公司代码：688012 公司简称：中微公司
中微半导体设备（上海）股份有限公司
第一节 重要提示
划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可
能存在的相关风险，敬请查阅第三节管理层讨论与分析“四、风险因素”部分内容。
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
□是 √否
公司拟向全体股东每10股派发现金红利3.00元（含税）。截至2024年2月29日，公司总股本
元（含税）
。
上述事项已经董事会审议通过，尚需提交股东大会审议。
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
A股 上海证券交易所 中微公司 688012 不适用
科创板
公司存托凭证简况
□适用 √不适用
联系人和联系方式
联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表
姓名 刘晓宇 胡潇
办公地址 上海市浦东新区金桥出口
上海市浦东新区金桥出口加工区（南区
加工区（南区）泰华路188
）泰华路188号
号
电话 021-61001199 021-61001199
电子信箱 IR@amecnsh.com IR@amecnsh.com
(一) 主要业务、主要产品或服务情况
报告期内，公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世
界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进
封装、LED 外延片生产、功率器件、MEMS 制造以及其他微观工艺的高端设备领域。
公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从 65 纳米到 14 纳米、7 纳米和 5 纳米及其
他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司 MOCVD 设备在行业领先客户的生产
线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基 LED 设备制造商。
公司主要为集成电路、LED 外延片、功率器件、MEMS 等半导体产品的制造企业提供刻蚀设
备、MOCVD 设备、薄膜沉积设备及其他设备，其中主要产品的具体情况如下：
产品类别 图示 应用领域
集成电路制造中氧化硅、氮化
电容性等离子体刻
硅及低介电系数膜层等电介质
蚀设备
材料的刻蚀
产品类别 图示 应用领域
集成电路制造中单晶硅、多晶
硅以及多种介质等材料的刻蚀
电感性等离子体刻
蚀设备、深硅刻蚀
设备
CMOS 图像传感器、MEMS 芯
片、2.5D 芯片、3D 芯片等通孔
及沟槽的刻蚀
产品类别 图示 应用领域
蓝绿光及紫外 LED 外延片和功
MOCVD 设备
率器件的生产
产品类别 图示 应用领域
先进逻辑器件、DRAM 和 3D
LPCVD 设备 NAND 中接触孔以及金属钨线
的填充
ALD 设备 存储器件关键应用填充
产品类别 图示 应用领域
平板显示生产线等工业用的空
VOC 设备
气净化
报告期内，公司主营业务未发生变化。
(二) 主要经营模式
公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED 外延片、先进封
装、MEMS 等半导体产品的制造公司销售刻蚀设备和 MOCVD 设备、提供配件及服务实现收入和
利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于设备相关配
件销售及设备支持服务等。
公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行
性阶段、Alpha 阶段、Beta 阶段、量产阶段。
公司按照刻蚀设备、MOCVD 设备等不同研发对象和项目产品，组成了相对独立的研发团队。
不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，而在电气工
程、平台工程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方法，实
现了人才、营运等资源在不同的产品及技术服务之间灵活分配，实现共享经验知识，优化资源使
用效率，使公司能够快速响应不断变化的研发要求，进行持续的技术创新。
为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、
研发和设计能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及付款周期等众多
