中信建投证券股份有限公司
关于常州银河世纪微电子股份有限公司
保荐机构名称： 被保荐公司名称：
中信建投证券股份有限公司 常州银河世纪微电子股份有限公司
联系方式：021-68801584
保荐代表人姓名：宣言 联系地址：上海市浦东南路 528 号上海证券大厦北塔
联系方式：021-68801574
保荐代表人姓名：王家海 联系地址：上海市浦东南路 528 号上海证券大厦北塔
根据《证券发行上市保荐业务管理办法（2023 年修订）》、
《上海证券交易所科创板
股票上市规则（2024 年 4 月修订）》、《上海证券交易所上市公司自律监管指引第 11 号
——持续督导（2023 年修订）》等相关规定，中信建投证券股份有限公司（以下简称“中
信建投证券”、“保荐机构”）作为常州银河世纪微电子股份有限公司（以下简称“银河
微电”、
“公司”）的首次公开发行股票和向不特定对象发行可转换公司债券的保荐机构，
对银河微电进行持续督导，并出具本持续督导跟踪报告。
一、持续督导工作情况
序号 工作内容 持续督导情况
建立健全并有效执行持续督导工作制度， 本保荐机构已建立健全并有效执行了
作计划。 作计划。
根据中国证监会相关规定，在持续督导工 本保荐机构于2020年3月及2021年12
作开始前，与上市公司或相关当事人签署 月与银河微电签订《保荐协议》，协议
持续督导协议，明确双方在持续督导期间 明确了双方在持续督导期间的权利和
的权利义务，并报上海证券交易所备案。 义务，并报上海证券交易所备案。
本保荐机构通过日常沟通、定期或不
通过日常沟通、定期回访、现场检查、尽 定期回访、现场检查等方式，了解银
职调查等方式开展持续督导工作。 河微电经营及规范运作等情况，对银
河微电开展持续督导工作。
序号 工作内容 持续督导情况
银河微电在2024年1月1日至2024年6
持续督导期间，按照有关规定对上市公司
月30日期间（以下简称“本持续督导
违法违规事项公开发表声明的，应于披露
前向上海证券交易所报告，经上海证券交
需保荐机构公开发表声明的违法违规
易所审核后在指定媒体上公告。
情况。
持续督导期间，上市公司或相关当事人出
现违法违规、违背承诺等事项的，应自发
现或应当发现之日起五个工作日内向上海 本持续督导期间，银河微电及相关当
或相关当事人出现违法违规、违背承诺等 项。
事项的具体情况，保荐机构采取的督导措
施等。
本持续督导期间，银河微电及其董事、
督导上市公司及其董事、监事、高级管理
监事、高级管理人员遵守法律、法规、
人员遵守法律、法规、部门规章和上海证
券交易所发布的业务规则及其他规范性文
务规则及其他规范性文件，并切实履
件，并切实履行其所做出的各项承诺。
行其所做出的各项承诺。
督导上市公司建立健全并有效执行公司治
在本持续督导期间，银河微电依照相
理制度，包括但不限于股东大会、董事会、
监事会议事规则以及董事、监事和高级管
严格执行相关公司治理制度。
理人员的行为规范等。
督导上市公司建立健全并有效执行内控制
度，包括但不限于财务管理制度、会计核
本持续督导期间，银河微电的内控制
算制度和内部审计制度，以及募集资金使
用、关联交易、对外担保、对外投资、衍
行，能够保证公司的规范运行。
生品交易、对子公司的控制等重大经营决
策的程序与规则等。
督导公司建立健全并有效执行信息披露制
度，审阅信息披露文件及其他相关文件并
在本持续督导期间，银河微电严格执
行信息披露制度。
所提交的文件不存在虚假记载、误导性陈
述或重大遗漏 。
序号 工作内容 持续督导情况
对上市公司的信息披露文件及向中国证监
会、上海证券交易所提交的其他文件进行
事前审阅，对存在问题的信息披露文件应
及时督促上市公司予以更正或补充，上市
公司不予更正或补充的，应及时向上海证 在本持续督导期间，上市公司未发生
券交易所报告。 信息披露文件及向中国证监会、上海
对上市公司的信息披露文件未进行事前审 证 券 交 易 所 提 交 的 其 它 文 件 存 在 问
阅的，应在上市公司履行信息披露义务后 题，而不予更正或补充的情况。
五个交易日内，完成对有关文件的审阅工
作对存在问题的信息披露文件应及时督促
上市公司更正或补充，上市公司不予更正
或补充的，应及时向上海证券交易所报告。
关注上市公司或其控股股东、实际控制人、
董事、监事、高级管理人员受到中国证监
本持续督导期间，银河微电及其控股
会行政处罚、上海证券交易所纪律处分或
者被上海证券交易所出具监管关注函的情
级管理人员未发生该等事项。
况，并督促其完善内部控制制度，采取措
施予以纠正。
持续关注上市公司及控股股东、实际控制
