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华虹公司: 华虹公司首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书

证券之星 2023-07-31 00:00:00
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  本次股票发行后拟在科创板市场上市，该市场具有较高的投资风险。科
                 f
创板公司具有研发投入大、经营风险高、业绩不稳定、退市风险高等特点，
投资者面临较大的市场风险。投资者应充分了解科创板市场的投资风险及本
公司所披露的风险因素，审慎作出投资决定。
            华虹半导体有限公司
       HUA HONG SEMICONDUCTOR LIMITED
        （香港中环夏悫道 12 号美国银行中心 2212 室）
    首次公开发行人民币普通股（A 股）股票
         并在科创板上市招股说明书
           联席保荐人（联席主承销商）
中国（上海）自由贸易试验区商城路 618 号        上海市广东路 689 号
                联席主承销商
广东省深圳市福田区中心三路 8 号卓越时代    北京市朝阳区建国门外大街 1 号国贸大厦
     广场（二期）北座                 2 座 27 层及 28 层
上海市黄浦区中山南路 318 号东方国际金融   北京市西城区阜成门外大街 29 号 1-9 层
      广场 2 号楼 24 层
华虹半导体有限公司                     招股说明书
               声    明
  中国证监会、交易所对本次发行所作的任何决定或意见，均不表明其对发行
人注册申请文件及所披露信息的真实性、准确性、完整性作出保证，也不表明其
对发行人的盈利能力、投资价值或者对投资者的收益作出实质性判断或保证。任
何与之相反的声明均属虚假不实陈述。
  根据《证券法》的规定，股票依法发行后，发行人经营与收益的变化，由发
行人自行负责；投资者自主判断发行人的投资价值，自主作出投资决策，自行承
担股票依法发行后因发行人经营与收益变化或者股票价格变动引致的投资风险。
华虹半导体有限公司                                         招股说明书
                 本次发行概况
发行股票类型        人民币普通股（A 股）
              本次公开发行的股票数量为 407,750,000 股，占发行后总股本
发行股数
              的 23.76%。本次发行均为新股，不涉及股东公开发售股份
              根据《公司条例》第 135 条，公司本次发行的人民币普通股
每股面值
              （A 股）股票无面值
每股发行价格        人民币 52.00 元
发行日期          2023 年 7 月 25 日
拟上市的交易所和板块    上海证券交易所科创板
发行后股份总数
联席保荐人（联席主承销商） 国泰君安证券股份有限公司、海通证券股份有限公司
              中信证券股份有限公司、中国国际金融股份有限公司、东方
联席主承销商
              证券承销保荐有限公司、国开证券股份有限公司
招股说明书签署日期     2023 年 7 月 31 日
    注：本次发行股数上限已经发行人董事会审议通过，本次发行前后股份总数均以 2023
年 6 月 30 日为基准计算，若未来行权导致股份总数发生变化，股份总数将相应调整。
华虹半导体有限公司                                                                                                           招股说明书
                                                          目          录
华虹半导体有限公司                                                                                                           招股说明书
     七、持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况 ........ 59
     九、发行人生产经营中涉及的主要环境污染物、主要处理设施及处理能力
华虹半导体有限公司                                                                                                           招股说明书
     二、注册地的公司法律制度、《公司章程》与境内《公司法》等法律制度的
     四、报告期内违法违规及受处罚、监管措施、纪律处分或自律监管措施情况
华虹半导体有限公司                                                                                                        招股说明书
      附表八：落实投资者关系管理相关规定的安排、股利分配决策程序、股东投
      附表九：股东大会、董事会、独立董事、董事会秘书制度的建立健全及运行
华虹半导体有限公司                                                                招股说明书
华虹半导体有限公司                                                              招股说明书
                           第一节 释义
一、一般释义
华虹半导体、发行人、
                   指   Hua Hong Semiconductor Limited（华虹半导体有限公司）
公司、本公司
华虹 NEC             指   上海华虹 NEC 电子有限公司
华虹集团               指   上海华虹（集团）有限公司
华虹国际               指   Shanghai Hua Hong International, Inc.（上海华虹国际公司）
NEC                指   NEC Corporation（日本电气株式会社）
Newport            指   Newport Fab LLC
上海联和               指   上海联和投资有限公司
联和国际               指   Sino-Alliance International, Ltd
                       Wisdom Power Technology Limited., Sino-Alliance
Wisdom Power       指
                       International, Ltd 全资子公司
                       Xinxin （Hongkong） Capital Co., Limited（鑫芯（香港）
鑫芯香港               指
                       投资有限公司）
张江集团               指   上海张江（集团）有限公司
                       Shanghai Zhangjiang International Corporation（上海张江国际
张江国际               指
                       有限公司）
Zhangjiang GU KE   指   Zhangjiang GU KE Company Limited
大基金                指   国家集成电路产业投资基金股份有限公司
仪电集团               指   上海仪电（集团）有限公司
上海国盛               指   上海国盛（集团）有限公司
上海国际               指   上海国际集团有限公司
上海贝岭               指   上海贝岭股份有限公司
上海华虹宏力             指   上海华虹宏力半导体制造有限公司
华虹无锡               指   华虹半导体（无锡）有限公司
无锡置业               指   华宏置业（无锡）有限公司
                       华虹半导体制造（无锡）有限公司，华虹半导体的控股子公
华虹制造               指
                       司，募投项目华虹制造（无锡）项目的实施主体
力鸿科技               指   Global Synergy Technology Limited（力鸿科技有限公司）
Grace Cayman       指   Grace Semiconductor Manufacturing Corporation
HHGrace USA        指   HHGrace Semiconductor USA, Inc
HHGrace Japan      指   HHGrace Semiconductor Japan Co., Ltd.
华虹科技               指   上海华虹科技发展有限公司
华虹投资               指   上海华虹投资发展有限公司
华虹半导体有限公司                                         招股说明书
华虹置业         指   上海华虹置业有限公司
华锦物业         指   上海华锦物业管理有限公司
                 上海华力微电子有限公司和上海华力集成电路制造有限公
上海华力         指
                 司
上海集成         指   上海集成电路研发中心有限公司
华力微          指   上海华力微电子有限公司
华力集          指   上海华力集成电路制造有限公司
台积电          指   台湾积体电路制造股份有限公司
格罗方德         指   Global Foundries Inc.
联华电子         指   联华电子股份有限公司
中芯国际         指   中芯国际集成电路制造有限公司
世界先进         指   世界先进积体电路股份有限公司
高塔半导体        指   Tower Semiconductor Ltd.
晶合集成         指   合肥晶合集成电路股份有限公司
英飞凌          指   Infineon Technologies AG
德州仪器         指   Texas Instruments Incorporated
华润微          指   华润微电子有限公司
                 贸易条款，卖方于其营业处所或其他指定地（即工场、工厂、
EXW          指
                 仓库等）交由买方处置时，即属卖方交货完成
                 贸易条款，卖方将货物放置于指定装运港由买方指定的船舶
FOB          指
                 上即为交货
                 贸易条款，成本、保险费加运费，在装运港当货物越过船舷
CIF          指
                 时卖方即完成交货
                 贸易条款，卖方于其营业处所或其他指定地，将货物交付买
FCA          指
                 方指定的运送人或其他人即为卖方完成交货
                 贸易条款，卖方在指定的目的地将货物交给买方处置，不办
DDU          指   理进口手续，也不从交货的运输工具上将货物卸下，即完成
                 交货
                 贸易条款，卖方在指定目的地，将已经办妥进口通关手续仍
DDP          指   放置在到达的运送工具上准备卸载的货物交由买方处置时，
                 即属于卖方交货
保荐人、联席保荐人    指   国泰君安证券股份有限公司、海通证券股份有限公司
国泰君安证券、国泰君
             指   国泰君安证券股份有限公司
安
海通证券         指   海通证券股份有限公司
发行人律师、通力     指   上海市通力律师事务所
发行人会计师、安永    指   安永华明会计师事务所（特殊普通合伙）
《公司法》        指   《中华人民共和国公司法》
《证券法》        指   《中华人民共和国证券法》
华虹半导体有限公司                                  招股说明书
《注册办法》       指   《首次公开发行股票注册管理办法》
《审核规则》       指   《上海证券交易所股票发行上市审核规则》
《科创板上市规则》    指   《上海证券交易所科创板股票上市规则》
《联交所上市规则》    指   《香港联合交易所有限公司证券上市规则》，包括其附录
《上市规则》       指   《科创板上市规则》和/或《联交所上市规则》
                 《国务院办公厅转发证监会关于开展创新企业境内发行股
《若干意见》       指
                 票或存托凭证试点若干意见的通知》（国办发[2018]21 号）
                 《试点创新企业境内发行股票或存托凭证并上市监管工作
《实施办法》       指
                 实施办法》（中国证券监督管理委员会公告[2023]12 号）
                 中国香港《公司条例》（香港法例第 622 章）（自 2014 年
《公司条例》       指   3 月 3 日起）及其不时修订，或者根据上下文指中国香港旧
                 《公司条例》（香港法例第 32 章）
                 发行人制定及不时修订的《华虹半导体有限公司之组织章程
《公司章程》       指
                 细则》
                 发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG
《组织章程细则》     指   SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）组织
                 章程细则》
《审核委员会的职权范       发行人本次 A 股发行上市后适用的《审核委员会的职权范
             指
围》               围》
《薪酬委员会的职权范       发行人本次 A 股发行上市后适用的《薪酬委员会的职权范
             指
围》               围》
《提名委员会的职权范       发行人本次 A 股发行上市后适用的《提名委员会的职权范
             指
围》               围》
                 发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG
《股东大会议事规则》   指   SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）股东
                 大会议事规则》
                 发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG
《董事会议事规则》    指   SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）董事
                 会议事规则》
                 发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG
《对外担保管理制度》   指   SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）对外
                 担保管理制度》
                 发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG
《对外投资管理制度》   指   SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）对外
                 投资管理制度》
                 发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG
《关连（联）交易管理
             指   SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）关连
制度》
                 （联）交易管理制度》
                 发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG
《募集资金管理制度》   指   SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）募集
                 资金管理制度》
                 发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG
《投资者关系管理制
             指   SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）投资
度》
                 者关系管理制度》
                 发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG
《信息披露管理制度》   指   SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）信息
                 披露管理制度》
华虹半导体有限公司                                                  招股说明书
招股说明书、本招股说             《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）
                   指
明书                     股票并在科创板上市招股说明书》
上海市国资委             指   上海市国有资产监督管理委员会
中国证监会              指   中国证券监督管理委员会
香港联交所              指   香港联合交易所有限公司
香港证监会              指   香港证券及期货事务监察委员会
上交所                指   上海证券交易所
科创板                指   上海证券交易所科创板
                       在中国境内证券交易所上市的以人民币认购和进行交易的
A 股股票、A 股          指
                       普通股股票
港股                 指   在香港联交所上市的以港币认购和进行交易的普通股股票
                       如无特别指明，指人民币元、人民币千元、人民币万元、人
元、千元、万元、亿元         指
                       民币亿元
最近三年、报告期           指   2020 年度、2021 年度、2022 年度
二、专业释义
                   晶圆指制造半导体芯片的衬底（也叫基片）。由于是圆形晶体材
      晶圆       指   料，所以称为晶圆。按照直径进行分类，主要包括 4 英寸、5 英
                   寸、6 英寸、8 英寸、12 英寸等规格
                   Integrated Circuit 的简称，也称集成电路，是一种微型电子部件。
                   采用半导体制造工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容
 IC、集成电路       指   和电感等元件及它们之间的连接导线全部制作在一小块半导体芯
                   片如硅片或介质基片上，然后焊接封装在一个管壳内，成为具有
                   所需电路功能的电子器件
                   制造半导体芯片时，将电路印制在硅晶圆上所使用的图形母版，
     光掩模版      指   是根据芯片设计公司设计的电路版图转换成芯片制造的图形，又
                   被称掩模、掩模版、光罩
                   “封装、测试”的简称；“封装”指为芯片安装外壳，起到安放、
      封测       指   固定、密封、保护芯片等作用；“测试”指检测封装前后的芯片
                   电性是否可正常运作与符合设计规格
                   也称作特征尺寸，通常为半导体芯片制造过程中，最小晶体管通
      线宽       指
                   道长度的尺寸
                   Integrated Device Manufacturer，指垂直整合制造工厂，是集芯片
      IDM      指   设计、芯片制造、封装测试及产品销售于一体的整合元件制造商，
                   属于半导体行业的一种业务模式
                   泛指芯片设计公司，指没有芯片制造业务、只专注于芯片设计与
     Fabless   指   销售的一种业务模式。Fabless 公司负责芯片的电路设计与销售，
                   一般将生产、测试、封装等环节外包
                   泛指晶圆代工模式，专门负责芯片制造，不负责芯片设计，可同
     Foundry   指
                   时为多家芯片设计公司或 IDM 公司提供代工服务
                   传递和处理离散信号，以二进制为原理，实现数字信号逻辑运算
     逻辑电路      指
                   和操作的电路
      射频       指   高频交流变化电磁波的信号处理电路
                   CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor），互补金属
     CMOS      指
                   氧化物半导体。   CMOS 的制造技术原理主要是利用共存着带 N               （带
华虹半导体有限公司                                                        招股说明书
                 -电）和 P（带+电）级的半导体
    CIS      指   CMOS Image Sensor，CMOS 图像传感器
                 Bipolar-CMOS-DMOS 的简称，一种结合了双极型、CMOS 和
    BCD      指   DMOS 的单片 IC 制造工艺。相对于传统的双极功率工艺，BCD
                 为一种单芯片功率集成电路技术
                 DMOS 是双重扩散 MOSFET（Double Diffused MOSFET）的缩写。
                 DMOS 主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管
   DMOS      指   VD MOSFET（verticaldouble-diffused MOSFET）和横向双扩散金
                 属氧化物半导体场效应管 LD MOSFET（lateral double-diffused
                 MOSFET）
                 完成所有工艺步骤后测试合格的芯片的数量与整片晶圆上的有效
    良率       指   芯片的比值。晶圆良率越高，同一片晶圆上产出的好芯片数量越
                 多，芯片单位成本越低
NVM/非易失性存        Non-volatile memory，非易失性存储器，它涵盖了所有在掉电后
             指
    储器           仍能保持其内容的存储组件
                 是一种非易失性存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存
  Flash/闪存   指
                 储器
   嵌入式       指   将 IP 模块或工艺模块集成至芯片或基础工艺的简称
                 Embedded non-volatile memory，缩写为 eNVM，用于满足各种嵌
嵌入式非易失性存         入式系统应用程序的小型芯片，eNVM 被广泛应用于需要存储代
             指
   储器            码程序、客户数据或其他重要信息的芯片，如智能卡芯片、MCU
                 等
独立式非易失性
             指   Standalone non-volatile NOR flash memory，标准 NOR 型闪存芯片
 NOR 存储器
   e-Flash   指   嵌入式闪存
                 电源管理芯片（Power Management Integrated Circuits， PMIC），
 电源管理芯片      指   是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电
                 能管理的职责的芯片
    LCD      指   Liquid Crystal Display 的简称，指液晶显示屏
                 Micro controller Unit 的简称，指微控制单元，又称单片微型计算
                 机或者单片机，是把中央处理器的频率与规格做适当缩减，并将
   MCU       指   内存、计数器、USB、A/D 转换、UART、PLC、DMA 等周边接
                 口，甚至 LCD 驱动电路都整合在单一芯片上，形成芯片级的计算
                 机，为不同的应用场合做不同组合控制
                 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管
                 （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），
                 一种电压控制器件，是以金属层的栅极隔着氧化层利用电场的效
  MOSFET     指
                 应来控制半导体的场效应晶体管，可以广泛使用在模拟电路与数
                 字电路，MOSFET 依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，
                 可分为“N 型”与“P 型”两种极性
                 一种新型中低压 MOSFET 技术，这种技术利用电荷补偿原理改变
    SGT      指   了 MOSFET 内部电场的形态，同时获得极低的导通电阻和栅漏电
                 容（Cgd），有效降低了系统的导通损耗和开关损耗
                 Super Junction，超级结，一种新型高压 MOSFET 制造工艺，是利
                 用平行的 PN 结来提供横向耗尽区承受耐压，因而可以在很浓的
     SJ      指
                 N EPI 上形成 MOSFET，所以可以在承受高耐压的同时，得到极
                 低的导通电阻，与其他晶体管拓扑结构相比，它在按面积计算的
华虹半导体有限公司                                                             招股说明书
                         导通电阻方面具有明显的优势，相应地降低损耗，价格更加低廉，
                         用于切换更高电压和电流的应用
                         绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET 和双极性晶体管的优
      IGBT           指   点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高等
                         特点
                         “Universal Serial Bus”的缩写，即通用串行总线，是一个外部总
      USB            指
                         线标准，用于规范电脑与外部设备的连接和通讯
                         “Electrically Erasable Programmable read only memory”的缩写，
    EEPROM           指   即带电可擦可编程只读存储器，是一种掉电后数据不丢失的存储
                         芯片
                         “Micro Electromechanical System”的缩写，即微机电系统，是指
     MEMS            指   尺寸在几毫米乃至更小的装置，其内部结构一般在微米甚至纳米
                         量级，是一个独立的智能系统
                         不同于集成电路，分立器件就是具有单一功能的电路基本元件，
    分立器件             指
                         常见的分立器件有晶体管、二极管、电阻、电容、电感等
                         分立器件板块的一个分支，主要用于电力设备的电能变换和控制
    功率器件             指
                         电路方面大功率的电子器件，如 MOSFET、SJ 和 IGBT
    功率芯片             指   通常由功率器件、电源管理和驱动电路集成的 IC
   功率半导体             指   功率器件与功率芯片的统称
                         半导体 IP（Intellectual Property），一般指在集成电路设计中，经
        IP           指
                         过验证的、可重复使用且具备特定功能的集成电路模块
 IC Insights & IBS
      & Yole
Development & IHS
                     指   知名的半导体行业研究机构
   Markit &
WSTS & Gartner&
    TrendForce
   约当 8 英寸           指
                         以 2.25
       nm            指   纳米，长度的度量单位，1nm 等于 10 的负 9 次方米
       ?m            指   微米，长度的度量单位，1?m 等于 10 的负 6 次方米
    本招股说明书中部分合计数与各加数直接相加之和在尾数上存在差异，这些
差异是由于四舍五入造成的。
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                  第二节 概览
  本概览仅对招股说明书全文做扼要提示。投资者作出投资决策前，应认真阅
读招股说明书全文。
一、重大事项提示
  （一）风险提示
  公司提醒投资者关注“风险因素”中的下列风险，并认真阅读本招股说明书
“第三节 风险因素”中的全部内容。
  半导体行业是资本、人才及技术密集性行业，从晶圆制造工艺到下游产品需
求等技术更新的迭代速度较快。公司以先进特色工艺领域作为自身战略发展方向，
包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频
等特色工艺平台。随着汽车电子、工业控制、新能源等领域的快速发展和市场需
求，如嵌入式/独立式存储平台中的 MCU 产品、逻辑及射频平台中的逻辑类产品
均已出现向更先进工艺节点的拓展需求，而电源管理平台中应用的 BCD 工艺以
及 IGBT 等功率器件领域亦已出现向更高电压水平等性能拓展的技术需求，公司
需不断结合代工产品及市场需求，升级自身的技术水平和研发能力，以保持足够
的技术竞争力。报告期内，公司研发费用分别为 73,930.73 万元、51,642.14 万元
和 107,667.18 万元，与行业龙头相比仅处于中等规模。
  未来，如果受到硬件限制、研发投入不足或技术人才流失等影响，发行人可
能无法在相关技术及工艺领域紧跟技术迭代，亦或大量研发投入未能获得理想效
果及适应需求变化，则可能难以保持其在相关市场的竞争地位，从而对公司后续
长期技术发展、经营及财务状况产生不利影响。
  受到全球宏观经济的波动、行业景气度、产能周期性等因素影响，半导体行
业存在一定的周期性。2020 年受疫情爆发影响全球经济走弱，2022 年一二季度
受到疫情反弹、地缘冲突等影响，智能手机需求走弱，未来全球经济的走势会影
响到半导体行业景气度的变化。因此，半导体行业的发展与宏观经济整体发展密
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切相关。同时，半导体行业晶圆制造环节的产能扩充呈现周期性变化特征，通常
下游需求变化速度较快，而上游产能的增减则需要更长的时间。因此，半导体行
业供应端产能增长无法完美匹配半导体行业需求端的变化，导致行业会出现供需
关系周期性的变化，也会带来行业价格和利润率的变化。报告期各期，公司在消
费电子领域的收入分别为 410,113.51 万元、670,625.64 万元和 1,075,329.63 万元，
占主营业务收入的比例分别为 61.77%、63.73%和 64.52%，如果宏观经济波动较
大或长期处于低谷，消费电子等下游市场需求的波动和低迷亦会导致半导体产品
的需求下降，进而影响半导体晶圆代工企业的盈利能力。宏观经济环境以及下游
市场的整体波动可能对公司的经营业绩造成一定的影响。
   目前全球晶圆代工技术已发展至较高水平，以台积电为代表的国际龙头企业
已实现 5nm 及以下工艺节点量产，联华电子、格罗方德等企业亦已将工艺节点
推进至 14nm 及以下水平，而发行人目前工艺节点尚处于 55nm 的成熟制程范围，
与国际龙头企业及先进工艺节点存在较大差距。随着晶圆代工下游产业技术需求
的不断提升，先进制造工艺已成为晶圆代工的核心竞争力，凭借先进工艺竞争力
及全面的工艺平台覆盖，根据 IC Insights 的报告，2021 年台积电占有全球晶圆
代工市场约 50%的市场份额。与其相比，发行人在产线数量、营业收入存在较大
差距，因此在工艺平台覆盖、代工产品种类上亦会受到影响，这对公司争夺先进
工艺节点下的高端晶圆代工市场、提升规模经济效应、产品议价能力及市场竞争
力带来不利影响。
   同时，受地缘政治等因素影响，该等差距可能在中短期内无法消除，如发行
人无法持续进行工艺进步与技术创新，导致与国际主流厂商差距扩大，可能进一
步造成发行人在更为激烈的竞争环境下现有市场份额逐步减少，无法满足现有和
未来潜在客户的需求，从而对发行人持续经营造成不利影响。
   公司为一家根据香港《公司条例》设立的公司。根据《若干意见》的规定，
试点红筹企业的股权结构、公司治理、运行规范等事项可适用境外注册地公司法
等法律法规规定。公司的公司治理制度需遵守香港《公司条例》和《组织章程细
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则》的规定，与目前适用于注册在中国境内的一般境内 A 股上市公司的公司治
理模式在利润分配机制、重大事项决策程序、剩余财产分配等方面存在一定差异。
  上述差异的具体内容详见本招股说明书“第八节 公司治理与独立性”之“二、
注册地的公司法律制度、
          《公司章程》与境内《公司法》等法律制度的主要差异”。
  公司的 A 股公众股东可以依据《证券法》《中华人民共和国民事诉讼法》
《中华人民共和国涉外民事关系法律适用法》等法律法规及相关的司法解释，向
中国境内具有管辖权的人民法院提起民事诉讼来维护其权益，追究相关责任人的
法律责任。
  由于公司注册地在中国香港，受香港法院管辖，若 A 股公众股东拟于香港
法院对公司提起诉讼，须提供能够得到香港法院认可且具有法律效力的证明文件，
加之内地与香港在审理依据、诉讼程序等司法制度方面不尽相同，因此 A 股公
众股东通过诉讼方式寻求保护自身权利存在不确定性，且可能需要承担额外的成
本。根据《关于内地与香港特别行政区法院相互认可和执行当事人协议管辖的民
商事案件判决的安排》（2008 年 8 月 1 日生效），对于内地人民法院和香港法
院在具有书面管辖协议的民商事案件中作出的须支付款项的具有执行力的终审
判决，当事人可以向相关法院申请认可和执行，但是根据该安排提起诉讼的结果
及可执行性面临一定的不确定性。
  公司注册地、上市地和生产经营地所在司法管辖区的立法机关、政府部门或
其他监管机构可能不时发布、更新法律法规或规范性文件，公司于美国、日本、
开曼群岛、中国内地及香港地区均设有子公司，需要同时接受境内外监管机构的
监督与管理，遵守各相关司法管辖区的适用法律法规。如被监管机构认定为未能
完全遵守相关规定，则公司可能面临被处罚或被采取监管措施，从而可能引致业
务发展和经营业绩的不利影响。
  公司使用的主要生产设备和原材料有较大部分向境外供应商采购。公司坚持
国际化运营，自觉遵守国际间有关出口管制的原则，自成立以来始终合规运营，
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依法开展生产经营活动。但未来不排除相关国家出口管制政策进行调整的可能，
从而导致公司面临设备、原材料供应发生变动等风险，导致公司生产受到一定的
限制，进而对公司的业务和经营产生不利影响。
  公司的资金需求包括向公司股东支付股利及其他现金分配、支付公司在中国
境外可能发生的任何债务本息，以及支付公司的相关运营成本与费用。公司是一
家控股型公司，实际生产运营实体位于中国境内，境内运营子公司向发行人进行
股利分配是满足公司的资金需求的重要方式之一。
  根据《公司法》的规定，中国公司必须在弥补亏损和提取法定公积金后方可
向股东分配税后利润，故如果境内运营子公司存在未弥补亏损，则无法向上层股
东进行股利分配。此外，即使在境内运营子公司根据中国法律、法规和规范性文
件规定存在可分配利润的情况下，发行人从境内运营子公司获得股利分配还可能
受到中国外汇相关法律、法规或监管政策的限制，从而导致该等境内运营子公司
无法向发行人分配股利。
  如发生上述境内运营子公司无法分配股利的情况，则发行人的资金需求可能
无法得到满足，进而影响发行人向债权人的债务偿还，以及其他运营成本与费用
的正常开支，对发行人的持续经营产生不利影响，发行人向投资人分配股利的能
力也将受到较大负面影响。
  对于本次发行 A 股股票并在科创板上市，公司就稳定股价、履行信息披露
义务等事宜作出了一系列重要承诺。其中，稳定股价承诺的具体措施包括回购公
司股票。鉴于公司为一家注册在香港并在香港联交所上市的红筹企业，在执行股
票回购等稳定股价措施时可能涉及资金跨境流动，须遵守中国外汇管理的相关规
定。因此，任何现有和未来的外汇管制措施有可能限制公司通过回购等方式履行
稳定股价的承诺。
  本次发行上市后，公司将根据《科创板上市规则》及其他适用法律法规在中
国境内履行持续信息披露义务，同时仍将根据《联交所上市规则》及其他适用法
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律法规在境外市场履行持续信息披露义务。境内外持续信息披露在定期报告、临
时公告等若干方面存在一定的差异。投资者可能因为信息披露的差异而影响投资
决策，从而可能面临一定的投资风险。同时，根据公司注册地及境外上市地法律
法规的要求，公司的注册文件及信息披露文件等存在以英文书就的情况，因此境
内投资者可能面临阅读和理解困难。
  发行人本次发行拟募集资金 180 亿元，其中华虹制造（无锡）项目拟使用募
集资金 125 亿元，占拟募集资金总额的比例为 69.44%。8 英寸厂优化升级项目、
特色工艺技术创新研发项目和补充流动资金拟使用募集资金分别为 20 亿元、25
亿元和 10 亿元，占拟募集资金总额的比例分别为 11.11%、13.89%和 5.56%。
  华虹制造（无锡）项目的实施主体为华虹制造，发行人已经对本次募投项目
进行了充分的分析和论证，但该可行性分析是基于当前市场环境、发行人现有业
务状况和未来发展战略等因素形成的，若前述因素发生重大变化，比如未来实施
主体的股权结构因各种原因发生变更，可能导致对实施主体的公司治理和经营管
理造成不利影响；华虹制造（无锡）项目预计总投资额为 67 亿美元，其中 40.2
亿美元将由该项目实施主体各股东以增资方式向华虹制造投入资金，剩余 26.8
亿美元将以债务融资方式筹集。而发行人持有华虹制造 51%股权，需要以增资方
式向华虹制造投入 20.5 亿美元，发行人出资来源为本次发行的募集资金和自有
资金。如发行人本次发行的募集资金不足，或自有资金和实施主体的其他股东的
资金未能及时到位，或相关银行未能及时提供贷款资金，可能导致项目资金无法
及时到位。
  对于其他三个募投项目，如本次发行募集资金不足，也可能导致项目资金无
法及时到位。
  结合上述情况，本次募投项目可能存在无法顺利实施的风险。
  （二）发行人股份登记及股东名册管理
  公司本次拟于上海证券交易所科创板发行并上市的 A 股股票由中国结算上
海分公司负责办理登记、存管与结算。公司已在香港联交所上市，不涉及在境内
登记与存管的本次公开发行前已发行的股票。中国结算上海分公司出具的证券登
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记记录可以证明 A 股股东的股东身份，登记于中国结算上海分公司电子簿记系
统内的持有人有权行使《组织章程细则》赋予公司股东的全部合法权利。A 股股
东如需取得具有法律效力的证券持有及变动记录证明，应当按照中国境内相关业
务规定申请办理。
  公司根据相关法律法规于中国境内建立并存放股东名册（以下简称“A 股股
东名册”），该 A 股股东名册是 A 股股东持有公司 A 股股票的合法证明。公
司现有且存放于中国香港的股东名册（以下简称“港股股东名册” ）记载公司港
股股票的信息，不会载入本次发行的 A 股股票的信息。A 股股东名册与港股股
东名册将共同记载本次发行后公司全部已发行股份的信息。
  （三）发行人股票无面值并以人民币为股票交易币种在上海证券交易所科
创板进行交易
  根据《若干意见》的规定，试点红筹企业的股权结构、公司治理、运行规范
等事项可适用境外注册地公司法等法律法规规定。公司作为一家注册于中国香港
并在香港联交所上市的红筹企业，根据《公司条例》的规定，香港注册公司的面
值制度自 2014 年 3 月 3 日起被全面取消，因此公司股份无面值。公司本次发行
的股票拟于上交所上市，根据中国结算关于股票登记结算的相关规定，人民币普
通股（A 股）股票以人民币结算。公司本次发行的股票无面值，以人民币为股票
交易币种在上交所交易。
  （四）关于同业竞争
  截至 2022 年 12 月 31 日，除本公司及其直接或间接控制的子公司以外，华
虹集团控制的其他企业中，华力微与发行人存在同业竞争。发行人和华力微在历
史沿革、资产、人员、商标商号等方面相互独立，双方在总体定位和工艺路线方
面存在显著差异；在不同工艺节点的重合工艺平台，工艺节点是衡量代工能力的
关键因素，双方不具有替代性、竞争性和利益冲突，不存在同业竞争；但在重合
工艺节点的重合工艺平台，双方存在同业竞争，但不存在利益输送或相互让渡商
业机会等情形，也不构成重大不利影响的同业竞争。具体详见本招股说明书“第
八节 公司治理与独立性”之“八、同业竞争”。
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   （五）财务报告审计截止日后主要财务信息和经营情况
   公司财务报告审计截止日为 2022 年 12 月 31 日。财务报告审计基准日至本
招股说明书签署日，公司的整体经营环境未发生重大变化，公司经营状况良好，
公司主营业务的经营模式、主营业务的采购模式及采购价格、主要产品的生产、
销售模式及价格、主要客户及供应商的构成、主要经营管理层及核心技术人员、
税收政策以及其他可能影响投资者判断的重大事项等方面均未发生重大变化，亦
未发生其他可能影响投资者判断的重大事项。
   安永华明对公司 2023 年 3 月 31 日的资产负债表、2023 年 1-3 月的利润表、
现金流量表以及相关财务报表附注进行了审阅，并出具了安永华明（2023）专字
第 60985153_B06 号《审阅报告》。经审阅，公司财务报告审计截止日后主要财
务信息如下：
   （1）合并资产负债表主要数据
                                                              单位：万元
     项目         2023 年 3 月 31 日        2022 年 12 月 31 日       变动幅度
资产合计                   4,943,625.98           4,787,661.43       3.26%
负债合计                   1,888,103.35           2,033,597.98      -7.15%
所有者权益合计                3,055,522.63           2,754,063.46      10.95%
   截至 2023 年 3 月 31 日，公司资产合计为 4,943,625.98 万元，较 2022 年末
增长 3.26%，总体保持稳定；公司负债合计为 1,888,103.35 万元，较 2022 年末下
降 7.15%，主要系支付资本性开支及上年度计提的年终奖金所致；期末所有者权
益为 3,055,522.63 万元，较 2022 年末增长 10.95%。
   （2）合并利润表主要数据
                                                              单位：万元
          项目            2023 年 1-3 月        2022 年 1-3 月      变动幅度
营业收入                          437,430.04         380,717.80     14.90%
营业利润                            90,258.31         61,550.24     46.64%
利润总额                            90,296.49         59,078.85     52.84%
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       项目            2023 年 1-3 月         2022 年 1-3 月         变动幅度
净利润                         96,645.70           63,627.35           51.89%
归属于母公司所有者的净利润              104,422.82           64,164.64           62.74%
扣除非经常性损益后归属于母
公司所有者的净利润
主要原因系生产经营规模持续增长；扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的
净利润为 100,130.55 万元，较 2022 年同期增长 68.93%,主要原因系收入规模和毛
利率同比均有所增长。
  （3）合并现金流量表主要数据
                                                                单位：万元
       项目            2023 年 1-3 月        2022 年 1-3 月         变动幅度
经营活动产生的现金流量净额            101,219.24           126,992.02           -20.29%