标准要求的供应商，才可以被考虑纳入公司合格供应商名录，并定期审核。目前，公司已经与全
球众多供应商建立了长期、稳定的合作关系。
公司主要采用以销定产的生产模式，实行订单式生产为主，结合少量库存式生产为辅的生产
方式。订单式生产是指公司在与客户签订订单后，根据订单情况进行定制化设计及生产制造，以
应对客户的差异化需求。库存式生产是指公司对设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内
部需求及生产计划进行预生产，主要为快速响应交期及平衡产能。
公司采取直销为主的销售模式，因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域通过代理商模式
进行销售。公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理，下设中国大陆、中国台湾、韩国、
日本、新加坡、美国等国家或地区的销售和支持部门。
(三) 所处行业情况
半导体设备行业是一个全球化程度较高的行业，受经济形势、半导体市场、终端消费市场需
求等影响，其发展呈现一定的周期性波动。当宏观经济和终端消费市场需求变化较大时，客户会
调整其资本性支出规模和对设备的采购计划，从而对公司的营业收入和盈利产生影响。
全球集成电路和以 LED 为代表的光电子器件的销售额合计占所有半导体产品销售额的 90%
以上，是半导体产品最重要的组成部分。公司所处的细分行业为半导体设备行业中的刻蚀设备行
业和 LED 设备行业中的 MOCVD 设备行业。
集成电路设备包括晶圆制造设备、封装设备和测试设备等，晶圆制造设备的市场规模约占集
成电路设备整体市场规模的约 80%。
晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、检测、离子掺杂等品类，其中刻蚀设备、薄
膜沉积、光刻设备设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。根据 Gartner 历年统计，全
球刻蚀设备、薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值量约 22%和 23%。
随着集成电路芯片制造工艺的进步，线宽关键尺寸不断缩小、芯片结构 3D 化，晶圆制造向 5
纳米以及更先进的工艺发展。由于目前先进工艺芯片加工使用的光刻机受到波长限制，14 纳米及
以下的逻辑器件微观结构的加工多通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合——多重模板工艺来
实现，使得刻蚀等相关设备的加工步骤增多。由于存储器技术由二维转向三维架构，随着堆叠层
数的增加，刻蚀设备和薄膜沉积设备越来越成为关键核心的设备。
MOCVD 设备广泛应用于包括光学器件、功率器件等多种薄膜材料的制备，是目前化合物半
导体材料制备的关键技术之一。MOCVD 设备既能实现高难及复杂的化合物半导体材料生长，又
能满足产业化对高效产出、低制备成本的需求，在产业链中有着举足轻重的作用。
在 LED 及功率器件生产过程中，外延片的制备是至关重要的步骤，其主要通过 MOCVD 单
种设备实现。而 MOCVD 设备采购金额一般占 LED 生产线设备总投入的一半以上，是器件制造
环节中最重要的设备。
除用于制造通用照明和背光显示的蓝光 LED，MOCVD 设备还可制造应用于高端显示的
Mini-LED 和 Micro-LED、用于杀菌消毒和空气净化的紫外 LED、应用于电力电子的功率器件，
随着这些新兴领域的应用拓展及逐步推广，MOCVD 设备的市场有望进一步扩大。
过去几年，LED 客户扩产的主要方向为蓝绿光外延片，应用领域也主要在照明市场。在
Mini-LED 背光及直接显示市场需求的推动下，近两年高端显示类的 LED 外延片需求量增加明显。
Micro-LED 高端显示技术也发展迅速，基于 Micro-LED 的高端显示应用也开始小规模试生产，预
计在未来几年将会有更多的市场需求。
此外，随着电动汽车、光伏储能、手机和笔记本电脑快充、数据中心等应用爆发式增长，带
动功率半导体市场迎来高景气周期，尤其是氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体是近期的行业
热点。据 Yole 公司报告，氮化镓功率器件主要应用在高频中小功率领域，预计市场规模将从 2022
年的 1.8 亿美金快速增长到 2028 年超过 20 亿美金，复合年均增长率达 49%。由此对氮化镓功率
器件外延片制造设备有较大的需求。
碳化硅功率器件主要应用在大功率领域，如新能源汽车、光伏储能、轨道交通等领域，尤其
是在车用领域，预计未来几年在车载主逆变器、充电模块等应用将持续高速增长，据 Yole 公司报