本持续督导期间，银河微电及其控股
人等履行承诺的情况，上市公司及控股股
东、实际控制人等未履行承诺事项的，及
诺的情况。
时向上海证券交易所报告。
关注公共传媒关于上市公司的报道，及时
针对市场传闻进行核查。经核查后发现上
市公司存在应披露未披露的重大事项或与 本持续督导期间，银河微电不存在应
市公司如实披露或予以澄清；上市公司不 息与事实不符的情况。
予披露或澄清的，应及时向上海证券交易
所报告。
发现以下情形之一的，保荐机构应督促上
市公司做出说明并限期改正，同时向上海
证券交易所报告：（一）上市公司涉嫌违反
《上市规则》等上海证券交易所相关业务
规则；
（二）证券服务机构及其签名人员出
具的专业意见可能存在虚假记载、误导性 本持续督导期间，银河微电未发生相
陈述或重大遗漏等违法违规情形或其他不 关情况。
当情形；（三）上市公司出现《保荐办法》
第七十一条、第七十二条规定的情形；
（四）
上市公司不配合保荐机构持续督导工作；
（五）上海证券交易所或保荐机构认为需
要报告的其他情形。
序号 工作内容 持续督导情况
制定对上市公司的现场检查工作计划，明
确现场检查工作要求，确保现场检查工作
质量。上市公司出现以下情形之一的，应
自知道或应当知道之日起十五日内或上海
证券交易所要求的期限内，对上市公司进
行专项现场检查：（一）存在重大财务造假 本保荐机构已制定了现场检查的相关
嫌疑；
联人涉嫌资金占用；（三）可能存在重大违 求。
规担保；（四）控股股东、实际控制人及其
关联人、董事、监事或者高级管理人员涉
嫌侵占上市公司利益；（五）资金往来或者
现金流存在重大异常；（六）上海证券交易
所要求的其他情形。
本持续督导期间，银河微电不存在未
关注上市公司的承诺履行情况。
二、保荐机构和保荐代表人发现的问题及整改情况
无。
三、重大风险事项
公司目前面临的风险因素主要如下：
（一）核心竞争力风险
半导体产业的下游是各类电子电器产品，随着终端产品在例如轻薄化、高功率密度
等方面要求的不断提高，以及汽车电子、工业控制等新的应用场景不断涌现，客户对公
司不断优化现有产品性能并根据其提出的要求进行新产品开发的能力要求较高。在产品
优化及开发过程中，公司需要根据客户要求进行器件整体设计，包括芯片的性能指标、
结构，所采用的封装规格，芯片与封装的结合工艺以及成品检测方法等，对公司技术能
力要求较高，同时还需保证产品具有较好的成本效益。如公司无法持续满足客户对新产
品开发的要求，将造成公司业绩增长放缓，对盈利能力造成负面影响。
公司依靠核心技术开展生产经营，只有不断推进新的芯片结构和生产工艺、封装规
格、测试技术等方面的储备技术的研发，才能为公司在进行产品设计时提供更大的技术
空间和多工艺平台的可能性，以便更好的满足客户需求。公司主要依靠自主研发形成核
心技术，但由于分立器件是多种学科技术的复合产品，技术复杂程度高，新技术从研发
至产业化的过程具有费用投入大、研发周期长、结果不确定性高等特点。另外，由于基
础技术的研发课题、研发方向具备一定的前瞻性、先导性，研发成果存在着一定的市场
化效果不及预期，或被国外已有技术替代的风险。因此，如果公司的研发活动未取得预
期结果，或者研发结果产业化进程不及预期，将使公司大额研发投入无法实现成果转化，
影响公司经营业绩。
半导体分立器件行业是技术密集型行业，公司的产品性能、创新能力、新产品开发
均依赖于稳定的技术团队以及自主创新能力，如果公司核心技术人员流失或发生核心技
术泄密的情况，就很有可能会削弱公司的市场竞争能力，影响公司在行业内的竞争地位。
（二）经营风险
报告期内，公司材料成本占成本的比例较高，对公司毛利率的影响较大。公司所需
的主要原材料价格与硅、铜、石油等大宗商品价格关系密切，受到市场供求关系、国家
宏观调控、国际地缘政治等诸多因素的影响。如果上述原材料价格出现大幅波动，将直
接导致公司产品成本出现波动，进而影响公司的盈利能力。
公司生产过程中会产生废水、废气、废渣等污染性排放物，如果处理不当会污染环
境，产生不良后果。公司已严格按照有关环保法规及相应标准对上述污染性排放物进行
了有效治理，使“三废”的排放达到了环保规定的标准，各项目也通过了有关部门的环
评审批，但随着国家和社会对环境保护的日益重视，相关部门可能颁布和采用更高的环
保标准，将进一步加大公司在环保方面的投入，增加公司的经营成本，从而影响公司的
经营业绩。
随着扩建项目的陆续投产使用，将新增较大量的固定资产，使得新增折旧及摊销费
用较大。若公司未来因面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平，则固定资产