投资活动产生的现金流量净额            -148,926.00          -76,258.70           -95.29%
筹资活动产生的现金流量净额            180,532.52             1,544.51        11,588.66%
现金及现金等价物净增加额             125,494.63            50,601.17          148.01%
  （4）非经常性损益的主要项目和金额
                                                                单位：万元
         非经常性损益明细                      2023 年 1-3 月         2022 年 1-3 月
非流动资产处置损益，包括已计提资产减值准
                                                  -7.28              27.29
备的冲销部分
计入当期损益的政府补助（与正常经营业务密
切相关，符合国家政策规定、按照一定标准定                           7,566.03           12,669.46
额或定量持续享受的政府补助除外）
除上述各项之外的其他营业外收入和支出                               38.18            -2,471.40
其他符合非经常性损益定义的损益项目                                 1.50              227.56
所得税影响数                                         -183.68              242.68
少数股东权益影响数（税后）                                 -3,122.47           -5,803.18
非经常性损益金额                                       4,292.27            4,892.41
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   基于报告期后的经营状况，公司预计 2023 年 1-6 月的营业收入区间约 85.00
亿元至 87.20 亿元，同比增长 7.19%至 9.96%；预计可实现的归属于母公司所有
者的净利润区间约 12.50 亿元至 17.50 亿元，同比增长 3.91%至 45.47%；预计可
实现扣除非经常性损益后的归属于母公司所有者权益的净利润区间约 11.50 亿元
至 16.50 亿元，同比增长 2.93%至 47.69%。
二、发行人及本次发行的中介机构基本情况
                       （一）发行人基本情况
中文名称      华虹半导体有限公司            公司成立日期        2005 年 1 月 21 日
英文名称      HUA HONG SEMICONDUCTOR LIMITED
                                             张素心、唐均君、孙国栋、
已发行股份总    1,308,147,031 股（截至
                               公司董事          王靖、叶峻、张祖同、王桂
数         2023 年 6 月 30 日）
                                             壎、叶龙蜚
          香港中环夏悫道 12 号美        主要生产经营地       中国上海张江高科技园区
注册地址
          国银行中心 2212 室         址             哈雷路 288 号
直接控股股东    华虹国际                 实际控制人         上海市国资委
                               在其他交易场所
          计算机、通信和其他电
行业分类                           （申请）挂牌或上      1347.HK（香港联交所）
          子设备制造业（C39）
                               市的情况
                   （二）本次发行的有关中介机构
          国泰君安证券股份有限
                                             国泰君安证券股份有限公
保荐人       公司、海通证券股份有           主承销商
                                             司、海通证券股份有限公司
          限公司
                                             中信证券股份有限公司、中
                                             国国际金融股份有限公司、
发行人律师     上海市通力律师事务所           联席主承销商
                                             东方证券承销保荐有限公
                                             司、国开证券股份有限公司
          安永华明会计师事务所           保荐人（主承销
审计机构                                         上海市锦天城律师事务所
          （特殊普通合伙）             商）律师
                                             截至 2022 年 12 月 31 日，
                                             国泰君安持有发行人 10,000
                                             股股份；国泰君安的实际控
                               发 行 人 与 本 次 发 制人 上海国际间接 持有发
                               行有关的保荐人、 行人 4.88%股权。
                               承销机构、证券服 截至 2022 年 12 月 31 日，
                               务 机 构 及 其 负 责 海通 证券的重要关 联方上
保荐人（主承    天职国际会计师事务所
                               人、高级管理人 海 国 盛 间 接 持 有 发 行 人
销商）会计师    （特殊普通合伙）
                               员、经办人员之间 4.88%股权。
                               存 在 的 直 接 或 间 按照 上海证券交易 所的相
                               接 的 股 权 关 系 或 关规定，保荐人安排子公司
                               其他利益关系        国泰 君安证裕投资 有限公
                                             司和 海通创新证券 投资有
                                             限公 司参与本次发 行战略
                                             配售，获配股数分别为
华虹半导体有限公司                                               招股说明书
                                           金额分别为 424,060,000.00
                                           元， 最终跟投比例 分别为
                                           有限 公司和海通创 新证券
                                           投资 有限公司获得 本次配
                                           售的 股票限售期限 为自发
                                           行人 首次公开发行 并上市
                                           之日起 24 个月。
                                           除前述情形之外，发行人与
                                           本次发行有关的保荐人、承
                                           销机构、证券服务机构及其
                                           负责人、高级管理人员、经
                                           办人 员之间均不存 在其他
                                           直接 或间接的股权 关系或
                                           其他权益关系。
                （三）本次发行其他有关机构
         中国证券登记结算有限
股票登记机构                    收款银行             招商银行上海分行
         责任公司上海分公司
其他与本次发行有关的机构              无
三、本次发行概况
  （一）本次发行的基本情况
                       本次发行的基本情况
股票种类         人民币普通股（A 股）
             根据《公司条例》第 135 条，公司本次发行的人民币普通股（A
每股面值
             股）股票无面值
                                  占发行后总股本
发行股数         407,750,000 股                         23.76%
                                  比例
                                  占发行后总股本
其中：发行新股数量    407,750,000 股                         23.76%
                                  比例
                                  占发行后总股本
股东公开发售股份数量   无                                     无
                                  比例
发行后总股本
             股
每股发行价格       52.00 元
发行市盈率        扣除非经常性损益前后孰低的归属于母公司股东的净利润除以发
             行后总股本计算）
             月 31 日经审计的归属于            除非经常性损益
发行前每股净资产     母公司所有者的净资产除 发行前每股收益      前后孰低的归属
             以本次发行前的总股本计              于母公司所有者
             算）                       的净利润除以本
                                      次发行前总股本
华虹半导体有限公司                                              招股说明书
                                                   计算）
             于母公司所有者净资产加                           前后孰低的归属
发行后每股净资产                              发行后每股收益
             上本次发行募集资金净额                           于母公司所有者
             之和除以本次发行后总股                           的净利润除以本
             本计算）                                  次发行后总股本
                                                   计算）
发行市净率        2.19 倍（按发行价格除以发行后每股净资产计算）
             本次发行将采用向参与战略配售的投资者定向配售、网下向符合
发行方式         条件的投资者询价配售和网上向持有上海市场非限售 A 股股份和
             非限售存托凭证市值的社会公众投资者定价发行相结合的方式
             符合资格的参与战略配售的投资者、网下投资者及已于上交所开
             立账户并符合条件的自然人、法人、其他机构投资者（中国法律、
发行对象
             法规及监管文件禁止购买者除外）或符合中国证监会、上交所相
             关资格规定的其他目标认购人
承销方式         余额包销
募集资金总额       2,120,300.00 万元
募集资金净额       2,092,067.70 万元
             华虹制造（无锡）项目
募集资金投资项目
             特色工艺技术创新研发项目
             补充流动资金
             保荐承销费用                 26,058.60 万元
             审计、验资费用                822.65 万元
             律师费用                   636.00 万元
发行费用         用于本次发行的信息
             披露费用
             发行手续费用及其他              125.05 万元
             注：本次发行各项费用均为含增值税金额。
             保荐人子公司国泰君安证裕投资有限公司和海通创新证券投资有
             限公司参与本次发行战略配售，获配股数分别为 8,155,000 股，获
保荐人相关子公司拟参   配股数对应金额分别为 424,060,000.00 元，最终跟投比例分别为
与战略配售情况      2.00%。国泰君安证裕投资有限公司和海通创新证券投资有限公司
             获得本次配售的股票限售期限为自发行人首次公开发行并上市之
             日起 24 个月。
                  本次发行上市的重要日期
刊登初步询价公告日期   2023 年 7 月 18 日
初步询价日期       2023 年 7 月 20 日
刊登发行公告日期     2023 年 7 月 24 日
     华虹半导体有限公司                                                  招股说明书
     申购日期          2023 年 7 月 25 日
     缴款日期          2023 年 7 月 27 日
                   本次股票发行结束后公司将尽快申请在上海证券交易所科创板上
     股票上市日期
                   市
        （二）本次发行的战略配售情况
        发行人本次公开发行股票的数量为 40,775.0000 万股普通股，占发行人发行
     后总股本的比例为 23.76%。其中，初始战略配售数量为 20,387.5000 万股，占本
     次发行总数量的 50.00%。本次发行最终战略配售数量为 20,387.5000 万股，占本
     次发行总数量的 50.00%，因最终战略配售股数与初始战略配售股数数量相同，
     本次发行战略配售数量未向网下发行进行回拨。
        本次参与战略配售的投资者由保荐人相关子公司跟投（跟投机构为国泰君安
     证裕投资有限公司、海通创新证券投资有限公司）和其他参与战略配售的投资者
     组成，其他参与战略配售的投资者的类型为：与发行人经营业务具有战略合作关
     系或长期合作愿景的大型企业或其下属企业；具有长期投资意愿的大型保险公司
     或其下属企业、国家级大型投资基金或其下属企业。本次战略配售最终结果如下：
                                             获配股数
序                                获配股数        占本次初                        限售期
        投资者名称         类型                              获配金额（元）
号                                （股）         始发行数                        （月）
                                             量的比例
     国家集成电路产业投资基
     金二期股份有限公司     具有长期投
     中国国有企业结构调整基   资意愿的大
     金二期股份有限公司     型保险公司
     中国保险投资基金（有限   或其下属企
     合伙）           业、国家级大
     中国互联网投资基金（有   型投资基金
     限合伙）          或其下属企
     浙江制造基金合伙企业    业
     （有限合伙）
                  与发行人经
     上海国际集团资产管理有
     限公司
                  战略合作关
     无锡市创新投资集团有限
     公司
                  作愿景的大
     上海科技创业投资（集团）
     有限公司
                  下属企业
     华虹半导体有限公司                                               招股说明书
                                         获配股数
序                           获配股数         占本次初                         限售期
         投资者名称      类型                            获配金额（元）
号                           （股）          始发行数                         （月）
                                         量的比例
     司
     上海国盛（集团）有限公
     司
     上海国投资本管理有限公
     司
     无锡产业发展集团有限公
     司
     成都高新投资集团有限公
     司
     重庆渝富资本运营集团有
     限公司
     深圳安鹏创投基金企业
     （有限合伙）
     上海汽车集团股份有限公
     司
     上海澜起红利企业管理合
     伙企业（有限合伙）
     盛美半导体设备（上海）
     股份有限公司
     中微半导体设备（上海）
     股份有限公司
     上海张江科技创业投资有
     限公司
     上海国盛产业赋能私募投
     伙）
     安集微电子科技（上海）
     股份有限公司
     上海硅产业集团股份有限
     公司
     国泰君安证裕投资有限公
     司             保荐人相关
     海通创新证券投资有限公   子公司
     司
            合计             203,875,000   50.00%   10,601,500,000.00
         发行人在《香港上市规则》项下的关连人士国家集成电路产业投资基金二期
     股份有限公司于 2023 年 6 月 28 日与发行人及保荐人（主承销商）签署了股份认
华虹半导体有限公司                                  招股说明书
购协议，将作为参与战略配售的投资者以不超过 30 亿元参与本次发行上市的战
略配售。上述事项已经 2023 年 7 月 14 日召开的发行人股东大会审议通过。
  （1）跟投主体
  本次发行的保荐人相关子公司按照《上海证券交易所首次公开发行证券发行
与承销业务实施细则》（上证发〔2023〕33 号）的相关规定参与本次发行的战
略配售，投资主体为国泰君安证裕投资有限公司和海通创新证券投资有限公司。
  （2）跟投规模
  本次发行国泰君安证裕投资有限公司和海通创新证券投资有限公司的获配
股数分别为 8,155,000 股，获配股数对应金额分别为 424,060,000.00 元，最终跟
投比例分别为 2.00%。
  其他参与战略配售的投资者的选择系在考虑投资者资质以及市场情况后综
合确定，为与发行人经营业务具有战略合作关系或长期合作愿景的大型企业或其
下属企业；具有长期投资意愿的大型保险公司或其下属企业、国家级大型投资基
金或其下属企业。具体名单参见本节之“三、本次发行概况”之“（二）本次发
行的战略配售情况”之“1、本次战略配售的总体安排”。
  其他参与战略配售的投资者承诺获得本次配售的股票限售期为自发行人首
次公开发行并上市之日起 12 个月。限售期届满后，参与战略配售的投资者对获
配股份的减持适用中国证监会和上交所关于股份减持的有关规定。
  参与战略配售的投资者已与发行人签署战略配售协议，参与战略配售的投资
者不得参加本次发行初步询价（但证券投资基金管理人管理的公募基金、社保基
金、养老金、年金基金除外），并承诺按照发行人和联席主承销商确定的发行价
格认购其承诺认购的股票数量，并在规定时间内足额缴付认购资金。
板上市发行安排及初步询价公告》（以下简称“《发行安排及初步询价公告》”）
华虹半导体有限公司                                           招股说明书
已披露战略配售方式、战略配售股票数量上限、参与战略配售的投资者选取标准
等。
购资金。联席主承销商在确定发行价格后根据本次发行定价情况确定各投资者最
终配售金额、配售数量并通知参与战略配售的投资者，如参与战略配售的投资者
获配金额低于其预缴的金额，联席主承销商将及时退回差额。
板上市发行公告》（以下简称“《发行公告》”）已披露参与战略配售的投资者
名称、战略配售回拨、获配股票数量以及限售期安排等。
板上市网下初步配售结果及网上中签结果公告》（以下简称“《网下初步配售结
果及网上中签结果公告》”）已披露最终获配的参与战略配售的投资者名称、股
票数量以及限售期安排等。
  国泰君安证裕投资有限公司和海通创新证券投资有限公司承诺获得本次配
售的股票限售期限为自发行人首次公开发行并上市之日起 24 个月。
  其他参与战略配售的投资者承诺获得本次配售的股票限售期限为自发行人
本次公开发行并上市之日起 12 个月。
  限售期届满后，参与战略配售的投资者对获配股份的减持适用中国证监会和
上交所关于股份减持的有关规定。
四、发行人报告期的主要财务数据和财务指标
       项目
资产总额（万元）          4,787,661.43     3,833,790.97     2,857,640.15
归属于母公司所有者权益（万
元）
资产负债率（合并）              42.48%           41.90%           27.60%
营业收入（万元）          1,678,571.80     1,062,967.75       673,702.63
净利润（万元）             272,545.62       146,313.14         4,680.50
华虹半导体有限公司                                                                 招股说明书
       项目
归属于母公司所有者的净利
润（万元）
扣除非经常性损益后归属于
母公司所有者的净利润（万                 257,034.11            108,322.29                  18,106.19
元）
基本每股收益（元）                          2.31                     1.28                    0.39
稀释每股收益（元）                          2.29                     1.26                    0.39
加权平均净资产收益率                      16.30%                10.27%                      3.38%
扣除非经常性损益后的加权
平均净资产收益率
经营活动产生的现金流量净
额（万元）
现金分红（万元）                                 -                     -                       -
研发投入占营业收入的比例                     6.41%                  4.86%                    10.97%
  注：上述财务指标的计算方法详见本招股说明书“第六节 财务会计信息与管理层分析”
之“八、主要财务指标”的注释。
五、发行人主营业务情况
  华虹半导体是全球领先的特色工艺晶圆代工企业，也是行业内特色工艺平台
覆盖最全面的晶圆代工企业。公司立足于先进“特色 IC+功率器件”的战略目标，
以拓展特色工艺技术为基础，提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器
件、模拟与电源管理、逻辑与射频等多元化特色工艺平台的晶圆代工及配套服务。
  报告期内，发行人向客户提供多工艺平台的晶圆代工服务。发行人按照工艺
平台分类的主营业务收入构成情况如下：
                                                                           单位：万元
 项目
            金额         占比          金额              占比              金额            占比
功率器件    522,589.99     31.36%     360,062.74       34.22%     244,108.25         36.77%
嵌入式非
易失性存    520,497.63     31.23%     296,253.05       28.15%     231,059.42         34.80%
储器
模拟与电
源管理
逻辑与射
频
独立式非
易失性存    138,583.39     8.31%       57,398.19       5.45%           8,222.57       1.24%
储器
华虹半导体有限公司                                                            招股说明书
 项目
          金额            占比          金额              占比        金额          占比
其他         1,383.23      0.08%       1,577.80       0.15%      929.32      0.14%
 合计     1,666,674.99   100.00%   1,052,343.59   100.00%     663,897.63   100.00%
     多年来，公司积极参与全球竞争，吸引并服务了众多境内外知名客户，在全
球半导体产业竞争中占据了重要位置。根据 IC Insights 发布的 2021 年度全球晶
圆代工企业排名中，华虹半导体位居第六位，中国大陆第二位。公司在报告期内
的业务增长均高于同行标杆企业或全球行业平均，同时，公司也是全球领先、中
国大陆排名第一的特色工艺晶圆代工企业。
     发行人生产经营所需的原材料主要包括硅片、化学品、气体、靶材等，并根
据市场预测与产能情况规划晶圆产品的生产计划，并按客户实际订单需求进行投
产。发行人采用直销模式开展销售业务，与客户直接沟通并形成符合客户需求的
解决方案，最终达成与客户签订订单。
     有关发行人主营业务情况详见本招股说明书“第五节 业务与技术”之“（一）
公司的主营业务及主营产品情况”、“三、发行人的行业地位及竞争优劣势”和“四、
发行人主营业务经营情况”。
六、发行人符合科创板定位的相关情况
     （一）发行人符合行业领域要求
       √新一代信息技术                           公司主要从事半导体晶圆代工业务，根据
                                          《国民经济行业分类》   （GB/T4754-2017），
       □高端装备                              公司所处行业为计算机、通信和其他电子
       □新材料                               设备制造业（C39）。根据《上海证券交
                                          易所科创板企业发行上市申报及推荐暂行
       □新能源                               规定》，公司所处行业为第四条（一）中
       □节能环保                              所规定的“新一代信息技术领域”之“半导
公司所属
                                          体和集成电路”。
行业领域   □生物医药                              根据国家统计局《战略性新兴产业分类
                                          （2018）》（国家统计局令第 23 号），公
                                          司所处行业为战略性新兴产业分类中的
                                          “新型电子元器件及设备制造”（分类代
       □符合科创板定位的其他领域
                                          码：1.2.1）、“集成电路制造”（分类代
                                          码：1.2.4）及“电力电子基础元器件制造”
                                          （分类代码：6.5.2）。
华虹半导体有限公司                                        招股说明书
  （二）发行人符合科创属性相关指标要求
  科创属性评价标准一        是否符合                 指标情况
最近三年累计研发投入占最近
三年累计营业收入比例≥5%，或                公司最近三年累计研发投入233,240.05
                   √是□否
最近三年累计研发投入金额≥                  万元，满足≥6,000万元的要求
                               发行人2022年末研发人员为1,195人，占
研发人员占当年员工总数的比
                   √是□否        总人数的比例为17.68%，满足≥10%的
例≥10%
                               要求
应用于公司主营业务的发明专                  截至报告期末，发行人拥有与主营业务
                   √是□否
利（含国防专利）≥5项                    相关的主要发明专利4,141项
最近三年营业收入复合增长率
≥20%，或最近一年营业收入金    √是□否
                               足最近一年≥3亿元的要求
额≥3亿
七、发行人选择的具体上市标准
  根据《科创板上市规则》《若干意见》及《关于创新试点红筹企业在境内上
市相关安排的公告》（中国证券监督管理委员会公告〔2020〕26 号），发行人
作为已在境外上市的红筹企业选择的具体上市标准为：“市值 200 亿元人民币以
上，且拥有自主研发、国际领先技术，科技创新能力较强，同行业竞争中处于相
对优势地位”。
  公司 2022 年 8 月 8 日向上交所首次提交科创板全套申报文件，截至 2022 年
交易日内平均市值超过 200 亿元人民币，满足招股说明书（申报稿）中明确选择
的具体上市标准。
八、发行人公司治理特殊安排等重要事项
  发行人为一家设立于香港并在香港联交所上市的红筹企业，治理模式与适用
中国法律、法规和规范性文件的一般 A 股上市公司的公司治理模式存在一定差
异，具体详见本招股说明书“第八节 公司治理与独立性”之“二、注册地的公
司法律制度、《公司章程》与境内《公司法》等法律制度的主要差异”。
九、募集资金用途
  本次发行的募集资金扣除发行费用后的净额计划投入以下项目：
华虹半导体有限公司                                  招股说明书
                                           单位：亿元
序号          项目名称       拟使用募集资金金额       拟使用募集资金比例
           合计                 180.00        100.00%
十、财务报告审计截止日后的主要经营情况
     审计截止日至本招股说明书签署日期间，公司生产经营情况正常，产业政策、
业务模式、原材料采购、产品销售、主要客户及供应商等方面均未发生重大变化。
十一、其他对发行人有重大影响的事项
     截至本招股说明书签署日，发行人不存在其他有重大影响的事项。
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                第三节 风险因素
  投资者在评价发行人此次公开发行股票时，除本招股说明书提供的其他各项
资料外，应特别考虑下述各项风险因素。以下风险因素可能直接或间接对发行人
及本次发行产生重大不利影响。发行人提请投资者仔细阅读本节全文。
一、与发行人相关的风险
  （一）技术风险
  详见本招股说明书“第二节 概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风
险提示”之“1、未能紧跟工艺节点、工艺平台等技术迭代的风险”。
  随着半导体行业技术的不断进步，对技术人才的专业性、经验要求和管理能
力的要求也不断提升，已形成较高的技术门槛。同时，行业中的人才竞争及流动
也日益激烈，截至 2022 年 12 月 31 日，公司共有研发人员 1,195 人，但累计通
过股权激励计划授出的股份激励无法覆盖所有研发人员和重要技术人员，如果公
司的薪酬体系、激励措施和保护措施无法为自身吸引到相匹配的技术与管理人才，
则可能面临人才的流失并使公司激烈的行业竞争格局中处于不利境地，从而影响
公司的持续发展。
  在半导体行业的发展与竞争中，相应的知识产权保护体系至关重要，也是获
取竞争优势与长期发展的关键要素。截至 2022 年 12 月 31 日，公司拥有境内、
外主要发明专利 4,100 余项及大量工艺技术积累，由于技术保护措施存在一定的
局限性，在人员流动、上下游业务交流的过程中，公司的核心技术和重要研发成
果仍面临一定的泄密风险，从而对公司在技术方面的竞争优势产生不利影响。
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   （二）经营风险
   详见本招股说明书“第二节 概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风
险提示”之“3、与国际龙头企业存在差距的风险”。
   公司本次募集资金拟投资项目实施后公司固定资产规模将大幅增加，而募投
项目投资回收期较长，因此在短期内募投项目新增折旧和摊销或将对发行人经营
业绩产生一定的影响；同时如果市场环境发生重大不利变化，公司募集资金投资
项目产生的收入及利润水平未实现既定目标，公司则可能面临无法按既定计划实
现预期收益的风险。
   报告期各期，公司在消费电子领域的收入分别为 410,113.51 万元、670,625.64
万元和 1,075,329.63 万元，占主营业务收入比例分别为 61.77%、63.73%和 64.52%，
整体呈上升趋势；但在包括通讯产品和计算机在内的广义消费电子领域，公司的
收入分别为 522,567.47 万元、848,295.80 万元和 1,293,562.45 万元，占主营业务
收入比例分别为 78.71%、80.61%和 77.61%，受手机市场需求下滑的影响，2022
年在广义消费电子领域的收入占比有所下降。
   近年以来半导体行业需求整体放缓，产能紧张状态有所缓解，并呈现出结构
化特征，消费电子市场总体需求走弱。2022 年第四季度，受消费电子市场总体
需求走弱，发行人在消费电子领域收入有所下降，如未来消费电子行业需求继续
大幅下降，或出现公司无法快速准确地适应市场需求的变化，新产品市场开拓不
及预期，客户开拓不利或重要客户合作关系发生变化等不确定因素使公司市场竞
争力发生变化，导致公司消费类产品出现售价下降、销售量降低等不利情形，公
司消费电子领域业绩则将面临更多不确定性，会给公司消费电子领域带来收入下
降的风险。
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  详见本招股说明书“第二节 概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风
险提示”之“11、募投项目无法顺利实施的风险”。
  （三）法律风险
  详见本招股说明书“第二节 概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风
险提示”之“4、公司现行的治理结构与中国境内设立的 A 股上市公司存在差异
的风险”。
  详见本招股说明书“第二节 概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风
险提示”之“5、公司 A 股公众股东通过诉讼方式寻求保护自身权利存在不确定
性的风险”。
  详见本招股说明书“第二节 概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风
险提示”之“6、公司注册地、上市地和生产经营地所在司法管辖区的合规与监
管风险”。
  知识产权是公司在半导体行业内保持自身竞争力的关键，主要包括专利、集
成电路布图设计、商业秘密等。若公司在运用相关技术进行生产经营时，未能充
分认识到可能侵犯第三方申请在先的知识产权，或其他公司未经授权而擅自使用
或侵犯公司的知识产权，则可能产生知识产权侵权的纠纷，对公司业务造成不利
影响。
  同时，获得第三方公司知识产权许可或引入相关技术授权是行业惯例。存在
相关知识产权许可或技术授权到期后，因第三方公司原因或因其他因素无法继续
使用或续期的风险。此外，基于 2018 年 11 月与上海集成及华力微分别签订的技
术许可及技术开发协议，公司于报告期内快速完成了华虹无锡项目的建设及量产
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工作。虽然公司已逐步完成自身相应特色工艺平台的优化升级，但如果相关授权
发生变化，则可能对公司的部分技术使用产生影响。
   未来，如果发生上述风险情形，将对公司的生产经营产生不利影响。同时，
公司需采取法律手段维护自身权益，可能耗费一定的人力、物力、财力。
   公司在生产经营中会产生废水、废气和固体废物（含危险废物），同时公司
生产厂房需遵守国家及各地的环境保护法律法规。未来如果公司由于环保设施运
行故障等原因发生环境污染事件，可能将受到相关部门的行政处罚，并对公司的
生产经营产生不利影响。同时，如果国家或各地出台更为严格的环保要求，公司
需投入相应资金对现有环保设施进行升级改造。
   公司生产所需的部分原材料存在一定危险性，对于操作人员的技术及操作工
艺流程要求较高。公司未来如果生产设备出现故障，或者危险材料和设备使用不
当，可能导致火灾、爆炸、危险物泄漏等意外事故，公司将面临员工伤亡、财产
损失、甚至产线停工等风险，并可能造成客户流失或受到相关部门的行政处罚，
将对公司的生产经营产生不利影响。
   公司所处的晶圆代工行业是带动半导体产业联动的关键环节，且公司经营规
模较大，客户、供应商数量众多。在未来的业务发展过程中，公司不能排除因知
识产权、合同履行等事项，与客户、供应商或其他第三方发生诉讼或仲裁，从而
耗费公司的人力、物力以及分散管理精力，并承担败诉后果的风险，可能会对公
司的生产经营造成不利影响。
   （四）财务风险
   报告期内，公司营业收入分别为 673,702.63 万元、1,062,967.75 万元和
万元和 300,861.26 万元。
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   受经济增速放缓、消费信心等因素影响，2022 年消费电子、通讯产品、计
算机等终端应用产品市场出现短期波动，需求整体走弱。未来受市场规模变化、
行业竞争加剧、产品更新换代等因素综合影响，下游市场需求可能发生波动，进
而影响公司收入及盈利水平。如果公司未能及时应对上述市场变化，将面临经营
业绩下滑的风险。
   报告期内，公司的主营业务毛利率分别为 17.60%、27.59%和 35.59%，公司
毛利率呈上升趋势。如果未来半导体行业景气度下降、行业竞争加剧、原材料采
购价格上涨，则可能导致公司产品单价的下降或单位成本的上升，主营业务毛利
率存在下降的风险。
   报告期各期末，公司应收账款账面余额分别为 65,150.52 万元、98,739.55 万
元和 161,166.52 万元，应收账款账面余额占当期营业收入的比例分别为 9.67%、
气度下降、主要客户的经营情况发生不利变化，公司仍将面临应收账款无法收回
导致的坏账损失风险。
   报告期各期末，公司存货账面价值分别为 148,317.95 万元、347,403.71 万元
和 496,424.87 万元，占流动资产比例分别为 16.21%、22.81%和 23.17%，公司的
存货占流动资产的比重逐年升高。由于下游市场需求存在一定的不确定性，未来
存货价值仍然有减值的可能。
    晶圆代工行业属于典型的资本密集型行业，固定资产投资的需求较高、设
 备购置成本高，而公司近年紧抓行业发展机遇积极进行产能扩充，固定资产投
 资规模较大。
      截至 2022 年 12 月 31 日，公司固定资产的账面价值为 1,866,371.19
 万元，占公司总资产的比例为 38.98%；公司在建工程的账面价值为 479,067.70
 万元，占公司总资产的比例为 10.01%。公司持续的产能扩充对后续资金投入提
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 出了较高要求，公司的资金筹措能力面临较大的考验。同时，若公司未来收入
 规模的增长无法消化大额固定资产投资带来的新增折旧，公司将面临盈利能力
 下降的风险。
   详见本招股说明书“第二节 概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风
险提示”之“7、公司注册地、上市地和生产经营地所在司法管辖区的合规与监
管风险”。
   公司子公司上海华虹宏力具备高新技术企业资格，在报告期内享受高新技术
企业的 15%企业所得税优惠税率，未来，如果上述税收优惠政策发生变化或者上
述子公司不再符合相关资质，将对公司未来的所得税费用产生不利影响。
   报告期内，公司财务费用分别为-15,674.05 万元、-15,046.81 万元和 81,092.93
万元，公司汇兑损益分别为 10,624.44 万元、15,421.32 万元和-71,775.26 万元。
借款，美元升值导致华虹无锡确认大额汇兑损失，公司 2022 年财务费用大幅增
加。公司的销售、采购、债权及债务均存在以外币结算的情形，由于汇率受国内
外政治、经济环境等众多因素的影响，若未来人民币兑外币汇率短期内呈现较大
波动，公司将面临汇率波动的风险。
   截至报告期期末，公司合并报表层面累计未弥补亏损金额为 3,956.61 万元。
该等累计未弥补亏损主要来自于发行人起步期的亏损。晶圆代工行业普遍具有前
期投入大且由于产能爬坡和工艺稳定需要一定的时间，销售收入的提升通常滞后
于设备投入；加上发行人在建厂初期行业环境不成熟和研发投入较大的影响，导
致发行人在起步期积累了较大金额的累计未弥补亏损。报告期内，公司分别实现
归属母公司净利润 50,545.75 万元、165,999.74 万元和 300,861.26 万元，累计未
弥补亏损得到持续弥补。如后续经营业绩受到宏观环境、行业周期等影响出现无
法预计的下滑，造成累计未弥补亏损短期内无法得到完全弥补，可能会对公司后
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续资金状况、业务拓展、团队稳定和人才引进等产生不利影响，进而对公司经营
产生一定的不利影响。
   报告期各期，公司获得的扣税后计入损益的政府补助分别为 40,043.21 万元、
元和 40,406.24 万元，占当期归母净利润的比例分别为 59.95%、34.73%和 13.43%。
未来，若政府部门对公司的支持政策发生变化，公司能否继续获得政府补助以及
获得政府补助的金额等存在不确定性，进而对公司盈利水平产生一定的影响。
   （五）管理风险
   报告期内，公司生产经营规模不断扩大，资产规模、员工人数持续增长，随
着募集资金投资项目的实施，公司资产规模和人员规模也将进一步增长，对公司
组织管理制度及管理体系提出更高的要求。因此，如果公司管理水平不能适应经
营规模扩张的需要，管理制度及管理体系未能及时调整和完善，公司将面临较大
的管理风险。
二、与行业相关的风险
   （一）宏观经济波动和行业周期性的风险
   详见本招股说明书“第二节 概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风
险提示”之“2、宏观经济波动和行业周期性的风险”。
   （二）市场竞争加剧的风险
   根据美国半导体行业协会（SIA）统计，目前全球半导体需求正处于高位，
而半导体行业产能不足和芯片短缺已经波及多个行业。2021 年全球半导体新建
产线投资规模也将达到创纪录的 1,480 亿美元，较 2020 年增长超过 30%，并且
预计 2021 年至 2025 年半导体制造行业投资规模平均为 1,560 亿美元，较 2016
年至 2020 年的年均投资规模 970 亿美元大幅增长 61%。现有市场参与者扩大产
能及新投资者的进入，将可能使市场竞争加剧。
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   目前，公司产品的主要市场领域包括新能源汽车、工业智造、新一代移动通
讯、物联网、消费电子等。如果公司不能准确把握行业发展规律、持续研发创新、
改善经营管理，从而导致无法持续开发创新产品、提升产品质量、降低生产成本，
则可能对公司的盈利能力造成不利影响。
   （三）供应商集中度较高的风险
   报告期内，发行人向前五大原材料供应商采购额合计分别为 119,668.62 万元、
和 35.31%，供应商集中度较高。
   尽管目前发行人所需采购的原材料供应相对充足，但若未来由于贸易摩擦、
关税制度或其他不可抗力因素导致原材料供应商延迟交货、限制供应或提高价格，
可能对发行人持续生产经营能力造成不利影响。
   （四）国际贸易摩擦的风险
   详见本招股说明书“第二节 概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风
险提示”之“7、国际贸易摩擦的风险”。
   （五）产业政策变化风险
   半导体产业是我国的战略支柱产业，近年来国家层面出台一系列支持政策。
在产业政策支持和国民经济发展的推动下，我国半导体行业整体的设计能力、生
产工艺、自主创新能力有了较大的提升。如未来上述产业政策出现不利变化，将
对发行人的业务发展、人才引进、生产经营产生一定不利影响。
三、其他风险
   （一）公司作出的承诺在实际履行时的相关风险
   详见本招股说明书“第二节 概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风
险提示”之“9、公司作出的承诺在实际履行时的相关风险”。
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    （二）中国香港及中国大陆资本市场的特征存在差异带来的交易价格的风