告，碳化硅功率器件在 2028 年市场规模将达到 89 亿美金，2022 年至 2028 年复合年均增长率超
过 30%，由此对碳化硅外延生产设备将有更大的需求。
目前半导体设备市场主要由欧美、日本等国家的企业所占据。近年来我国半导体设备行业整
体水平不断提高。
在刻蚀设备方面，全球刻蚀设备市场呈现垄断格局，海外少数几家公司占据主要市场份额；
公司刻蚀设备已应用于全球先进的 5 纳米及以下集成电路加工制造生产线。在海外先进的 5 纳米
芯片生产线及下一代更先进的生产线上，公司的 CCP 刻蚀设备均实现了批量销售，已有超过 200
台反应台在生产线合格运转，公司在主要客户的市场占有率稳步提升。
在 MOCVD 设备领域，公司用于氮化镓基 LED 外延生产的 MOCVD 设备已在行业领先客户
生产线上大规模投入量产，自 2017 年起已经成为氮化镓基 LED 市场份额最大的 MOCVD 设备供
应商，并持续保持在行业内的领先地位。
随着芯片制程的不断提升，在每一代芯片新技术上，晶体管体积都在不断缩小，同时芯片性
能不断提升，先进的芯片中已有超过 100 亿个晶体管。随着工艺的提升，先进芯片从平面结构过
渡到复杂的三维架构。随着晶体管结构的复杂度不断提升，各种半导体设备技术的创新和突破起
到决定性作用，对于刻蚀和薄膜沉积技术提出了更高的要求。
FinFET 技术路线图（来源：三星电子）
刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻
蚀偏差，通常用于工艺尺寸较大的应用，或用于干法刻蚀后清洗残留物等。等离子体干法刻蚀是
目前主流的刻蚀技术。
等离子体刻蚀设备是一种大型真空的全自动的加工设备，一般由多个真空等离子体反应腔和
主机传递系统构成。等离子体刻蚀设备的分类与刻蚀工艺密切相关，其原理是利用等离子体放电
产生的带化学活性的粒子，在离子的轰击下，与表面的材料发生化学反应，产生可挥发的气体，
从而在表面的材料上加工出微观结构。
根据产生等离子体方法的不同，干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻
蚀；根据被刻蚀材料类型的不同，干法刻蚀主要是刻蚀介质材料、硅材料和金属材料。电容性等
离子体刻蚀主要是以高能离子在较硬的介质材料上，刻蚀高深宽比的深孔、沟槽等微观结构；而
电感性等离子体刻蚀主要是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的或较薄的材料。这
两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀应用。
电容性等离子体刻蚀反应腔 电感性等离子体刻蚀反应腔
p
p
随着国际上先进芯片制程从 7-5 纳米阶段向更先进工艺的方向发展，当前光刻机受光波长的
限制，需要结合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸，使得刻蚀
技术及相关设备的重要性进一步提升。下图展示二重和多重模板工艺原理，涉及多次刻蚀：
芯片线宽的缩小及多重模板工艺等新制造工艺的采用，对刻蚀技术的精确度和重复性要求更
高。刻蚀技术需要在刻蚀速率、各向异性、刻蚀偏差、选择比、深宽比、均匀性、残留物、等离
子体引起的敏感器件损伤、颗粒沾污等指标上满足更高的要求，刻蚀设备随之更新进步。
集成电路 2D 存储器件的线宽已接近物理极限，NAND 闪存已进入 3D 时代。目前 128 层 3D
NAND 闪存已进入大生产，200 层以上闪存已处于批量生产阶段，更高层数正在开发。3D NAND
制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数。刻蚀要在氧化
硅和氮化硅的叠层结构上，加工 40：1 到 60：1 甚至更高的极深孔或极深的沟槽。3D NAND 层
数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比，并且对刻蚀设备的需求比例进一步加大。
制造照明用蓝光 LED 外延片的 MOCVD 技术已达到较为成熟的阶段，MOCVD 设备企业目
前主要在提高大规模外延生产所需的性能、降低生产成本、具备大尺寸衬底外延能力等方面进行
技术开发，以满足下游应用市场的需求。
应用于 Mini-LED 新型显示应用的 MOCVD 设备发展较为迅速，公司所开发的 MOCVD 设备
PRISMO UniMax 广泛应用到领先客户的 Mini-LED 外延生产线，占据行业主导地位。
应用于 Micro-LED 高端显示的 MOCVD 设备还处于研发阶段，产业链对 Micro-LED 外延片
在产出波长均匀性、颗粒度等方面有极为苛刻的技术要求，以此降低 Micro-LED 应用的制造成本，
加速高端显示市场的推广。MOCVD 设备企业后续主要将在提升产出波长均匀性，减少外延片颗