投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。
（三）财务风险
报告期内，公司存货账面价值为 18,373.66 万元，占资产总额的比例分别为 9.08%。
公司订单具有“小批量、多批次、交期短和定制化”的特点，在公司根据客户订单排产
后，部分下游客户会根据其自身生产计划调整采购需求，导致公司部分存货处于呆滞状
态。对由于客户暂缓或取消订单导致呆滞的存货、公司根据可变现净值对其余存货进行
减值测试，计提跌价准备。同时，公司针对部分客户的订单排程需求，先将产成品发送
至客户端寄存仓库，待客户实际领用并与公司对账确认后确认收入，在确认收入前，作
为公司的发出商品核算。由于该部分存货脱离公司直接管理，尽管公司与客户建立了健
全的风险防范机制，但在极端情况下依然存在存货毁损、灭失的风险。
未来随着公司业务规模的不断扩大，存货余额可能相应增加。较大的存货余额可能
影响公司的资金周转率，也可能使得存货的报废和跌价损失增加，从而对公司经营业绩
造成不利影响。
虽然公司应收账款债务方主要为资信良好、实力雄厚的公司等，应收账款有较好的
回收保障，形成坏账损失的风险较小，公司也已按照会计准则的要求建立了稳健的坏账
准备计提政策。但如果公司应收账款持续大幅上升，若公司客户因宏观经济波动或其自
身经营原因，出现财务状况恶化、无法按期付款的情况，则将会加大公司应收账款坏账
风险，从而对公司的经营稳定性、资金状况和盈利能力产生不利影响。
（四）行业风险
目前公司在部分高端市场的研发实力、工艺积累、产品设计与制造能力及品牌知名
度等各方面与英飞凌、安森美、罗姆、德州仪器等厂商相比存在技术差距。未来如果公
司不能及时准确地把握市场需求和技术发展趋势，无法持续研发出具有商业价值、符合
下游市场需求的新产品，缩小与同行业国际领先水平的技术差距，则无法拓展高性能要
求领域的收入规模，将对公司未来进一步拓展汽车电子、智能移动终端、可穿戴设备等
新兴市场产生不利影响，甚至部分传统产品存在被迭代的风险。
国际市场上，经过 60 余年的发展，以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际
领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时，国际领先企业掌握着多规
格中高端芯片制造技术和先进的封装技术，其研发投入强度也高于国内企业，在全球竞
争中保持优势地位，几乎垄断汽车电子、工业控制、医疗设备等利润率较高的应用领域。
国内市场较为分散，市场化程度较高，各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为全球
最大的半导体分立器件市场，并保持着较快的发展速度，这可能会吸引更多的竞争对手
加入从而导致市场竞争加剧，公司如果研发效果不达预期，不能满足新兴市场及领域的
要求，公司市场份额存在下降的风险。
在产业政策支持和国民经济发展的推动下，我国半导体分立器件行业整体的技术水
平、生产工艺、自主创新能力和技术成果转化率有了较大的提升。如果国家降低对相关
产业扶持力度，将不利于国内半导体分立器件行业的技术进步，加剧国内市场对进口半
导体分立器件的依赖，进而对公司的持续盈利能力及成长性产生不利影响。
（五）宏观环境风险
半导体分立器件行业是电子器件行业的子行业，电子器件行业渗透于国民经济的各
个领域，行业整体波动与宏观经济形势具有较强的关联性。公司产品广泛应用于计算机
及周边设备、家用电器、网络通信、汽车电子等下游领域，如果宏观经济波动较大或长
期处于低谷，上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响，半导体分立器件行业的
景气度也将随之受到影响。下游行业的波动和低迷会导致客户对成本和库存更加谨慎，
公司产品的销售价格和销售数量均会受到不利影响，进而影响公司盈利水平。
国际经贸关系随着国家之间政治关系的发展和国际局势的变化而不断变化，经贸关
系的变化于宏观经济发展以及特定行业景气度可以产生深远影响。在全球主要经济体增
速放缓的背景下，贸易保护主义及国际经贸摩擦的风险仍然存在，国际贸易政策存在一
定的不确定性，如未来发生大规模经贸摩擦，可能影响境外客户及供应商的商业规划，
存在对公司业绩造成不利影响的风险。
公司享受的税收优惠主要包括高新技术企业所得税率优惠、部分项目加计扣除等。
