陕西源杰半导体科技股份有限公司2025 年年度报告摘要
公司代码：688498 公司简称：源杰科技
陕西源杰半导体科技股份有限公司
陕西源杰半导体科技股份有限公司2025 年年度报告摘要
第一节 重要提示
划，投资者应当到上海证券交易所网站 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本
报告“第三节 管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分。
虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
□是 √否
公司拟向全体股东每10股派发现金红利7元（含税）。截至2026年3月23日，公司总股本
算合计拟派发现金红利59,970,789.90元（含税）。本年度公司现金分红（包括2025年半年度已分
配的现金红利25,648,673.10元）总额85,619,463.00元；占本年度归属于上市公司股东净利润的
比例为44.84%。
公司拟向 全体股东每10股以资本 公积金转增4.5股。截至 2026年3月23日，公司 总股本
责任公司上海分公司登记结果为准，如有尾差，系四舍五入所致）。
公司通过回购专用账户所持有本公司股份275,169股，不参与本次利润分配及资本公积金转增
股本。
以上利润分配及资本公积转增股本方案经公司第二届董事会第二十八次会议审议通过，尚需
提交公司2025年年度股东会审议。
母公司存在未弥补亏损
□适用 √不适用
□适用 √不适用
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第二节 公司基本情况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
上海 证券 交易 所
A股 源杰科技 688498 不适用
科创板
□适用 √不适用
董事会秘书 证券事务代表
姓名 程硕 吴晶
联系地址 陕西省西咸新区沣西新城开元路1265号 陕西省西咸新区沣西新城开元路1265号
电话 029-38011198 029-38011198
传真 029-38011198 029-38011198
电子信箱 ir@yj-semitech.com ir@yj-semitech.com
公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，目前公司的主要产
品为光芯片，主要应用于电信市场、数据中心市场、车载激光雷达市场等领域。其中电信市场可
以分为光纤接入、移动通信网络。在光通信领域中，公司主要产品包括 2.5G、10G、25G、50G、
产品，主要应用于光纤接入、4G/5G 移动通信网络和数据中心等领域。在车载激光雷达领域，公
司产品涵盖 1550 波段车载激光雷达激光器芯片等产品。
经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的 IDM
全流程业务体系，拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀
膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。
通过持续的研发投入构建差异化竞争优势，公司从电信市场收入为主的光芯片供应商，逐步
发展成为国内领先的“电信市场+数通市场”协同拓展的光芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行
业，致力成为国际一流光电半导体芯片和技术服务供应商。
应用领域 速率 产品类型
光纤接入 EPON 2.5G 1310nm FP
电信市 光纤接 2.5G 1310nm DFB
光纤接入 GPON
场类 入 2.5G 1490nm DFB
光纤接入 10G PON 2.5G 1270nm DFB
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光纤接入 25G/50G 25G 1286nm DFB
PON 25G 1358nm EML & 1358nm w/SOA EML
移动通 25G 10G overclock 1270～1370nm CWDM6 DFB
信网络 25G 1270/1330nm DFB
数据中心类 数据中心 Drive EML
CW 100mW 1310nm CW DFB
CW 100mW CWDM4 CW DFB
CW 70mW CWDM4/8 CW DFB
CW 70mW 1310nm CW DFB
CW 70Mw LWDM4 CW DFB
CW 50mW 1310nm CW DFB
CW 25mW CWDM4 CW DFB
/ 1550nm Pulse DFB
车载激光雷达及传感
/ CH4 sensor
注：