险
    香港联交所及上交所科创板具有不同的交易时间、交易特征（包括交易量及
流动性）、交易及上市规则及投资者基础（包括不同级别的零售及机构参与）。
由于此类差异，公司 A 股股票与港股股票的交易价格可能并不相同。由于各个
资本市场都有其特有情况，公司港股股票交易价格的波动可能会对 A 股股票的
交易价格造成影响，反之亦然。公司股票价格波动不仅受公司经营及财务状况的
影响，同时还可能受到宏观政策、经济形势、市场环境、投资者预期等多种因素
的影响。提请投资者在购买公司股票前了解股票价格波动，充分认识投资风险，
并作出审慎判断。
    （三）境外持续信息披露监管与境内可能存在差异的风险
    详见本招股说明书“第二节 概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风
险提示”之“10、境外持续信息披露监管与境内可能存在差异的风险”。
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                第四节 发行人基本情况
一、发行人基本情况
中文名称          华虹半导体有限公司
英文名称          HUA HONG SEMICONDUCTOR LIMITED
已发行股份总数       1,308,147,031 股（截至 2023 年 6 月 30 日）
公司董事          张素心、唐均君、孙国栋、王靖、叶峻、张祖同、王桂壎、叶龙蜚
成立日期          2005 年 1 月 21 日
注册地址          香港中环夏悫道 12 号美国银行中心 2212 室
主要生产经营地址      中国上海张江高科技园区哈雷路 288 号
邮政编码          201210
联系电话          86-21-38829909
传真号码          86-21-50809999
互联网网址         www.huahonggrace.com
电子信箱          IR@hhgrace.com
信息披露负责部门      上市公司工作部
信息披露境内代表      Daniel Yu-Cheng Wang（王鼎）
信息披露负责部门联
系电话
二、发行人设立情况和报告期内的股本及股东变化情况
   （一）发行人的设立情况
册，取得公司注册证书。已发行股份数为 1 股，每股面值为 0.01 美元。
   （二）发行人报告期内的股本及股东变化情况
   公司的股本变动原因主要系股权激励计划发行普通股。
每股面值 0.01 美元的 1,500,000,000 股普通股。
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    在 2014 年 3 月 3 日现行《公司条例》生效前，香港注册公司的法定股本为
其公司章程载明可发行的最高股本金额。于 2014 年 3 月 3 日生效的《公司条例》
规定香港注册公司股份没有面值，法定股本的概念亦被取消。
    报告期内，公司已发行普通股变动的具体情况如下：
    （1）2020 年
              事项                             普通股股份数（股）
行使股票期权发行股数                                                        8,995,713
    根据股票期权计划，公司发行普通股 8,995,713 股。截至 2020 年 12 月 31 日，
公司已发行普通股 1,297,815,273 股，公司的股权结构如下：
  序号           股东名称                  持股数量（股）                  持股比例（%）
            合计                                1,297,815,273          100.00
    注 1： 华虹国际实际持有 347,605,650 股，另有 2,795,450 股系华虹国际为张江集团托管，
后文同。截至本招股说明书签署日，该等股权托管关系已完成解除，标的股票已划转至
Zhangjiang GU KE。
    注 2：联和国际的全资子公司 Wisdom Power、Panther Rock Limited、Fitzalan Holdings
Limited 亦直接持有发行人股份，持股数量分别为 28,415,606 股、5,828,846 股及 674,902 股，
持股比例分别为 2.19%、0.45%及 0.05%。
    注 3：含联和国际以托管方式持有的 3,084 股股份，下同。
    （2）2021 年
              事项                             普通股股份数（股）
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行使股票期权发行股数                                                             3,376,312
    根据股票期权计划，公司发行普通股 3,376,312 股。截至 2021 年 12 月 31 日，
公司已发行普通股 1,301,191,585 股，公司的股权结构如下：
  序号             股东名称                    持股数量（股）                    持股比例（%）
             合计                                     1,301,191,585         100.00
    注：因 Panther Rock Limited 与 Fitzalan Holdings Limited 已于 2021 年 1 月 5 日出售其全
部 6,503,748 股股份。因此自 2021 年 1 月 5 日后，联和国际的全资子公司仅有 Wisdom Power
仍直接持有发行人 28,415,606 股股份，下同。
    （3）2022 年
                事项                               普通股股份数（股）
行使股票期权发行股数                                                             5,645,155
    根据股票期权计划，公司发行普通股 5,645,155 股。截至 2022 年 12 月 31 日，
公司已发行普通股 1,306,836,740 股，公司的股权结构如下：
  序号             股东名称                    持股数量（股）                    持股比例（%）
             合计                                     1,306,836,740         100.00
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     （三）发行人历史沿革中的股权托管情况
  报告期内，华虹国际曾为张江集团托管发行人 2,795,450 股股份，具体形成
原因及演变情况如下：
     （1）股权托管的形成原因及演变情况
股权转移至境外，华虹 NEC 的股东进行了一系列股权转让。
  华虹集团、华虹国际与张江集团、张江国际于 2005 年 3 月 3 日签订的《关
于华虹半导体有限公司和上海华虹 NEC 电子有限公司境外信托契据》（以下简
称“境外信托契据”）及华虹集团、华虹国际与张江集团于 2005 年 3 月 3 日签订
的《关于股权托管及划转的协议》（以下简称“股权托管及划转协议”），张江集
团将华虹 NEC 0.49%股权（以下简称“华虹 NEC 权益”）委托华虹集团代管并划
转至华虹国际，并授权华虹国际根据境外股权转让协议将其持有的华虹 NEC 权
益置换为发行人 0.49%股权（对应发行人 2,795,450 股，以下简称“发行人权益”）；
股权置换后，由华虹国际根据协议约定代张江集团持有及管理发行人权益，并代
表张江集团行使发行人权益项下的股东权利以及履行相应的股东义务；张江集团
根据协议约定保留发行人权益项下的处分权、收益权等股东权利，并承担相应义
务。
  国务院国有资产监督管理委员会于 2005 年 2 月 4 日出具国资产权[2005]150
号《关于对上海华虹 NEC 电子有限公司中方股东股权向境外划转及注入拟上市
公司资产评估项目予以核准的批复》，核准华虹 NEC 中方股东股权向境外划转
及注入拟上市公司项目的资产评估报告。
  中华人民共和国商务部分别于 2005 年 3 月 31 日、2005 年 4 月 30 日、2005
年 7 月 28 日核发商合批[2005]178 号《商务部关于同意上海华虹 NEC 电子有限
公司向境外划转股权并在香港设立华虹半导体有限公司的批复》、商资批
[2005]720 号《商务部关于同意上海华虹 NEC 电子有限公司股权转让等事宜的批
复》、商资批[2005]1540 号《商务部关于同意上海华虹 NEC 电子有限公司转股
的批复》，同意上述事宜。
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  中华人民共和国国家发展和改革委员会于 2005 年 5 月 8 日核发发改外资
[2005]730 号《国家发展改革委关于上海华虹 NEC 电子有限公司中方股东股权全
部转移境外并在香港上市项目核准的批复》，同意上述事宜。
  （2）股权托管的解除过程
订了《关于<境外信托契据><关于股权托管及划转的协议>之解除协议》，约定
解除境外信托契据、股权托管及划转协议，前述协议约定之股权托管相关安排同
时终止，各方相互配合于该协议生效之日起 90 日内将标的股票划转至 Zhangjiang
GU KE。
                                        “原
则同意指定张江科投下属 Zhangjiang GU KE 作为承接主体，将华虹半导体股权
无偿划转其持有”。2022 年 6 月 9 日，标的股票已划转至 Zhangjiang GU KE。
  因此，上述标的股票托管关系已完成解除以及划转手续，华虹集团、华虹国
际与张江集团之间不再存在任何股权托管相关的安排，华虹集团、华虹国际亦不
再代张江集团持有及管理任何华虹半导体股票；华虹集团、华虹国际、张江集团、
Zhangjiang GU KE 各方之间不存在任何委托持股、信托持股或任何其他利益安排。
  综上，发行人直接控股股东华虹国际所持股份目前为港股流通股，股份权属
清晰，不存在纠纷。
  根据发行人、Grace Cayman 与联和国际于 2011 年 12 月 28 日签订的《Escrow
Deed》，发行人收购 Grace Cayman 完成后发行额外 11，010，635 股股份，由联
和国际托管，联和国际作为托管人在托管股份中没有任何实益权益，而只是为了
被托管人的利益持有相应托管股份，并且如联和国际拟转让托管股份，需遵守适
用的法律法规、托管协议并根据发行人章程获得相应授权；在联和国际作为托管
股份的登记股东期间，联和国际不得行使托管股份的表决权；若在托管期限内发
行人进行分红，发行人有权扣留并预留托管股份所对应的分红。根据上述约定，
托管人与被托管人构成香港法律项下的合同法律关系。
华虹半导体有限公司                                    招股说明书
件，故由联和国际代为托管 3，645 股发行人股份，2016 年 3 月 9 日，联和国际
已将其中的 561 股发行人股份转让给实际权益持有人。截至本招股说明书签署日，
联和国际仍为相关股东（Chen Li 和 Lin，Fen—Hung）托管 3，084 股发行人股
份。鉴于前述股东持有的股份无法在境内 A 股股票市场流通或者转换，被托管
人不存在通过本次发行上市在境内 A 股股票市场获得不当利益的情形。
  上述托管股份系因历史原因形成的，联和国际并非基于被托管人的委托而托
管该等股份，而是因无法联系该等被托管人而被动继续托管该等股份，不属于《监
管规则适用指引—关于申请首发上市企业股东信息披露》规定的需要清理的股份
代持。若被托管人联系联和国际要求返还相关托管股份，其将会及时将相应股份
转让给被托管人，其与被托管人之间不存在任何纠纷或者潜在纠纷。
三、发行人设立以来重要事件情况
  （一）2005 年收购华虹 NEC
定华虹 NEC 当时全体注册于境内的股东分别将其持有的华虹 NEC 股权划转、转
让予相关境外主体，并由发行人向前述划转或转让完成后的华虹 NEC 全体股东
发行股份购买其合计持有的华虹 NEC 100%股权。
  国务院国有资产监督管理委员会于 2005 年 2 月 4 日出具国资产权[2005]150
号《关于对上海华虹 NEC 电子有限公司中方股东股权向境外划转及注入拟上市
公司资产评估项目予以核准的批复》，核准华虹 NEC 中方股东股权向境外划转
及注入拟上市公司项目的资产评估报告。
  中华人民共和国商务部分别于 2005 年 3 月 31 日、2005 年 4 月 30 日、2005
年 7 月 28 日核发商合批[2005]178 号《商务部关于同意上海华虹 NEC 电子有限
公司向境外划转股权并在香港设立华虹半导体有限公司的批复》、商资批
[2005]720 号《商务部关于同意上海华虹 NEC 电子有限公司股权转让等事宜的批
复》、商资批[2005]1540 号《商务部关于同意上海华虹 NEC 电子有限公司转股
的批复》，同意上述事宜。
  中华人民共和国国家发展和改革委员会于 2005 年 5 月 8 日核发发改外资
华虹半导体有限公司                                     招股说明书
[2005]730 号《国家发展改革委关于上海华虹 NEC 电子有限公司中方股东股权全
部转移境外并在香港上市项目核准的批复》,同意上述事宜。
    华虹国际、NEC、香港海华有限公司（以下简称“香港海华”）及 Newport
已于 2005 年 6 月 1 日被登记为发行人股东，华虹 NEC 之股权已于 2005 年 10 月
    （二）2011 年股份回购及合并
    发行人于 2011 年回购了 Newport 持有的发行人 57,050,000 股普通股股份，
并与联和国际控制的 Grace Cayman 进行了合并。发行人股东会已于 2011 年 7 月、
华虹集团、Grace Cayman 当时之间接控股股东上海联和共同向上海市国资委提
交《关于上海华虹 NEC 电子有限公司和上海宏力半导体制造有限公司境外母公
司合并工作情况的报告》，将前述回购事宜、合并方案、合并完成后相关股东的
股权比例等事宜报告予上海市国资委。2011 年 11 月 28 日，上海市国资委产权
管理处出具了《说明》，确认已收阅相关工作报告。2011 年 12 月 16 日，中华
人民共和国国家发展和改革委员会下发《国家发展改革委关于香港华虹半导体有
限公司与开曼宏力半导体制造有限公司合并项目核准的批复》（发改外资
[2011]2982 号）至上海市发展改革委，批复同意前述合并项目。
    （三）2013 年 4 月联和国际将托管股份转让予 Grace Cayman 的合并前股
东
    在发行人与 Grace Cayman 合并完成后，联和国际持有对发行人本金为 6,900
万美元的可转换公司债券，联和国际未实施相关转股权利，相关转股权已于 2012
年 9 月 30 日失效。根据发行人、Grace Cayman 与联和国际于 2011 年 12 月 28
日签订的《Escrow Deed》，联和国际将其持有的 11,010,635 股托管的普通股股
份按照合并前原股东在 Grace Cayman 对应的持股比例转让予 Grace Cayman 的合
并前股东（其中，已退出股东所应受让的股份由受让该等股东所持发行人股份的
受让方承继）。因个别股东未交回解除托管的转让文件，联和国际仍为相关股东
代为托管 3,645 股股份。发行人已于 2013 年 3 月召开董事会，同意前述股份转
让事宜。
华虹半导体有限公司                                     招股说明书
  （四）2014 年 10 月发行人在香港联交所首次公开发行股票并上市
  发行人股东大会于 2014 年 9 月 20 日作出决议，同意发行人公开发行股票，
同时批准董事行使发行人配发、发行及处置股份的一切权力（包括作出要约、订
立协议、或授出将会或可能须配发及发行股份的证券的权力）。
  发行人于 2014 年 10 月以 11.25 港币/股的价格公开发行合计 228,696,000 股
股份；本次发行完成后，发行人已发行股份总数增至 1,033,871,656 股。2014 年
  （五）2018 年 11 月增资
  发行人于 2018 年 1 月 3 日与大基金签订《认购协议》，约定大基金（无论
是通过其自身或是通过其指定人士）认购发行人 242,398,925 股股份，认购价为
每股 12.9002 港元；发行人股东特别大会于 2018 年 2 月 14 日作出决议，同意前
述股份认购事宜。大基金指定的主体鑫芯香港已于 2018 年 11 月 7 日完成前述股
份认购。
  华虹集团于 2017 年 12 月 15 日召开一届五十三次党委会，同意上述股份认
购事宜；大基金已于 2017 年 12 月 15 日召开第二十次董事会审议通过上述股份
认购事宜，并就前述事宜于 2017 年 12 月 15 日出具了《国家集成电路产业投资
基金重大项目核准意见表》。
  报告期内，公司不存在重大资产重组的情况。
四、发行人在其他证券市场上市或挂牌的情况
  （一）公司股票于香港联交所上市情况
公司以每股 11.25 港币的价格公开发行合计 228,696,000 股股份，扣除包销费用
及佣金以及全球发售所涉及的其他费用后募集资金合计为 3.202 亿美元。本次发
行完成后，发行人已发行股份总数增至 1,033,871,656 股。
  （二）申报前 120 个交易日内的市值情况
   发行人本次首次公开发行股票的申报时间为 2022 年 8 月，按照 2022 年 8
 月 5 日的港元对人民币汇率中间价折算，公司申报前 120 个交易日内，平均市
华虹半导体有限公司                                                                                          招股说明书
值为 334.11 亿元人民币。本招股说明书签署日前 120 个交易日内，公司平均市
值大于 200 亿元人民币。
五、发行人股权结构
   截至 2022 年 12 月 31 日，发行人股权结构如下：
                                    上海市国资委
 仪电集团          上海国盛          上海国际          51.59%                  上海联和                          大基金
                                                                                                巽鑫（上海）投
                                        华虹集团                                                    资有限公司
                 其他                     华虹国际                       联和国际                          鑫芯香港
                                          华虹半导体有限公司
  HHGrace       HHGrace
                                 力鸿科技               Grace Cayman      上海华虹宏力                    华虹无锡
     USA         Japan
                                                                          华虹制造                  无锡置业
六、发行人子公司、分公司及参股公司情况
   截至本招股说明书签署日，发行人拥有 8 家子公司，无分公司，7 家参股公
司。
     （一）子公司情况
公司名称                          上海华虹宏力半导体制造有限公司
注册资本                          782,857.78 万元
实收资本                          782,857.78 万元
法定代表人                         张素心
成立日期                          2013 年 1 月 24 日
统一社会信用代码                      91310000057674532R
注册地/主要生产经营地                   中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路 1399 号
华虹半导体有限公司                                                    招股说明书
               集成电路产品有关的设计、开发、制造、测试、封装，销售
经营范围           集成电路产品及相关技术支持，销售自产产品。（依法须经
               批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
股东构成及控制情况      发行人持股 100%
在发行人业务板块中的定位   生产及销售半导体产品，属于公司主营业务的组成部分
  上海华虹宏力最近一年的主要财务数据如下：
                                                             单位：万元
        项目                       2022 年 12 月 31 日/2022 年度
总资产                                                         4,886,695.72
净资产                                                         2,879,618.40
营业收入                                                        1,677,837.62
净利润                                                          290,520.79
  注：上述财务数据为合并数据，均已按照企业会计准则和本公司会计政策的规定编制并
包含在本公司的合并财务报表中。该合并财务报表已由申报会计师进行审计并出具了标准无
保留意见的“安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号”《审计报告》。
公司名称           华虹半导体（无锡）有限公司
注册资本           253,685.18 万美元
实收资本           253,685.18 万美元
法定代表人          张素心
成立日期           2017 年 10 月 10 日
统一社会信用代码       91320214MA1R9H5T8X
注册地/主要生产经营地    无锡市新吴区新洲路 30 号
               集成电路产品的设计、开发、制造、测试、封装、销售及技
经营范围           术服务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可展
               开经营活动）
               华虹半导体持股 22.22%、上海华虹宏力持股 28.78%、大基金
股东构成及控制情况      持股 20.58%、无锡锡虹联芯投资有限公司持股 20%、国家集
               成电路产业投资基金二期股份有限公司持股 8.42%
在发行人业务板块中的定位   生产及销售半导体产品，属于公司主营业务的组成部分
  华虹无锡最近一年的主要财务数据如下：
                                                             单位：万元
        项目                        2022 年 12 月 31 日/2022 年度
总资产                                                         3,141,854.59
净资产                                                         1,570,579.77
营业收入                                                         676,591.99
华虹半导体有限公司                                                   招股说明书
净利润                                                         -57,787.04
  注：上述财务数据为合并数据，均已按照企业会计准则和本公司会计政策的规定编制并
包含在本公司的合并财务报表中。该合并财务报表已由申报会计师进行审计并出具了标准无
保留意见的“安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号”《审计报告》。
公司名称           华宏置业（无锡）有限公司
注册资本           3,000.00 万元
实收资本           3,000.00 万元
法定代表人          周卫平
成立日期           2020 年 9 月 1 日
统一社会信用代码       91320214MA22BL8941
注册地/主要生产经营地    无锡市新吴区和风路 26 号新发汇融广场 C 栋 339 室
               许可项目：房地产开发经营；住宅室内装饰装修；各类工程
               建设活动（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开
               展经营活动，具体经营项目以审批结果为准）一般项目：物
经营范围
               业管理；停车场服务；建筑材料销售；技术服务、技术开发、
               技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广（除依法须经批
               准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
股东构成及控制情况      华虹无锡持股 100%
               作为华虹无锡项目的配套保障，建设华虹无锡集成电路产业
在发行人业务板块中的定位
               配套及人才用房
  无锡置业最近一年的主要财务数据如下：
                                                            单位：万元
        项目                       2022 年 12 月 31 日/2022 年度
总资产                                                         116,983.40
净资产                                                          -1,726.43
营业收入                                                              0.00
净利润                                                          -2,305.87
  注：上述财务数据均已按照企业会计准则和本公司会计政策的规定编制并包含在本公司
的合并财务报表中。该合并财务报表已由申报会计师进行审计并出具了标准无保留意见的
“安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号”《审计报告》。
公司名称           华虹半导体制造（无锡）有限公司
注册资本           40.20 亿美元
实收资本           0元
法定代表人          张素心
成立日期           2022 年 6 月 17 日
华虹半导体有限公司                                                          招股说明书
统一社会信用代码           91320214MABP7NAE9E
注册地/主要生产经营地        无锡市新吴区新洲路 30-1 号
             一般项目：集成电路制造；集成电路芯片及产品制造；集成
             电路销售；集成电路芯片及产品销售；集成电路设计；集成
经营范围
             电路芯片设计及服务（除依法须经批准的项目外，凭营业执
             照依法自主开展经营活动）
             上海华虹宏力持股 29.10%、发行人持股 21.90%、国家集成电
股东构成及控制情况    路产业投资基金二期股份有限公司持股 29.00%、无锡锡虹国
             芯投资有限公司持股 20.00%
             新设子公司，为募投项目华虹制造（无锡）项目的实施主体，
在发行人业务板块中的定位
             系公司主营业务的组成部分
  注：新设子公司，尚未实际生产经营。
  华虹制造最近一年的主要财务数据如下：
                                                                   单位：万元
        项目                             2022 年 12 月 31 日/2022 年度
总资产                                                                     0.00
净资产                                                                     0.00
营业收入                                                                    0.00
净利润                                                                     0.00
  注：上述财务数据均已按照企业会计准则和本公司会计政策的规定编制并包含在本公司
的合并财务报表中。该合并财务报表已由申报会计师进行审计并出具了标准无保留意见的
“安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号”《审计报告》。
公司名称               Grace Semiconductor Manufacturing Corporation
已发行股份              1股
成立日期               1999 年 10 月 5 日
注册地/主要生产经营地        开曼群岛
股东构成及控制情况          发行人持股 100%
主营业务               投资控股
在发行人业务板块中的定位       系公司投资平台
  Grace Cayman 最近一年的主要财务数据如下：
                                                                   单位：万元
        项目                             2022 年 12 月 31 日/2022 年度
总资产                                                                51,476.95
净资产                                                                48,079.67
营业收入                                                                    0.00
华虹半导体有限公司                                                          招股说明书
净利润                                                                       3.37
  注：上述财务数据均已按照企业会计准则和本公司会计政策的规定编制并包含在本公司
的合并财务报表中。该合并财务报表已由申报会计师进行审计并出具了标准无保留意见的
“安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号”《审计报告》。
公司名称                Global Synergy Technology Limited
公司编号                870507
已发行股份               10,000 股
成立日期                2003 年 11 月 12 日
注册地/主要生产经营地         1501 Capital Centre,151 Gloucester Road,Wan Chai,Hong Kong
股东构成及控制情况           发行人持股 100%
主营业务                贸易
在发行人业务板块中的定位        作为公司的贸易平台
  力鸿科技最近一年的主要财务数据如下：
                                                                   单位：万元
        项目                              2022 年 12 月 31 日/2022 年度
总资产                                                                  32,197.05
净资产                                                                   3,523.22
营业收入                                                                    734.18
净利润                                                                  -1,644.32
  注：上述财务数据均已按照企业会计准则和本公司会计政策的规定编制并包含在本公司
的合并财务报表中。该合并财务报表已由申报会计师进行审计并出具了标准无保留意见的
“安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号”《审计报告》。
公司名称                HHGrace Semiconductor Japan Co., Ltd.
已发行股份               200 股
成立日期                2006 年 5 月 2 日
注册地/主要生产经营地         日本东京
股东构成及控制情况           发行人持股 100%
主营业务                半导体产品销售
在发行人业务板块中的定位        与公司主营业务具有相关性，为公司提供相关销售支持
  HHGrace Japan 最近一年的主要财务数据如下：
华虹半导体有限公司                                                        招股说明书
                                                                 单位：万元
         项目                           2022 年 12 月 31 日/2022 年度
总资产                                                                337.01
净资产                                                                302.31
营业收入                                                                59.52
净利润                                                                   2.75
  注：上述财务数据均已按照企业会计准则和本公司会计政策的规定编制并包含在本公司
的合并财务报表中。该合并财务报表已由申报会计师进行审计并出具了标准无保留意见的
“安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号”《审计报告》。
公司名称              HHGrace Semiconductor USA,Inc.
已发行股份数            10,000 股
成立日期              2005 年 10 月 20 日
注册地/主要生产经营地       美国加利福尼亚州
股东构成及控制情况         发行人持股 100%
主营业务              半导体产品销售
在发行人业务板块中的定位      与公司主营业务具有相关性，为公司提供相关销售支持
  HHGrace USA 最近一年的主要财务数据如下：
                                                                 单位：万元
         项目                           2022 年 12 月 31 日/2022 年度
总资产                                                               1,660.23
净资产                                                               1,018.16
营业收入                                                              1,168.53
净利润                                                                 45.93
  注：上述财务数据均已按照企业会计准则和本公司会计政策的规定编制并包含在本公司
的合并财务报表中。该合并财务报表已由申报会计师进行审计并出具了标准无保留意见的
“安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号”《审计报告》。
  （二）参股公司情况
  截至 2022 年 12 月 31 日，发行人存续的重要参股公司共 2 家。该等重要参
股公司的选取标准为：发行人通过一级控股子公司间接持股比例超过 10%的参股
公司。此外，公司还有 5 家参股公司。
公司名称          上海华虹科技发展有限公司
华虹半导体有限公司                                                    招股说明书
统一社会信用代码    913101155543416243
公司类型        有限责任公司（外商投资企业与内资合资）
法定代表人       徐任重
成立日期        2010 年 5 月 10 日
注册资本        54,800 万元人民币
实收资本        54,800 万元人民币
注册地/主要生产
            中国（上海）自由贸易试验区锦绣东路 2777 弄 28 号 503 室
经营地
                        股东                         持股比例
股东构成                上海华虹宏力                          50.00%
                      华虹集团                          50.00%
主营业务及其在发
行人业务板块中的    科技开发及投资，与发行人主营业务无关
定位
                        项目                 2022 年 12 月 31 日/2022 年度
            总资产（万元）                                          138,625.70
            净资产（万元）                                           75,010.86
最近一年的财务数
            营业收入（万元）                                          17,682.66
据
            净利润（万元）                                            5,335.49
                                          上述财务数据为合并数据，最近一
            审计情况                          年财务数据经大华会计师事务所
                                          （特殊普通合伙）上海分所审计
公司名称       上海华虹投资发展有限公司
统一社会信用代
码
公司类型       其他有限责任公司
法定代表人      王靖
成立日期       2020 年 11 月 25 日
注册资本       48,000 万元人民币
实收资本       33,600 万元人民币
注册地/主要生产   中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路 888 号 A 楼 666
经营地        室
                       股东                          持股比例
                     华虹集团                          60.00%
股东构成
                      华力微                          20.00%
                   上海华虹宏力                          20.00%
华虹半导体有限公司                                                           招股说明书
主营业务及其在
发行人业务板块      产业链公司股权投资，与发行人主营业务无关
中的定位
                           项目                       2022 年 12 月 31 日/2022 年度
             总资产（万元）                                                  70,582.77
             净资产（万元）                                                  64,916.62
最近一年的财务
             营业收入（万元）                                                   571.70
数据
             净利润（万元）                                                  16,617.69
                                                最近一年财务数据经大华会计师
             审计情况                               事务所（特殊普通合伙）上海分所
                                                      审计
                           投资时                            控股方/第
序号   公司名称    注册资本                            参股情况                    主营业务
                            间                             一大股东
                                                                    开发、设计、
                                      发行人通过一级全
     上海华力                                                           加工、制造和
     限公司                                                            路和相关产
                                                                      品
                                      发行人通过一级全
     上海矽睿
     有限公司
     上海艾为                             发行人通过一级全
                                                                    集成电路芯
     电子技术                  2021 年     资子公司上海华虹
     股份有限                    8月       宏力间接持股
                                                                     和销售
      公司                              0.11%
                                      发行人通过参股公
                                      股 50%
                                      发行人通过参股公
                                      股 50%
     （三）报告期内注销事项
     上海华杰芯片技术服务有限公司原为发行人控股子公司，发行人通过上海华
虹宏力间接持有其 100%股权，因处于停业状态，无实质性业务开展，已于 2021
年 2 月 19 日注销。
华虹半导体有限公司                        招股说明书
    （四）发行人与控股股东、实际控制人或董事、高级管理人员共同投资情
况
    发行人存在与间接控股股东华虹集团共同投资公司的情形，共同投资公司包
括华虹科技、华力微、华虹投资、华虹置业、华锦物业，前述共同投资公司的具
体情况详见本招股说明书“第四节 发行人基本情况”之“六、发行人子公司、分
公司及参股公司情况”之“（二）参股公司情况”。
    华虹科技主要是通过华虹置业、华锦物业两家子公司开发华虹创新园并运营
管理；华力微追求先进逻辑工艺晶圆代工，与华虹半导体是华虹集团基于半导体
制造行业的不同技术发展路径所设立的不同业务板块；华虹投资为投资半导体产
业链上下游公司成立。华虹半导体全资子公司上海华虹宏力基于自身战略发展需
要，投资上述公司。
    发行人对共同投资设立的公司均以货币出资，发行人与其他股东按持股比例
履行出资义务，发行人对共同投资设立的公司出资价格公允，不存在损害发行人
利益的情形。
    报告期内，发行人与华虹科技、华力微、华虹置业、华锦物业存在业务往来，
具体请详见本招股说明书之“第八节 公司治理与独立性”之“十、关联（连）交
易情况”。该等关联（连）交易均已按照《公司章程》《联交所上市规则》等有
关规定履行了必要的程序，该等交易真实、合法合规，在商业角度具备必要性、
合理性，定价公允，不存在损害发行人利益的行为。
    报告期内，发行人与华虹投资不存在业务往来。
华虹半导体有限公司                                                           招股说明书
七、持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况
  （一）控股股东、实际控制人基本情况
  截至 2022 年 12 月 31 日，直接控股股东华虹国际实际直接持有公司
公司名称        Shanghai Hua Hong International, Inc.