公司及子公司银河电器均系高新技术企业，公司分别于 2016 年 11 月、2019 年 12 月、
河电器减按 15%的税率征收企业所得税。如果未来未取得高新技术企业资质，或者所享
受的其他税收优惠政策发生变化，将会对公司业绩产生一定影响。
报告期内，公司出口销售收入占主营业务收入比例超过 25%。公司境外销售货款主
要以美元结算，汇率的波动给公司业绩带来了一定的不确定性。近年来我国央行不断推
进汇率的市场化进程、增强汇率弹性，汇率的波动将影响公司以美元标价外销产品的价
格水平及汇兑损益，进而影响公司经营业绩。
四、重大违规事项
本持续督导期间，公司不存在重大违规事项。
五、主要财务指标的变动原因及合理性
单位：元
本报告期比上年同期
主要会计数据 2024年1-6月 2023年1-6月
增减(%)
营业收入 416,094,772.18 329,986,288.74 26.09
归属于上市公司股东的净利润 34,841,931.47 30,523,573.88 14.15
归属于上市公司股东的扣除非经常
性损益的净利润
经营活动产生的现金流量净额 28,258,382.90 48,854,475.41 -42.16
本报告期末比上年度
主要会计数据 本报告期末 上年度末
末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产 1,297,731,339.12 1,317,708,884.61 -1.52
总资产 2,023,725,911.76 1,990,282,900.28 1.68
本报告期比上年同
主要财务指标 2024年1-6月 2023年1-6月
期增减(%)
基本每股收益（元／股） 0.29 0.24 20.83
稀释每股收益（元／股） 0.29 0.24 20.83
扣除非经常性损益后的基本每股收
益（元／股）
加权平均净资产收益率（%） 2.64 2.37 增加0.27个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净
资产收益率（%）
研发投入占营业收入的比例（%） 5.93 6.48 减少0.55个百分点
于母公司所有者的净利润 3,484.19 万元，同比增加 14.15%；实现归属于母公司所有者
的扣除非经常性损益的净利润 2,208.18 万元，同比增加 24.15%，主要系 2024 年上半年，
公司生产经营和销售情况平稳恢复，营业收入有所增长所致。
金流出有所增加所致。
综上，公司 2024 年 1-6 月主要财务数据及财务指标变动具有合理性。
六、核心竞争力的变化情况
报告期内，公司专注核心技术积累与新产品开发，坚持保障研发投入，2024 年上
半年累计投入 2,469.03 万元，占营业收入比例为 5.93%，新增申请专利 13 项，其中发
明专利 5 项。
公司扎实推进多个研发项目的实施，涵盖了芯片设计、芯片工艺、封装工艺平台基
础技术研发、新封装开发、产学研关键技术开发等研发项目，具体包括用于功率模块的
FRD 芯片开发，6 英寸平面芯片技术及产品开发，超低阻抗高散热功率贴片封装及器件
开发，新能源汽车用 SiC MOSFET 功率器件和模块关键技术研发等。通过不断的技术
创新和研发投入，公司不断提升自身的技术创新能力，强化了其在科技领域的核心竞争
力。
总结而言，公司在半导体分立器件制造领域通过技术创新、工艺优化和研发项目，
保持了从芯片设计到封装测试的持续技术升级，为公司的长远发展奠定了坚实的基础。
项目
使用该项核心技
所需 现有核心技术 技术描述及特点
术的主要产品
技术
无压烧结 功率 MOSFET，SiC
开发无压真空烧结技术替代传统高温钎焊料。具有
银装片技 器件，IGBT 单管
无铅环保，热阻低，耐温特性好等优点。
术 和模块
封装体研 开发精密研磨抛光技术减薄封装体的上表面，产品
功率 MOSFET，IPM
磨减薄技 研磨厚度一致性好，不同材质界面层接合紧密，是
模块等
术 实现双面散热封装的重要技术。
高精度高
研发高精度高稳定度焊料点胶技术，同步导入
稳定点胶 功率二极管、功率
固晶跳线 TVS 等
中不稳定的问题，减少累计误差，提高固晶精度。
技术
封 装 高密度阵 框架采用多排高密度化设计使每条框架产品数增 小信号二极管、光
组 装 列式框架 加，同时提高单位面积内的产品数，提高生产效率 电耦合器、功率二
测 试
技术 设计技术 及降低材料消耗。 极管、桥式整流器
技术
将锡膏或焊片预焊在芯片两面，增加一道工序，在
芯片预焊 提升焊接工序效率、减少芯片沾污方面有明显效