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可应用于波分复用网络的激光器芯片；PAM4 代表可应用于 PAM4 脉冲调制技术的激光器芯片；
片封装后进行销售。
公司采取以直销为主、经销为辅的销售模式，设立市场与销售部负责开发客户、产品推广以
及维护客户关系。市场与销售部根据客户需求情况制定销售计划，将接收到的订单需求反馈给生
产与运营部，协调产品研发、生产、交付、质量等服务工作，同时承担跟单、售后、技术支持等
工作。
新产品及客户导入方面，由于光芯片产品设计参数、性能指标多，公司市场与销售部根据客
户需求先与其进行深度技术交流，研发中心在此基础上进行产品设计、材料选型、样品生产等工
作，然后在厂内进行样品性能测试、可靠性测试，并将样品送至客户处进行综合测试。测试通过
后，客户会小批量下单采购，并在多批次生产合格后，转入批量采购。公司的成熟产品主要通过
展会、现有客户推荐、销售经理开发等方式寻求新客户。
每月月末，采购部根据生产与运营部提报的次月生产计划及安全库存数据，制定配套的生产
原物料采购计划（含需求预测） 。采购员依据该计划向合格供应商下达采购订单（PO），明确技术
规格、交货周期及相关合作条款；同时通过搭建供应商管理库存（VMI）机制，保障关键物料供应
稳定。
进料检验工作由 IQC 部门负责，该部门严格依据可接受质量水平（AQL）标准开展检验，并
运用统计过程控制（SPC）方法监控物料关键质量特性，最终出具的检验分析报告（COA） ，是物料
入库放行的核心依据。物料到货后，由仓管科核对到货单与采购订单的物料数量；财务部负责执
行采购款项的最终结算工作。
研发、厂务、行政等非生产部门，需结合公司经营需求制定各自采购计划，提前提交采购部
审核，审核通过后由采购部统一组织采购。
在供应商管理层面，公司已建立健全的供应商认证及全生命周期管理流程：对新供应商开展
资质评估与实地考察，对其提供的样品进行严格验证，通过评审的供应商纳入《合格供方名单》。
同时，公司对供应商实施动态绩效考核与分级管理，按需推进物料替代方案管理及供应商稽核工
作，确保采购质量符合 ISO9001/14001 体系要求，采购活动全面达成质量、成本、交付、服务、
环保（QCDS）综合目标。
公司生产激光器芯片属于 IDM 模式，掌握芯片设计、晶圆外延等光芯片制造的核心技术，拥
有覆盖芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试等自主生产的能力，公司的 IDM 模式能够缩短产品
开发周期，实现光芯片制造的自主可控，快速响应客户并高效提供相应解决方案，能够迅速地应
对动态市场需求。
公司生产以市场需求为导向，生产与运营部根据客户订单协调相关部门制定生产计划。公司
根据年度销售策略进行产能评估，提前适当备货以应对需求高峰，保持库存的适度水平，减轻生
产压力。
公司研发以行业发展、应用需求及研发项目为基础，新产品研发流程以研发中心《设计和开
发控制程序》体系进行管理，从立项开始先后经历 6 个阶段，主要包括：立项、设计输入输出、
工程验证测试（EVT）、设计验证测试（DVT）、研发转生产培训考核、批量过程验证测试优化（PVT）
等阶段，各阶段要求满足后进入下一阶段，具体如下：
（1）立项阶段
市场与销售部根据客户及市场需求，提出新项目立项申请，填写《项目研发建议书》，并提交
市场与销售部、研发中心及总经理共同评审。项目评审通过后，指定项目负责人制作项目可行性
分析，包括项目方案概况列举、项目预算、研发过程风险预估与对应措施，确定参与人员、明确
客户指标需求等。
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（2）设计输入输出阶段
项目负责人根据立项阶段资料，制作设计开发阶段指导文件及流程，包括产品技术参数、工
艺指导文件、结构设计、工艺流程设计、环保分析、研发过程失效分析及对应的控制措施等。
（3）工程验证测试阶段（EVT）
研发中心根据《设计和开发控制程序》要求进行投片，参照设计输入输出阶段工艺指导文件
与流程进行样品试制，在试制结束后对客户需求指标进行测试分析。此阶段针对产品特性与工艺
生产异常关闭率进行评审。第一轮样品试制若无法满足客户需求，研发项目团队总结样品试制过
程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，获得批准后进行下轮样品试制，
直到满足客户需求后可转入下一阶段。
（4）设计验证测试阶段（DVT）
研发中心根据投片数量进行设计验证测试，对客户需求指标进行测试并分析。此阶段针对产
品稳定性与异常关闭率进行评审。设计验证测试结束若无法满足客户需求，研发项目团队总结生
产过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，从上一阶段的工程验证测
试（EVT）开始开发，直到满足客户需求并通过验证。
（5）研发转生产培训考核阶段
研发转生产培训考核阶段，研发中心提供给生产与运营部相关资料，包括输出工艺标准指导
