体如下：
溢余资产指企业持有目的为经营性需要、但于企业特定时期，与企业收益无
直接关系、超过企业经营所需的多余资产。通过对新存公司的资产配置状况与企
业收益状况进行分析，并进一步对企业经营状况进行了解，判断新存公司是否存
在溢余资产。
非经营性资产指企业持有目的为非经营性所需、与企业生产经营活动无直接
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关系的资产。
（4）非经营性、溢余负债的范围
非经营性、溢余负债的范围包括溢余负债、非经营性负债等，相应的非经营
性、溢余负债的价值等于溢余负债与非经营性负债的价值之和。
（5）股东全部权益价值计算
股东全部权益价值计算公式为：
股东全部权益价值=企业整体价值-付息债务价值
企业整体价值=企业主营业务价值+非经营性、溢余资产价值-非经营性、溢余
负债价值
八、 估值咨询程序实施过程和情况
根据法律、法规和估值咨询准则的相关规定，本次估值咨询履行了适当的估
值咨询程序。具体实施过程如下：
（一）明确估值咨询业务基本事项
与委托方就债务企业和委托方以外的其他估值咨询报告使用者、估值咨询目
的、估值咨询对象与估值咨询范围、价值类型、估值咨询基准日、估值咨询报告
使用范围、估值咨询报告提交期限及方式、估值咨询服务费及支付方式、委托方
及其他相关当事人与估值咨询机构和估值咨询人员工作配合和协助等重要事项
进行商讨，予以明确。
（二）签订估值咨询委托合同
根据估值咨询业务具体情况，对估值咨询机构和估值咨询人员专业胜任能力、
独立性和业务风险进行综合分析和评价后，与委托方签订估值咨询委托合同。
（三）编制估值咨询计划
根据估值咨询工作的要求，编制估值咨询工作计划，包括确定估值咨询的具
体步骤、时间进度、人员安排，拟定估值咨询技术方案等，报公司相关负责人审
核、批准。
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（四）进行估值咨询现场调查
询对象和估值咨询范围的详细资料；
函证、核对、检查等方式进行调查，了解估值咨询对象现状，关注估值咨询对象
法律权属；对不宜进行逐项调查的，根据重要程度采用抽样等方式进行调查；
询单位未来经营规划以及与管理层访谈对企业的经营业务进行调查。
（五）收集估值咨询资料
收集直接从市场等渠道独立获取的资料，从委托方、被估值咨询单位等相关
当事方获取资料，以及从政府部门、各类专业机构和其他相关部门获取资料。
估值咨询人员对估值咨询活动中使用的资料采取适合的方式进行核查验证，
核查验证的方式通常包括观察、询问、书面审查、实地调查、查询、获取审计函
证、复核等。
（六）评定估算
析、选择估值咨询方法；
判断，形成初步估值咨询结论；
（七）编制和提交估值咨询报告
政法规的要求编制初步估值咨询报告；
核；
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许可的相关当事人就估值咨询报告有关内容进行沟通，对沟通情况进行独立分析
并决定是否对估值咨询报告进行调整；
具并提交正式估值咨询报告。
九、 估值咨询假设
在估值咨询过程中，我们所依据和使用的估值咨询假设是估值咨询报告撰写
的基本前提，同时提请估值咨询报告使用人关注估值咨询假设内容，以正确理解
和使用估值咨询结论。我们遵循以下估值咨询假设条件，如估值咨询报告日后估
值咨询假设发生重要变化，将对估值咨询结论产生重大影响。
（一）基本假设
交易假设是假定估值咨询对象和估值咨询范围内资产负债已经处在交易的
过程中，估值咨询人员根据交易条件等模拟市场进行估值咨询。交易假设是估值
咨询得以进行的一个最基本的前提假设。
公开市场假设是假定在市场上交易的资产，或拟在市场上交易的资产，资产
交易双方彼此地位平等，彼此都有获取足够市场信息的机会和时间，以便于对资
产的功能、用途及其交易价格等作出理智的判断。公开市场假设以资产在市场上
可以公开买卖为基础。