成立日期        2002 年 1 月 2 日
公司编号        114899
注册地/主要生产经   The offices of CO Services Cayman Limited, P.O. Box 10008 Airport
营地          Willow House, Cricket Square, Cayman Islands
已发行股份数      5 万股
股东构成及控制情
            华虹集团持股 100%
况
主营业务        投资控股
与公司主营业务的
            无
关系
                  项目                      2022 年 12 月 31 日/2022 年度
            总资产（万元）                                                 4,937,543.96
            净资产（万元）                                                 2,773,164.46
最近一年的财务数
            营业收入（万元）                                                1,678,571.80
据
            净利润（万元）                                                   273,029.14
                                上述财务数据为合并数据，最近一年的财务数据
            审计情况                已经大华会计师事务所（特殊普通合伙）上海分
                                         所审计
  截至 2022 年 12 月 31 日，华虹集团直接持有华虹国际 100%的股份，华虹集
团通过华虹国际实际间接持有发行人 347,605,650 股股份，占发行人股份总数的
公司名称        上海华虹（集团）有限公司
注册资本        1,125,655.37 万元
实收资本        1,321,423.10 万元（注）
成立日期        1996 年 4 月 9 日
统一社会信用代码    91310000132263312B
华虹半导体有限公司                                             招股说明书
注册地/主要生产经
            中国（上海）自由贸易试验区碧波路 177 号
营地
            组织开发、设计、加工、制造和销售集成电路和相关产品，投资集成
            电路设计、制造、销售、应用及相关高科技产业，咨询服务，资产管
经营范围
            理，自有房屋租赁，停车场（库）经营。【依法须经批准的项目，经
            相关部门批准后方可开展经营活动】
            上海市国有资产监督管理委员会持股 51.59%，上海国际集团有限公
股东构成及控制情
            司持股 18.36%，上海国盛（集团）有限公司持股 18.36%，仪电集团
况
            持股 11.69%
主营业务        投资控股、资产经营
与公司主营业务的
            无
关系
                项目              2022 年 12 月 31 日/2022 年度
            总资产（万元）                                  12,229,859.33
            净资产（万元）                                   6,923,026.94
最近一年的财务数
据           营业收入（万元）                                  3,160,878.31
            净利润（万元）                                        -4,782.74
                   上述财务数据为合并数据，最近一年财务数据未
            审计情况
                            经审计
  注：实收资本与注册资本的差异为相关国有资本经营预算已到位金额，相关增资的工商
变更手续尚在办理过程中，本招股说明书所涉华虹集团的股权比例均以工商登记的注册资本
口径计算。
  截至 2022 年 12 月 31 日，上海市国资委直接持有华虹集团 51.59%的股权，
系发行人的实际控制人。
  截至本招股说明书签署日，公司控股股东和实际控制人直接或间接持有的公
司股份不存在质押或其他有争议的情况。
  报告期内，控股股东、实际控制人不存在贪污、贿赂、侵占财产、挪用财产
或者破坏社会主义市场经济秩序的刑事犯罪，不存在欺诈发行、重大信息披露违
法或者其他涉及国家安全、公共安全、生态安全、生产安全、公众健康安全等领
域的重大违法行为。
华虹半导体有限公司                                                             招股说明书
     （二）其他持有发行人 5%以上股份的主要股东
     截至 2022 年 12 月 31 日，除华虹国际外，其他直接持有发行人 5%以上股份
的主要股东为：联和国际及其全资子公司 Wisdom Power、鑫芯香港。其基本情
况如下：
     截至 2022 年 12 月 31 日，联和国际直接持有、以托管方式持有以及通过全
资子公司 Wisdom Power 间接持有合计发行人 188,961,147 股股份，占发行人股
份总数的 14.46%。
     （1）基本情况
     联和国际成立于 1998 年 3 月 25 日，基本情况如下：
公司名称           Sino-Alliance International,Ltd
公司编号           80586
已发行股份          5 万股
               The offices of Vistra （Cayman） Limited, P.O. Box 31119 Grand
注册地            Pavilion, Hibiscus Way, 802 West Bay Road, Grand Cayman,
               KY1-1205, Cayman Islands
成立日期           1998 年 3 月 25 日
经营范围           投资控股
股东             上海联和持股 100%
                        项目                       2022 年 12 月 31 日/2022 年度
               总资产（美元）                                              851,863,279.55
               净资产（美元）                                              849,388,279.55
最近一年的财务数据
               营业收入（美元）                                                       0.00
               净利润（美元）                                              -25,948,527.99
               审计情况                              最近一年财务数据未经审计
     Wisdom Power 成立于 2000 年 8 月 8 日，基本情况如下：
公司名称           Wisdom Power Technology Limited
公司编号           103014
已发行股份          100 股
               The offices of Vistra （Cayman） Limited, P.O. Box 31119 Grand
注册地            Pavilion, Hibiscus Way, 802 West Bay Road, Grand Cayman, KY1-1205
               Cayman Islands
华虹半导体有限公司                                                             招股说明书
成立日期           2000 年 8 月 8 日
股东             联和国际持股 100%
                      项目                    2022 年 12 月 31 日/2022 年度
               总资产（美元）                                              162,577,308.42
               净资产（美元）                                              144,552,078.42
最近一年的财务数据
               营业收入（美元）                                                       0.00
               净利润（美元）                                              -49,260,783.91
               审计情况                          最近一年财务数据未经审计
     （2）股权结构
     联和国际及其全资子公司 Wisdom Power 股权结构如下：
                    上海市国有资产监督管理委员会
                                 上海联和
                                 联和国际
                             Wisdom Power
     （1）基本情况
     截至 2022 年 12 月 31 日，鑫芯香港直接持有发行人 13.67%的股份。鑫芯香
港的基本情况如下：
公司全称           Xinxin （Hongkong） Capital Co., Limited
公司编号           2196863
已发行股份          8,000,194,065 股
注册地
               Hong Kong
成立日期           2015 年 1 月 27 日
主营业务           投资控股
股东             巽鑫（上海）投资有限公司持股 100%
华虹半导体有限公司                                                         招股说明书
                               项目             2022 年 12 月 31 日/2022 年度
                    总资产（万元）                                       1,518,839.31
                    净资产（万元）                                       1,515,593.31
最近一年的财务数据
                    营业收入（万元）                                             25.79
                    净利润（万元）                                        -214,489.97
                    审计情况                         最近一年财务数据未经审计
     （2）股权结构
     鑫芯香港股权结构如下：
                                    大基金
                               巽鑫（上海）投资有限公司
                                    鑫芯香港
     （三）发行人控股股东、实际控制人控制的其他企业情况
     截至 2022 年 12 月 31 日，发行人直接控股股东华虹国际、间接控股股东华
虹集团控制的除发行人外的一级子公司情况如下：
序号              企业名称                         关联（连）关系              主营业务
                                                                网络系统设
      Hua Hong International        直接控股股东华虹国际持股                计、服务；集
      （Americas）Inc.                100%                        成电路设计、
                                                                销售
      上海华虹挚芯电子科技有限公                 间接控股股东华虹集团持股
      司                             93.02%
                                    间接控股股东华虹集团持股                产业链公司股
                                                                开发、设计、
                                    间接控股股东华虹集团持股                加工、制造和
                                                                和相关产品
                                                                以电子产品、
                                    间接控股股东华虹集团持股                半导体产品为
                                                                等
                                    间接控股股东华虹集团持股                科技开发及投
华虹半导体有限公司                                  招股说明书
                                        集成电路相关
                                        领域内的技术
                         华虹集团子公司，华虹集团持有
                         其 29.94%的股权
                                        询、技术服务、
                                        技术转让
                                        轨道交通系统
     上海华虹计通智能系统股份有 华虹集团子公司，华虹集团持有
     限公司                 其 25.32%的股权
                                        售和提供服务
   注：上海集成于 2023 年 3 月完成工商变更，不再属于华虹集团控制的公司。
     根据上海市国资委网站列示的信息，截至本招股说明书签署日，除华虹集团
外，上海市国资委监管的企业具体情况如下：
序号     类别          企业名称             核心业务
                                国有资本运营管理、投资与投资
                                管理、资产整合与处置
                                机场运营与投资、机场相关配套
                                服务
              上海临港经济发展（集团）有限公   园区投资、开发与运营，园区相
              司                 关配套服务，园区相关产业投资
                                城市更新与区域投资开发、房地
                                产开发经营
                                路桥等基础设施投资建设与运
                                营管理，水务、垃圾固废处理等
                                设施投资与运营管理，房地产开
                                发经营与资产管理
                                交通运输投资、运营与管理，体
                                （房地产、实业股权）
                                轨道交通运营服务（运营管理、
                                维护保障）、轨道交通投资建设
                                （含投融资、建设管理、沿线物
                                业、设计咨询等）
                                旅游目的地开发经营、文化影视
                                旅游投资及配套服务
                                长江三角洲及沿江地区的投资
                                与投资服务、园区开发经营
              上海市现代农业投资发展集团有
              限公司
              上海东方枢纽投资建设发展集团
              有限公司
              上海科技创业投资（集团）有限公   科技、创业相关产业投资与投资
              司                 服务
华虹半导体有限公司                               招股说明书
序号    类别          企业名称              核心业务
             中国太平洋保险（集团）股份有限   商业保险（寿险、产险、养老健
             公司                康、资产管理等）
                               商业银行服务、综合金融服务
                               国际投行、货币经纪）
                               商业银行服务、综合金融服务
                               （基金管理、国际投行）
                               商业银行服务、综合金融服务
                               （金融租赁等）
                               资本市场金融服务（经纪交易、
                               资本中介等）
                               资本市场金融服务（经纪交易、
                               投资银行、资产管理、资本投资、
                               资本中介等）、综合金融服务（融
                               资租赁、境外银行等）
                               汽车研发与制造、汽车服务与贸
                               金融、汽车信息及服务等）
                               能源装备制造及服务、通用装备
                               务
                               精细化学品及基础化工原料制
                               造、高分子材料及轮胎橡塑制品
                               制造、化工专业技术及生产性服
                               务
                               生物医药、实业投资与经营（基
                               理（房地产、金融股权）
             上海国际港务（集团）股份有限公   港口作业（集装箱、散杂货装卸
             司                 等）、港口投资、港口物流服务
                               电力、燃气为主的能源产品生产
                               与供应，能源及相关服务业（能
                               造与服务、能源服务），金融企
                               业投资管理
                               建筑工程、建材工业与设计咨
                               投资与经营
                               新一代信息技术产业，不动产、
                               证券等资产管理
                               食品产业与供应链、城市食品保
                               障服务与资产经营管理
                               工程建设产业链综合服务、基础
                               营
                               建筑设计与建设工程全过程咨
                               询服务、城市设计与开发建设
华虹半导体有限公司                                                           招股说明书
序号      类别             企业名称                                核心业务
                                                商业零售与商贸服务、消费金融
                                                与证券
                                                酒店管理及投资、旅行服务及相
                                                关运输服务
                                                国际贸易及供应链服务、时尚产
                                                业及相关服务、纺织品制造
                                                建设工程技术研究，检测检验，
                                                技术服务，工程咨询
                                                农资、农产品等商品经营及相关
                                                资产经营
                                                资产经营（城镇集体经济）、商
                                                业贸易与综合服务
               长三角一体化示范区新发展建设
               有限公司
八、发行人股本情况
     （一）本次发行前后的股本情况
     本次初始发行的股票数量 407,750,000 股，不涉及现有股份的转换，为初始
发行后股份总数的 23.76%。本次发行前后，公司股本结构如下表所示：
                      发行前股本结构                           发行后股本结构
序号      股东名称
                  持股数（股）            持股比例            持股数（股）          持股比例
       合计           1,308,147,031     100.00%       1,715,897,031    100.00%
  注：含联和国际以托管方式持有的 3,084 股股份，下同。
  本次发行前后股份总数均以 2023 年 6 月 30 日为基准计算，若未来行权导致股份总数发
生变化，股份总数将相应调整。
     （二）本次发行前主要股东及其他股东持股情况
     截至 2022 年 12 月 31 日，发行人主要股东及其他股东的持股情况如下：
华虹半导体有限公司                                          招股说明书
 序号        股东名称             持股数量（股）               持股比例（%）
        合计                        1,306,836,740     100.00%
  （三）主要股东在公司的任职情况
  截至 2022 年 12 月 31 日，公司主要股东中不存在自然人股东。
  （四）发行人国有股份情况
  根据《上市公司国有股权监督管理办法》
                   （国资委财政部证监会令第 36 号），
华虹国际、联和国际、Wisdom Power、鑫芯香港、Zhangjiang GU KE 在中国证
券登记结算有限责任公司登记的证券账户应标注“CS”标识。
  上海市国资委于 2022 年 6 月 23 日出具《市国资委关于华虹半导体有限公司
公开发行 A 股股票有关事宜的批复》（沪国资委产权[2022]126 号），华虹国际、
联和国际、Wisdom Power、鑫芯香港、Zhangjiang GU KE 的证券账户进行“CS”
标识。
  （五）申报前十二个月新增持有发行人 5%以上股份的股东情况
  发行人申报前十二个月不存在新增持有发行人 5%以上股份的股东情况。
  （六）本次发行前主要股东间的关联（连）关系、一致行动关系及关联（连）
股东的各自持股比例
  截至 2022 年 12 月 31 日，公司直接持股 5%以上的股东为华虹国际、联和国
际及其全资子公司 Wisdom Power、鑫芯香港。其中，华虹国际、联和国际及其
全资子公司 Wisdom Power 均受上海市国资委控制。上海市国资委间接持有华虹
国际 100%的股份，并通过上海联和间接持有联和国际 100%的股份。
华虹半导体有限公司                                             招股说明书
九、发行人董事、高级管理人员及核心技术人员情况
  （一）董事、高级管理人员及核心技术人员的简介
  截至本招股说明书签署日，发行人共有董事 8 名，其中执行董事 2 名，非执
行董事 3 名，独立非执行董事 3 名。发行人董事的基本情况如下：
  姓名        职务                 本届董事任期                  提名人
       董事会主席兼执行
 张素心               2021 年 5 月 13 日至 2024 年 5 月 13 日    董事会
          董事
 唐均君   执行董事兼总裁     2022 年 5 月 12 日至 2025 年 5 月 12 日    董事会
 孙国栋       非执行董事   2021 年 5 月 13 日至 2024 年 5 月 13 日    董事会
  王靖       非执行董事   2022 年 5 月 12 日至 2025 年 5 月 12 日    董事会
  叶峻       非执行董事   2020 年 5 月 14 日至 2023 年 5 月 14 日    董事会
 张祖同   独立非执行董事     2021 年 5 月 13 日至 2024 年 5 月 13 日    董事会
 王桂壎   独立非执行董事     2022 年 5 月 12 日至 2025 年 5 月 12 日    董事会
 叶龙蜚   独立非执行董事     2021 年 5 月 13 日至 2024 年 5 月 13 日    董事会
  上述董事的简历如下：
  （1）张素心
  张素心先生，1964 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，工学学士学位；
教授级高级工程师职称。张先生历任上海汽轮机有限公司总裁、上海电气电站集
团执行副总裁、上海西门子燃气轮机部件有限公司董事长、上海电气集团股份有
限公司执行董事、上海电气（集团）总公司副总裁、上海金桥（集团）有限公司
党委书记、总经理、上海金桥出口加工区开发股份有限公司董事长及党委书记、
上海市发展和改革委员会副主任、上海市张江高新技术产业开发区管委会副主任
等职务。现任发行人董事会主席兼执行董事；华虹国际董事长、首席执行官兼总
裁；华虹集团党委书记、董事长。
  （2）唐均君
  唐均君先生，1964 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，高级工商管理
硕士学位；正高级经济师职称；全国五一劳动奖章、全国劳模、全国优秀党务工
作者荣誉获得者。唐先生历任上海仪表电讯工业局副主任科员、上海无线电十七
华虹半导体有限公司                        招股说明书
厂技术员、上海半导体器件四厂技术员、上海华虹微电子有限公司外事主管等职；
上海华虹 NEC 电子有限公司总务科科长、党委副书记、工会主席兼行政与政府
关系总监；华力微党委书记、副总裁及执行副总裁；华力集总裁；上海华力党委
书记。现任上海华虹宏力及华虹无锡党委书记、总裁，发行人执行董事兼总裁。
  （3）孙国栋
  孙国栋先生，1977 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，工商管理专业
硕士学位。孙先生历任国家开发银行营业部信息处行员、人事局系统干部处副处
长、湖北省分行人事处副处长及处长；华芯投资管理有限责任公司的人力资源部
总经理。现任华芯投资管理有限责任公司的总监兼上海分公司总经理、发行人非
执行董事。
  （4）王靖
  王靖女士，1970 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，经济学硕士学位；
正高级经济师。王女士历任上海市发展和改革委员会产业发展处（服务业发展处）
处长；中国（上海）自由贸易试验区管委会副主任；浦东新区副区长；上海推进
科技创新中心建设办公室专职副主任；上海市张江高新技术产业开发区管委会副
主任等。现任华虹集团总裁、党委副书记、董事，兼任上海华虹虹日电子有限公
司董事长、华虹投资执行董事、华虹国际董事。
  （5）叶峻
  叶峻先生，1972 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，工商管理专业硕
士学位。叶先生历任上海联和投资部业务员、投资银行部副经理、投资银行部经
理、项目经理、业务发展部经理、总经理助理、金融服务投资部经理、副总经理、
党总支委员、党委委员等职位以及上海联和金融信息服务有限公司董事长。现任
上海联和董事兼总经理、党委副书记；上海兆芯集成电路有限公司及上海联彤网
络通讯技术有限公司董事长兼总经理；中美联泰大都会人寿保险有限公司、上海
矽睿科技股份有限公司、上海宣泰医药科技股份有限公司、上海众新信息科技有
限公司、上海矽睿半导体技术有限公司及辽宁兆芯电子科技有限公司董事长；上
海紫竹高新区（集团）有限公司副董事长；发行人非执行董事。
华虹半导体有限公司                           招股说明书
  （6）张祖同
  张祖同先生，1948 年出生，中国（香港）籍，理学学士学位；已获英格兰
及威尔士特许会计师协会永久会员资格证书、独立董事证书。张先生历任安达信
会计师事务所（伦敦）审计从业员；安永会计师事务所审计主任、审计经理、审
计合伙人、专业服务管理合伙人、咨询服务主席及区域副主席；中国国际贸易中
心股份有限公司、海湾控股有限公司、南兴集团有限公司、中国太平洋保险（集
团）股份有限公司、中国信达资产管理股份有限公司及中国人寿保险股份有限公
司独立董事；嘉里建设有限公司独立董事。现任中国国际贸易中心股份有限公司
独立董事；发行人独立非执行董事。
  （7）王桂壎
  王桂壎先生，1951 年出生，中国（香港）籍，文学学士学位及法律学士学
位；铜紫荆星章获得者，太平绅士。王先生历任香港特区政府律政司署检察官；
英国西盟斯律师行中国主理合伙人；美国法朗克律师行中国主理合伙人、中国香
港及中国顾问、中国香港及中国主理人；香港按揭证券有限公司董事；中海油田
服务股份有限公司独立非执行董事。现任王桂壎律师行主理人；维达国际控股有
限公司、新创建集团有限公司及发行人独立非执行董事。
  （8）叶龙蜚
  叶龙蜚先生，1942 年出生，中国（香港）籍，物理硕士学位。叶先生历任
上海电子管二厂技术员；上海市仪表电子工业局科技处新品科副科长、科长、副
处长、处长、副局长、局长；上海市政府副秘书长、上海市外国投资工作委员会
常务副主任；嘉里控股有限公司项目发展经理；香格里拉（亚洲）有限公司董事
长、副董事长、顾问，2018 年 3 月退休。现任兆邦基地产控股有限公司及发行
人独立非执行董事。
  截至本招股说明书签署日，发行人共有 5 名高级管理人员，基本情况如下：
      姓名                职务   高级管理人员任职日期
     唐均君          执行董事兼总裁      2019 年 5 月
     周卫平            执行副总裁      2018 年 2 月
华虹半导体有限公司                                       招股说明书
          姓名                      职务     高级管理人员任职日期
Daniel Yu-Cheng Wang（王鼎）   执行副总裁兼首席财务官     2012 年 2 月
  Weiran Kong（孔蔚然）            执行副总裁        2012 年 2 月
         倪立华                  执行副总裁        2021 年 11 月
   上述高级管理人员的简历如下：
   （1）唐均君
   唐均君先生个人简历情况详见本节“九、发行人董事、高级管理人员及核心
技术人员情况”之“（一）董事、高级管理人员及核心技术人员的简介”之“1、
董事简介”。
   （2）周卫平
   周卫平先生，1967 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，工商管理学硕
士学位；教授级高级工程师职称。周先生历任上海贝岭领班、工程师、技术工程
部经理、硅片制造部经理、生产总监、副总裁、执行副总裁；宁波杉杉尤利卡太
阳能科技发展有限公司（现已更名为宁波尤利卡太阳能股份有限公司）总经理；
上海贝岭微电子制造有限公司总经理；上海先进半导体制造股份有限公司总裁及
首席执行官、党委书记、副总裁。现任上海华虹宏力党委副书记、上海华虹宏力
及华虹无锡执行副总裁；发行人执行副总裁。
   （3）Daniel Yu-Cheng Wang（王鼎）
   Daniel Yu-Cheng Wang（王鼎）先生，1963 年出生，美国国籍，工商管理硕
士学位。王先生历任美国太平洋煤电公司系统工程师；美国 Project Integration 公
司系统工程师；美国 Franklin Templeton Investments 全球投资管理服务部资深软
件工程师、分析师；美国 LSI Logic Corporation 内控部经理、财务规划与分析部
经理、宽带娱乐部财务总监；上海宏力半导体制造有限公司执行副总经理兼财务
长。现任上海华虹宏力及华虹无锡执行副总裁兼财务长；发行人执行副总裁兼首
席财务官。
   （4）Weiran Kong（孔蔚然）
   Weiran Kong（孔蔚然）先生，1963 年出生，美国国籍，应用物理专业博士
学位。孔先生历任北京理工大学工业学院助教；美国 Schlumberger ATE 公司技术
华虹半导体有限公司                                    招股说明书
服务资深工程师；美国 ISSI 公司研发工程师；美国 LSI Logic 公司工艺研发主管
工程师；美国 Sun Micro System 公司 CPU 设计部主管工程师；上海宏力半导体
制造有限公司技术研发记忆体技术处技术经理、技术处副处长、技术研发逻辑技
术处处长、技术处副总经理、技术发展单位副总经理，并同时兼任逻辑/功率与
技术转移处/记忆体技术处/设计服务处最高主管。现任上海华虹宏力及华虹无锡
及发行人执行副总裁，属于核心技术人员。
  （5）倪立华
  倪立华先生，1968 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，工学学士学位，
集成电路工程硕士学位；高级工程师职称。倪先生历任中国华晶电子集团公司中
央研究所工程师；上海华虹微电子有限公司工程师；上海华虹 NEC 电子有限公
司主任、科长、部长；上海新进半导体制造有限公司部门经理；华力微部长、总
监、副厂长；上海华虹宏力及华虹无锡副总裁兼厂长。现任上海华虹宏力及华虹
无锡执行副总裁兼厂长；发行人执行副总裁，属于核心技术人员。
  公司综合考虑员工职责、参与研发项目情况、在核心技术开发中所承担的角
色与贡献程度等多方面因素，确定对公司发展有突出贡献、在公司主要产品研发
中具有重要作用的员工为核心技术人员。
  截至本招股说明书签署日，发行人共有 6 名核心技术人员，基本情况如下：
           姓名                       职务
     Weiran Kong（孔蔚然）              执行副总裁
          倪立华                      执行副总裁
          杨继业                    功率器件研发副总裁
          钱文生                    设计与器件中心副总裁
     Hualun Chen（陈华伦）            首席技术专家兼总监
          桑浚之                    首席技术专家兼总监
  上述核心技术人员的简历如下：
华虹半导体有限公司                            招股说明书
  （1）Weiran Kong（孔蔚然）
  Weiran Kong（孔蔚然）先生个人简历情况详见本节“九、发行人董事、高
级管理人员及核心技术人员情况”之“（一）董事、高级管理人员及核心技术人
员的简介”之“2、高级管理人员简介”。
  （2）倪立华
  倪立华先生个人简历情况详见本节“九、发行人董事、高级管理人员及核心
技术人员情况”之“（一）董事、高级管理人员及核心技术人员的简介”之“2、
高级管理人员简介”。
  （3）杨继业
  杨继业先生，1974 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，应用物理专业
学士学位；高级工程师职称。杨先生历任上海华虹 NEC 电子有限公司 CVD 工艺
工程师；中芯国际集成电路制造（上海）有限公司薄膜工程资深经理；上海华虹
NEC 电子有限公司一厂成膜一科科长、一厂工程二部/二厂工程二部副部长、二
厂工程二部部长、二厂工程一部部长、上海华虹宏力二厂工程一部部长、集成一
部部长、总监、首席技术专家。现任上海华虹宏力功率器件研发副总裁。
  （4）钱文生
  钱文生先生，1968 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，半导体器件与
微电子学博士学位；教授级高级工程师职称。钱先生历任东南大学微电子中心助
教、讲师、副教授；新加坡南洋理工大学微电子中心访问学者、进修人员（博士
后）；新加坡特许半导体制造有限公司主任工程师；上海华虹 NEC 电子有限公
司制品技术部主任、逻辑技术开发部高级主管工程师兼主任、工艺集成部科长、
器件设计部高级专家工程师、部长；上海华虹宏力器件设计部部长、总监、首席
技术专家。现任上海华虹宏力设计与器件中心副总裁。
  （5）Hualun Chen（陈华伦）
  Hualun Chen（陈华伦）先生，1969 年出生，新加坡国籍，工商管理硕士学
位；高级工程师职称。陈先生历任中国华晶电子集团有限公司第 58 研究所薄膜
工程组主任；新加坡特许半导体制造有限公司工艺工程部资深工程师；美国台积
华虹半导体有限公司                                  招股说明书
电分厂工艺工程部资深工程师；上海华虹 NEC 电子有限公司工艺集成部副主任、
主任、高级主管工程师兼主任、逻辑集成部高级主管工程师、存储器集成部高级
主管工程师、科长、工艺集成部专家工程师兼科长、集成二部副部长、部长；上
海华虹宏力集成二部部长、华虹无锡技术转移与开发部总监。现任华虹无锡首席
技术专家兼集成四部总监。
  （6）桑浚之
  桑浚之先生，1964 年出生，中国国籍，无境外永久居留权，系统工程专业
博士学位，高级工程师职称。桑先生历任江苏工学院、江苏理工大学教师；上海
华虹 NEC 电子有限公司 Foundry 部工程师、设计服务部副主任、主任、副科长、
测试与产品部副部长、部长、测试部总监；上海华虹宏力测试与外包服务总监。
现任上海华虹宏力首席技术专家兼测试与外包服务总监。
  （二）董事、高级管理人员及核心技术人员的兼职情况
  截至 2022 年 12 月 31 日，发行人董事、高级管理人员及核心技术人员的主
要兼职情况（在公司及子公司的任职除外）如下：
                                        兼职单位与发行人
 姓名   公司任职          其他任职单位       职务
                                          的关系
                                        间接控股股东控制
              华力微               董事长
                                           的企业
                                        间接控股股东控制
              华力集               董事长
                                           的企业
      董事会主席                      党委书
张素心
      兼执行董事   华虹集团              记、董事     间接控股股东
                                  长
                                董事长、首
              华虹国际              席执行官     直接控股股东
                                 兼总裁
      执行董事兼                             间接控股股东控制
唐均君           华力微                董事
       总裁                                 的企业
                                        间接控股股东控制
              华力集                董事
                                          的企业
              上海集成电路产业投资基金              公司董事担任董事
                                 董事
              股份有限公司                      的公司
              上海集成电路产业投资基金              公司董事担任董事
孙国栋   非执行董事                      董事
              管理有限公司                      的公司
                                总监兼上
                                        公司董事担任高级
              华芯投资管理有限责任公司      海分公司
                                         管理人员的公司
                                总经理
              芯原微电子（上海）股份有限      董事     公司董事担任董事
华虹半导体有限公司                                         招股说明书
                                               兼职单位与发行人
 姓名   公司任职           其他任职单位             职务
                                                 的关系
              公司                                  的公司
              上海超越摩尔私募基金管理                     公司董事担任董事
                                        董事
              有限公司                               的公司
                                               公司董事担任董事
              至微半导体（上海）有限公司             董事
                                                 的公司
                                               间接控股股东控制
              华力微                      副董事长
                                                 的企业
                                               间接控股股东控制
              华力集                       董事
                                                 的企业
                                       党委副书
              华虹集团                     记、董事兼    间接控股股东