书、工单、参数对照表、质检标准、标准工时统计表、试生产任务单等，并根据需求对生产线相
应的人员进行培训与考核，通过评审后方可转入下个阶段。
（6）批量过程验证测试优化阶段（PVT）
批量过程验证测试优化阶段（PVT），生产与运营部接收研发转生产阶段文件后，评估产线产
能、管理投入设备并分析人员、安全和环境等因素，确认具备量产能力后，制定并组织实施生产
计划，投入资源进行批量验证与测试。在批量生产过程中，研发项目团队总结生产过程中的问题，
进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，直到达到预期目标并通过验证。
(1). 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)行业的发展阶段及基本特点
随着全球信息互联规模不断扩大，人工智能等技术的兴起，光电信息技术正在被进一步广泛
应用。在这种趋势下，光芯片的下游应用场景不断扩展，需求量不断增加，同时对光芯片的速率、
功率、传输距离也提出更高的要求。目前在电信市场、数据中心市场，光芯片都得到了较为广泛
的应用，其中电信市场又可以细分为光纤接入和移动通信两个细分领域。
电信市场：5G、千兆光纤网络等新型基础设施建设进一步完善。在光纤接入市场：截至 2025
年底，三家基础电信企业的固定互联网宽带接入用户总数达 6.91 亿户，全年净增 2,099 万户。
较上年末提高 3.6 个百分点。截至 2025 年底，固定互联网宽带接入端口数达到 12.51 亿个，比上
年末净增 4,877 万个。其中，光纤接入（FTTH/O）端口达到 12.1 亿个，比上年末净增 5,030 万个，
占比由上年末的 96.5%提升至 96.8%。截至 2025 年底，具备千兆网络服务能力的 10G PON 端口数
达 3,162 万个，比上年末净增 341.9 万个。在无线通信领域，5G 网络建设覆盖持续深化。截至 2025
年底，全国移动电话基站总数达 1,287 万个，比上年末净增 22.7 万个。其中，4G 基站为 719.2
万个，比上年末净增 8 万个。5G 基站为 483.8 万个，比上年末净增 58.8 万个，5G 基站占移动电
话基站总数达 37.6%，占比较上年末提升 4 个百分点。其中，具备 5G RedCap 接入能力的基站数
达 206.4 万个，占 5G 基站的 42.7%。随着无线和光纤接入部署逐步进入成熟期，下一代技术逐步
开始布局。光纤接入领域开始向“万兆”加速。作为 ITU-T 定义的下一代 PON 技术，50G PON 比
逐步落地，拉动了 50G PON 的市场需求。同时，由于 5G-A 在网络速度、延迟、连接数等方面实现
显著提升，引入了通感一体、无源物联、内生智能等全新的革命性技术，能更好地匹配人联、物
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联、车联、高端制造、感知等场景，运营商也逐步推进其商用部署或组网试点。相关技术的成熟
与推广，有望对相关的产业链形成拉动作用。整体来看，电信市场需求具有较强的稳定性和持续
性，其建设节奏会受到技术迭代升级等因素的影响。
数据中心市场：随着 AI 技术规模化落地、大模型迭代及新兴应用爆发，算力需求指数级攀升，
驱动数据中心高速率光模块需求爆发式增长。2025 年后，国内外 CSP 加速 AI 基础设施投资，光
模块出货量激增同时拉动光芯片需求。速率方面，2025 年 1.6T 光模块已批量出货，2026 年迈入
商业化爆发期。算力提升推动业界对光模块功耗、散热、成本要求更严苛，低功耗、小型化、集
成化成为核心发展主线。技术上，硅光技术在高速率模块中渗透率快速提升，拉动了光芯片领域
CW 产品的需求增长；CPO、NPO 等新型的封装技术持续推进，成为光互联领域新增量。由于光互联
的需求增长，当前光芯片存在短期产能缺口。整体而言，AI 是光模块（光芯片）行业核心驱动力，
增长确定性强。
(2)主要技术门槛
面向更高速率、更高功率、更长传输距离需求的光芯片，其技术研发与工艺设计面临着极高
的开发难度和行业门槛。首先，随着市场对光芯片性能需求的持续提升，芯片结构设计的精度要
求已达到极高标准，其技术研发与工艺开发需深度融合高速射频电路与电子学、微波导光学、半
导体量子力学、半导体材料学等多个前沿学科，通过多维度技术协同，设计出兼具精度与尺寸要
求的芯片结构，任何单一学科技术的短板都将制约研发进程。其次，生产工艺的高稳定性与高成
熟度门槛。激光器芯片的生产流程极为复杂，需历经几十至几百道精密工序，每一道工序的参数
偏差、操作误差都将直接影响产品最终的光电性能与长期可靠性，这就对生产线的工艺成熟度、
流程稳定性以及过程管控能力提出了严苛要求，需实现全流程的精准把控，门槛显著高于普通半
导体器件。此外，高速率产品的关键结构开发壁垒尤为突出。相较于中低速率光芯片，高速率激
光器芯片需在量子阱有源区、光栅层结构区、模斑转化器区域、光波导结构区、电流限制结构区、