桥式整流器
技术 果，焊接气孔由 5%减少到 3%以下，提高产品质量
及可靠性。
点 胶 量
通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程控
CPK 自 动 功率二极管、桥式
制，提高芯片的受控程度，确保每个点位的胶量都
测量控制 整流器
在受控范围。
技术
功率芯片 通过特殊设计的高温针头在装片基岛范围内均匀
画锡焊接 行走，达到焊锡量分布均匀平整，位置可控，从而 功率二、三极管
技术 可达到装片后芯片四周溢锡均匀、BLT 厚度稳定可
控、焊接空洞减少的目的，提升功率器件的性能和
可靠性。
焊接过程中通入甲酸可以将框架表面的氧化铜还
甲酸真空 功率二极管、桥式
原，使框架表面无氧化层，提升塑封料与框架之间
焊接技术 整流器
的结合强度，降低产品分层异常。
高温反向 SKY 芯片采用多层钝化和多次金属化表面，在封装
功率肖特基二极
漏电控制 过程中增加焊接后化学清洗，极大程度降低器件的
管
技术 高温漏电，提高产品的高温可靠性。
通过精准的锡量控制，使芯片与芯片之间焊锡层厚
多层叠焊 度和覆盖面积控制达到最优，并实现多层芯片的串 高压二极管、功率
技术 联，从而可以实现超高耐压或特殊功能要求的器 二极管
件，实现单芯片不能实现的功能。
通过将 LED 芯片 PN 结输出进行特殊设计，组装过
程中将芯片直接与基板上的正负极共晶焊接，无线
LED 倒 装 焊接缩短了热源到基板的热流路径，具有较低的热
LED 灯珠
封装技术 阻。同时倒装结购使产品具有更好的抗大电流冲击
稳定性和光输出性能，尺寸可以做到更小，光学更
容易匹配。
采用特殊的框架设计和制造工艺，框架的密度是普
小信号开关二极
超薄超小 通蚀刻工艺的 2 倍以上，封装采用我司先进的超薄
管、肖特基二极
DFN 封 装 超小芯片的封装工艺，最终封装产品塑封体厚度可
管、PIN 二极管、
技术 以做到 0.22mm 以下，塑封体外形可以做到市面上
ESD 二极管
最小的 0201 外形。
在现有的底部散热封装外形的结构基础上，通过设
计厚尺寸 clip 并用于芯片与框架之间的连接，产
双面散热 品塑封后对上模面采用独特的打磨工艺获得平整 功率二极管、功率
封装技术 裸露 Clip 散热面，从而实现产品底部和顶部均带 MOS
散热功能，极大程度提高产品的散热能力，从而提
高功率产品的电流能力。
在塑封前于芯片表面喷涂一种特殊的隔离溶胶，该
基于塑封 溶胶与芯片、框架及塑封料均具有有极强的粘接力 功率二极管、功率
前喷涂涂 和强密着性，并可以在芯片与塑封料之间、框架和 三极管、功率
层的防分 塑封料之间起到很好的缓冲作用，因此可有效解决 MOS、SiC 肖特基、
层技术 芯片、框架与塑封料之间受热力容易产生的的分层 SiC MOS
异常，提升功率器件的 PCT 能力和可靠性。
在框架焊接工艺中采用 clip 完成芯片上表面的电
Clip 焊 接 功率二极管、桥式
极与框架的连接，有效降低芯片所受应力，降低产
技术 整流器、功率 MOS
品潜在失效风险。
尺寸越大、厚度越薄的芯片在封装过程中越容易引
大功率超 起芯片破裂，我司通过采用特殊的芯片研磨切割工
薄芯片封 艺、采用 UV 膜及多顶针机构进行装片、通过 BLT 功率 MOS、IGBT
装技术 和芯片平整度管控等方法有效解决封装过程的机
械及封装应力问题。
采用对塑封模具、框架结构等设计，选用
Auto 模 自 小信号二极管、小
成 型 Automolding 系统实现自动塑封，生产过程中可实
动封装技 信号三极管、功率
技术 现分段开合模、分段注塑等特殊应用功能，满足有
术 MOS
特殊注塑工艺要求产品的生产，整个过程几乎不受
作业人员操作不当影响，生产效率高，制程受控。
通过将不同工位的刀具系统集成在同一副系统或
光耦器件
模具上，实现在切筋成型过程中所有工序一体完 光电耦合器、隔离
管脚一体
成，极大节约设备占据场地空间以及提升工序生产 驱动
成型技术
效率，同时保证产品成型稳定性。
小信号二极管、小
基于产品
针对芯片对产品特性的影响，通过分析量化，制定 信号三极管、功率
特性数据
测试方案，并用 PAT 方法筛选出产品性能离散及有 二极管、功率三极
分析的测
潜在失效模式的产品。 管、桥式整流器、
试技术
光电耦合器
基于光学
通过光学影像监测功能对产品的外观进行监测，配
影像的全
合产线的生产设备，可以实现产品 100%外观监测， 所有封装产品
自动产品
将不符合标准产品有效剔除，检测效率极高。
测量技术
基于开尔
通过对高压测试座的结构进行特殊优化设计并采