                                        总裁
 王靖   非执行董事                                    间接控股股东控制
              华虹投资                     执行董事
                                                 的企业
              华虹国际                      董事      直接控股股东
              Hua Hong International           直接控股股东的全
                                       董事长
              （Americas）Inc.                     资子公司
                                               间接控股股东控制
              上海华虹虹日电子有限公司             董事长
                                                  的企业
                                                间接持有发行人
                                       董事兼总
              上海联和                             司、公司董事担任
                                        经理
                                               董事、高级管理人
                                                 员的公司
                                       非执行董    公司董事担任董事
              上海银行股份有限公司
                                        事         的公司
                                                公司董事担任董
                                       董事长兼
              上海兆芯集成电路有限公司                     事、高级管理人员
                                       总经理
                                                  的公司
                                               公司董事担任董事
              北京兆芯电子科技有限公司             执行董事
                                                  的公司
                                               公司董事担任董事
              西安兆芯集成电路有限公司             执行董事
 叶峻   非执行董事                                       的公司
                                               公司董事担任董事
              辽宁兆芯电子科技有限公司             董事长
                                                  的公司
              中美联泰大都会人寿保险有                     公司董事担任董事
                                       董事长
              限公司                                 的公司
                                               公司董事担任董事
              上海矽睿科技股份有限公司             董事长
                                                  的公司
              上海矽睿半导体技术有限公                     公司董事担任董事
                                       董事长
              司                                   的公司
                                               公司董事担任董事
              格兰菲智能科技有限公司               董事
                                                  的公司
              上海宣泰医药科技股份有限                     公司董事担任董事
                                       董事长
              公司                                  的公司
              上海联彤网络通讯技术有限             董事长兼    公司董事担任董
华虹半导体有限公司                                      招股说明书
                                            兼职单位与发行人
  姓名       公司任职          其他任职单位       职务
                                              的关系
                   公司                总经理    事、高级管理人员
                                               的公司
                                            公司董事担任董事
                   上海众新信息科技有限公司      董事长
                                               的公司
                   上海新京南金属制品有限公             公司董事担任董事
                                      董事
                   司                           的公司
                                            公司董事担任董事
                   上海联升投资管理有限公司       董事
                                               的公司
                                            公司董事担任董事
                   上海和品信息科技有限公司      执行董事
                                               的公司
                   上海市信息投资股份有限公
                                      监事       无
                   司
                   上海紫竹高新区（集团）有限            公司董事担任董事
                                     副董事长
                   公司                         的公司
           独立非执行   中国国际贸易中心股份有限
 张祖同                                 独立董事      无
            董事     公司
                   王桂壎律师行            主理人       无
           独立非执行                     独立非执
 王桂壎               维达国际控股有限公司                  无
            董事                       行董事
                                     独立非执
                   新创建集团有限公司                   无
                                     行董事
           独立非执行                     独立非执
 叶龙蜚               兆邦基地产控股有限公司                 无
            董事                       行董事
 Daniel
           执行副总裁
Yu-Cheng                                    间接控股股东控制
           兼首席财务   华力微                监事
Wang（王                                        的企业
  鼎）         官
    （三）董事、高级管理人员及核心技术人员之间的亲属关系
    截至本招股说明书签署日，公司董事、高级管理人员及核心技术人员相互之
间不存在亲属关系。
    （四）董事、高级管理人员及核心技术人员最近三年涉及行政处罚、监督
管理措施、纪律处分或自律监管措施、被司法机关立案侦查、被中国证监会立
案调查的情况
    截至本招股说明书签署日，公司董事、高级管理人员及核心技术人员最近三
年不存在受到行政处罚、监督管理措施、纪律处分或自律监管措施、被司法机关
立案侦查、被中国证监会立案调查的情况。
华虹半导体有限公司                                             招股说明书
    （五）公司与董事、高级管理人员及核心技术人员签订的重要协议及其履
行情况
    截至本招股说明书签署日，发行人已与在公司任职并领薪的董事、高管人员
及核心技术人员签署了劳动合同、保密协议。除上述协议之外，发行人与董事、
高级管理人员之间不存在其他协议安排。发行人未与董事、高级管理人员及核心
技术人员签订对投资者作出价值判断和投资决策有重大影响的协议。
    （六）董事、高级管理人员及核心技术人员最近 2 年变动情况
    最近 2 年内，发行人董事、高级管理人员及核心技术人员未发生重大变动。
    最近 2 年内，发行人董事没有发生变动。
    最近 2 年内，发行人高级管理人员的变动情况如下：
         时间              高级管理人员                    变动原因
    发行人最近 2 年内高级管理人员变动主要系高级管理人员工作需要升任、个
人退休原因所致，不构成重大不利变化，不会对发行人的生产经营产生重大不利
影响。
    最近 2 年内，发行人核心技术人员没有发生变动。
    （七）董事、高级管理人员、核心技术人员及其近亲属持有公司股份的情
况
    截至 2022 年 12 月 31 日，发行人现任董事、高级管理人员及核心技术人员
持有发行人权益的情况如下表：
    姓名            任职情况或亲属关系            普通股股份数（股）     股份比例
    张素心           董事会主席兼执行董事                   -            -
    唐均君            执行董事兼总裁                     -            -
华虹半导体有限公司                                         招股说明书
   姓名         任职情况或亲属关系            普通股股份数（股）      股份比例
  孙国栋           非执行董事                         -           -
   王靖           非执行董事                         -           -
   叶峻           非执行董事                         -           -
  张祖同          独立非执行董事                        -           -
  王桂壎          独立非执行董事                        -           -
  叶龙蜚          独立非执行董事                        -           -
  周卫平           执行副总裁                         -           -
   Daniel
          执行副总裁、首席财务官兼信息
 Yu-Cheng                               236,473     0.0181%
Wang（王鼎）      披露境内代表
Weiran Kong
                执行副总裁                   169,260     0.0130%
（孔蔚然）
  倪立华           执行副总裁                    12,000     0.0009%
  杨继业         首席技术专家兼总监                       -           -
  钱文生         首席技术专家兼总监                   9,149     0.0007%
Hualun Chen
              首席技术专家兼总监                       -           -
（陈华伦）
  桑浚之         首席技术专家兼总监                    595      0.0000%
    截至 2022 年 12 月 31 日，发行人现任董事、高级管理人员、核心技术人员
及其近亲属持有的公司股份不存在质押或冻结情况。
    （八）董事、高级管理人员及核心技术人员与发行人及其业务相关的对外
投资情况
    截至 2022 年 12 月 31 日，除持有公司股份外，发行人现任董事、高级管理
人员及核心技术人员不存在与发行人及其业务相关的对外投资。
    （九）董事、高级管理人员及核心技术人员的薪酬情况
    董事、高级管理人员及核心技术人员的薪酬主要由基本工资、奖金及股份支
付费用等组成。
    薪酬委员会的角色及功能包括为所有执行董事及高级管理层制定特定薪酬
待遇，包括实物利益、退休金权利及报酬，并就非执行董事的薪酬待遇，向董事
华虹半导体有限公司                                                招股说明书
会提出建议。薪酬委员会应考虑同类公司支付的薪酬及集团内其他职位的雇佣条
件等因素，以及与工作表现挂钩的薪酬安排的可取性。薪酬委员会每年最少须举
行一次会议。
   除上述收入外，公司现任董事、高级管理人员及核心技术人员未在公司享受
其他待遇和退休金计划。最近一年， 除与公司无劳动关系的董事外，其余董事、
高级管理人员及核心技术人员均未在公司及其子公司以外的关联企业领取薪酬。
   报告期内，公司董事、高级管理人员及核心技术人员的税前薪酬（包括工资、
奖金及股份支付费用）及其占公司当期利润总额的比例如下：
                                                         单位：万元
      项目            2022 年度            2021 年度         2020 年度
     薪酬总额               2,774.34            3,724.80        2,805.91
   当期利润总额             334,055.21          188,048.84       13,027.37
薪酬总额/当期利润总额               0.83%               1.98%          21.54%
十、公司正在执行的股权激励及其他制度安排和执行情况
   发行人的股权激励计划分为第一期股票期权计划与第二期股票期权计划，已
于 2022 年 9 月到期。发行人于 2015 年 9 月、2018 年 12 月、2019 年 3 月及 2019
年 12 月分 4 次共计授出 67,732,000 份期权，每份期权可认购发行人 1 股港股股
票。其中，已授予尚未行使的期权 23,438,871 份，占 2022 年 12 月 31 日已发行
普通股的 1.79%。发行人的股票期权计划的具体情况如下：
   （一）第一期股票期权计划
   上海市国资委于 2015 年 8 月 14 日出具《关于同意华虹半导体有限公司实施
股权激励计划的批复》（沪国资委分配（2015）278 号），原则同意《华虹半导
体有限公司股权激励计划草案》，并应按有关规定提交发行人股东大会审议。
   发行人股东特别大会于 2015 年 9 月 1 日作出决议，同意采纳股票期权计划，
并授权董事会自计划批准日 7 年内任何时间决定授予股票期权。依据该等股票期
权计划，该股票期权计划项下拟授出的所有期权及发行人任何其他股票期权计划
项下拟授出的任何期权获行使时可予发行的股票总数，合计不得超过当时的已发
华虹半导体有限公司                                      招股说明书
行股本总数的 10%；该等股票期权计划项下首次授予的期权数量不超过发行人总
股本的 3%。
份期权，可按行权价 6.912 港元认购合计最多 30,250,000 股股票，本次期权将于
   （二）第二期股票期权计划
   上海市国资委于 2019 年 3 月 12 日出具《关于同意华虹半导体有限公司实施
股权激励计划（二期）的批复》（沪国资委分配（2019）44 号），原则同意《华
虹半导体有限公司股权激励计划（二期）方案》，并应按有关规定提交发行人股
东大会审议。
   发行人股东特别大会于 2019 年 3 月 28 日作出决议，同意根据发行人于 2015
年 9 月 1 日采纳的股票期权计划于 2018 年 12 月 24 日授出 34,500,000 份股票期
权，并同意于 2019 年 12 月 23 日或前后进一步授出 4,000,000 份股票期权。上述
股票期权计划项下历次授予情况如下：
份期权，可按行权价 15.056 港元认购合计最多 34,500,000 股股票，本次期权将
于 2025 年 12 月 23 日失效。其中，对副总裁及以上级别的职员（包括董事），
本次期权分四期归属；对其他职员，本次期权分三期归属。
年 5 月 1 日生效）唐均君先生授出 500,000 份期权，可按行权价 18.40 港元认购
合计最多 500,000 股股票，于 2026 年 3 月 28 日失效。本次期权分四期归属。
核心管理职位的 101 名员工授出 2,482,000 份期权，可按行权价 17.952 港元认购
华虹半导体有限公司                                                       招股说明书
合计最多 2,482,000 股股票，于 2026 年 12 月 22 日失效。其中，对副总裁及以上
级别的职员，本次期权分四期归属；对其他职员，本次期权分三期归属。
    发行人股东特别大会于 2021 年 11 月 26 日作出决议，鉴于现有股票期权计
划限额已多数获使用，为使发行人能够更灵活地向其雇员提供激励及奖励，同意
将发行人股票期权计划授出限额调整为 130,047,036 股股票。
    截至 2022 年 12 月 31 日，发行人上述已授予的期权中，已行权的期权数量
为 30,566,159 份，已授予但尚未行权的期权数量为 23,438,871 份。
    （三）股票期权计划行权对公司经营状况、财务状况、控制权变化等方面
的影响
    公司设置期权激励计划，旨在提升激励对象工作积极性，以提升公司股份价
值，为全体股东争取利益。期权激励计划有望对公司未来的经营状况及财务状况
形成积极作用。
    截至 2022 年 12 月 31 日，公司已授予尚未行使的期权 23,438,871 份，占 2022
年 12 月 31 日已发行普通股的 1.79%。若股票期权计划已授予尚未行使的期权全
部行权，则公司主要股东所持公司股权比例变动情况如下：
序               截至 2022 年 12 月 31 日持股数量            行权后持股数量
      股东名称
号                 股份数（股）               占比       股份数（股）           占比
      合计             1,306,836,740    100.00%   1,330,275,611    100.00%
    注：含联和国际以托管方式持有的 3,084 股股份。
    综上，若公司截至 2022 年 12 月 31 日已授予尚未行使的期权全部行权不会
对公司控制权产生不利影响。
华虹半导体有限公司                                               招股说明书
十一、公司员工及其社会保障情况
  （一）公司员工情况
  报告期内，公司员工人数变动情况如下：
   项目
 员工数量（人）               6,760                6,084             5,682
  （1）职能构成情况
  截至 2022 年 12 月 31 日，公司员工按职能划分的具体构成情况如下：
     职能              员工数量（人）                        占总人数比例
    管理人员                              402                    5.95%
    研发人员                            1,195                    17.68%
    生产人员                            5,062                    74.88%
   市场销售人员                             101                    1.49%
     合计                             6,760                  100.00%
  （2）学历构成情况
  截至 2022 年 12 月 31 日，公司员工按学历划分的具体构成情况如下：
     学历              员工数量（人）                        占总人数比例
     博士                                75                    1.11%
     硕士                             1,587                    23.48%
     本科                             2,367                    35.01%
   大专及以下                            2,731                    40.40%
     合计                             6,760                  100.00%
  （3）年龄构成情况
  截至 2022 年 12 月 31 日，公司员工按年龄划分的具体构成情况如下：
     年龄              员工数量（人）                        占总人数比例
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         年龄                  员工数量（人）                          占总人数比例
         合计                                 6,760                       100.00%
   （二）公司执行社会保障、住房公积金制度的情况
   公司按照国家和地方有关社会保障的法律、法规为境内控股子公司符合条件
的员工办理及缴纳了医疗保险、养老保险、失业保险、工伤保险、生育保险等社
会保险及住房公积金。
   （1）境内缴纳情况
   报告期内，公司为员工缴纳境内社会保险和住房公积金的情况如下表所示：
                                                                        单位：人
                                                    缴纳人数
   日期              项目         员工人数                                     差异人数
                                            人数           覆盖比例
                  社会保险                        6,710           99.26%          50
                  住房公积金                       6,710           99.26%          50
                  社会保险                        6,007           98.73%          77
                  住房公积金                       6,006           98.72%          78
                  社会保险                        5,661           99.63%          21
                  住房公积金                       5,659           99.60%          23
   （2）境外缴纳情况
   公司制定了完善的境外员工薪酬和社会保险管理制度，按照境外控股子公司
所在地法律、法规的规定，为境外员工缴纳当地相关社会保障、住房保障等费用。
   发行人员工人数与社会保险缴纳人数的差异原因如下：
                                                                        单位：人
        项目                2022.12.31        2021.12.31           2020.12.31
当月新入职员工                                41                91                    8
外籍员工                                   21                23                   24
海外办事处员工                                 9                 9                    9
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原工作单位未转移或封存
账户的员工
当月离职但仍缴纳社保的
                           -21                -46                -21
人员
       合计                  50                 77                 21
  发行人员工人数与住房公积金缴纳人数的差异原因如下：
                                                         单位：人
       项目     2022.12.31         2021.12.31         2020.12.31
当月新入职员工                    41                 91                  8
外籍员工                       21                 23                 24
海外办事处员工                     9                  9                  9
原工作单位未转移或封存
账户的员工
当月离职但仍缴纳社保的
                           -21                -46                -20
人员
       合计                  50                 78                 23
  报告期内少数员工未缴纳社会保险和住房公积金的原因如下：
  （1）海外办事处员工及境内子公司部分外籍员工未缴纳境内社会保险和住
房公积金；
  （2）部分新入职员工的社会保险和住房公积金缴纳手续在当月申报时点尚
未办理完成；
  （3）新员工因上一工作单位未转移或封存账户，公司无法为其缴纳社会保
险、住房公积金。
  公司已按照《企业会计准则》等相关规定真实、准确和完整确认和计量该等
员工的劳动报酬及其他相关福利费用，不存在少计成本、费用的情况。
  根据发行人境内子公司所在地人力资源主管部门、公共信用信息服务中心出
具的合规证明，发行人境内子公司报告期内无因违反劳动法律、法规和规章受到
行政处罚的情况。
  根据公司及其境外控股子公司的境外法律意见书，公司及其境外控股子公司
不存在劳动用工相关的行政处罚。
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  （三）劳务派遣情况
  报告期内，因客观需要，公司部分岗位采用劳务派遣的用工形式。报告期各
期末，公司签订劳动合同员工人数和劳务派遣员工人数的具体情况如下：
                                                       单位：人
       项目      2022.12.31        2021.12.31        2020.12.31
合同制员工人数                6,760             6,084             5,682
劳务派遣员工人数                    81                85            113
用工总量                   6,841             6,169             5,795
派遣员工占用工总量比例            1.18%            1.38%             1.95%
  截至本招股说明书签署日，公司劳务派遣人员所属岗位以总务、安保为主，
非公司生产经营重要岗位，符合临时性、替代性和辅助性的要求，并且劳务派遣
用工人数占总员工人数比例低于 10%。因此，发行人劳务派遣情况已符合《劳务
派遣暂行规定》等法律、法规及规范性文件的规定。
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               第五节 业务与技术
一、发行人主营业务情况
  （一）公司的主营业务及主营产品情况
  华虹半导体是全球领先的特色工艺晶圆代工企业，也是行业内特色工艺平台
覆盖最全面的晶圆代工企业。公司立足于先进“特色 IC+功率器件”的战略目标，
以拓展特色工艺技术为基础，提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器
件、模拟与电源管理、逻辑与射频等多元化特色工艺平台的晶圆代工及配套服务。
  公司在半导体制造领域拥有超过 25 年的技术积累，长期坚持自主创新，不
断研发并掌握了特色工艺的关键核心技术。根据 TrendForce 的公布数据，在嵌入
式非易失性存储器领域，公司是全球最大的智能卡 IC 制造代工企业以及国内最
大的 MCU 制造代工企业；在功率器件领域，公司是全球产能排名第一的功率器
件晶圆代工企业，也是唯一一家同时具备 8 英寸以及 12 英寸功率器件代工能力
的企业。公司的功率器件种类丰富度行业领先，拥有全球领先的深沟槽式超级结
MOSFET 以及 IGBT 技术成果。公司的技术研发成果曾先后荣获“国家科学技术
进步奖二等奖”、“上海市科学技术奖一等奖”、“上海市质量金奖”、“优秀
院士工作站”及“上海知识产权创新奖（创造）”等奖项及荣誉。
  公司目前有三座 8 英寸晶圆厂和一座 12 英寸晶圆厂。根据 IC Insights 发布
的 2021 年度全球晶圆代工企业的营业收入排名数据，华虹半导体位居第六位，
也是中国大陆最大的专注特色工艺的晶圆代工企业。截至 2022 年末，上述生产
基地的产能合计达到 32.4 万片/月（约当 8 英寸），总产能位居中国大陆第二位。
  过去二十余年，公司依靠卓越的特色工艺技术实力、稳定的产品性能和品质
以及产能供给能力赢得了全球客户的广泛认可。公司代工产品性能优越、可靠性
高，在新能源汽车、工业、通讯、消费电子等重要终端市场得到广泛应用。公司
客户覆盖中国大陆及中国台湾地区、美国、欧洲及日本等地，在全球排名前 50
名的知名芯片产品公司中，超过三分之一的企业与公司开展了业务合作，其中多
家与公司达成研发与生产的战略性合作。未来，公司将继续坚定不移地执行先进
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“特色 IC+功率器件”的发展战略，持续提升产品性能和品质，深耕多元化的“特
色 IC”平台，不断创新器件结构、丰富拓展车规级工艺，持续保持领先的“功率
器件”平台。公司致力于发展先进特色工艺，为全球客户服务。
  公司主要向客户提供 8 英寸及 12 英寸晶圆的特色工艺代工服务，在不同工
艺平台上，按照客户需求为其制造多种类的半导体产品；同时为客户提供包括 IP
设计、测试等配套服务。
     （1）晶圆代工服务
  在半导体晶圆代工行业内，特色工艺是指以拓展摩尔定律为指导，不完全依
赖缩小晶体管特征尺寸（以下简称“线宽”），通过聚焦新材料、新结构、新器
件的研发创新与运用，并强调特色 IP 定制能力和技术品类多元性的半导体晶圆
制造工艺，主要包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管
理、传感器等工艺平台。
  公司坚持布局与持续发展特色工艺技术平台，在 0.35?m 至 90nm 工艺节点
的 8 英寸晶圆代工平台，以及 90nm 到 55nm 工艺节点的 12 英寸晶圆代工平台上，
覆盖了上述嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、传感
器等各类工艺平台产品的晶圆代工服务，是行业内特色工艺平台覆盖最全面的企
业。
  公司特色工艺主要强调综合服务的竞争能力，具体呈现以下特点：第一，拥
有较高的器件丰富度，能够提供各类型低电压到高电压的器件，满足不同芯片应
用的设计需求；第二，主要类型器件在速度、功耗、导通电阻等性能达到或接近
全球领先水平，客户使用以上器件设计的芯片规格才能对标全球高端芯片；第三，
具有特色存储器或模拟等 IP 定制能力，满足客户芯片设计多元化需求，从而形
成与国际大厂芯片规格的差异化，满足细分终端市场的定制需求，提高供应链与
客户粘性；第四，能够提供多元化的技术品类，如嵌入式闪存技术、电源管理技
术、功率器件技术，可同时满足客户包含了控制（MCU）、功率驱动（模拟与
电源管理芯片）、功率输出（功率器件）的产品制造需求，形成一站式解决方案。
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   公司各特色工艺平台的代工产品可广泛应用于新能源汽车、工业智造、新一
代移动通讯、物联网、消费电子等领域，具体情况如下：
   ①嵌入式/独立式非易失性存储器
工艺平台       主要技术特点             芯片类型           关键应用领域
                                         如自动泊车、车身控制、智能
                             车规 MCU
                                          座舱、胎压监测、车灯等
        制程范围：0.35?m-55nm
                            工控类 MCU       智能电网、医疗电子等
嵌入式非易   公司可以为客户提供同等
失性存储器   规格要求下最小的芯片尺                      家电、智能互联设备、照明、
                            消费类 MCU
         寸以及简化的工艺流程                             物联网等
                                         身份证、电信 SIM 卡、社保卡、
                             智能卡芯片
                                         银行 IC 卡、各类物联网设备等
        制程范围：0.35?m-55nm
独立式非易   提供基于自主知识产权的         NOR Flash、   工业、白色家电、汽车电子及
失性存储器   NORD 闪存以及业界通用        EEPROM      各类低功耗物联网设备等
        的闪存架构工艺平台
   在嵌入式非易失性存储器平台，公司主要的代工产品为 MCU（可根据应用
领域细分为车规 MCU、工控类 MCU、消费类 MCU 等）以及智能卡芯片，依靠
长 期 的技术创新和经 验积累形成了覆盖 8 英寸 0.35?m-90nm 和 12 英寸
光刻层次以及嵌入式闪存 IP 擦写次数等参数方面拥有独特的优势。公司产品广
泛应用于汽车、工业和消费电子领域，具有功耗低、可靠性高、IP 面积小、性
价比高等特点。在车规 MCU 领域，公司的代工产品成功在车身电子、自动泊车、
智能座舱、胎压监测等领域得到广泛应用；同时，公司打造了 0.18?m-90nm 超
低漏电以及 0.18?m-55nm 低功耗嵌入式闪存等业内领先的工艺平台，其代工产
品广泛应用于智能电网、医疗电子等工控类 MCU 领域以及智能互联设备、物联
网等消费类 MCU 领域。同时，根据 TrendForce 及 ABI Research 的行业数据，公
司还是全球最大的智能卡 IC 制造代工企业，在全球 SIM 卡及银行 IC 卡、国内
二代身份证及社保卡领域的市场占有率处于领先地位。
   在独立式非易失性存储器平台，公司主要的代工产品包括 NOR Flash 与
EEPROM，多数种类的电子设备均需要使用独立式非易失性存储器，应用领域极
其广泛，覆盖工业、白色家电、汽车电子以及各类低功耗物联网设备等。以 TWS
耳机为代表的可穿戴设备、手机屏幕显示的 AMOLED 和 TDDI 技术，智能物联
网，以及功能越来越丰富的车载电子等领域将是未来市场空间的主要增长点。
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     ②功率器件
工艺
            主要技术特点                    芯片类型           关键应用领域
平台
                                                  计算机、手机、小家电等消费
      主要覆盖 200V 以下产品应用            低压 MOSFET
                                                  类产品
                                                  快充、LED 照明、服务器电
功率    主要覆盖 200V-900V 产品应用         超级结 MOSFET
                                                  源、充电桩、车载充电机等
器件
                                                  新能源汽车、光伏、风能发电、
      主要覆盖 600V-1,700V 产品应用       IGBT            电网直流输变电、储能、变频
                                                  家电等
     在功率器件领域，公司拥有超过 20 年的技术积累，根据 TrendForce 的公布
数据，是全球产能排名第一的功率器件晶圆代工企业，也是唯一一家同时具备 8
英寸以及 12 英寸功率器件代工能力的企业。公司的功率器件种类丰富度行业领
先，自主研发的深沟槽式超级结 MOSFET、IGBT 等工艺技术完成了从 8 英寸至
     公司的超级结 MOSFET 工艺平台的导通电阻、功率密度等均达到全球领先
水平，相应电压范围可以涵盖 200-900V，电流范围涵盖 1-100A，高度契合当前
热门的大功率快充电源、LED 照明电源、数据中心电源及新能源汽车充电桩及
车载充电机等高端应用需求；公司的 IGBT 工艺平台产品具有大电流、高可靠性、
小尺寸等特点，产品应用于新能源汽车以及光伏、风能、储能、变频家电等新能
源领域。
     ③模拟与电源管理
工艺平台           主要技术特点                      芯片类型       关键应用领域
          范围 1.5V-700V 的 BCD 工艺
模拟与电源                                               通讯、智能手机、平板
          平台；
管理                                  信号链类模拟芯片        电脑等消费电子等领
                                                    域
          型，满足不同产品所需
     经过长期的研发创新和技术积淀，公司的模拟与电源管理平台已自主研发覆
盖 8 英寸 0.35?m-0.11?m 以及 12 英寸 90nm-55nm 等多代 BCD 工艺平台，器件
种类涵盖中低压、高压以及超高压等各类产品（1.5V-700V），是全球领先的模
拟与电源管理工艺技术提供商，产品主要应用于工业和汽车电子以及模拟电源、
模拟音频功放、电机驱动、数字电源、数字音频功放、照明控制驱动等各类消费
电子等领域。
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  ④逻辑与射频
工艺平台          主要技术特点                芯片类型      关键应用领域
                                   特色逻辑和射   USB 控制、WIFI、蓝
                                   频芯片      牙、射频前端等
        特色射频（RFSOI 工艺技术）、图
逻辑与射频                                       智能手机、平板电脑、
        像传感器、微机电器件等特色工艺
                                   图像传感器    数码产品、安防等应用
        组成
                                            的摄像头
  公司的逻辑与射频工艺平台主要包括特色逻辑射频工艺产品和图像传感器，
是国内主要的射频及图像传感器技术制造方案提供商。
  （2）配套服务
  ①IP 设计服务
  公司拥有一支富有经验的设计服务队伍，并与世界一流的第三方 IP 公司和
设计服务公司合作，为客户提供涵盖标准和定制 IP 开发、全定制版图设计以及
匹配客户需求的产品整体解决方案的一站式服务。
  以嵌入式非易失性存储器领域为例，公司根据多年的技术积累，依托自身丰
富的嵌入式存储器 IP 设计经验、以及工艺整合和 IP 模块测试等方面的综合能力，
可根据客户的需求，为客户提供量身定做的嵌入式非易失性存储器 IP，以实现
更小的面积、更快的速度、更低的功耗等竞争优势。
  ②测试服务
  公司具有完善的自有测试系统，为客户提供部分特色工艺产品的测试程序开
发和晶圆量产测试服务，从产品设计时的可测试性设计、产品测试评价及量产测
试系统的开发，到外协的封装测试支持，公司为客户提供全方位的测试技术解决
方案。
  ③晶圆后道加工服务
  公司为客户提供晶圆后道减薄加工服务，晶圆减薄在集成电路堆叠封装技术
的提升及功率器件电学特性的提升方面起到了关键作用。公司拥有行业领先的技
术研发团队和量产平台，具备突出的晶圆背面加工能力，特别在 IGBT 等功率器
件工艺平台的背面加工工艺（如超薄片减薄、背面离子注入、背面激光退火、背
面金属、背面光刻等）方面拥有自研专利技术，帮助产品优化电学性能。
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     报告期内，发行人向客户提供多工艺平台的晶圆代工服务。发行人按照工艺
平台分类的主营业务收入构成情况如下：
                                                                        单位：万元
 项目
           金额             占比           金额             占比         金额          占比
功率器件      522,589.99      31.36%     360,062.74       34.22%   244,108.25    36.77%
嵌入式非易
失性存储器
模拟与电源
管理
逻辑与射频     182,306.66      10.94%     175,691.76       16.70%    85,963.19    12.95%
独立式非易
失性存储器
其他            1,383.23     0.08%       1,577.80       0.15%       929.32      0.14%
 合计      1,666,674.99    100.00%   1,052,343.59   100.00%      663,897.63   100.00%
     （二）主要经营模式
     公司主要从事基于多种工艺节点、不同技术的特色工艺平台的可定制半导体
晶圆代工服务从而实现收入和利润。
     公司的研发策略主要依靠自主研发对各类工艺平台进行技术创新与升级。公
司为规范并加强项目运行过程的管理，建立了较为完善的研发体系及项目管理流
程，明确项目组成员职责及目标，从项目的立项、研发及结案全过程进行规范，
并通过新项目立项申请流程、产品质量先期策划规程等进行分阶段、系统性管理。
公司的具体研发流程如下：
 注：APQP 指 Advanced Product Quality Program，即产品质量先期策划。
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  公司采用集中采购制度，由采购部门向合格供应商采购半导体晶圆代工及配
套服务所需的原物料、设备及技术服务等。为提高生产效率、减少库存囤积、加