高频电极结构、谐振腔反射膜等多个关键结构的设计与开发中，综合平衡光电特性、产品可靠性
与制备工艺可行性等相互制约的核心因素，既要保障各结构的独立性能达标，又要实现整体协同
适配，进一步提升了技术开发的难度与行业壁垒。
(2). 公司所处的行业地位分析及其变化情况
经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的 IDM
全流程业务体系，拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀
膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。通过研发、
市场、服务、产品等多个维度的协同发展，公司已经获得国内客户的认可，并从电信市场收入为
主的光芯片供应商，逐步发展国内领先的“电信市场+数通市场”协同拓展的光芯片供应商。公司
将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光电半导体芯片和技术服务供应商。
在电信市场中，目前所需的 2.5G、10G 激光器芯片市场国产化程度较高，但不同波段产品应
用场景不同，工艺难度差异大，公司凭借长期技术积累实现激光器光源发散角更小、抗反射光能
力更强等差异化特性，为光模块厂商提供全波段、多品类产品，同时提供更低成本的集成方案，
实现差异化竞争；25G/50G PON 接入网对光芯片的要求也将进一步提升，大功率、低色散、高速
调制的场景需求提升了光芯片的技术门槛，公司已开发相应的集成技术与光放大器集成技术平台，
适配高速接入网的需求，使公司能够快速满足下游客户 25G/50G PON 的需求，研发出满足客户需
求的光芯片产品，在下一代高速 PON 需求迭代过程中确保行业地位。
在数据中心市场中，尤其是以人工智能为代表的应用拉动了 400G/800G、1.6T 或以上高速光
模块的需求增加，进而带动了高速率、大功率的芯片需求，比如主要为 100G PAM4 EML 光芯片、
领域的研发和生产积累，已推出相应的高速 EML、大功率激光器产品，无论是单波或是多波长的
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CWDM、LWDM 需求，来适配相关的高速光模块的需求，且性能及可靠性等指标可对标海外同类型产
品。目前，公司在 AI 数据中心市场实现销售突破。尤其是硅光模块解决方案所需的全系列大功率
CW 激光器产品，2025 年面向高速可插拔硅光模块的 CW 芯片产品已实现大批量的出货，奠定了公
司在该领域较为领先的行业地位。同时，人工智能的发展导致数据中心领域光互联的技术迭代较
快，更高速率、不同封装方式的需求均在快速发展，公司目前在数据中心领域实现了光芯片大批
量出货的基础，相关技术、商务、产能储备处于行业领先地位，这些因素将有助于公司把握新一
代的需求，巩固行业地位。
(3). 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
（1）硅光技术已成为算力场景降本增效的核心方案，渗透率持续加速提升
降本、降功耗、增效仍是全球算力发展的核心诉求，尤其随着 AI 大模型向万亿参数级迭代，
算力需求爆发式增长，直接推动光模块速率与数量需求激增，进一步凸显硅光技术的核心优势，
客户接受度已实现实质性提升，成为行业主流选择之一。硅光子技术基于硅和硅基衬底材料，依
托现有 CMOS 工艺实现光器件的开发与集成，契合光模块规模化、低成本生产需求，适配 AI 数据
中心短距高带宽场景的核心需求，相较于传统方案可实现功耗降低与更高的集成度。从当前渗透
率来看，硅光方案在 400G/800G/1.6T 光模块中已形成规模化应用，且头部厂商硅光方案占比持续
提升。在硅光方案中，CW 激光器芯片作为外置核心光源，硅基芯片承担速率调制功能。未来，CW
大功率激光器芯片的性能要求进一步提高，需同时具备更大功率、高耦合效率、宽工作温度的核
心指标。
（2）关注 CPO、NPO 等新技术的演进
随着单通道速率提升，电链路距离越长损耗越大，需要将光引擎更靠近交换芯片。因此，
CPO/NPO 等新一代封装技术缩短了交换芯片和光引擎之间的距离，从而帮助电信号在芯片和引擎
之间更快地传输，减少尺寸，提高效率，降低功耗。从技术路径来看，以 CPO 交换机为例，其中
CW 光源单颗价值量与功率需求均持续提升，进一步带动大功率 CW 激光器芯片需求增长。在应用
场景上看，CPO/NPO 在柜内的应用，也将带来新的需求增长。但目前 CPO/NPO 仍面临成本、解耦
程度低、产业不成熟等问题，仍需产业链上下游协同发力突破。
（3）光芯片下游应用市场不断拓展
光芯片的应用领域正在不断拓展。在传感领域，如环境监测、气体检测，光芯片被用作传感
器，能够检测光信号并转换为电信号，用于数据采集和分析。在汽车领域，随着传统乘用车的电
动化、智能化发展，高级别的辅助驾驶技术逐步普及，核心传感器件激光雷达的应用规模将会增