粒度，提高芯片良率，提升设备的自动化性能以及大尺寸外延片加工能力等方面进行技术突破，
从而推进产品的不断进步。中微公司开发的 Micro-LED 高端显示应用的 MOCVD 生产设备进展顺
利，实验室结果实现了优良的波长均匀性能，并于报告期内付运样机至国内领先客户开展生产验
证。
应用于氮化镓功率器件生产的 MOCVD 设备处于快速发展阶段。公司也于 2022 年推出了用
于氮化镓功率器件生产应用的 MOCVD 设备 PRISMO PD5，目前已交付客户进行生产验证，并取
得了重复订单。除此之外，公司正在开发新一代氮化镓功率器件应用的 MOCVD 设备，将进一步
提升设备性能，降低客户生产成本，持续提升公司在氮化镓基 MOCVD 设备领域的竞争力。
应用于碳化硅功率器件的外延设备处于快速发展阶段，行业现有生产设备主要适用于 6 英寸
碳化硅衬底；随着 8 英寸衬底成本的持续下降，未来将逐渐过渡至 8 英寸的外延生产。公司针对
行业发展的新趋势，在机台产出一致性，设备自动化性能，产出效率，硬件稳定性等方面进一步
优化性能，以满足下游客户对外延片产出性能和产出经济性等方面的苛刻需求，目前开发进展顺
利，实验室结果实现了优良的工艺性能，后续将与下游客户开展合作，并付运样机至客户端开展
生产验证。
从上个世纪末开始，主流的半导体工艺节点开始采用钨作为接触孔材料，以减少纯铝连接对
前端器件的损伤，到如今钨依然是接触孔工艺的主流方案。伴随着技术节点的推进，器件外阻逐
渐超过内阻，成为影响器件速率的关键因素，同时器件密度的提高使得原本的单层接触孔结构向
多层接触孔演变。在先进的节点，钨接触孔是目前最有竞争力的解决方案。
CVD 钨制程需要良好的附着和阻挡层，一般是用附着性、稳定性以及阻挡性都非常优秀的氮
化钛材料。在传统工艺中，关键尺寸比较大，填充难度不高，业界都是用物理气相沉积的方法来
沉积氮化钛。如今主流的逻辑和存储芯片接触孔或者连线的关键尺寸很小，深宽比很高，传统的
物理气相沉积氮化钛由于较低的阶梯覆盖率，不能够满足高端器件的需求。原子层沉积的氮化钛
具有优秀的阶梯覆盖率，逐渐成为接触孔阻挡层和粘结层的主要选择。
国际国内先进逻辑器件工艺节点向 5 纳米及更先进工艺方向发展，器件互联电阻逐渐增大成
为影响器件速度的关键因素。在 90 纳米到 28 纳米的传统工艺节点中，降低接触孔电阻的关键是
降低钨膜的电阻率。但是在 14 纳米及更先进工艺节点，金属阻挡层、金属形核层对接触孔阻值的
影响越来越明显，如何减少或者消除阻挡层和形核层的电阻是降低接触孔电阻的关键。钴、钼、
钌等金属的应用以及无阻挡层的工艺也在更先进工艺节点上开发和应用。先进逻辑器件还需要均
匀性和稳定性更好的金属栅的填充技术，以提高器件的性能和稳定性。随着 3D NAND 堆叠层数
增加，阶梯接触孔的深宽比会达到 40：1 到 60：1 以上，这对氮化钛阻挡层的生长和极高深宽比
的钨填充都提出了更高的要求，堆叠层数的提高还需要更具挑战性的 WL 线路填充，包括更高的
深宽比和更长的横向填充。这些新工艺都要通过先进的金属 CVD 或 ALD 来实现。
半导体在技术上的不断突破所带来的应用迭代，改变了许多传统行业亦催生出众多应用，如
互联网、智能手机、人工智能、5G、自动驾驶等新兴产业。半导体的制造离不开半导体设备，半
导体设备行业的持续发展间接地促进了各类新产业的诞生。
集成电路应用领域中，人工智能、大数据、可穿戴设备、自动驾驶汽车、智能机器人等应用
的发展将释放出大量芯片制造的需求，进一步推动上游半导体设备行业的稳步增长。
光电子 LED 产业中，以 LED 新型显示为代表的新兴产业，逐渐成为显示行业追逐的热点。
当前新兴的小间距 LED 显示在物理拼缝、显示效果、功耗、使用寿命方面均有优越表现，未来随
着 Mini-LED 和 Micro-LED 技术的进一步发展和完善，LED 新型显示产业有望成为继 LED 照明
产业后 MOCVD 应用产业发展最迅速的版块之一。
在化合物半导体功率器件领域，随着新基建、“碳达峰、碳中和”的政策与规划密集推出，化
合物半导体在清洁能源、新能源汽车及充电桩、功率器件快充、大数据中心等应用市场的需求已
经开始呈现出快速增长趋势。
单位：元 币种：人民币
本年比上年
增减(%)
总资产 21,525,546,561.69 20,034,781,468.88 7.44 16,732,989,003.95
归属于上市公 17,826,122,876.82 15,483,931,875.39 15.13 13,940,019,843.26
司股东的净资
产
营业收入 6,263,513,581.37 4,739,830,997.55 32.15 3,108,134,730.67
归属于上市公 1,785,907,974.46 1,169,792,388.77 52.67 1,011,423,670.06