强成本控制，公司已建立完善的采购管理体系和规程：
  库存类请购由物料计划部门根据生产计划、库存量和交货周期提出；非库存
类请购需求由请购部门在预算额度内根据实际需求以请购单方式提出。
  收到请购需求后，采购部门核对请购单准确性，确认无误后依据采购需求比
选供应商，通过询价、报价、议价或招标等作业程序，与供应商签署采购订单并
负责交期跟催。物流部门负责来料的收存工作，品保部门负责来料质量检验。
  对于工程、设备和服务采购，采购人员凭请购部门签核的完工通知单和或验
收签核文件办理请款作业；对于其他项目采购，采购人员凭系统收货确认在请款
系统中开立请款申请单。请款申请单核准后，采购人员连同发票交由财务进行付
款作业。
 生产计划   物料需求品种/数量      物料规格确认                 公开招标作业流程   评标及中标通知书
                                     采购需求核准
 扩产计划    设备类型/数量      规格书和型号确认                合格供应商确认    询价/货比三家
 货物验收          交货安排             供应商确认订单/合同    订单/合同核准     商务内容确认
  公司根据销售预测规划产能并确定主生产计划（即先期生产计划，依据市场
预测与产能情况规划产品生产计划），按客户订单需求进行投产，具体如下：
  公司产品从生产策划到成品出库主要经过四个阶段，分别为生产策划阶段、
生产准备阶段、生产过程管理阶段以及产品入库阶段，具体情况如下：
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  （1）生产策划阶段
  在生产策划阶段，销售部门提供从客户处获取的未来的业务预测以及与客户
达成的商业计划，计划部门按照业务预测以及产能规划，根据客户需求、客户订
单、产能和工艺技术准备情况，制定主生产计划。
  （2）生产准备阶段
  在生产准备阶段，物料规划部门根据主生产计划制定原材料计划并协同采购
部门及时准备原材料。生产计划部门根据主生产计划及原材料计划制定投产计划。
  （3）生产过程管理阶段
  在生产过程管理阶段，生产部门根据主生产计划及投产计划安排和管理生产，
生产计划部门监督生产周期、生产进度，产量等指标，品质管控部门负责产品的
质量管控。
  （4）产品入库阶段
  在产品入库阶段，完成全部生产流程的产品经检验合格后入库。
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  公司采用直销模式开展销售业务，与客户直接沟通并形成符合客户需求的解
决方案，最终达成与客户签订订单。销售流程如下：
  （1）制定销售计划
  销售部门基于市场信息与客户需求拟订公司年度销售计划后，销售部门按照
计划目标和客户沟通，并定期更新客户需求预测和情况，将客户需求的变化反馈
回公司相关部门。
  （2）签订合同和处理订单
  与客户签订合同，达成业务关系后，销售人员根据客户需求将公司主管核准
的报价单与预计交货时间提供给客户，客户通过邮件或传真等方式向销售人员/
客户服务人员下达订单。
  （3）生产制造
  销售部门收到客户订单后按业务计划安排生产，生产计划部根据此业务计划
结合产能情况制定相应的投入和产出计划并生成产品交货日期，公司根据客户的
要求通过系统或邮件的方式及时告知客户产品的生产状态。
  （4）发货与收款开票
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  产品生产完毕后通常由客户服务人员根据客户要求安排发货至指定地点。客
户依据协议的付款周期安排付款，财务部在收到客户的汇款通知或票据时，通知
客服部门确认款项，然后财务复核并完成相关账务处理。
和影响因素在报告期内的变化情况及未来变化趋势
  公司结合中长期发展战略、市场供需情况、上下游发展状况、公司主营业务、
主要产品、核心技术、自身发展阶段等因素，形成了目前的晶圆代工经营模式。
报告期内，上述影响公司经营模式的关键因素未发生重大变化，预计未来亦不会
发生重大变化。
  （三）主营业务、主要产品、主要经营模式的演变情况
  公司自设立以来一直从事特色工艺晶圆代工服务，主营业务及主要经营模式
未发生重大变化。
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   公司根据市场需求与技术发展方向，加快技术和服务的迭代更新，不断推出
多样化且具有市场竞争力的特色工艺平台，公司主要产品和服务的变化历程如下：
   （四）业务经营情况和核心技术产业化情况
   发行人的核心技术体系已融入并应用于晶圆代工产品中。报告期内，公司核
心技术产生的收入分别为 662,968.31 万元、1,050,765.79 万元、1,665,291.76 万元，
占各期营业收入比例均超过 98%。
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  （五）工艺流程图
  公司主要以晶圆代工模式从事半导体制造业务，一般性工艺流程如下：
  各流程核心技术的具体使用情况和效果详见本节“八、发行人核心技术及研
发情况”之“（一）公司的核心技术情况”。
  （1）硅片清洗
  使用喷淋或沉浸的方式，先用多种化学品对半导体硅片进行清洗，再用超纯
水对半导体硅片进行二次清洗去除残留的化学液。清洗工序的目的是去除半导体
硅片表面的尘埃颗粒、残留有机物、表面金属离子等杂质，提高后续生长热氧化
层的质量，保证后续工艺的稳定性（后续每步操作后亦有清洗工序）。
  （2）热氧化
  在高温氧气和惰性气体的环境下，在半导体硅片表面生成二氧化硅薄膜。
  掩模版由其他专业厂商生产，发行人当前不涉及掩模版制造业务。
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  （1）光刻
  光刻主要由涂胶、曝光和显影三个步骤组成：1）涂胶：将光刻胶均匀地涂
布在旋转的半导体硅片上；2）曝光：利用光刻机，通过特定波长的光线的照射，
改变光刻胶的性质，将光掩模版上的电路图形转移到光刻胶上；3）显影：利用
显影液，去除曝光后光刻胶中的可溶解部分，准确地使光刻胶上形成图形。
  （2）刻蚀
  刻蚀是在光刻后，有选择性地去除半导体硅片上未被光刻胶覆盖区域的材料。
常见的刻蚀方法包括湿法刻蚀和干法刻蚀，其中：湿法刻蚀使用液态化学品进行
刻蚀，干法刻蚀利用等离子体进行刻蚀。
  （3）去胶
  刻蚀完成后，去除半导体硅片上未被溶解的光刻胶。
  （1）离子注入、退火
  在真空、低温的环境下，将特定种类的杂质离子以高能离子束的形式植入晶
圆表面的特定区域，常见的离子元素种类包括硼、磷、砷等。离子注入后，在高
温环境下消除离子注入导致的晶格缺陷，改变晶圆表面及内部的微观结构，以实
现特定性能。
  （2）扩散
  在高温环境下，使杂质离子在不同离子浓度的区域间发生转移，改变和控制
晶圆内杂质的类型、浓度和分布，形成不同电特性的区域，改变晶圆的电特性。
  （3）化学气相沉积
  利用不同分压的气态化学原材料在晶圆表面发生化学反应，并在晶圆表面沉
积一层固态薄膜。
  （4）物理气相沉积
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  利用溅射镀膜、真空蒸发、离子体镀膜、分子束外延等物理方法，轰击靶材，
在晶圆表面沉积一层固态薄膜。
  （5）化学机械研磨
  利用机械摩擦和化学反应对晶圆进行抛光，使晶圆表面平坦化。
  （1）晶圆测试
  晶圆加工完成后，使用探针等检测设备对晶圆性能进行测试，验证其功能是
否符合工艺平台的规格要求。
  （2）包装入库
  将检测合格的晶圆真空包装后入库。
  （六）公司代表性的业务数据情况
  报告期内，公司具有代表性的业务数据包括产能、产量、销量、产能利用率
及产销率等，相关业务数据的具体变动情况及原因详见本节“四、发行人主营业
务经营情况”之“（一）公司销售情况”。
  （七）公司符合产业政策和国家经济发展战略的情况
  公司主要从事半导体晶圆代工业务，符合产业政策和国家经济发展战略，具
体详见本节“二、行业基本情况”之“（二）行业主管部门、行业监管机制、行
业主要法律法规政策及对发行人经营发展的影响”。
二、行业基本情况
  （一）公司所属行业及确定所属行业的依据
  公司主要从事半导体晶圆代工业务，根据《国民经济行业分类》
（GB/T4754-2017），公司所处行业为计算机、通信和其他电子设备制造业（C39）。
根据《上海证券交易所科创板企业发行上市申报及推荐暂行规定》，公司所处行
业为第四条（一）中所规定的“新一代信息技术领域”之“半导体和集成电路”。
根据国家统计局《战略性新兴产业分类（2018）》（国家统计局令第 23 号），
公司所处行业为战略性新兴产业分类中的“新型电子元器件及设备制造”（分类代
华虹半导体有限公司                                        招股说明书
码：1.2.1）、“集成电路制造”（分类代码：1.2.4）及“电力电子基础元器件制造”
（分类代码：6.5.2）。
     （二）行业主管部门、行业监管机制、行业主要法律法规政策及对发行人
经营发展的影响
     公司所处行业的主管部门为工信部，主要职责为：研究提出工业发展战略，
拟订工业行业规划和产业政策并组织实施；指导工业行业技术法规和行业标准的
拟订；按国务院规定权限，审批、核准国家规划内和年度计划规模内工业、通信
业和信息化固定资产投资项目等。
     公司所处行业的自律组织为中国半导体行业协会，主要负责贯彻落实政府产
业政策，主要职责为落实产业及市场的调查、统计、研究和预测，对会员企业提
供引导、咨询服务。
     半导体行业是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展的战略性、基础性
和先导性产业。近年来，国家相继出台各类法规政策，规范产业发展，鼓励产业
成长。
     半导体行业近期涉及的主要法律、法规和规范性文件如下：
序号   发布时间      发布机关    法律法规及政策            主要内容
                                    进一步优化集成电路产业和软件
                                    产业发展环境，在财税、投融资、
                                    研究开发、人才、知识产权等方面
                                    给予集成电路产业和软件产业诸
                                    多优惠政策。明确在一定时期内，
                      《国务院关于印发新
                                    集成电路线宽小于 65 纳米（含）
                      时期促进集成电路产
                                    的逻辑电路、存储器生产企业，线
                                    宽小于 0.25 微米（含）的特色工艺
                      发展若干政策的通知》
                                    集成电路生产企业（含掩模版、8
                      （国发〔2020〕8 号）
                                    英寸及以上硅片生产企业）进口自
                                    用生产性原材料、消耗品，净化室
                                    专用建筑材料、配套系统和集成电
                                    路生产设备零配件，免征进口关
                                    税。
                      《中华人民共和国国     培育先进制造业集群，推动集成电
                      十四个五年规划和      备、机器人、先进轨道交通装备、
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序号   发布时间      发布机关    法律法规及政策             主要内容
                                      控机床、医药及医疗设备等产业创
                                      新发展。
                      《关于做好享受税收
                                      享受税收优惠政策的企业条件和
                      优惠政策的集成电路
                                      项目标准为集成电路线宽小于 65
                      企业或项目、软件企业
                      清单制定工作有关要
                                      产企业，线宽小于 0.25 微米（含）
                      求的通知》（发改高技
                                      的特色工艺集成电路生产企业。
                      〔2021〕413 号）
               发改委、   《关于做好 2022 年享 电路企业是指集成电路线宽小于
               工信部、   受税收优惠政策的集       65 纳米（含）的逻辑电路、存储器
               财政部、   成电路企业或项目、软 生产企业，线宽小于 0.25 微米（含）
               海关总    件企业清单制定工作       的特色工艺集成电路生产企业，集
               署、国家   有关要求的通知》（发 成电路线宽小于 0.5 微米（含）的
               税务总局   改高技〔2022〕390 号） 化合物集成电路生产企业和先进
                                      封装测试企业。
     （三）行业发展情况与未来发展趋势
     半导体是常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，由其制成的器件统
称半导体产品，被广泛地应用于电子通信、计算机、网络技术、物联网、汽车等
产业，是绝大多数电子设备的核心组成部分。半导体产品是信息技术产业的核心，
是支撑经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，也是电子产品的核心、信
息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、
技术更新换代较快等特点。
     近年来，随着新消费电子、工业控制、物联网等新兴产业的快速发展，全球
半导体行业市场规模整体呈现增长趋势。根据全球半导体贸易统计组织的统计，
至 5,559 亿美元，年均复合增长率为 7.76%。
     未来，在新能源汽车、工业智造、新一代移动通讯、新能源以及数据中心等
应用领域的驱动下，半导体市场规模有望实现持续增长趋势。
     半导体行业呈现垂直化分工格局，上游包括半导体材料、半导体制造设备等；
中游为半导体生产，具体可划分为芯片设计、晶圆制造、封装测试；半导体产业
下游为各类终端应用。
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                        半导体产业链分工图
     根据所包含的生产环节的不同，半导体产业的企业经营模式一般可分为垂直
整合模式（IDM 模式）、晶圆代工模式（Foundry 模式）和无晶圆厂模式（Fabless
模式），发行人属于晶圆代工模式。
序号           项目                      模式
         垂直整合模式         涵盖芯片设计、晶圆制造、封装测试以及后续的产品销售
         （IDM 模式）       等环节
         晶圆代工模式         不涵盖芯片设计环节，专门负责晶圆制造，为芯片产品公
        （Foundry 模式）    司提供晶圆代工服务
                        不涵盖晶圆制造环节和封装测试环节，专门负责芯片设计
          无晶圆厂模式
         （Fabless 模式）
                        晶圆制造、封测企业
     晶圆代工行业源于半导体产业链的专业化分工，晶圆代工企业不涵盖芯片设
计环节，专门负责晶圆制造，为芯片产品公司提供晶圆代工服务。晶圆代工行业
属于技术、资本、人才密集型行业，需要大量的资本支出和人才投入，具有较高
的进入壁垒。
     （1）全球晶圆代工行业市场规模
     根据 IC Insights 的统计，2016 年至 2021 年，全球晶圆代工市场规模从 652
亿美元增长至 1,101 亿美元，年均复合增长率为 11.05%。未来随着新能源汽车、
工业智造、新一代移动通讯、新能源及数据中心等市场的发展与相关技术的升级，
预计全球晶圆代工行业市场规模将进一步增长。
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  数据来源：IC Insights
  （2）中国大陆晶圆代工行业市场规模
  中国大陆晶圆代工行业起步较晚，但在国家政策的支持下，随着国内经济的
发展和科学技术水平的提高，以及终端应用市场规模的扩大，国内芯片设计公司
对晶圆代工服务的需求日益提升，中国大陆晶圆代工行业实现了快速的发展。
  根据 IC Insights 的统计，2016 年至 2021 年，中国大陆晶圆代工市场规模从
依托于中国是全球最大半导体市场以及半导体产业链逐渐完善，预计未来中国大
陆晶圆代工行业市场将持续保持较高速增长趋势。
  数据来源：IC Insights
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  （3）晶圆制造工艺的发展方向
  随着下游应用场景新需求的不断涌现，半导体产品种类不断增多。为满足市
场对于产品功能、性能等特性的差异化需求，IDM 厂商与晶圆代工厂商等涉及
晶圆制造环节的企业不断研发创新晶圆制造工艺技术，并演进形成了差异化的制
造工艺。晶圆制造工艺大致可分为先进逻辑工艺与特色工艺。
  先进逻辑工艺沿着摩尔定律发展，侧重于不断缩小晶体管线宽，主要追求产
品的高运算速度，主要应用于高性能计算、中央处理器（CPU）等领域芯片产品
的制造。先进逻辑工艺的行业代表企业为台积电。
  与沿着摩尔定律不断追求晶体管缩小的先进逻辑工艺不同，特色工艺不完全
追求器件的缩小，而是通过持续优化器件结构与制造工艺最大化发挥不同器件的
物理特性以提升产品性能及可靠性。特色工艺主要用于制造功率器件 MCU、智
能卡芯片、电源管理芯片、射频芯片、传感器等，上述产品被广泛应用于新能源
汽车、工业智造、新一代移动通讯、物联网、新能源、消费电子等众多应用领域。
特色工艺的行业代表企业为华虹半导体。
  （1）功率器件行业概况
  功率器件由最早的功率二极管、三极管、晶闸管，发展至后来的 MOSFET、
IGBT，体现出大功率化、高频化、集成化、低能耗与高可靠性等发展趋势。近
年来，随着新能源汽车渗透率不断提升，光伏、风电、储能等新能源发电产业持
续建设，功率器件也面临着更广阔的市场空间。根据 Yole 的统计，2020 年全球
功率器件市场规模约为 175 亿美元，预计 2026 年将增长至 262 亿美元，年平均
复合增长率为 6.96%。
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  数据来源：Yole
  目前，我国已经通过大力自主研发与相关领域并购，在芯片设计与工艺上不
断积累，已经实现了功率二极管、晶闸管等传统功率器件产品的突破，具备与国
外一线品牌竞争的水平实力；同时，在 MOSFET、IGBT 等产品领域的技术研发
亦有所成就。在国家政策支持，产业生态逐渐完善，人才水平逐渐提高的背景下，
中国本土企业有望进一步向高端功率器件领域迈进。根据 IBS 的统计，2021 年
中国功率器件市场规模约为 100 亿美元，预计 2030 年将增长至 282 亿美元，年
平均复合增长率为 12.19%，增速高于全球。
  数据来源：IBS
  （2）嵌入式非易失性存储器行业概况
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   非易失性存储器是指当芯片断电后所存储的数据不会消失的存储器，而嵌入
式非易失性存储器是指用于满足各种功能的嵌入系统应用程序的芯片。嵌入式非
易失性存储器主要芯片产品包括微控制器（MCU）和智能卡芯片。
   ①MCU 行业概况
   MCU 全称是 Micro Control Unit，也称为单片机，是指随着大规模集成电路
的出现及发展，将计算机的 CPU、RAM、ROM、定时计数器和多种 I/O 接口集
成在一片芯片上，形成芯片级的计算机，为不同的应用场合做不同组合控制。根
据 IC Insights 的统计，2015 年至 2020 年，全球 MCU 市场规模从 159.5 亿美元
增长至 206.9 亿美元，年平均复合增长率为 5.34%。预计 MCU 市场规模将维持
增长，2021 年和 2022 年分别达到 220.8 亿美元和 238.8 亿美元，同比增长 6.72%
和 8.15%。
  数据来源：IC Insights
   中国智能物联产品、工业控制和新能源汽车等市场需求的快速增长，带动了
对 MCU 芯片的旺盛需求。根据 IHS Markit 的统计，2015 年至 2020 年，中国
MCU 市场规模从 180 亿元增长至 268 亿元，年平均复合增长率为 8.29%，高于
全球市场规模增速。
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  数据来源：IHS Markit
  由于 MCU 的细分市场较多，随着本土企业供应链不断积累产品与市场经验，
以及品牌知名度和市场认知度不断提高，叠加海外芯片公司缺货的现状，国内
MCU 厂商有望迎来较为快速的增长周期。
  ②智能卡芯片行业概况
  智能卡是指内嵌有微芯片的塑料卡片，将一个专用的集成电路芯片镶嵌于符
合 ISO7816 标准的 PVC（或 ABS 等）塑料基片中，封装成外形与磁卡类似的卡
片形式。智能卡的主要下游应用为移动通讯 SIM 卡、社保卡、居民身份证、金
融 IC 卡等。根据 IC Insights 的统计，2018 年至 2021 年，全球智能卡芯片市场
规模由 24 亿美元增长至 28 亿美元，年均复合增长率 5.27%。预计 2026 年全球
智能卡芯片市场规模将增至 30 亿美元。
  近年来，国内智能卡市场应用多元化以及产业政策支持力度不断加强，智能
卡芯片需求逐步增加。根据 Frost&Sullivan 的统计，2014 年至 2018 年，中国智
能卡芯片市场规模由 76.9 亿元增长至 95.9 亿元，年均复合增长率 5.68%。预计
到 2023 年，中国智能卡芯片市场规模将达到 129.8 亿元，全球市场规模占比超
过 60%。
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  数据来源：Frost&Sullivan
  （3）模拟芯片行业概况
  模拟芯片包括电源管理类芯片、信号链类芯片两大类。根据 WSTS 的统计，
均复合增长率为 8.59%。未来，在电子化产品更加复杂以及节能减排发展趋势的
影响下，模拟芯片将会凭借其品类多、应用广的特点得到更大的发展空间。
  数据来源：WSTS
  根据中商产业研究院的统计，目前我国模拟芯片的市场份额已达到全球市场
份额的 50%以上，2016 年至 2021 年，中国模拟芯片市场规模由 1,994.9 亿元增
长至 2,731.4 亿元，年均复合增长率为 6.49%，高于全球增长率。依托于国内的
庞大市场，随着终端应用新技术与产业政策的双轮驱动，中国模拟芯片市场将迎
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来更大的发展机遇，模拟芯片作为消费终端、汽车和工业的重要元器件，其产业
地位将稳步提升。
  数据来源：中商产业研究院
  （1）半导体晶圆代工行业在新技术发展情况
  全球信息化、数字化、智能化、网联化等市场发展趋势，带动了全球半导体
技术的不断迭代与创新，对除了逻辑电路以外的其他集成电路和半导体器件类型
都提出了更高的技术要求，嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与
电源管理等多元化特色工艺技术得以快速发展以适应不断更新的市场需求。
  （2）半导体晶圆代工行业在新产业的发展情况
  随着新能源汽车、工业智造、新一代移动通讯、物联网、新能源等新兴产业
的蓬勃发展，芯片作为智能硬件的核心部件，其应用几乎无处不在，在新产业的
诞生和发展过程中扮演了重要角色。与此同时，新产业的发展也会对芯片的性能、
功耗、尺寸等不断提出新的需求，促进晶圆制造技术的突破和工艺平台的丰富，
为半导体晶圆代工行业带来新的机遇。
  ①新能源汽车
  在政策和市场驱动下，我国新能源汽车未来拥有广阔的增长空间。2020 年
划提出，2021 年到 2035 年我国新能源汽车行业进入加速发展阶段，2025 年新能
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源汽车新车销售量将占汽车新车销售总量的 20%左右，2035 年纯电动汽车将成
为新销售车辆的主流，实现公共领域用车全面电动化。根据中国信息通信研究院
的统计，2021 年新能源汽车产销数量分别达到 354.5 万辆和 352.1 万辆，全年产
销数量创造新高，市场渗透率亦不断攀升，2021 年全年累计市场渗透率升至
的复杂程度越来越高，对功率器件、MCU、模拟芯片、传感器等产品的需求也
不断增加。根据德勤芯片行业系列白皮书，新能源汽车车均芯片搭载量约 1,459
个，远超过传统燃油汽车。因此，新能源汽车产业的发展将在未来若干年内对车
规级芯片的需求带来飞跃。
  ②工业智造
  工业自动化和智能化的程度直接影响一个国家生产力的水平，在我国人口红
利逐步消失、产业结构优化升级、国家政策大力扶持三大因素影响下，我国工业
自动化将持续提升，智能装备制造业未来发展前景广阔。根据中国工控网《2021
年中国自动化市场白皮书》数据显示，2020 年中国自动化市场规模达 2,063 亿元，
预计至 2022 年，全球自动化设备市场规模将达到 2,360 亿美元。工业智造的大
力发展为半导体产品创造了巨大的发展空间，势必加大如 MCU、物联网芯片、
中高端模拟芯片与功率器件等工业领域必需品的市场需求。
  ③新一代移动通讯
  在信息通讯领域，我国高度重视新一代移动通讯产业的发展。在许多关键政
策的推动下，我国已在 2020 年启动 5G 商用，并进入了 5G 建设高峰时期。2021
年全年我国新增 5G 基站数达 65.4 万个，累计建成并开通 5G 基站数达 142.5 万
个。根据工信部《“十四五”信息通信行业发展规划》，“十四五”期间我国基
站拥有数将达到 26 站/万人，预计 5G 基站总数将在 360 万站以上，基站数量在
MCU、电源控制芯片、功率器件等众多芯片的需求，此外，5G 产业链条环节众
多，5G 手机等终端设备的更新迭代、智慧城市等 5G 物联网的逐渐部署也推动
着芯片需求量的快速增长，整体带动晶圆代工行业的市场规模不断增长。
  ④物联网
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  随着 5G 通讯在国内部署及智能时代万物互联的发展趋势，物联网有望实现
快速发展，而万物互联能够渗透到国民经济的各个领域，包括智能家居、智能手
机、工业智能化、新能源汽车等不同下游应用场景。根据中国互联网协会发布《中
国互联网发展报告（2021）》，2020 年我国物联网产业规模达到 1.7 万亿元。2021
年 9 月，工信部、科技部等八部门发布了《物联网新型基础设施建设三年行动计
划（2021-2023 年）》，明确到 2023 年底，在国内主要城市初步建成物联网新型
基础设施，社会现代化治理、产业数字化转型和民生消费升级的基础更加稳固。
根据全球移动通信系统协会（GSMA）发布的《2020 年移动经济》报告显示，
预计将达到 251 亿个，我国物联网连接数将达到 80.1 亿。物联网产业的蓬勃发
展将催生数以百亿计的新设备，每台设备都需要集成诸多芯片，从而持续提高半
导体产业规模。
  （3）半导体行业在新业态与新模式发展情况
  半导体中游产业在发展初期，由于相关技术被少数国际大型企业掌握，而生
产所需的设备、材料、工艺技术等又具有高度专业性等原因，行业内企业主要采
用垂直整合模式（IDM 模式）。伴随产业规模扩大、技术进步与市场多样化需
求的兴起，半导体中游逐渐由设计、制造以及封装测试只能在公司内部一体化完
成的 IDM 模式演变为多个专业细分产业，行业开始呈现垂直化分工格局。
  现阶段，半导体企业的业态可以分为 IDM、Foundry、Fabless 三种模式，具
体详见本节“二、行业基本情况”之“（三）行业发展情况与未来发展趋势”之
“1、半导体行业概况”。
  （四）发行人的技术水平及特点、取得的科技成果与产业深度融合的具体
情况
  公司致力于特色工艺技术的持续创新，自主研发形成了由嵌入式/独立式非
易失性储存器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频组成的特色工艺平台，
在多个领域达到全球领先水平，公司技术特点描述详见本节之“八、发行人的技
术与研发情况”。
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  由于半导体产品种类众多，特色工艺代工企业需要针对多样化、差异化的产
品需求提供特色化、定制化晶圆制造的产品和服务。公司在经年累月的研发与生
产中积累了大量特色工艺领域宝贵的工艺经验。同时，完善的研发及测试体系支
撑了公司多工艺平台的持续迭代，为客户提供高性能、高良率、高可靠的晶圆代
工服务。
  发行人持续进行研发投入追求技术突破，并聚焦于行业重点领域的专利布局，
以知识产权为抓手，围绕嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电
源管理、逻辑与射频等特色工艺平台打造研发核心竞争力。公司在上述领域均拥
有核心技术，并对部分核心技术申请了专利保护。
  公司是一家兼具 8 英寸与 12 英寸生产线的晶圆代工企业，坚持先进“特色
IC+功率器件”的发展战略，致力于特色工艺技术研发、创新与技术产业化，依
托高性能、高可靠的工艺平台组合为客户提供多元化的晶圆代工服务。
  在嵌入式非易失性存储器技术平台方面，公司通过技术创新自主研发的
NORD-Flash 单元以及相关低功耗及超低漏电嵌入式闪存工艺平台，吸引了众多
客户选择该平台进行产品流片及量产，该平台满足了市场上 MCU 电子产品超低
静态功耗与生产效率的双重需求，为客户产品在消费电子、通讯、工业控制、智
慧医疗和智能卡等领域的应用提供了优势芯片制造平台。
  在功率器件工艺平台方面，公司通过不断优化迭代自研 IGBT 技术，使得公
司功率器件具备大电流、小尺寸、高可靠性等优势，被应用于新能源汽车逆变器、
光伏等领域。同时公司基于深沟槽式超级结 MOSFET 技术，已为客户提供了应
用于数据中心电源、车载充电机等高端芯片制造平台。
  公司工艺和技术性能获得市场高度认可，客户产品需求旺盛，已全部实现平
台量产。公司产品拥有高度的安全性、可靠性、成本效益及技术精细度；同时公
司坚持“8 英寸+12 英寸”发展战略，在不断提升技术实力的同时扩大产能，满
足“国内大循环、国内国际双循环”相互促进的新发展格局下我国半导体设计企
业的芯片制造需求。
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  （五）进入公司所处行业的主要壁垒
  晶圆代工行业属于资本、人才及技术密集型行业，技术研发涉及多学科交叉，
生产工艺流程复杂，行业具有较强的技术壁垒。对于行业新进入者而言，短期内
无法突破核心技术，面临较高的技术壁垒。
  随着半导体行业技术的不断进步，对技术人才的专业性、经验要求和管理能
力的要求也不断提升，已形成较高的门槛，拥有高端专业的人才是晶圆代工企业
保持市场竞争的关键。晶圆代工企业需要拥有大量的多学科、多领域的专业人才，
而高端人才的聘用成本较高，且集中于行业领先企业，使得行业新进入者短期内
组建全面、优秀的人才团队的难度较大。
  晶圆代工行业技术更新迭代快、资金投入大、研发周期长，属于资本、人才
及技术密集型行业，固定资产投资的需求大、设备购置成本高。随着代工产品种
类不断丰富、工艺节点不断发展，晶圆代工企业需要长期的研发投入以实现技术
突破。若没有足够的资金支持，新进入者的竞争力与已经取得资金和规模优势的
企业存在较大差异。
  在晶圆代工领域，公司的技术创新与客户的长期协作密不可分，与下游芯片
设计厂商建立长期稳定的合作关系，能够掌握行业、产品最新技术动态，及时了
解和把握客户最新需求，准确地进行晶圆代工服务更新升级，确保公司产品在市
场竞争中保持竞争优势，同时积累产品行业应用经验，完善产品性能，提高产品
质量水平。因此，客户对其长期合作的晶圆代工企业黏性较大，对新进入者构成
了市场及客户壁垒。
  （六）行业周期性特征
  基于世界半导体贸易统计协会数据，全球半导体行业自 20 世纪 90 年代起长
期处于螺旋式上升的态势。公司所处行业属于晶圆代工行业，与宏观经济和下游
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行业关联度较高，具有一定的周期性特征。全球宏观经济尽管在较长时期内保持
增长趋势，但不排除出现周期性波动的可能性。
三、发行人的行业地位及竞争优劣势
     （一）行业内主要企业情况
   多年来，公司积极参与全球竞争，吸引并服务了众多境内外知名客户，在全
球半导体产业竞争中占据了重要位置。根据 IC Insights 发布的 2021 年度全球晶
圆代工企业排名中，华虹半导体位居第六位，中国大陆第二位。公司在报告期内
的业务增长均高于同行标杆企业或全球行业平均，同时，公司也是全球领先、中
国大陆排名第一的特色工艺晶圆代工企业。晶圆制造领域可比公司的经营情况如
下：
     （1）台积电（2330.TW）
   台积电在晶圆代工行业排名第一，其主营业务为集成电路及其他半导体芯片
的制造、销售、封装测试与电脑辅助设计及光罩制造等代工服务。台积电的产品
包括逻辑芯片、混合信号芯片、射频 RF 芯片、嵌入式存储器等，工艺平台分类
包括手机平台、高性能计算平台、IoT 平台、汽车电子平台和数字消费电子平台。
台积电在北美、欧洲、日本、中国大陆等地设有子公司或办事处，提供全球客户
的业务与技术服务。2021 年，台积电实现营业收入 15,874.15 亿新台币，净利润
     （2）格罗方德（GFS.O）
   Global Foundries Inc.成立于 2009 年，总部位于美国，拥有德国德累斯顿、
美国奥斯汀和纽约州等多座工厂。格罗方德的产品主要应用于移动、汽车自动化、
沟通网络和数据中心、物联网市场等领域。2021 年，格罗方德实现营业收入 65.85
亿美元，净利润-2.50 亿美元。
     （3）联华电子（2303.TW）
   联华电子股份有限公司成立于 1980 年，总部位于中国台湾，于 1985 年在台
湾证券交易所上市（股票代码：2303.TW），于 2000 年在纽交所上市（股票代
华虹半导体有限公司                                           招股说明书
码：UMC.NYSE），为 IC 产业各项主要应用产品生产芯片。2021 年，联华电子
实现营业收入 2,310.11 亿新台币，净利润 557.80 亿新台币。
   （4）中芯国际（688981.SH）
   中芯国际是行业内知名的集成电路晶圆代工企业，总部位于中国上海，拥有
全球化的制造和服务基地。2021 年，中芯国际实现营业收入 356.31 亿元，净利
润 112.03 亿元。
   （5）世界先进（5347.TWO）
   世界先进的主营业务为晶圆代工集成电路以及其他晶圆半导体装置的制造、
销售、封装测试与电脑辅助设计及光罩制造与设计服务，主要产品包括 PMIC 电
源管理器、LCD 面板驱动 IC、NVM 非易失性存储器、Discrete 分离式元件等。
   （6）高塔半导体（TSEM.O）
   Tower Semiconductor Ltd.成立于 1993 年，总部位于以色列的 Migdal Haemek，
于 1994 年在纳斯达克上市（股票代码：TSEM.NASDAQ），是一家在美国、亚
洲和欧洲生产密集型混合信号半导体器件的晶圆代工厂，产品主要运用于消费电
子产品、个人计算机、通讯、汽车、工业和医疗设备产品。2022 年 4 月，高塔
半导体董事会宣布批准英特尔收购高塔半导体的议案。2021 年，高塔半导体实
现营业收入 15.08 亿美元，净利润 1.50 亿美元。
   （7）晶合集成
   晶合集成成立于 2015 年，主要提供 150nm 至 90nm 的晶圆代工服务，所代
工的主要产品为面板显示驱动芯片，并被应用于液晶面板领域。2021 年，晶合
集成实现营业收入 54.29 亿元，净利润 17.29 亿元。
   （8）英飞凌（IFX.DF）
   英飞凌成立于 1999 年，总部位于德国慕尼黑，是全球领先的半导体公司之
一，其前身是西门子集团的半导体部。英飞凌专注于为汽车和工业功率器件、芯
片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。2021 年，英飞凌实现了营业收入
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  （9）德州仪器（TXN.O）
  德州仪器成立于 1930 年，是世界上最大的模拟电路技术部件制造商之一。
主要从事创新型数字信号处理与模拟电路方面的研究、制造和销售。除半导体业
务外，还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。2021 年，
德州仪器实现了营业收入 183.44 亿美元，净利润 77.69 亿美元。
  （10）华润微（688396.SH）
  华润微成立于 2004 年，主要采用 IDM 经营模式并同时对外提供半导体制造、
封测服务，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。2021 年，华
润微实现了营业收入 92.49 亿元，净利润 22.68 亿元。
  发行人选取了在行业分类、主营业务及产品形态上与公司较为相似的知名企
业，选取标准客观，具有可比性。
  在主营业务方面，发行人为领先的纯晶圆代工企业，同行业可比公司中台积
电、联华电子、格罗方德、中芯国际、世界先进、高塔半导体与晶合集成均主要
从事晶圆代工业务。
  在产品形态方面，公司主要代工产品包括嵌入式/独立式非易失性存储器、
功率器件、模拟与电源管理芯片、逻辑与射频芯片等，同行业可比公司中英飞凌、
德州仪器、华润微主要产品与公司代工产品具有一定重合，其中英飞凌、德州仪
器为世界领先的功率半导体厂商。因此，虽然上述企业主要采用 IDM 模式，但
其在晶圆制造工艺平台及产品形态与公司具有可比性。
  发行人与主要竞争对手在生产线数量及产量、工艺节点、所覆盖的工艺平台
及先进性水平、代工产品类型、市场地位等方面的比较情况如下：
                 年产量
                         主要覆盖                   代工产品类型
公司名   生产线数       （万片/                  工艺平台覆盖             市场地
                         工艺节点                   及细分应用领
 称     量         约当 12      注2           情况                位
                    注                             域
                 英寸） 1
台积电   厂（6/8/12   1,420                与射频、图像传             工企业
                             m                  电子、计算机等
       英寸）                            感器、模拟与电             市场占
华虹半导体有限公司                                             招股说明书
                                    源管理、嵌入式             有率全
                                      存储等               球第一
                                    逻辑、模拟与混             晶圆代
联华电                    0.6?m-14n
      厂（6/8/12   438                存储、特色射频   数据处理、汽车   市场占
 子                         m
       英寸）                          及高压显示驱      电子等     有率全
                                      动等                球第二
                                                        晶圆代
                                              消费电子、汽车
格罗方                    0.18?m-12              电子、通讯、家
      厂（8/12     360                与射频、模拟与             市场占
 德                         nm                 居及工业物联
       英寸）                           电源管理等              有率全
                                                 网
                                                        球第三
                                    逻辑、模拟与电
                                    源管理、高压显             晶圆代
      共 6 座晶                        示驱动、嵌入式             工企业
中芯国                    0.35?m-14              消费电子、通
      圆厂（8/12    300                及独立式存储、             市场占
 际                         nm                 讯、汽车电子等
       英寸）                          混合信号与射              有率全
                                    频、图像传感器             球第四
                                    及功率器件等
                                    嵌入式存储器、             晶圆代
发行人   厂（8/12     156                功率器件、模拟   车、计算机、工   市场占
                           nm
       英寸）                          与电源管理、逻     业等      有率全
                                     辑与射频               球第六
                                                        晶圆代
                                    电源管理、功率
世界先                    0.5?m-0.1    器件、模拟器    消费电子、汽
      厂（8 英      129                                    市场占
 进                        1?m       件、嵌入式存储   车、数据中心等
        寸）                                              有率全
                                       等
                                                        球第七
                                    图像传感器、功
高塔半                                 率器件、特色射   消费电子、通讯
      厂（6/8/12    -    1?m-45nm                         工行业
导体                                  频、模拟及电源      等
       英寸）                                               领先
                                      管理等
                                                        中国大
晶合集                                                     陆晶圆
      厂（12 英     60    -90nm 量      像与显示驱动    消费电子等
 成                                                      代工排
        寸）                 产           等
                                                        名第三
                                                        半导体
                                    功率器件、模拟
英飞凌               -        -        及电源管理、嵌
      寸晶圆厂                                    业、消费电子等   先 IDM
                                    入式存储器等
                                                         厂商
                                                        半导体
德州仪                                                     行业领
      厂（6/8/12    -        -        理、功率、射频   讯、工业、汽车
 器                                                      先 IDM
       英寸）                             等         等
                                                         厂商