资产持续使用假设是指估值咨询时需根据被估值咨询对象按目前的用途和
使用的方式、规模、频度、环境等情况继续使用，或者在有所改变的基础上使用，
相应确定估值咨询方法、参数和依据。
企业持续经营的假设是指被估值咨询单位将保持持续经营，并在经营方式上
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与现时保持一致。
（二）特殊假设
会等宏观环境不发生影响其经营的重大变动；
投资项目对其价值的影响；
营的法律、法规外，假设生命周期内与新存公司经营相关的法律、法规不发生重
大变化；
益期内新存公司主要管理人员和技术人员基于估值咨询基准日状况，不发生影响
其经营变动的重大变更，管理团队稳定发展，管理制度不发生影响其经营的重大
变动；
略保持一致；
其商业计划书以及企业管理层提供的盈利预测出现重大差异的产能费用变动情
况，亦不出现影响新存公司经营的不可抗拒、不可预见性事件；
向方案重约定的金额及支付节点支付新存公司对技术和知识产权资产购买对价；
不发生与其研发进度及技术性能出现重大差异的变动情况，亦不出现影响新存公
司研发的不可抗拒、不可预见性事件；
如期投产，建设完成后新存公司与存储器生产线采用定向合作、利润共享方式进
行生产；
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性能并如期实现量产；
不存在重大的永久性差异和时间性差异调整事项；
出现年度某一时点集中确认收入的情形；
所涉及的汇率、利率、税赋、政策性征收费用及通货膨胀等因素的变化不对其收
益期经营状况产生重大影响；
估值咨询人员已履行必要估值咨询程序仍无法获知的其他可能影响估值咨询结
论的瑕疵事项、或有事项等。
根据估值咨询的要求，我们认定这些假设条件在估值咨询基准日时成立。当
估值咨询报告日后估值咨询假设发生较大变化时，我们将不承担由于估值咨询假
设改变而推导出不同估值咨询结论的责任。
十、 估值咨询结论
（一）估值咨询结论
根据估值咨询业务委托合同，在经过实施必要的估值咨询程序，截至估值咨
询基准日 2025 年 12 月 31 日，新存科技（武汉）有限责任公司纳入估值咨询范围
内的所有者权益账面值为-36,065.21 万元，在保持现有用途持续经营前提下股东全
部权益的估值咨询价值为 181,062.16 万元。
（二） 估值咨询结论有效期
除本报告已披露的特别事项，在估值咨询基准日后、使用有效期以内，当经
济行为发生时，如企业发展环境未发生影响其经营状况较大变化的情形，估值咨
询结论在使用有效期内有效。
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当估值咨询结论依据的市场条件或资产状况发生重大变化时，即使估值咨询
基准日至经济行为发生日不到一年，估值咨询报告的结论已经不能反映估值咨询
对象经济行为实现日的价值，应按以下原则处理：
（1）当资产数量发生变化或资产使用状况发生重大变化时，应根据原估值
咨询方法对估值咨询结论进行相应调整；
（2）当估值咨询结论依据的市场条件发生变化、且对估值咨询结论产生明
显影响时，委托方应及时聘请有资格的机构重新确定估值咨询对象价值；
（3）估值咨询基准日后，资产状况、市场条件的变化，委托方在估值咨询
对象实际作价时应给予充分考虑，进行相应调整。
十一、 特别事项说明
特别事项是指在已确定估值咨询结论的前提下，估值咨询人员揭示在估值咨
询过程中已发现可能影响估值咨询结果，但非估值咨询人员执业水平和能力所能
评定估算的有关事项。我们特别提示估值咨询报告使用人关注特别事项对本估值
咨询报告估值咨询结论的影响。
程序后形成的建立在相关假设和限制条件基础上的专业意见。估值咨询结论是股
权市场价值的参考依据，委托方和其他报告使用人应当正确理解并恰当使用估值
咨询结论。委托方应当在参考估值咨询结论的基础上，结合应收款项合同的约定
和市场状况等因素，进行合理决策。