司股东的净利
润
归属于上市公 1,191,434,841.55 919,458,510.64 29.58 324,395,998.31
司股东的扣除
非经常性损益
的净利润
经营活动产生 -976,926,439.66 617,523,432.12 -258.20 1,016,256,088.40
的现金流量净
额
加权平均净资 10.72 7.94 增加2.78个百 11.09
产收益率（% 分点
）
基本每股收益 2.89 1.90 52.11 1.76
（元／股）
稀释每股收益 2.88 1.90 51.58 1.76
（元／股）
研发投入占营 20.15 19.59 增加0.56个百 23.42
业收入的比例 分点
（%）
单位：元 币种：人民币
第一季度 第二季度 第三季度 第四季度
（1-3 月份） （4-6 月份） （7-9 月份） （10-12 月份）
营业收入 1,223,068,402.75 1,303,432,609.16 1,514,765,467.27 2,222,247,102.19
归属于上市公司股东 275,369,120.77 727,600,332.91 156,866,342.92 626,072,177.86
的净利润
归属于上市公司股东 227,851,199.82 291,062,328.13 214,738,632.19 457,782,681.41
的扣除非经常性损益
后的净利润
经营活动产生的现金 -347,642,998.50 -337,377,478.81 -591,471,445.50 299,565,483.15
流量净额
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
名股东情况
单位: 股
截至报告期末普通股股东总数(户) 37,691
年度报告披露日前上一月末的普通股股东总数(户) 38,854
截至报告期末表决权恢复的优先股股东总数（户）
年度报告披露日前上一月末表决权恢复的优先股股
东总数（户）
截至报告期末持有特别表决权股份的股东总数（户）
年度报告披露日前上一月末持有特别表决权股份的
股东总数（户）
前十名股东持股情况
包 含
质押、标记或
持有 转 融
冻结情况
有限 通 借
股东名称 报告期内 期末持股 比例 售条 出 股 股东
（全称） 增减 数量 (%) 件股 份 的 性质
股份
份数 限 售 数量
状态
量 股 份
数 量
上海创业投资有限 国 有
-2,900,000 93,483,533 15.10 0 无 0
公司 法人
巽鑫（上海）投资 国 有
-12,341,065 80,996,822 13.08 0 无 0
有限公司 法人
招商银行股份有限
公司－华夏上证科
创板 50 成份交易型 7,012,880 28,480,521 4.60 0 无 0 其他
开放式指数证券投
资基金
香港中央结算有限
公司
华芯投资管理有限
责任公司－国家集
国 有
成电路产业投资基 0 24,440,316 3.95 0 无 0
法人
金二期股份有限公
司
中国工商银行股份
有限公司－易方达
上证科创板 50 成份 5,452,167 12,171,671 1.97 0 无 0 其他
交易型开放式指数
证券投资基金
中国建设银行股份
有限公司－华夏国
证半导体芯片交易 3,333,609 10,731,116 1.73 0 无 0 其他
型开放式指数证券
投资基金
中国工商银行股份
有限公司－诺安成
-9,607,184 7,867,231 1.27 0 无 0 其他
长混合型证券投资
基金
境 内
嘉兴智微企业管理
非 国
合伙企业（有限合 -14,053,643 7,580,039 1.22 0 无 0
有 法
伙）
人
国泰君安证券股份
有限公司－国联安
中证全指半导体产
品与设备交易型开
放式指数证券投资
基金
上述股东关联关系或一致行动的说明 巽鑫（上海）投资有限公司与华芯投资管理
有限责任公司－国家集成电路产业投资基金
二期股份有限公司存在关联关系。除此之外，
未知上述其他股东是否存在关联关系或一致
行动关系。
表决权恢复的优先股股东及持股数量的说明 /
存托凭证持有人情况
□适用 √不适用
截至报告期末表决权数量前十名股东情况表
□适用 √不适用
□适用 √不适用
□适用 √不适用
□适用 √不适用
□适用 √不适用
第三节 重要事项
公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
公司 2023 年营业收入约 62.64 亿元，较 2022 年增加约 15.24 亿元，同比增长约 32.15%。
止上市情形的原因。
□适用 √不适用
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