      厂（6/8 英          1?m-0.11? 模拟/混合信       通讯、消费电    陆领先
华润微               -
      寸，12 英              m      号、功率器件等      子、汽车电子等   的 IDM
      寸在建）                                               厂商
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  注 1：年产量数据根据可比公司披露的 2021 年度相应晶圆尺寸产量计算获得，部分可
比公司未披露产量数据。
  注 2：相关信息根据可比公司公开披露数据整理，主要覆盖工艺节点等数据可能无法代
表其未披露的实际情况，仅供参考比较使用。
资料来源：可比公司官网、招股说明书、企业 2021 年年报及 IC Insights 等行业公开信息
  （二）发行人的竞争优势
  公司自成立以来专注于特色工艺的技术开发，建立了完善的研发创新体系，
拥有多个全球领先的特色工艺技术平台。
  公司在上述特色工艺平台上形成的多项具有代表性的产品：在嵌入式非易失
性存储器领域，公司是全球最大的智能卡 IC 制造代工企业以及境内最大的 MCU
制造代工企业；在功率器件领域，公司是全球产能排名第一的功率器件晶圆代工
企业，也是唯一一家同时具备 8 英寸以及 12 英寸功率器件代工能力的企业，拥
有全球领先的深沟槽式超级结 MOSFET 以及 IGBT 技术；在独立式非易失性存
储器平台，公司提供基于自主知识产权的 NORD 闪存架构技术，产品拥有广泛
的应用；在模拟与电源管理平台，公司的 BCD 技术工艺在国内晶圆代工行业中
起步最早，并已在 90 纳米工艺节点上实现量产；在逻辑与射频领域，公司拥有
自主开发的射频 SOI 工艺平台。公司在特色工艺领域代表了行业领先的技术研发
和生产制造水平，拥有大量国内外专利。
  在 0.35?m 至 90nm 工艺节点的 8 英寸晶圆代工平台，以及 90nm 到 55nm 工
艺节点的 12 英寸晶圆代工平台上，公司形成了行业内特色工艺平台覆盖最全面
的代工服务，多元化的技术品类能够满足不同下游市场的应用场景以及同一细分
市场中不同客户的多元化需求。
  在各类器件性能方面，公司追求全球领先水平，帮助客户产品对标全球高端
芯片。
  报告期内，发行人研发投入的力度不断加大，力争全方位的技术突破，截至
  公司强大的科研能力在业内得到广泛认可，承担多项重大科技项目。公司的
技术成果曾先后荣获“国家科学技术进步奖二等奖”、“上海市科学技术奖一等
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奖”、“上海市质量金奖”、“优秀院士工作站”及“上海知识产权创新奖（创
造）”等奖项及荣誉。
  公司的核心技术人员均在半导体领域耕耘数十年，在不同的技术领域具有丰
富的研发经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心
技术人员队伍稳定，其出色的研发能力保证了公司的市场敏锐度和科研水平，确
保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势，亦满足客户终端产品的创新需求。
截至 2022 年 12 月 31 日，公司共有研发人员 1,195 人，占员工总数的 17.68%。
  经过在行业内多年的深耕发展，公司在嵌入式非易失性存储器、功率器件、
电源管理及模拟芯片等特色工艺领域积累了业内领先的产品组合，配套相关的 IP
的定制服务与测试服务，能够为客户提供丰富的芯片产品与系统产品的一站式解
决方案。
  同时，公司的产能资源满足了客户对于特色工艺产能的需求，截至 2022 年
  领先的技术水平和丰富的产品组合为公司带来了优质的客户群体，覆盖汽车、
通讯、工业、消费电子等多个终端领域，地域分布方面则遍及全球多个国家和地
区。
  在晶圆代工领域，公司的技术创新与客户的长期协作密不可分，在全球排名
前 50 名的知名设计公司中，超过三分之一与公司开展了业务合作，包括 IDM 和
Fabless 模式下的知名客户，其中多家与公司达成研发、生产环节的战略性合作。
公司多年来积累的世界知名的国内外客户群，帮助公司的特色工艺平台不断升级，
产品与方案则被越来越多的终端领域所应用，市场认可度不断提升。通过产品工
艺的共同开发，公司的客户黏性日趋增强，与全球知名客户拥有多年的长期合作
关系。
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  公司的核心管理团队均在半导体行业任职数十年，涵盖了研发、生产、质量、
市场销售、财务、行政、知识产权和法律等各领域，对产业发展趋势与技术发展
方向的把握有较高的敏感性和前瞻性，拥有深厚的行业背景及经验，出色的领导
能力和管理能力。
  公司自成立以来，不断研发创新并形成了众多领先的特色工艺平台，实现了
自身的快速增长。在这一过程中，公司管理团队对行业发展趋势的准确判断以及
对经营理念的不懈坚持起到了关键性的作用。
  （三）发行人的竞争劣势
  与台积电为代表的国际晶圆代工巨头相比，公司在工艺节点、经营规模等方
面仍存在一定的差距。公司长期发展战略聚焦于特色工艺，因此在最先进的工艺
节点方面与行业内的国际巨头存在差距，从而造成公司无法提供更为全面的晶圆
代工产品。此外，在产能规模与收入方面，公司亦与行业巨头企业存在差距，对
公司争夺高端晶圆代工市场、提升规模经济效应、产品议价能力及市场竞争力造
成影响。
  未来，随着集成电路行业整体的进步，随着工艺节点的进步以及其他晶圆代
工企业的追赶，可能加剧行业竞争。面对市场竞争，公司仍需进一步加大科研投
入、增加工艺积累的广度和深度、提高自主创新能力、丰富产品结构与综合实力。
  晶圆代工行业是资本密集型行业，产线建设和技术研发均需要大量的资金投
入。随着我国集成电路行业的快速发展与下游需求的持续增加，公司目前正面临
新能源汽车、物联网、智能制造等下游科技产业升级带来的市场机遇，行业内厂
商积极进行市场拓展，市场竞争逐渐加剧。在未来的市场竞争中，为适应不断变
化的市场情况和产品工艺水平持续提高的要求，公司需投入大量的资金来进行工
艺的研发、人才的引进与产能的提升，面临较大的资金压力。公司是香港联交所
上市公司，缺乏在中国大陆的直接融资渠道。因此，公司亟需拓展融资渠道，以
进一步提高市场占有率、盈利能力以及可持续发展能力。
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     （四）发行人面临的机遇和挑战
  （1）国家产业政策高度支持，行业迎来发展黄金期
  半导体行业的发展程度是国家科技实力的重要体现，晶圆制造领域更是全球
科技竞争的焦点。提升我国半导体相关产业的竞争力，已成为制造业升级的重要
课题之一。近年来，国家各部门相继推出了一系列优惠政策，鼓励和支持行业发
展。
  （2）全球半导体产业重心转移，中国半导体行业高速成长
  纵观半导体行业发展史，全球已发生两次大规模的产业转移：第一次是 20
世纪 70 年代从美国向日本转移，第二次是 20 世纪 80 年代向韩国与中国台湾地
区转移。如今，中国大陆则成为半导体产业第三次转移的核心地区。产业转移是
市场需求、国家产业政策和资本驱动的综合结果。历史上两次成功的产业转移都
带动产业发展方向改变、分工细化专业化、资源重新配置，并给予了追赶者切入
市场的机会，进而推动整个行业的革新与发展。
  目前，中国拥有最具活力的终端应用产业集群。巨大的终端应用市场正在全
方位、多角度地支持半导体行业发展。我国在新能源、显示面板、LED 等高新
技术行业经过多年发展已达到领先水平，也大力拉动了各类芯片产品的升级换代
进程，也加速了国内半导体产业链进一步完善。
  （3）应用市场快速升级，行业市场空间迅速扩大
  随着物联网、新一代移动通信、人工智能等新技术的不断成熟，工业控制、
汽车电子等半导体主要下游制造行业的产业升级进程加快，下游高科技领域的技
术更新，带动了半导体企业的规模增长。如新能源汽车整车半导体价值将达到传
统汽车的两倍，特别是功率半导体的应用大幅增长；在物联网领域，根据 Gartner
的预测，全球联网设备将从 2020 年的 131 亿台上升到 2025 年的 240 亿台，复合
增长率 12.87%。下游科技行业的快速升级，已成为行业新的市场推动力，并且
随着国内企业技术研发实力的不断增强，国内半导体行业市场空间将迅速扩大。
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  （1）中国大陆的半导体产业链配套能力有待加强
  目前，中国大陆半导体产业链的配套能力有待加强，与晶圆制造配套的上下
游产业仍在发展中，公司生产产品所需的设备以及原材料仍主要依赖进口。
  （2）高端人才储备相对不足
  晶圆代工行业对业内人才的知识背景、研发能力及经验积累均具有较高要求。
由于国内半导体行业进入高速发展周期，具有完备知识储备、具备丰富技术和市
场经验、能胜任相应工作岗位的人才较为稀缺，行业内高端人才需求缺口日益扩
大，从而一定程度上抑制了行业内企业的进一步发展。
四、发行人主营业务经营情况
  （一）公司销售情况
  报告期内，公司主要产品的产销情况如下：
                                                     单位：万片
      项目           2022 年度            2021 年度        2020 年度
      产能                     386.27        326.04        248.52
      产量                     414.85        350.49        230.38
     产能利用率              107.40%          107.50%         92.70%
      销量                     408.66        332.79        219.15
      产销率                98.51%           94.95%         95.12%
 注：产能、产量、销量按照约当 8 英寸统计。
  报告期内，公司主要产品为晶圆，价格情况如下：
      项目          2022 年度             2021 年度        2020 年度
   销售收入（万元）         1,599,825.96      1,007,892.46    640,007.38
   销售数量（万片）              408.66            332.79        219.15
  平均销售单价（元/片）          3,914.85          3,028.58       2,920.47
 平均销售单价（美元/片）            581.58            469.31        422.86
 注：销量和单价按照约当 8 英寸统计。
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   报告期内，发行人的前五大客户情况如下：
                                                 单位：万元
                                                 占营业收入
 期间       序号         客户名称           销售收入
                                                  比例
                     合计             454,787.78    27.09%
                     合计             293,600.24    27.62%
                     合计             154,815.04    22.98%
   注：客户按最终控制方合并计算。
   报告期内，发行人不存在向单个客户销售比例超过发行人当年销售总额 50%
或严重依赖少数客户的情况。
   截至本招股说明书签署日，发行人的董事、高级管理人员和核心技术人员，
主要关联（连）方或持有发行人 5%以上股份的股东在上述客户中不存在占有权
益的情况。
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  （二）公司采购情况
  报告期内，发行人生产经营所需的原材料主要包括硅片、化学品、气体、靶
材等，主要原材料采购情况如下：
 种类         项目      2022 年度           2021 年度          2020 年度
        数量（万片）              461.50         411.56           281.06
 硅片     金额（万元）        230,492.48        177,725.44      124,932.25
       单价（元/片）              499.45         431.83           444.51
        数量（吨）          38,231.13         30,449.23       17,538.44
化学品     金额（万元）         80,871.71         67,409.24       38,070.22
       单价（万元/吨）                2.12             2.21          2.17
        数量（吨）               761.94         645.13           422.71
 气体     金额（万元）         22,747.05         18,239.68       12,547.10
       单价（万元/吨）              29.85          28.27            29.68
        数量（个）           7,910.75          6,351.75        3,912.25
 靶材     金额（万元）         11,890.60          9,479.77        4,485.79
       单价（万元/个）                1.50             1.49          1.15
        数量（个）          77,623.00         72,303.00       51,698.00
研磨垫和
        金额（万元）         16,070.20         14,160.80        8,981.02
 研磨盘
       单价（万元/个）                0.21             0.20          0.17
        数量（吨）           3,797.74          3,132.46        1,909.28
研磨液     金额（万元）         16,240.34         12,560.85        7,552.34
       单价（万元/吨）                4.28             4.01          3.96
        数量（个）         798,519.00          585,170          455,632
 备件     金额（万元）        101,598.30         76,842.71       44,277.13
       单价（万元/个）                0.13             0.13          0.10
 注 1：列示的硅片为用于生产晶圆的硅片
 注 2：硅片、靶材单价按照约当 8 英寸统计
  报告期内，发行人生产经营所需的能源主要为电和水：
种类      项目        2022 年度             2021 年度          2020 年度
 电     数量（万度）        95,188.03           84,635.22       72,069.34
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种类         项目          2022 年度           2021 年度               2020 年度
         金额（万元）           61,032.77         50,144.91            40,956.86
        单价（元/度）                  0.64              0.59               0.57
         数量（万吨）            1,023.48           874.91               716.70
 水       金额（万元）            5,025.84          4,002.99             3,223.37
        单价（元/吨）                  4.91              4.58               4.50
     报告期内，发行人前五大原材料供应商情况如下：
                                                                单位：万元
序号            供应商             主要采购内容               金额             占比
                  合计                           180,166.78          35.31%
                  合计                           154,402.11          38.50%
                  合计                           119,668.62          45.08%
     注：供应商按最终控制方合并计算。
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  报告期内，发行人不存在向单个供应商采购比例超过发行人当年采购总额
  截至本招股说明书签署日，发行人的董事、高级管理人员和核心技术人员，
主要关联（连）方或持有发行人 5%以上股份的股东在上述供应商中不存在占有
权益的情况。
五、与发行人业务相关的主要资产情况
  （一）主要固定资产情况
  截至 2022 年 12 月 31 日，发行人拥有的固定资产主要包括房屋及建筑物、
机器设备、办公设备，具体情况如下：
                                                                单位：万元
  项目        原价           累计折旧           减值准备         账面价值           成新率
房屋及建筑物      292,038.78    140,341.24      7,892.71    143,804.82    49.24%
 厂务设施       684,169.71    383,585.05     55,924.63    244,660.02    35.76%
 机器设备    3,940,491.65    2,274,696.92   199,908.66   1,465,886.06   37.20%
 运输工具         1,049.19        751.58             -        297.61    28.37%
 办公设备        43,044.87     30,566.97       755.23      11,722.67    27.23%
  合计     4,960,794.19    2,829,941.77   264,481.24   1,866,371.19   37.62%
  截至 2022 年 12 月 31 日，发行人拥有的经营性主要房产共计 4 处，具体情
况详见本招股说明书之“附表一：房屋建筑物情况”。
  截至 2022 年 12 月 31 日，发行人及其子公司的经营性主要租赁房产共 9 处，
具体情况详见本招股说明书之“附表二：租赁房产情况”。
  （二）主要无形资产
  截至 2022 年 12 月 31 日，发行人拥有的与生产经营相关的土地使用权共计
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  截至 2022 年 12 月 31 日，发行人及其子公司已获授权的主要发明专利共计
主营业务有重要影响的专利具体情况详见本招股说明书之“附表四：主要专利情
况”。
  截至 2022 年 12 月 31 日，发行人及其子公司拥有的主要境内外注册商标共
计 48 项，其中境内商标 39 项，境外商标 9 项。该等商标的具体情况详见本招股
说明书之“附表五：主要商标情况”。
  截至 2022 年 12 月 31 日，登记在发行人及其控股子公司名下的集成电路布
图设计专有权共计 13 项。该等集成电路布图设计专有权的具体情况详见本招股
说明书之“附表六：集成电路布图设计专有权情况”。
  上海华虹宏力与上海集成签订《技术许可协议》，上海集成将 65nm CMOS
工艺技术以非独家、不可转让的许可方式（转让给关联公司除外）许可予上海华
虹宏力用于 12 英寸特色工艺集成电路生产线的研发和建设，并由上海集成向其
提供技术服务。
  上海华虹宏力与华力微签订《技术开发协议》，华力微基于上海华虹宏力及
其关联公司的技术及项目要求进行 65nm/55nm CMOS 工艺技术的开发，向上海
华虹宏力交付与前述工艺技术相关的技术文档，并在全球范围内向上海华虹宏力
及其关联公司提供永久的、非独家、不可转让的使用和开发专利成果之许可。
  具体情况详见本招股说明书之“第八节 公司治理与独立性”之“十、关联
（连）交易情况”之“（二）偶发性关联（连）交易”。
  发行人及其控股子公司通过与第三方 IP 供应商的合作，为客户提供不同种
类的标准单元库、存储器编译器和其他 IP 类型。
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     截至 2022 年 12 月 31 日，发行人获得的 IP 授权主要类型包括标准单元库、
存储器编译器、嵌入式非易失性存储 IP 及模拟、接口 IP 等。
     （三）上述资产与公司产品或服务的内在联系
     公司的固定资产主要为生产经营所需的房屋建筑物和机器设备，上述固定资
产为公司进行半导体晶圆代工、工艺研发及配套服务提供了场所和工具，公司相
关建筑、机器设备情况良好，是公司进行生产经营活动的必要条件。
     公司的无形资产主要为已取得的土地使用权、专利、商标和集成电路布图设
计专有权，是公司现有产品和服务取得市场认可和快速发展的核心竞争力。
     截至 2022 年 12 月 31 日，公司的主要固定资产、无形资产不存在瑕疵、纠
纷或潜在纠纷。
六、发行人的业务许可资质
     截至 2022 年 12 月 31 日，发行人及其境内控股子公司主要拥有如下业务许
可和资质：
     （一）进出口业务相关登记证书
                                      证书编号/备        核发/备案
序号    持证单位         证书名称                                           发证部门
                                        案号           日期
                                                                  上海出入
               出入境检验检疫报检企业
      上海华虹宏        备案表
                                                                   疫局
        力
               海关报关单位注册登记证
               （进出口货物收发货人）
               海关报关单位注册登记证
               （进出口货物收发货人）
     （二）排污许可证
序号      持证单位        证书编号                 发证部门                    有效期
                    T8X001Q                                 2026-10-17
      上海华虹宏力    91310000057674532     上海市浦东新区生态            2022-12-20 至
       （一厂）           R002Q              环境局                2027-12-19
      上海华虹宏力    91310000057674532     上海市浦东新区生态            2019-12-20 至
       （二厂）           R001U              环境局                2024-12-19
      上海华虹宏力    91310000057674532     上海市浦东新区生态            2022-11-08 至
       （三厂）           R003V              环境局                2027-11-07
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     （三）城镇污水排入排水管网许可证
序号     持证单位       证书编号              发证部门        有效期
                苏锡政园许新排            无锡市市政和园林   2020-07-18 至
               （2020）字第 345 号         局        2025-07-17
      上海华虹宏力    沪浦水务排决字            上海市浦东新区水   2018-07-04 至
       （一厂）    （2018）第 396 号          务局       2023-07-03
      上海华虹宏力    沪浦水务排决字            上海市浦东新区水   2018-07-04 至
       （二厂）    （2018）第 395 号          务局       2023-07-03
      上海华虹宏力    沪浦水务排决字            上海市浦东新区水   2018-07-04 至
       （三厂）    （2018）第 394 号          务局       2023-07-03
七、发行人的特许经营情况
     截至 2022 年 12 月 31 日，发行人及其境内外控股子公司不存在特许经营权。
八、发行人的技术与研发情况
     （一）公司的核心技术情况
     公司以自身发展战略与竞争优势为依托，经过长期技术积累与工艺迭代，在
主要业务领域形成并掌握了一系列具有自主知识产权的核心技术。公司核心技术
来源主要通过自主研发，由自身研发团队进行研发与创新，对工艺流程及参数指
标进行优化，形成了公司现有核心技术平台。
     其中，公司在嵌入式非易失性存储器、功率器件等领域的多项核心技术达到
全球领先水平，并已大量应用于公司产品的批量生产中。截至 2022 年 12 月 31
日，公司的主要核心技术平台情况如下：
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     产品应用领域   制程范围及核心技术
序号                                              技术工艺特征及先进性表征                           技术先进性    技术来源
       类别         平台
              提供 200V-900V 电压  通电阻小、工作电流增加、功率增加等综合技术优势；
               范围支持的超级结        2、自主知识产权的工艺方案可比业界其他方案的光罩层数大幅降低，有效降低生产成本提高               全球领先     自主研发
              MOSFET 技术平台      产品竞争力；
              提供 600-1,700V 电压
                               流增加、功率增加等综合技术优势；
              范围的 IGBT（绝缘栅
              双极型晶体管）技术平
                      台
                               能及数据中心等新兴行业特定要求，具有行业领先的高电压产品代工能力。
                               Leakage）水平处于业界领先水平；
              涵盖 0.35μm-55nm 制
     嵌入式非易失                    3、工艺光刻层次比业界代工企业的主流代工技术显著减少，有效降低成本及缩短工艺周期；
      性存储器                     4、自主研发并申请专利的闪存单元（NORD Flash cell）；
                   器技术平台
                               金融卡、身份证、MCU、车规 MCU 等领域，相关产品于国内外市场拥有较高的市场占有率。
              涵盖 0.35μm-55nm， 品设计。该技术及应用产品具有显著的节能效应和极高的社会应用价值；
     模拟与电源管
        理
                     平台        横向双扩散金属氧化物半导体场效应管阻抗达到业界领先水平，比导通电阻在同节点下也较业
                               界主流代工技术更具优势。
              涵盖 0.35μm-55nm 工
                               器件主要为射频开关产品应用，同时提供低电压 1.8V 操作电压以更好匹配移动终端电源趋势。
              艺节点的逻辑混合信                                                                国际先进     自主研发
                               集成 1.2V 器件可以实现与低噪声放大器的系统集成芯片（SoC）产品方案；
                号与射频技术平台
              涵盖 90nm-55nm，前、 的 HDR 像素性能，在暗电流控制、信噪比、动态范围等指标上达到业界先进水平；
              后照式图像传感器工        2、业界先进的背照式 CMOS 图像传感器工艺平台，高集成的 55 纳米图像传感器工艺拥有较          国际先进     自主研发
                   艺技术平台       少的光刻层次和优秀的高像素性能，在暗电流控制、信噪比、动态范围等指标上达到业界先进
                               水平。
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     产品应用领域   制程范围及核心技术
序号                                                  技术工艺特征及先进性表征                          技术先进性    技术来源
       类别            平台
              涵盖 0.13μm-55nm 制   1、基于自主专利的独立式闪存单元（NORD Flash cell），支持 1.8V 及 3.3V 电压范围；
     独立式非易失
      性存储器
                    术平台          软件编写。同时工艺光刻层数比业界代工企业的主流技术显著减少，有效降低成本。
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  报告期内，发行人核心技术广泛应用于发行人各类特色工艺平台中。发行人
应用核心技术产生的收入及其占营业收入比重情况如下：
                                                    单位：万元
       项目           2022 年度          2021 年度        2020 年度
   核心技术产生的收入          1,665,291.76   1,050,765.79    662,968.31
       营业收入           1,678,571.80   1,062,967.75    673,702.63
    占营业收入的比重               99.21%        98.85%        98.41%
  （1）知识产权保护
  公司为保护无形资产完整，明确科研成果归属，制定了知识产权管理的相关
制度，建立了专利注册申请、商业秘密保护的多层次的知识产权管理体系。根据
上述规定，对于通过公司职务工作形成的技术发明，以公司为主体向国家知识产
权局申请注册专利，并对专利发明人发放奖金激励；如技术发明不适宜进行公开
披露，由专利暨商秘评审委员会审议通过后可将其列为商业秘密保护。
  （2）保密与竞业禁止制度
  为确保职务作品归属，避免员工流动导致的技术秘密外泄，防范与员工之间
的知识产权争议，发行人与其主要技术人员在劳动合同、保密协议中约定相应保
密及竞业条款，约束其对职务工作中形成的技术成果、商业信息负有保密责任。
对于核心技术人员的离职情况将约定相应的提前通知期和竞业限制期限，离职人
员在竞业限制期内不得设立、经营、参与任何与发行人竞争的实体，不得在该等
实体工作或提供服务、咨询等工作。
  （3）员工持股激励
  为打造稳定、高效、专业的研发团队，促进研发人员的科研创新热情，锁定
高级管理人员及核心员工，发行人制定了一系列员工激励计划，通过员工持股、
期权激励等方式实现对核心员工有效激励，以稳固公司的高级管理人员及核心技
术团队。
华虹半导体有限公司                                                   招股说明书
        （二）科研实力和成果情况
        作为一家在特色工艺晶圆代工领域具有强大科研实力和工艺创新能力的企
业，公司长期承担及参与各类重大科研项目。
        公司将科研成果及核心技术转化为专利进行保护和应用。截至 2022 年 12 月
利达 4,141 项。相关专利情况详见本招股说明书之“附表四：主要专利情况”。
        公司及其产品曾经及于报告期内获得的重要荣誉情况如下：
序号               奖项名称                   颁奖机构        日期       获奖主体
                                  中华人民共和国国务                  上海华虹
                                      院                       宏力
                                                             上海华虹
                                                              宏力
                                                             上海华虹
                                                              宏力
                                                             上海华虹
                                                              宏力
                                                             上海华虹
                                                              宏力
                                 上海市人民政府、国家
                                                             上海华虹
                                                              宏力
                                    产权组织
         第十三届（2018 年度）中国半导体       中国半导体行业协会                  上海华虹
             创新产品和技术                  等                       宏力
                                                             上海华虹
                                                              宏力
           绩效评估“优秀院士工作站”           站指导办公室                     宏力
        （三）研发项目
        公司目前主要在研项目的具体情况如下：
序号       研发项目     具体方向          研发目标与先进性           所处阶段       研发模式
         嵌入式非    55 纳米嵌入式   1、自主专利的闪存单元 NORD       工艺优化
         易失性存       闪存工艺    Flash cell，实现国内在该平台工    升级
华虹半导体有限公司                                            招股说明书
序号    研发项目    具体方向            研发目标与先进性            所处阶段   研发模式
      储器平台                艺突破及大规模量产；
      研发项目                2、闪存单元面积比业界主流代
                          工企业的同节点技术显著缩小，
                          未来计划进一步提升工艺水平
                          和产品性能；
                          平大幅减少；
                          申至新能源汽车等新兴领域，使
                          Flash IP 可靠性进一步提升。
                                                         自主研发
             闪存工艺优化       台工艺流程，缩短工艺时间。            升级
      功率器件   IGBT 12 英寸   产线，IGBT 性能和可靠性和业        产品量
       项目       术开发       2、未来重点向新能源汽车领域          持续优化
                          延伸发展。
                          成在同一个工艺平台，符合电源
                          管理芯片智能化的技术与市场
      模拟与电
                          发展趋势；                   产品量
      源管理平   模拟与电源管
      台研发项    理工艺开发
                          阻以及 flash 高可靠性的特点，      持续优化
       目
                          满足车规级汽车电子芯片需求，
                          未来进一步探索新能源汽车等
                          新兴领域的应用。
      逻辑与射
                                                  工艺优化
                                                   升级
       发项目
     （四）合作研发情况
     截至 2022 年 12 月 31 日，公司不存在正在从事的重要合作研发项目。
     （五）研发投入情况
     报告期内，公司研发投入情况详见本招股说明书“第六节 财务会计信息与
管理层分析”之“九、经营成果分析”之“（四）期间费用分析”之“3、研发
费用分析”。
华虹半导体有限公司                                          招股说明书
  （六）研发机构及研发人员情况
  公司建立了研发相关体系，辅以测试与外包、品质保证及工程验证等部门开
展研发工作，并与制造与生产相关部门围绕制造工艺的各个环节展开配套衔接，
以保障公司从研发目标到实现工艺升级和晶圆制造的整个过程。
  具体而言，研发部门的主要职责包括：（1）计划、实施和管理新工艺、新
技术的开发及集成相关工作，完成对工厂的技术转移和支持，为已量产的产品提
供技术支持；（2）全面负责项目中的器件设计和优化，为新技术和工艺开发提
供完整的设计规则，测试芯片，器件模型，器件特性测试程序，静电保护规则等
技术规划和开发方案，并配合项目要求予以实施；（3）提供满足客户需求并具
备公司自主知识产权的存储器、模拟、混合信号、数字 IP 及资料库，建立具备
业界竞争力的设计支持平台，建立满足客户需求的设计技术支持能力；（4）研
发先进的半导体制程中的模块工艺，建立研发工艺流程，提供研发晶圆线上的工
艺支持，将研发成果向产线转移。
  （1）研发人员数量
  报告期各期末，公司研发人员数量及占公司员工总数的比例情况如下：
      项目
    员工总数（人）                  6,760         6,084         5,682
   研发人员人数（人）                 1,195         1,033           808
 研发人员占总员工人数比例           17.68%            16.98%        14.22%
  （2）核心技术人员情况
  核心技术人员详情请见详见本招股说明书“第四节 发行人基本情况”之“九、
发行人董事、高级管理人员及核心技术人员情况”之“（一）董事、高级管理人
员及核心技术人员的简介”。
华虹半导体有限公司                                             招股说明书
  上述核心技术人员均拥有超过数十年的半导体制造领域技术研发经验并掌
握关键技术，拥有深厚的行业背景及经验。自 2012 年以来，发行人核心技术人
员获得的重要奖项情况如下：
    所获奖项           人/次数               获奖年份        颁发政府单位/机构
国家科学技术进步二等奖        2 人/次               2013 年     中华人民共和国国务院
上海市科学技术一等奖         5 人/次                           上海市人民政府
中国电子学会电子信息科
   学技术一等奖
  注：共计 5 人/次分别于 2013 年、2014 年及 2020 年获得”上海市科学技术一等奖”。
  （3）对核心技术人员的约束激励机制
  公司重视对科研人才、核心技术人员的吸纳与留用，通过公平、全面的业绩
考核及创新激励机制，将员工个人收入与研发成果相挂钩，提升员工创新能力及
积极性并进一步促进公司的研发实力，形成良性循环。公司一方面对员工注册知
识产权进行直接奖励，另一方面在专利暨商秘评审委员会的主导下建立专利保护
伞，持续提升公司专利资产的创造、运用、保护和管理能力。
  公司对核心技术人员的具体激励、约束激励机制包括以下内容：
  ①研发项目激励
  公司对研发人才专门设立了研发创新项目、技术发展项目及专利相关的奖励
机制，给予技术研发人员目标奖励或收益分享奖励，鼓励各类技术与管理创新。
  ②中长期激励
  对核心技术人员进行股权激励，加强核心技术人员的稳定性；该等激励计划
的情况详见本招股说明书“第四节 发行人基本情况”之“十、公司正在执行的
股权激励及其他制度安排和执行情况”。目前公司属于成长期，新技术平台开发
与存量技术平台的优化，每年研发费用均维持在较高水平，为核心技术人员提供
明确的晋升制度与自主研发平台，为核心技术人员提供良好的研发环境。
  ③约束措施
华虹半导体有限公司                      招股说明书
  公司已与核心技术人员签订劳动合同、保密协议，通过知识产权保护的相关
制度约定职务工作科技成果归属公司。该等约束措施具体情况详见本招股说明书
附录之“附表七：承诺事项”。
  （七）技术创新机制、技术储备及技术创新的安排
  公司致力于增强晶圆代工领域的综合竞争实力。通过吸纳半导体产业科研人
才，建立长效激励机制，优化研发与生产流程，扩充工艺相关 IP 数据库、拓展
与上下游公司合作的模式，从整体上提升自身技术实力。公司实施的技术创新机
制及安排包括以下方面：
  （1）科研团队建设及选拔机制
  深耕人才梯队，全力组建研发队伍，公司为配合客户需求及自身技术发展，
制定研发人才战略，利用各种招聘渠道吸引人才竞聘，再透过标准化选拔流程确
保人才符合公司发展需求与“家国情怀、一诺千金、敬业奉献、使命必达”的企
业文化。公司注重人才培养与技术研发，通过培训机制、带教辅导、行业交流等
方式，加强科技人才的培养与使用，以核心技术人才为研发带头人，培养和发展
出优秀的研发团队。此外，公司持续加强对于本地人才的培养，通过一系列的培
养机制吸引并留住人才，员工中境内人员比例持续增长。
  （2）公司持续加大研发投资力度
  公司未来除新一代特色工艺开发投资外，在现有制程技术改善，良率提升及
产品多样化等方面投入的研发经费仍会持续维持在一定水平。公司持续推进新一
代制程工艺提升及多元化产品开发，为技术创新注入源源不绝的动力。
  （3）年度业绩考核激励
  公司针对核心技术人员订立明确的年度绩效指标及年度考核，依据考核结果
进行调薪及奖金发放。
  公司的技术储备情况详见本节之“八、发行人的技术与研发情况”之“（三）
研发项目”。
华虹半导体有限公司                            招股说明书
九、发行人生产经营中涉及的主要环境污染物、主要处理设施及处理
能力
  公司生产经营涉及的主要污染物包括废水、废气和固体废物（含一般工业固
体废物及危险废物）。废水主要包括生产废水（一般酸碱废水、含氟废水及含氨
废水等）和生活废水，废气主要包括硫酸雾、氯化氢、氟化物和非甲烷总烃、氮
氧化物、氨气等，固体废物主要包括一般工业固体废物（五金木材、纸板箱、废
塑料、氟化钙污泥以及硫酸铵等）和危险废物（废酸、废有机溶剂、桶装废机油、
桶装废试剂、化学品空瓶、废灯管、铅蓄电池、废油、沾化擦拭布、活性炭等）。
  报告期内，发行人及其境内子公司高度重视环境保护工作，严格遵守国家环
境保护的相关法律法规。发行人境内子公司中，已通过 ISO 14001 环境管理体系
认证的子公司，其各项生产管理活动已严格按 ISO 14001 管理体系标准进行；发