文接触方
用带回路检测功能的高压测试仪器，从而避免高压
式的多颗 所有光电耦合器
测 试 测试过程中因产品引脚与测试座接触不良而发生
串联高压
筛 选 漏测，提高测试的生产效率和剔除有效性。
测试技术
技术
基 于 FMEA 针对生产过程中各工序品质状况对产品特性的影
的测试技 响，通过分析量化，制定测试方案，筛选出生产过 所有产品
术 程中的潜在异常品及有潜在失效模式的产品。
SiC MOSFET 晶圆在现有的生产工艺过程中，栅氧
界面质量不可避免存在一定缺陷，该缺陷通过常用
SiC 的恒定栅氧反偏测试难以剔除。由于 SiC MOSFET
MOSFET 器 在实际应用中主要当作高频开关器件使用，栅极在
件动态反 高电平与低电平之间会频繁切换，栅氧会长期承受 SiC MOS
偏筛选技 高速动态栅应力的作用，故容易引起使 Vth 退化
术 失效。我司通过研究分析量化，掌握了一套模拟
SiC MOSFET 实际应用对栅氧施加动态早期失效产
品，保证器件的出厂可靠性品质。
沟槽结构 SiC MOS 是在 SiC 外延层上刻蚀沟槽，在
高性能沟 沟槽表面通过氧化形成栅氧化层，沟槽结构可以增
第 三
槽 型 SiC 加单元密度，没有 JFET 效 应，寄生电容更小，
代 半 SiC MOS
MOSFET 芯 开关速度快、损耗低。我司通过选取合适沟道晶面
导体
片设计 并通过元胞结构优化，实现了较佳的沟道迁移率，
芯 片
显著降低芯片导通电阻。
设计
该工艺在传统沟槽 MOSFET 器件 PN 结垂直耗尽的基
SGT- SGT 结 构
础上引入了水平耗尽，通过改变 MOSFET 内部电场
MOS 中 低 压 中低压大功率
的形态，将传统的三角形电场变为类似压缩的梯形
晶 圆 MOS 芯 片 MOS
电场，从而进一步减小 EPI 层的厚度，降低导通电
设计 设计
阻 Rds(on)。
该方法在高真空环境下，采用高压电子束轰击金属
平 面 芯片表面
芯 片 表面，使金属熔融，形成蒸气，金属蒸气运动附着
芯 片 多层厚金 功率二极管、功率
制 造 到晶圆表面，冷凝形成薄膜，通过监控电子膜厚仪，
制 造 属层制备 TVS、功率模块等
技术 达到我们需要的厚度。可降低芯片金属层的电流集
技术 技术
聚，降低芯片的接触电阻，提升产品可靠性。
特有的无环高耐压平面结构设计，避免了传统台面
平面结构
结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以采用
芯片无环
标准半导体工艺（氧化、扩散、光刻、注入、CVD 功率二极管
高耐压终
等）制备技术，达到实现更大晶圆生产、提升产品
端技术
稳定性、可靠性等目的。
采用多层 CVD 钝化膜技术，形成芯片表面所需的综
合钝化保护膜。镀镍芯片采用聚酰亚胺钝化，平面
玻璃电泳等保护技术，可以使平面芯片具备
平面结构
芯片表面
定可动电荷、稳定耐压，隔离水汽渗透，绝缘电介 功率二极管
多层钝化
质等功能，从而形成芯片表面所需的综合钝化保护
技术
膜，相应产品性能稳定性优异。聚酰亚胺钝化，平
面玻璃电泳技术有效解决了芯片封装中遇到的可
靠性问题，提高器件极限条件下的稳定性、可靠性。
平面结构
功率稳压 特有的平面结构设计及表面多层钝化技术，避免了
二极管、 传统台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，
功率二极管
TVS 芯 片 可以采用标准半导体工艺制备技术制备，达到提升
设计及制 产品一致性、稳定性、可靠性的目的。
备技术
大 功 率
TVS 产 品 采用平面和台面结构相结合的方式，有效增加芯片
功率二极管
提升功率 的接触面积，提升产品的功率能力
技术
TVS 芯 片 采用特殊的芯片结构及深结工艺，改变单双向 TVS
VC 恒 定 制 芯片 IPP/VC 曲线，在 IPP 范围内芯片的 VC 保持在
功率 TVS 二极管
造工艺控 一个较小范围，提升产品功率和电压抑制保护能
制技术 力。
稳 压 管 扩散时采用特殊的气体的方式，对芯片表面缺陷、
ZZK 改 善 杂质浓度分布等进行有效的改善，大大降低产品的 稳压二极管
技术 动态电阻。
电晕造型 通过电场作用，使芯片腐蚀面圆润及平滑，降低尖
功率二极管
技术 端效应，提升性能一致性。
台面沟槽造型特别是“鸟嘴”造型对器件的 VB 电
沟槽湿法 压及可靠性有很大影响，我司通过工艺调整改善芯
台 面
腐蚀形状 片表面扩散浓度来调整沟槽腐蚀的速率和方向，有 功率二极管
芯 片
控制计划 效消除了原先的“鸟嘴”形状，解决原先“鸟嘴”