的，其真实性、合法性、完整性由委托方、被估值咨询单位负责。在本次分析项
目中，估值咨询人员主要依赖委托方和被估值咨询单位提供的资料，未对报告中
涉及的财务和其他信息进行验证。提请报告使用者予以关注。
东未完成实缴。具体股东认缴情况如下：
金额单位：人民币万元
序号 股东名称 认缴金额 实缴金额 认缴比例
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合 计 1785.7540 1386.9918 100%
测预测所述规划经营发展、IP 授权到期后续转让如期实施、按商业计划书实现其
产品后续迭代研发进度及技术性能、顺利融资以保持持续经营能力，不存在资金
链断裂的情况，生产线如期筹建并按时投产、产品销售定价不存在较大偏差、产
品良率如期实现预期水平的特定假设前提上得出的。提请报告使用者予以关注。
责任公司以独占实施许可方式授权给被估值咨询单位使用，该知识产权由北京中
企华资产评估有限公司出具了《长江先进存储产业创业中心有限责任公司拟了解
知识产权资产价值资产评估报告》（中企华评报字（2023）第 3457 号）。
年 7 月 26 日签订的技术及知识产权许可协议，许可年限为 5 年，协议约定许可
费按照第一代产品销售收入的 1.5%、第二代产品销售收入的 1%收取，并约定最
晚于许可协议结束后由新存公司购买相关无形资产并按照许可协议约定支付转
让对价。本次估值咨询根据《技术及知识产权许可协议》附件三购买意向方案重
约定的金额及支付节点考虑新存公司对技术和知识产权资产购买事项。
产业化方案 2-2 关于有形资产部分，新存公司及其指定的产业化相关方对研发部
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分专用机台保留优先购买权，具体价格购买时另议。本次估值咨询已在研发费用
中予以考虑该部分成本分摊事项。
汇汉会审[2026]第 0012 号带有强调事项段的无保留意见审计报告，强调事项段表
明存在可能导致对新存科技持续经营能力产生重大疑虑的重大不确定性。截至
益为-3.61 亿元，流动负债高于资产总额。新存科技自成立以来一直处在研究开发
阶段，尚未实现盈利。为保障公司正常运营，维持各项目有序推进和研发效率，
新存科技将持续通过股权融资及向银行等金融机构融资等方式筹措运营资金。基
于上述资金安排和相关计划，新存科技预计可获得的资金来源足够满足未来至少
的使用。当企业生产经营依赖的经营环境发生重大变化，估值咨询人员将不承担
由于前提条件和估值咨询依据出现重大改变而推导出不同估值咨询结果的责任。
鉴于被估值咨询单位新存科技（武汉）有限责任公司产品目前已研发公布了
一代商用产品，其一代产品尚未实现量产，其 IP 授权到期后续转让实施、产品
后续迭代研发进度及技术性能、生产线筹建投产、产品销售定价及良率等方面存
在重大不确定性，本报告仅为了解新存科技（武汉）有限责任公司特定假设前提
下的股东全部权益市场价值所需，本估值咨询报告不得用于股权交易、增资扩股、
借款融资等任何投资、融资等经济行为。
十二、 估值咨询报告使用限制说明
能由估值咨询报告载明的估值咨询报告使用人使用。
值咨询报告载明的使用范围使用估值咨询报告的，估值咨询机构及其估值咨询人
员不承担责任。
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和法律、行政法规规定的估值咨询报告使用人之外，其他任何机构和个人不能成
为估值咨询报告的使用人。
同于估值咨询对象可实现价格，估值咨询结论不应当被认为是对估值咨询对象可
实现价格的保证。
十三、 特别风险提示
经济形势方面：存储器是一种应用领域广泛的产品，应用于消费电子、信息
通信、智能汽车、数据中心、服务器、其他等行业，在集成电路细分市场中处于
重要地位。而集成电路产业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产