大。基于砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）的光芯片作为激光雷达的核心部件，其未来的市场需求
将会不断增加。
单位：元 币种：人民币
本年比上年
增减(%)
总资产 2,577,488,956.70 2,147,544,868.83 20.02 2,236,682,340.61
归属于上市公
司股东的净资 2,332,284,683.21 2,072,766,453.62 12.52 2,116,687,842.73
产
营业收入 601,434,509.56 252,172,673.21 138.50 144,403,649.04
利润总额 213,772,158.54 -15,312,303.55 / 18,153,315.49
归属于上市公
司股东的净利
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润
归属于上市公
司股东的扣除
非经常性损益
的净利润
经营活动产生
的现金流量净 150,235,546.02 18,960,995.49 692.34 -17,399,733.48
额
加权平均净资 增加8.97个百分
产收益率（%） 点
基本每股收益
（元／股）
稀释每股收益
（元／股）
研发投入占营
减少8.18个百分
业收入的比例 13.44 21.62 21.43
点
（%）
单位：元 币种：人民币
第一季度 第二季度 第三季度 第四季度
（1-3 月份） （4-6 月份） （7-9 月份） （10-12 月份）
营业收入 84,401,229.37
归属于上市公司股东的 31,943,745.1 59,628,884.2
净利润 3 3
归属于上市公司股东的
扣除非经常性损益后的 13,970,919.69 70,459,987.10
净利润
经营活动产生的现金流 64,241,014.8
-5,461,966.72 8,158,338.89 83,298,158.98
量净额 7
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
名股东情况
单位: 股
截至报告期末普通股股东总数(户) 13,299
年度报告披露日前上一月末的普通股股东总数
(户)
截至报告期末表决权恢复的优先股股东总数
（户）
年度报告披露日前上一月末表决权恢复的优先
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股股东总数（户）
截至报告期末持有特别表决权股份的股东总数
（户）
年度报告披露日前上一月末持有特别表决权股
份的股东总数（户）
前十名股东持股情况（不含通过转融通出借股份）
质押、标记或冻结
持有有 情况
股东名称 报告期内 期末持股数 比例 限售条 股东
（全称） 增减 量 (%) 件股份 性质
股份
数量 数量
状态
境外自
ZHANG XINGANG 12,480 10,575,438 12.30 无
然人
境内自
秦燕生 4,604,859 5.36 无
然人
境内自
秦卫星 4,478,859 5.21 无
然人
苏州瑞璜股权投资管
理合伙企业（有限合
伙）－宁波创泽云投 -95,200 3,294,418 3.83 无 其他
资合伙企业（有限合
伙）
境内自
张欣颖 2,944,053 3.43 无
然人
香港中央结算有限公
司
陕西科迈投资管理合
伙企业（有限合伙）
－陕西先导光电集成 -863,234 1,503,991 1.75 无 其他
科技投资合伙企业
（有限合伙）
中国人寿保险股份有
限公司－传统－普通
保 险 产 品 － 005L －
CT001 沪
中信证券股份有限公
司－嘉实上证科创板
芯片交易型开放式指
数证券投资基金
陕西欣芯聚源管理咨 境内非
询合伙企业（有限合 国有法
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伙） 人
上述股东关联关系或一致行动的说明 1、ZHANG XINGANG 和张欣颖系兄妹关系；
一致行动人；
一致行动人的情况。
表决权恢复的优先股股东及持股数量的说明 无
存托凭证持有人情况
□适用 √不适用
截至报告期末表决权数量前十名股东情况表
□适用 √不适用
√适用 □不适用
√适用 □不适用
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□适用 √不适用
□适用 √不适用
第三节 重要事项
公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
报告期公司实现营业收入 60,143.45 万元，同比增加 138.50%；归属于母公司所有者的净利润
止上市情形的原因。
□适用 √不适用
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