制 造
处的应力问题，提升了钝化效果。
技术
采用一种特殊的组合工艺，结合了刀刮法、光阻法
PEG 特 殊 和电泳法的优势，钝化层根据需要排序进行生长，
钝化工艺 一方面钝化过程中不会带入其他杂质，玻璃内部不 高 可 靠 性 要 求 功
保护应用 产气泡和黑渣点，另一方面形成的玻璃钝化层非常 率二极管
技术 致密，芯片的击穿硬特性和耐高温特性大大提高，
可应用于高可靠性要求的应用场合。
七、研发支出变化及研发进展
（一）研发支出及变化情况
单位：元
项目 本期数 上年同期数 变化幅度（%）
费用化研发投入 24,690,301.85 21,398,632.49 15.38
资本化研发投入 - - -
研发投入合计 24,690,301.85 21,398,632.49 15.38
研发投入总额占营业收入比
例（%）
研发投入资本化的比重（%） - - -
（二）在研项目情况
本持续督导期间，公司的在研项目情况如下：
单位：万元
预计总投 本期投 累计投 技术
序号 项目名称 进展或阶段性成果 拟达到目标 具体应用前景
资规模 入金额 入金额 水平
基于深度
基于深度学习原理，设计出可以自动检测产
学习的半
品塑封体外观划痕、破损、压脚、气孔不良， 国 内
应用到封装产线，提高产线制程检验能力和 领先
缺陷检测
效率。
技术
扩展 6 英寸平面芯片工艺平台，完成全系列
面芯片技 国 内 家电、电源、智能电表、照明、
术及产品 先进 通信、汽车电子等
开发。
开发
面向平面
通过高位置精度和胶量稳定性控制方法实现
芯片的精 广泛应用于家电、电源、智能
平面芯片高可靠度组装，有效控制芯片的焊 国 内
接外观质量和可靠性，降低焊接空洞率，实 先进
术及产品 等行业
现封装良率和可靠性能的提升。
开发
开发出车规级 SiC MOS 器件 TO-247-4L 封
装，制程中采用画锡、真空回流烧结等特殊
超低阻抗 工艺提高器件的可靠性；通过对 MOS 晶圆背
高散热功 面金属的材质选取及厚度分布的研究，平衡
国 内
先进
装及器件 大尺寸芯片能够实现共晶焊接不产生分层；
开发 通过设计特殊的焊接工装，失效薄框架小尺
寸贴片封装的铝带焊接，降低器件的封装阻
抗，提高器件的电流功率密度。
用于功率 基于公司现有的 6 寸晶圆产线，开发 175℃结
国 内 汽车电子、通信设备、家用电
先进 器等行业
FRD 芯 片 FRD 芯片产品，能够满足车规应用要求。
开发
可控硅光 研究并掌握车规级光耦的产品生产技术，开
国 内 工业自动化、电力系统、家庭
先进 智能化、新能源等
发 产品能够满足 UL/VDE 及车规级认证要求。
基于芯片
面向物联网系统的高安全性低成本的安全认
封装的指
证协议及相应密码硬件加速器设计，研制一
纹的轻量 国 内
级区块链 先进
机数发生器电路和无密钥存储的区块链数字
关键技术
签名产品
研发
新能源汽
车 用 SiC 基于 SiC MOSFET 功率器件和模块设计和关
MOSFET 键 工 艺 技 术 的 攻 关 ， 形 成 完 整 的 SiC
国 内
先进
和模块关 制出 1200V 系列化车规级 SiC MOSFET 功率
键技术研 器件和模块。
发
高电流密
完成高电压、大电流系列功率整流芯片的开
度高性能
发，芯片 Vbr 电压≥1600V,浪涌电流能力≥ 国 内
芯片及产
相整流桥系列产品。
品开发
纹”（物理不可克隆 PUF）电路，以及基于
“芯片指纹”物理不可克隆技术（PUF）的
RFID 超高
防伪 NFC 标签以及超高频的 RFID 标签；2、
频芯片前 国内 仓储物流、新零售、工业自动
端开发及 先进 化
解决方案，其中包括：开发基于 PUF 的 RFID
其产业化
智能仓储系统解决方案；开发基于 PUF 的
RFID 新零售、无人零售系统解决方案；建立
基于 PUF 的 RFID 服务平台等。
BLDC 电 从无感控制方式出发，针对同一系列的
国 内 家电、信息、汽车电子以及其
先进 它特种设备等
片 器。利用 UART、CAN 等接口电路与外部系
统通信与调试，驱动算法部分通过优化控制
算法和 PWM 技术，控制器可以驱动同一系
列或者参数相关的 BLDC，同时降低电机运
行时的噪音，提升用户体验。
DIP4 光 耦 通过选取高生产效率和低材料消耗的技术方
国 内 工业自动化、电力系统、家庭
先进 智能化、新能源
产项目 耦产品的生产成本，提高产品竞争力。
SOP4 光耦 利用先进的技术工艺封测体积更小、厚度更
国 内 工业自动化、电力系统、家庭
先进 智能化、新能源
品线项目 间。