业。因此存储器行业的发展周期伴随国家整体经济形势的变化而变化。
行业政策方面：从全球范围而言，集成电路行业一直受到各国政府和国际组
织的政策监管。当前，集成电路行业是我国重点发展的行业，随着经济全球化和
产业结构调整的不断深入，国家对集成电路行业的政策的调整，将带来行业的市
场需求和产业竞争状况的变化，从而影响到新存公司的发展。
存储器是半导体的重要市场之一，其约占据了半导体近 1/3 的市场份额。其
中，从存储芯片细分产品来看，DRAM 和 NAND Flash 占据了存储芯片 95%以上
的市场份额，NOR 闪存占比 1%，其他存储芯片份额较小。
三维相变存储器未来市场规模存在较大的不确定性，从而影响新存公司未来
的业务及经营业绩。
截至估值咨询基准日估值咨询人员了解到行业内在三维相变存储器领域已
有行业大厂布局，如 SK 海力士半导体（中国）有限公司在 2021 年 2 月已宣布在
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相变存储器领域取得进展；国际商用机器公司（IBM）长期从事相变存储技术研
究，其研究方向已从二维相变存储器转入三维相变存储器；三星集团已开发出三
维相变存储器测试芯片；西部数据公司已组建团队公关三维相变存储技术等。
未来存在其他竞争者技术上出现重大突破的可能性，从而导致新存公司未来
盈利能力受到不利影响。
近年来中美贸易摩擦叠加疫情影响，集成电路存储器产业已成为地缘政治争
端的主战场之一，地缘政治风险将在一定程度上引发国际集成电路供应链危机。
近年来，美国联合其“盟友”国家通过不断制定、更新、出台《瓦森纳协议》、
《美国创新与竞争法案》、《美国芯片法案》等法规文件，以及 UVL 最新禁令，
试图建立将中国排除在外的国际集成电路供应链体系；美国更试图拉拢日本、韩
国和中国台湾建立“芯片四方联盟”，打压中国大陆存储器产业。
新型存储技术是存储器产业发展的另一赛道，目前尚未对美国形成威胁，美
国 BIS 出口管制新规（实体名单禁令）目前尚未涉及到三维相变存储等新型存储
技术。
新存公司存在未来地缘政治不确定性导致新型存储产业发展困难的可能性，
从而因产能受限影响其业务规模及经营业绩。
① 技术方面
通过技术研发实现产品理化指标、品质稳定、规模应用等，是存储器行业的
关键竞争要素之一。其中小纳米级芯片技术工艺、新材料和新工艺的开发能力、
新型芯片架构等方面是行业内厂商技术竞争的关键。
当前新存公司 3DPCM 项目已公布了一代商用产品。未来产品迭代存在研发
方向偏差、测试芯片功能验证不通过、技术难度加大等原因而导致研发失败的风
险。
② 生产风险
三维相变存储器生产主要涉及 CMOS 代加工、存储阵列、封装测试环节。
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其中：存储阵列环节要求专用设备和独特工艺来筹建存储生产线。未来存储
生产线项目落地及 CMOS 代加工及封装测试环节签约合作厂商达成量产有较大
的不确定性，从而影响新存公司的正常生产经营。
③ 融资风险
新存公司目前处于产品研发阶段，其研发支出、偿还到期债务和量产生产线
需要大量资金支持，假设未来需要多轮次融资才能可持续性进行研发和实现量产。
如不能按期融资新存公司存在资金链断裂的风险，从而对其正常生产经营产生重
大不利影响。
十四、 估值咨询报告日
本估值咨询报告日为 2026 年 4 月 10 日。
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【估值咨询报告签字盖章页丨此页无正文】
估值咨询人员签名 1：________________ 沃克森（北京）国际资产评估有限公司
估值咨询人员签名 2：________________ 中国·北京
二〇二六年四月十日
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