合计 / 7,075.00 2,469.03 2,923.36 / / / /
（三）2024 年 1-6 月取得的研发成果
在半导体分立器件制造领域，公司通过不断优化和创新，实现了显著的技术
进步和产品升级。以下是对公司在报告期内获得的研发成果：
（1）封装测试技术：拓展了烧结银技术和铝带焊接技术到 PDFN3×3 等封
装应用，提升了这类小功率贴片产品的功率密度；拓展了铝带焊接技术到 PDFN3
×3 等封装应用，提升了这类小功率贴片产品的生产效率；研发了高精度高稳定
点胶固晶跳线技术，解决了芯片贴装过程中不稳定的问题，减少累计误差，提高
固晶精度；封装体研磨减薄技术，产品研磨厚度一致性好，不同材质界面层接合
紧密，是实现双面散热封装的重要技术。
（2）芯片设计与制造：电晕造型技术，通过电场作用，使芯片腐蚀面圆润
及平滑，降低尖端效应，提升性能一致性；芯片表面多层厚金属层制备技术，降
低芯片金属层的电流集聚，降低芯片的接触电阻，提升产品可靠性。
报告期内获得的知识产权列表如下：
本期新增 累计数量
项目
申请数（个） 获得数（个） 申请数（个） 获得数（个）
发明专利 5 8 73 39
实用新型专利 7 19 340 214
外观设计专利 1 0 1 0
软件著作权 0 0 0 0
其他 0 0 0 0
合计 13 27 414 253
注：
（1）“本期新增”中的“获得数”为报告期内新获得的专利数；
（2）“累计数量”中的“获得数”为扣除失效专利后的有效专利数。
八、新增业务进展是否与前期信息披露一致
不适用。
九、募集资金的使用情况及是否合规
截至 2024 年 6 月 30 日止，公司使用募集资金具体情况如下：
项目 金额（万元）
募集资金净额 38,611.68
减：累计使用募集资金金额 37,255.97
其中：以自筹资金预先投入募投项目置换金额 2,617.99
减：永久补充流动资金金额 2,548.96
加：累计收到的利息及现金管理收入扣减手续费净额 1,207.68
其中：2024 年 6 月 30 日现金管理余额 -
注：结余募集资金补流金额含相关账户销户时收到的利息收入。
截至 2024 年 6 月 30 日止，公司使用募集资金具体情况如下：
项目 金额（万元）
募集资金净额 49,140.19
减：累计使用募集资金金额 12,065.94
加：累计收到的利息及现金管理收入扣减手续费净额 2,409.60
其中：2024 年 6 月 30 日现金管理余额 38,000.00
银河微电本持续督导期间募集资金的存放与使用符合《上市公司监管指引第
交易所科创板股票上市规则（2024 年 4 月修订）》及《上海证券交易所科创板上
市公司自律监管指引第 1 号——规范运作（2023 年 12 月修订）》等法律法规的
相关规定，对募集资金进行了专户存储和专项使用，不存在变相改变募集资金投
向和损害股东利益的情况，不存在违规使用募集资金的情形。
十、控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的持股、质押、
冻结及减持情况
本持续督导期间，公司控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员
持有的股份未发生质押、冻结及减持情况。
截至 2024 年 6 月 30 日，公司控股股东、实际控制人、现任董事、监事、高
级管理人员直接和间接持有公司股份的情况如下：
直接持股数量 间接持股数量 质押情况
姓名 职务
（万股） （万股） （万股）
杨森茂 董事长 - 7,817.58 -
岳廉 董事 - 629.52 -
李恩林 董事 - 30.00 -
董事、总经理、核心技
刘军 0.90 30.00 -
术人员
孟浪 董事、副总经理 0.90 - -
杨兰兰 独立董事 - - -
王普查 独立董事 - - -
沈世娟 独立董事 - - -
李月华 监事会主席 - 8.00 -
朱伟英 核心技术人员 - 25.00 -
周建平 监事 - 17.00 -
高宝华 职工监事 - - -
郭玉兵 技术总监 - 10.00 -
曹燕军 副总经理 0.90 12.00 -
李福承 董事会秘书、财务总监 0.60 12.00 -
庄建军 核心技术人员 0.60 6.00 -
贾东庆 核心技术人员 - 4.00 -
十一、上海证券交易所或保荐机构认为应当发表意见的其他事项
无。
（以下无正文）
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