行人境内子公司已建立完善的环境保护内控管理制度。发行人生产环节已避免产
品对环境的影响，在生产过程根据环保要求配置了相应的环保设施并采取了必要
的控制措施。
  发行人主要废水处理设施包括一般酸碱水处理系统、含氨废水处理系统、含
氟废水处理系统；主要废气处理设施包括酸性废气处理系统、碱性废气处理系统
及有机废气处理系统。报告期内，上述环保设施、控制设施正常运行，生产过程
中产生的废水、废气、噪声能够达到国家相关排放标准。对于可回收的固体废弃
物进行统一回收利用；对于危险固体废弃物，发行人委托有资质的专业环保公司
进行处理；对于生活垃圾，由当地环卫组织统一收集并进行处理。
  报告期内，公司及其境内子公司不存在因违反安全和环境保护相关法律法规
而被相关主管部门处以重大行政处罚的情形。公司生产经营符合国家和地方安全
和环保要求。
十、发行人境外生产经营情况
  截至 2022 年 12 月 31 日，公司设立在境外的控股子公司主要承担市场开拓
和客户维护等相关职能，不存在境外生产性经营资产。公司的境外经营主体详细
情况详见本招股说明书“第四节 发行人基本情况”之“六、发行人子公司、分
公司及参股公司情况”。
华虹半导体有限公司                                                    招股说明书
           第六节 财务会计信息与管理层分析
     本节的财务会计数据及相关分析反映了公司最近三年及一期经审计的财务
状况，所引用的财务会计数据，非经特别说明，均引自安永华明出具的标准无保
留意见的《审计报告》（安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号），并以合
并口径反映。
     本节对财务报表的重要项目进行了说明，投资者欲对公司的财务状况、经营
成果和现金流量等进行更详细的了解，应当认真阅读本招股说明书备查文件财务
报告与审计报告全文。
一、财务报表
     （一）合并资产负债表
                                                                单位：元
      资产
流动资产
货币资金         14,067,363,512.96       10,362,748,421.83    6,056,008,846.01
交易性金融资产                       -                      -                   -
应收票据           445,986,658.26          181,222,382.34      161,551,350.44
应收账款          1,600,593,737.98         976,635,262.47      638,950,873.50
预付款项              20,089,816.64         71,567,060.99      671,060,463.65
其他应收款          171,603,673.96          101,674,525.36       48,286,516.13
存货            4,964,248,677.08        3,474,037,060.23    1,483,179,526.03
其他流动资产         151,303,523.11           59,685,279.59       91,852,761.57
流动资产合计       21,421,189,599.99       15,227,569,992.81    9,150,890,337.33
非流动资产
长期股权投资         453,745,063.37          345,832,241.86      261,872,358.39
其他权益工具投资      1,244,097,339.99        1,643,581,607.48    1,502,458,641.00
投资性房地产         232,994,421.87          252,643,231.68      272,292,041.49
固定资产         18,663,711,861.32       18,364,917,965.54   10,741,448,186.21
在建工程          4,790,676,996.90        1,506,857,938.26    5,608,637,447.57
使用权资产          112,565,333.88           96,527,796.92      123,107,210.10
无形资产           663,365,339.85          637,246,867.43      639,828,070.54
华虹半导体有限公司                                                  招股说明书
     资产
长期待摊费用            403,672.10             207,166.50          262,410.90
递延所得税资产       239,944,426.24         161,147,408.84      176,962,401.75
其他非流动资产        53,920,285.32         101,377,441.01       98,642,424.52
非流动资产合计     26,455,424,740.84      23,110,339,665.52   19,425,511,192.47
资产总计        47,876,614,340.83      38,337,909,658.33   28,576,401,529.80
流动负债
短期借款         2,187,152,015.09       1,158,777,081.38     282,319,027.51
应付账款         1,734,453,650.83       1,322,155,976.66     903,115,524.70
预收款项           21,209,980.80          22,993,535.56       24,883,487.20
合同负债         1,347,300,289.33       1,050,726,995.12     503,119,227.87
应付职工薪酬        575,182,211.38         450,023,824.97      271,487,896.80
应交税费          582,388,291.22         442,919,169.84      231,953,081.11
其他应付款        1,941,805,731.60       1,799,484,495.65    1,627,124,300.33
一年内到期的非流动
负债
其他流动负债        420,672,019.11         551,830,571.84      417,433,152.85
流动负债合计       9,627,956,991.43       6,902,411,752.95    4,319,511,995.97
非流动负债
长期借款        10,318,612,710.73       8,895,879,358.06    3,382,450,000.00
租赁负债          101,992,389.22         102,881,702.42      113,566,833.83
递延所得税负债       287,417,660.32         164,077,171.12       71,265,864.70
非流动负债合计     10,708,022,760.27       9,162,838,231.60    3,567,282,698.53
负债合计        20,335,979,751.70      16,065,249,984.55    7,886,794,694.50
股东权益
股本          12,939,561,724.13      12,882,900,444.86   12,836,891,934.74
资本公积         5,843,845,854.43       5,852,530,522.88    5,862,882,115.81
其他综合收益        -142,923,308.09        163,837,595.30       80,353,549.16
盈余公积         1,243,875,540.27        900,113,358.07      675,906,459.42
未弥补亏损          -39,566,117.42      -2,718,005,276.07   -4,153,795,779.84
归属于母公司股东权
益合计
少数股东权益       7,695,840,895.81       5,191,283,028.74    5,387,368,556.01
股东权益合计      27,540,634,589.13      22,272,659,673.78   20,689,606,835.30
华虹半导体有限公司                                                          招股说明书
      资产
负债和股东权益总计       47,876,614,340.83      38,337,909,658.33       28,576,401,529.80
    （二）合并利润表
                                                                      单位：元
      项目          2022 年                   2021 年                 2020 年
营业收入            16,785,718,004.90      10,629,677,535.99        6,737,026,343.39
减：营业成本          10,765,977,542.96         7,643,437,929.86      5,493,057,716.38
    税金及附加          103,013,532.13           58,920,492.81         24,067,153.93
    销售费用            83,385,641.88           68,795,866.80         56,265,957.67
    管理费用           685,275,185.79          624,996,689.04        532,920,335.62
    研发费用         1,076,671,769.89          516,421,382.80        739,307,277.32
    财务费用           810,929,299.85          -150,468,119.70       -156,740,494.50
加：其他收益             191,233,869.59           47,995,298.17         82,861,973.04
    投资收益            60,335,221.51           35,959,883.47         83,684,952.89
    公允价值变动损
                                -                          -      -26,085,205.46
失
减：信用减值损失               196,598.40             -497,707.78            885,042.72
    资产减值损失         142,279,646.82           71,676,969.83         57,555,349.71
  资产处置损失/
                       -14,925.56              492,764.35             65,549.01
（收益）
营业利润             3,369,572,803.84         1,879,856,449.62       130,104,176.00
加：营业外收入              1,440,150.77             1,209,148.14           169,525.00
减：营业外支出             30,460,892.03              577,150.74                      -
利润总额             3,340,552,062.58         1,880,488,447.02       130,273,701.00
减：所得税费用            615,095,912.55          417,357,073.16         83,468,653.81
净利润              2,725,456,150.03         1,463,131,373.86        46,805,047.19
归属于母公司股东的
净利润
少数股东损益            -283,156,473.44          -196,866,028.56       -458,652,466.18
    （三）合并现金流量表
                                                                      单位：元
           项目              2022 年               2021 年             2020 年
经营活动产生的现金流量：
销售商品、提供劳务收到的现金        17,638,287,897.68    11,796,415,447.24    7,919,483,395.42
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     项目              2022 年              2021 年              2020 年
收到的税费返还            652,881,461.08      805,063,892.78     1,498,311,238.07
收到其他与经营活动有关的现
金
经营活动现金流入小计       19,251,322,536.10   13,872,219,107.24   10,543,908,031.94
购买商品、接受劳务支付的现金    9,182,218,741.34    6,821,706,372.56    5,347,846,350.97
支付给职工以及为职工支付的
现金
支付的各项税费            783,321,953.05      413,272,318.34      314,014,646.69
支付其他与经营活动有关的现
金
经营活动现金流出小计       13,727,029,115.08    9,966,734,057.14    8,107,787,803.47
经营活动产生的现金流量净额     5,524,293,421.02    3,905,485,050.10    2,436,120,228.47
投资活动使用的现金流量：
收回投资收到的现金           40,518,146.63                    -    9,258,334,000.00
取得投资收益收到的现金            422,400.00                    -      63,494,649.81
处置固定资产、无形资产和其他
长期资产收回的现金净额
投资活动现金流入小计          41,705,379.63          374,000.00     9,322,208,696.80
购建固定资产、无形资产和其他
长期资产支付的现金
投资支付的现金             48,000,000.00       88,624,967.55     5,170,000,000.00
投资活动现金流出小计        6,777,785,056.12    6,137,065,194.32   12,605,513,897.22
投资活动使用的现金流量净额    -6,736,079,676.49   -6,136,691,194.32   -3,283,305,200.42
筹资活动产生的现金流量：
吸收投资所收到的现金        2,829,445,817.50      47,904,312.67       56,429,995.89
其中：子公司吸收少数股东投资
收到的现金
取得借款收到的现金         3,523,603,220.04    6,934,132,533.19    5,988,582,038.66
筹资活动现金流入小计        6,353,049,037.54    6,982,036,845.86    6,045,012,034.55
偿还债务支付的现金         1,312,946,344.93     307,744,517.11     2,332,370,000.00
分配股利、利润或偿付利息支付
的现金
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        项目               2022 年              2021 年             2020 年
支付其他与筹资活动有关的现
金
筹资活动现金流出小计            1,720,143,420.22     436,046,905.52    2,375,448,490.76
筹资活动产生的现金流量净额         4,632,905,617.32    6,545,989,940.34   3,669,563,543.79
汇率变动对现金及现金等价物
的影响
现金及现金等价物净增加/（减
少）额
加：年初现金及现金等价物余额       10,265,769,065.18    6,021,087,449.14   3,322,667,544.02
年末现金及现金等价物余额         13,990,243,081.09   10,265,769,065.18   6,021,087,449.14
二、注册会计师审计意见
   公司已聘请安永华明对本公司财务报表进行审计，包括 2020 年 12 月 31 日、
年度及 2022 年度的合并利润表、合并股东权益变动表和合并现金流量表以及相
关财务报表附注。安永华明出具了安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号标
准无保留意见的审计报告。安永华明认为，公司的财务报表在所有重大方面按照
企业会计准则的规定编制，公允反映了华虹半导体有限公司 2020 年 12 月 31 日、
年度及截至 2022 年度的合并经营成果和现金流量。
三、关键审计事项
   （一）具体内容
   报告期各期末，公司其他权益工具投资包括对一家非上市公司的股权投资人
民币 1,486,095 千元、人民币 1,538,088 千元和人民币 1,213,027 千元。管理层在
每个资产负债表日以公允价值计量该投资，并引入外部专家评估其公允价值。由
于非上市公司的股权投资的账面价值金额重大，且公允价值的确定需要管理层的
重大判断和估计。因此，会计师将其他权益工具投资公允价值的确定作为关键审
计事项。
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     （二）审计应对
价；
假设和估计，包括可比公司的选取，价格倍数的选取及对流动性折扣的估计进行
复核。
四、财务报表的编制基础及合并财务报表范围
     （一）财务报表编制基础
  财务报表以公司持续经营假设为基础，根据实际发生的交易事项，按照企业
会计准则的有关规定，并基于以下所述重要会计政策、会计估计进行编制。
     （二）合并财务报表范围及变化情况
  报告期内，公司纳入合并范围的子公司如下：
                                    是否纳入合并财务报表范围
     公司名称
 Grace Cayman           是                   是                  是
 上海华虹宏力                 是                   是                  是
     力鸿科技               是                   是                  是
 HHGrace USA            是                   是                  是
 HHGrace Japan          是                   是                  是
     华虹无锡               是                   是                  是
     无锡置业               是                   是                  是
     华杰芯片               否                   否                  是
     华虹制造               是                   否                  否
技术服务有限公司不再纳入合并范围。
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制造（无锡）有限公司纳入合并范围。
五、报告期内采用的主要会计政策和会计估计
  （一）会计期间
  本公司的会计年度从公历 1 月 1 日至 12 月 31 日止。
  本公司以 12 个月作为一个经营周期，并以其作为资产和负债的流动性划分
标准。
  （二）记账本位币
  本公司记账本位币为美元，下属子公司及联营企业，根据其经营所处的主要
经济环境自行决定其记账本位币，编制财务报表时折算为人民币。
  （三）金融工具
  公司于成为金融工具合同的一方时确认一项金融资产或金融负债。
  满足下列条件的，终止确认金融资产（或金融资产的一部分，或一组类似金
融资产的一部分），即从其账户和资产负债表内予以转销：
  （1）收取金融资产现金流量的权利届满；
  （2）转移了收取金融资产现金流量的权利，或在“过手协议”下承担了及时
将收取的现金流量全额支付给第三方的义务；并且（a）实质上转让了金融资产
所有权上几乎所有的风险和报酬，或（b）虽然实质上既没有转移也没有保留金
融资产所有权上几乎所有的风险和报酬，但放弃了对该金融资产的控制。
  如果金融负债的责任已履行、撤销或届满，则对金融负债进行终止确认。如
果现有金融负债被同一债权人以实质上几乎完全不同条款的另一金融负债所取
代，或现有负债的条款几乎全部被实质性修改，则此类替换或修改作为终止确认
原负债和确认新负债处理，差额计入当期损益。
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  以常规方式买卖金融资产，按交易日会计进行确认和终止确认。常规方式买
卖金融资产，是指按照合同条款的约定，在法规或通行惯例规定的期限内收取或
交付金融资产。交易日，是指公司承诺买入或卖出金融资产的日期。
  公司的金融资产于初始确认时根据公司企业管理金融资产的业务模式和金
融资产的合同现金流量特征分类为：以公允价值计量且其变动计入当期损益的金
融资产、以摊余成本计量的金融资产、以公允价值计量且其变动计入其他综合收
益的金融资产。当且仅当公司改变管理金融资产的业务模式时，才对所有受影响
的相关金融资产进行重分类。
  金融资产在初始确认时以公允价值计量，但是因销售商品或提供服务等产生
的应收账款或应收票据未包含重大融资成分或不考虑不超过一年的融资成分的，
按照交易价格进行初始计量。
  对于以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融资产，相关交易费用直接
计入当期损益，其他类别的金融资产相关交易费用计入其初始确认金额。
  金融资产的后续计量取决于其分类：
  （1）以摊余成本计量的债务工具投资
  金融资产同时符合下列条件的，分类为以摊余成本计量的金融资产：管理该
金融资产的业务模式是以收取合同现金流量为目标；该金融资产的合同条款规定，
在特定日期产生的现金流量仅为对本金和以未偿付本金金额为基础的利息的支
付。此类金融资产采用实际利率法确认利息收入，其终止确认、修改或减值产生
的利得或损失，均计入当期损益。
  （2）以公允价值计量且其变动计入其他综合收益的债务工具投资
  金融资产同时符合下列条件的，分类为以公允价值计量且其变动计入其他综
合收益的金融资产：公司管理该金融资产的业务模式是既以收取合同现金流量为
目标又以出售金融资产为目标；该金融资产的合同条款规定，在特定日期产生的
现金流量仅为对本金和以未偿付本金金额为基础的利息的支付。此类金融资产采
用实际利率法确认利息收入。除利息收入、减值损失及汇兑差额确认为当期损益
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外，其余公允价值变动计入其他综合收益。当金融资产终止确认时，之前计入其
他综合收益的累计利得或损失从其他综合收益转出，计入当期损益。
  （3）以公允价值计量且其变动计入其他综合收益的权益工具投资
  公司不可撤销地选择将部分非交易性权益工具投资指定为以公允价值计量
且其变动计入其他综合收益的金融资产，仅将相关股利收入（明确作为投资成本
部分收回的股利收入除外）计入当期损益，公允价值的后续变动计入其他综合收
益，不需计提减值准备。当金融资产终止确认时，之前计入其他综合收益的累计
利得或损失从其他综合收益转出，计入留存收益。
  （4）以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融资产
  上述以摊余成本计量的金融资产和以公允价值计量且其变动计入其他综合
收益的金融资产之外的金融资产，分类为以公允价值计量且其变动计入当期损益
的金融资产。对于此类金融资产，采用公允价值进行后续计量，所有公允价值变
动计入当期损益。
  公司的金融负债于初始确认时分类为：以公允价值计量且其变动计入当期损
益的金融负债、其他金融负债。对于以公允价值计量且其变动计入当期损益的金
融负债，相关交易费用直接计入当期损益，其他金融负债的相关交易费用计入其
初始确认金额。
  金融负债的后续计量取决于其分类：
  （1）以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融负债
  以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融负债，包括交易性金融负债
（含属于金融负债的衍生工具）和初始确认时指定为以公允价值计量且其变动计
入当期损益的金融负债。交易性金融负债（含属于金融负债的衍生工具），按照
公允价值进行后续计量，所有公允价值变动均计入当期损益。对于指定为以公允
价值计量且其变动计入当期损益的金融负债，按照公允价值进行后续计量，除由
公司自身信用风险变动引起的公允价值变动计入其他综合收益之外，其他公允价
值变动计入当期损益；如果由公司自身信用风险变动引起的公允价值变动计入其
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他综合收益会造成或扩大损益中的会计错配，公司将所有公允价值变动（包括自
身信用风险变动的影响金额）计入当期损益。
  （2）其他金融负债
  对于此类金融负债，采用实际利率法，按照摊余成本进行后续计量。
  公司以预期信用损失为基础，对以摊余成本计量的金融资产及以公允价值计
量且其变动计入其他综合收益的债务工具投资进行减值处理并确认损失准备。
  对于不含重大融资成分的应收款项，公司运用简化计量方法，按照相当于整
个存续期内的预期信用损失金额计量损失准备。
  除上述采用简化计量方法以外的金融资产，公司在每个资产负债表日评估其
信用风险自初始确认后是否已经显著增加，如果信用风险自初始确认后未显著增
加，处于第一阶段，公司按照相当于未来 12 个月内预期信用损失的金额计量损
失准备，并按照账面余额和实际利率计算利息收入；如果信用风险自初始确认后
已显著增加但尚未发生信用减值的，处于第二阶段，公司按照相当于整个存续期
内预期信用损失的金额计量损失准备，并按照账面余额和实际利率计算利息收入；
如果初始确认后发生信用减值的，处于第三阶段，公司按照相当于整个存续期内
预期信用损失的金额计量损失准备，并按照摊余成本和实际利率计算利息收入。
  公司在每个资产负债表日评估相关金融工具的信用风险自初始确认后是否
已显著增加。公司以单项金融工具或者具有相似信用风险特征的金融工具组合为
基础，通过比较金融工具在资产负债表日发生违约的风险与在初始确认日发生违
约的风险，以确定金融工具预计存续期内发生违约风险的变化情况。对于资产负
债表日只具有较低信用风险的金融工具，公司假设其信用风险自初始确认后未显
著增加。
  关于公司对预期信用损失计量的假设等披露详见《审计报告》（安永华明
（2023）审字第 60985153_B01 号）之“附注八、2”。
  当对金融资产预期未来现金流量具有不利影响的一项或多项事件发生时，该
金融资产成为已发生信用减值的金融资产。
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  当公司不再合理预期能够全部或部分收回金融资产合同现金流量时，公司直
接减记该金融资产的账面余额。
  同时满足下列条件的，金融资产和金融负债以相互抵销后的净额在资产负债
表内列示：具有抵销已确认金额的法定权利，且该种法定权利是当前可执行的；
计划以净额结算，或同时变现该金融资产和清偿该金融负债。
  公司已将金融资产所有权上几乎所有的风险和报酬转移给转入方的，终止确
认该金融资产；保留了金融资产所有权上几乎所有的风险和报酬的，不终止确认
该金融资产。
  公司既没有转移也没有保留金融资产所有权上几乎所有的风险和报酬的，分
别下列情况处理：放弃了对该金融资产控制的，终止确认该金融资产并确认产生
的资产和负债；未放弃对该金融资产控制的，按照其继续涉入所转移金融资产的
程度确认有关金融资产，并相应确认有关负债。
  通过对所转移金融资产提供财务担保方式继续涉入的，按照金融资产的账面
价值和财务担保金额两者之中的较低者，确认继续涉入形成的资产。财务担保金
额，是指所收到的对价中，将被要求偿还的最高金额。
  （四）存货
  存货包括原材料、在产品、产成品、在途物资、委托加工物资及房地产开发
成本。
  存货的盘存制度采用永续盘存制。
  存货按照成本进行初始计量。存货成本包括开发成本、采购成本、加工成本
和其他成本。房地产开发成本包括与房地产开发相关的土地成本、建筑成本、资
本化的利息、其他直接和间接开发费用。发出存货，采用加权平均法确定其实际
成本。开发成本于完工后按实际成本结转为开发产品，开发产品采用个别计价法
确定其实际成本。
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  于资产负债表日，存货按照成本与可变现净值孰低计量，对成本高于可变现
净值的，计提存货跌价准备，计入当期损益。如果以前计提存货跌价准备的影响
因素已经消失，使得存货的可变现净值高于其账面价值，则在原已计提的存货跌
价准备金额内，将以前减记的金额予以恢复，转回的金额计入当期损益。
  可变现净值，是指在日常活动中，存货的估计售价减去至完工时估计将要发
生的成本、估计的销售费用以及相关税费后的金额。计提存货跌价准备时，按类
别计提。
  （五）长期股权投资
  长期股权投资包括对联营企业的权益性投资。长期股权投资在取得时以初始
投资成本进行初始计量。
  长期股权投资在取得时以初始投资成本进行初始计量。通过同一控制下企业
合并取得的长期股权投资，以合并日取得被合并方所有者权益在最终控制方合并
财务报表中的账面价值的份额作为初始投资成本；初始投资成本与合并对价账面
价值之间差额，调整资本公积（不足冲减的，冲减留存收益）；合并日之前的其
他综合收益，在处置该项投资时采用与被投资单位直接处置相关资产或负债相同
的基础进行会计处理，因被投资方除净损益、其他综合收益和利润分配以外的其
他股东权益变动而确认的股东权益，在处置该项投资时转入当期损益；其中，处
置后仍为长期股权投资的按比例结转，处置后转换为金融工具的则全额结转。通
过非同一控制下企业合并取得的长期股权投资，以合并成本作为初始投资成本
（通过多次交易分步实现非同一控制下企业合并的，以购买日之前所持被购买方
的股权投资的账面价值与购买日新增投资成本之和作为初始投资成本），合并成
本包括购买方付出的资产、发生或承担的负债、发行的权益性证券的公允价值之
和；购买日之前持有的因采用权益法核算而确认的其他综合收益，在处置该项投
资时采用与被投资单位直接处置相关资产或负债相同的基础进行会计处理，因被
投资方除净损益、其他综合收益和利润分配以外的其他股东权益变动而确认的股
东权益，在处置该项投资时转入当期损益；其中，处置后仍为长期股权投资的按
比例结转，处置后转换为金融工具的则全额结转。除企业合并形成的长期股权投
资以外方式取得的长期股权投资，按照下列方法确定初始投资成本：支付现金取
得的，以实际支付的购买价款及与取得长期股权投资直接相关的费用、税金及其
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他必要支出作为初始投资成本；发行权益性证券取得的，以发行权益性证券的公
允价值作为初始投资成本。
  公司对被投资单位具有共同控制或重大影响的，长期股权投资采用权益法核
算。共同控制，是指按照相关约定对某项安排所共有的控制，并且该安排的相关
活动必须经过分享控制权的参与方一致同意后才能决策。重大影响，是指对被投
资单位的财务和经营政策有参与决策的权力，但并不能够控制或者与其他方一起
共同控制这些政策的制定。
  采用权益法时，长期股权投资的初始投资成本大于投资时应享有被投资单位
可辨认净资产公允价值份额的，归入长期股权投资的初始投资成本；长期股权投
资的初始投资成本小于投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值份额的，
其差额计入当期损益，同时调整长期股权投资的成本。
  采用权益法时，取得长期股权投资后，按照应享有或应分担的被投资单位实
现的净损益和其他综合收益的份额，分别确认投资损益和其他综合收益并调整长
期股权投资的账面价值。在确认应享有被投资单位净损益的份额时，以取得投资
时被投资单位可辨认资产等的公允价值为基础，按照公司的会计政策及会计期间，
并抵销与联营企业及合营企业之间发生的内部交易损益按照应享有的比例计算
归属于投资方的部分（但内部交易损失属于资产减值损失的，应全额确认），对
被投资单位的净利润进行调整后确认，但投出或出售的资产构成业务的除外。按
照被投资单位宣告分派的利润或现金股利计算应享有的部分，相应减少长期股权
投资的账面价值。公司确认被投资单位发生的净亏损，以长期股权投资的账面价
值以及其他实质上构成对被投资单位净投资的长期权益减记至零为限，公司负有
承担额外损失义务的除外。对于被投资单位除净损益、其他综合收益和利润分配
以外股东权益的其他变动，调整长期股权投资的账面价值并计入股东权益。
  处置长期股权投资，其账面价值与实际取得价款的差额，计入当期损益。采
用权益法核算的长期股权投资，因处置终止采用权益法的，原权益法核算的相关
其他综合收益采用与被投资单位直接处置相关资产或负债相同的基础进行会计
处理，因被投资方除净损益、其他综合收益和利润分配以外的其他股东权益变动
而确认的股东权益，全部转入当期损益；仍采用权益法的，原权益法核算的相关
其他综合收益采用与被投资单位直接处置相关资产或负债相同的基础进行会计
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处理并按比例转入当期损益，因被投资方除净损益、其他综合收益和利润分配以
外的其他股东权益变动而确认的股东权益，按相应的比例转入当期损益。
     （六）投资性房地产
  投资性房地产，是指为赚取租金或资本增值，或两者兼有而持有的房地产，
包括已出租的土地使用权、持有并准备增值后转让的土地使用权、已出租的建筑
物。
  投资性房地产按照成本进行初始计量。与投资性房地产有关的后续支出，如
果与该资产有关的经济利益很可能流入且其成本能够可靠地计量，则计入投资性
房地产成本。否则，于发生时计入当期损益。
  公司采用成本模式对投资性房地产进行后续计量，按其预计使用寿命及净残
值率对建筑物计提折旧和摊销。投资性房地产的预计使用寿命、净残值率及年折
旧（摊销）率列示如下：
      项目         使用寿命             预计净残值率   年折旧率
 房屋及建筑物          25年               5.0%    3.8%
  土地使用权          50年                -      2.0%
  公司至少于每年年度终了，对投资性房地产的预计使用寿命、预计净残值和
折旧（摊销）方法进行复核，必要时进行调整。
  投资性房地产的用途改为为自用时，自改变之日起，将该投资性房地产转换
为固定资产或无形资产。自用房地产的用途改变为赚取租金或资本增值时，自改
变之日起，将固定资产或无形资产转换为投资性房地产。发生转换时，以转换前
的账面价值作为转换后的入账价值。
     （七）固定资产
  固定资产仅在与其有关的经济利益很可能流入公司，且其成本能够可靠地计
量时才予以确认。与固定资产有关的后续支出，符合该确认条件的，计入固定资
产成本，并终止确认被替换部分的账面价值；否则，在发生时计入当期损益。
  固定资产按照成本进行初始计量。购置固定资产的成本包括购买价款、相关
税费、使固定资产达到预定可使用状态前所发生的可直接归属于该项资产的其他
支出。
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  固定资产的折旧采用年限平均法计提，各类固定资产的使用寿命、预计净残
值率及年折旧率如下：
    项目        使用寿命     预计净残值率      年折旧率
  房屋及建筑物       25年         5.0%      3.8%
   厂务设施        10年         5.0%      9.5%
   机器设备       5-7年         5.0%   13.6%-19.0%
   运输工具        5年          5.0%     19.0%
   办公设备        5年          5.0%     19.0%
  固定资产的各组成部分具有不同使用寿命或以不同方式为企业提供经济利
益的，适用不同折旧率。
  公司至少于每年年度终了，对固定资产的使用寿命、预计净残值和折旧方法
进行复核，必要时进行调整。
  （八）在建工程
  在建工程成本按实际工程支出确定，包括在建期间发生的各项必要工程支出、
工程达到预定可使用状态前的应予资本化的借款费用以及其他相关费用等。
  在建工程在达到预定可使用状态时转入固定资产。
  （九）借款费用
  借款费用，是指公司因借款而发生的利息及其他相关成本，包括借款利息、
折价或者溢价的摊销、辅助费用以及因外币借款而发生的汇兑差额等。
  可直接归属于符合资本化条件的资产的购建或者生产的借款费用，予以资本
化，其他借款费用计入当期损益。符合资本化条件的资产，是指需要经过相当长
时间的购建或者生产活动才能达到预定可使用或者可销售状态的固定资产、投资
性房地产和存货等资产。
  借款费用同时满足下列条件的，才能开始资本化：
  （1）资产支出已经发生；
  （2）借款费用已经发生；
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  （3）为使资产达到预定可使用或者可销售状态所必要的购建或者生产活动
已经开始。
  购建或者生产符合资本化条件的资产达到预定可使用或者可销售状态时，借
款费用停止资本化。之后发生的借款费用计入当期损益。
  在资本化期间内，每一会计期间的利息资本化金额，按照下列方法确定：
  （1）专门借款以当期实际发生的利息费用，减去暂时性的存款利息收入或
投资收益后的金额确定；
  （2）占用的一般借款，根据累计资产支出超过专门借款部分的资产支出加
权平均数乘以所占用一般借款的加权平均利率计算确定。
  符合资本化条件的资产在购建或者生产过程中，发生除达到预定可使用或者
可销售状态必要的程序之外的非正常中断、且中断时间连续超过 3 个月的，暂停
借款费用的资本化。在中断期间发生的借款费用确认为费用，计入当期损益，直
至资产的购建或者生产活动重新开始。
  （十）使用权资产
  公司使用权资产类别主要包括房屋及建筑物。
  在租赁期开始日，公司将其可在租赁期内使用租赁资产的权利确认为使用权
资产，包括：租赁负债的初始计量金额；在租赁期开始日或之前支付的租赁付款
额，存在租赁激励的，扣除已享受的租赁激励相关金额；承租人发生的初始直接
费用；承租人为拆卸及移除租赁资产、复原租赁资产所在场地或将租赁资产恢复
至租赁条款约定状态预计将发生的成本。公司后续采用年限平均法对使用权资产
计提折旧。能够合理确定租赁期届满时取得租赁资产所有权的，公司在租赁资产
剩余使用寿命内计提折旧。无法合理确定租赁期届满时能够取得租赁资产所有权
的，公司在租赁期与租赁资产剩余使用寿命两者孰短的期间内计提折旧。
  公司按照变动后的租赁付款额的现值重新计量租赁负债，并相应调整使用权
资产的账面价值时，如使用权资产账面价值已调减至零，但租赁负债仍需进一步
调减的，公司将剩余金额计入当期损益。
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  （十一）无形资产
  无形资产仅在与其有关的经济利益很可能流入公司，且其成本能够可靠地计
量时才予以确认，并以成本进行初始计量。但非同一控制下企业合并中取得的无
形资产，其公允价值能够可靠地计量的，即单独确认为无形资产并按照公允价值
计量。
  无形资产按照其能为公司带来经济利益的期限确定使用寿命，无法预见其为
公司带来经济利益期限的作为使用寿命不确定的无形资产。
  各项无形资产的使用寿命如下：
          项目               使用寿命
         土地使用权             42或50年
      生产管理软件                3-5年
         非专利技术              5年
  公司取得的土地使用权，通常作为无形资产核算。自行开发建造厂房等建筑
物，相关的土地使用权和建筑物分别作为无形资产和固定资产核算。
  使用寿命有限的无形资产，在其使用寿命内采用直线法摊销。公司至少于每
年年度终了，对使用寿命有限的无形资产的使用寿命及摊销方法进行复核，必要
时进行调整。
  （十二）职工薪酬
  职工薪酬，是指公司为获得职工提供的服务或解除劳动关系而给予的除股份
支付以外各种形式的报酬或补偿。职工薪酬包括短期薪酬、离职后福利、辞退福
利和其他长期职工福利。公司提供给职工配偶、子女、受赡养人、已故员工遗属
及其他受益人等的福利，也属于职工薪酬。
  在职工提供服务的会计期间，将实际发生的短期薪酬确认为负债，并计入当
期损益或相关资产成本。
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  公司的职工参加由当地政府管理的养老保险和失业保险，相应支出在发生时
计入相关资产成本或当期损益。
  （十三）租赁负债
  在租赁期开始日，公司将尚未支付的租赁付款额的现值确认为租赁负债，短
期租赁和低价值资产租赁除外。在计算租赁付款额的现值时，公司采用租赁内含
利率作为折现率；无法确定租赁内含利率的，采用承租人增量借款利率作为折现
率。公司按照固定的周期性利率计算租赁负债在租赁期内各期间的利息费用，并
计入当期损益，但另有规定计入相关资产成本的除外。未纳入租赁负债计量的可
变租赁付款额于实际发生时计入当期损益，但另有规定计入相关资产成本的除外。
  租赁期开始日后，当实质固定付款额发生变动、担保余值预计的应付金额发
生变化、用于确定租赁付款额的指数或比率发生变动、购买选择权、续租选择权
或终止选择权的评估结果或实际行权情况发生变化时，公司按照变动后的租赁付
款额的现值重新计量租赁负债。
  （十四）股份支付
  股份支付，分为以权益结算的股份支付和以现金结算的股份支付。以权益结
算的股份支付，是指公司为获取服务以股份或其他权益工具作为对价进行结算的
交易。
  以权益结算的股份支付换取职工提供服务的，以授予职工权益工具的公允价
值计量。授予后立即可行权的，在授予日按照公允价值计入相关成本或费用，相
应增加资本公积；完成等待期内的服务或达到规定业绩条件才可行权的，在等待
期内每个资产负债表日，以对可行权权益工具数量的最佳估计为基础，按照授予
日的公允价值，将当期取得的服务计入相关成本或费用，相应增加资本公积。权
益工具的公允价值采用二项式模型确定，详见《审计报告》（安永华明（2023）
审字第 60985153_B01 号）之“附注十一”。
  对由于未满足非市场条件和服务期限条件而最终未能行权的股份支付，不确
认成本或费用。股份支付协议中规定了市场条件或非可行权条件，此时无论是否
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满足市场条件或非可行权条件的，满足所有其他业绩条件和/或服务期限条件，
即视为可行权。
  如果修改了以权益结算的股份支付的条款，至少按照未修改条款的情况确认
取得的服务。此外，增加所授予权益工具公允价值的修改，或在修改日对职工有
利的变更，均确认取得服务的增加。
  如果取消了以权益结算的股份支付，则于取消日作为加速行权处理，立即确
认尚未确认的金额。职工或其他方能够选择满足非可行权条件但在等待期内未满
足的，作为取消以权益结算的股份支付处理。但是，如果授予新的权益工具，并
在新权益工具授予日认定所授予的新权益工具是用于替代被取消的权益工具的，
则以与处理原权益工具条款和条件修改相同的方式，对所授予的替代权益工具进
行处理。
  （十五）与客户之间的合同产生的收入
  公司在履行了合同中的履约义务，即在客户取得相关商品或服务控制权时确
认收入。取得相关商品或服务的控制权，是指能够主导该商品的使用或该服务的
提供并从中获得几乎全部的经济利益。
  公司与客户之间的销售商品合同通常仅包含转让商品的履约义务。公司通常
在综合考虑了下列因素的基础上，以客户取得相关商品控制权的时点，即公司商
品由客户签收或确认时确认收入：取得商品的现时收款权利、商品所有权上的主
要风险和报酬的转移、商品的法定所有权的转移、商品实物资产的转移、客户接
受该商品。
  根据具体执行的贸易条款，控制权向客户转移的时点具体如下：
  （1）采用 EXW 条款，公司在其所在地或其他指定的地点将货物交给买方
处置时，即完成交货并确认销售收入；
  （2）采用 FOB 条款，货物报关出口并确认货物已装船时确认销售收入；
  （3）采用 CIF 条款，境外销售于货物报关出口并确认货物已装船时确认销
售收入，境内销售于将货物交付至买方指定目的地时确认销售收入；
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  （4）采用 FCA 条款，公司于将货物交予买方指定承运人并办理出口清关手
续时确认销售收入；
  （5）采用 DDP/DDU 条款，公司以产品交付至买方指定收货地点，完成产
品交付义务后确认销售收入。
  公司与客户之间的提供服务合同通常包含提供测试服务。公司于客户取得相
关劳务控制权时点确认收入。
  （十六）政府补助
  政府补助在能够满足其所附的条件并且能够收到时，予以确认。政府补助为
货币性资产的，按照收到或应收的金额计量。政府补助为非货币性资产的，按照
公允价值计量；公允价值不能可靠取得的，按照名义金额计量。
  政府文件规定用于购建或以其他方式形成长期资产的，作为与资产相关的政
府补助；政府文件不明确的，以取得该补助必须具备的基本条件为基础进行判断，
以购建或其他方式形成长期资产为基本条件的作为与资产相关的政府补助，除此
之外的作为与收益相关的政府补助。
  与收益相关的政府补助，用于补偿以后期间的相关成本费用或损失的，确认
为负债，并在确认相关成本费用或损失的期间计入当期损益或冲减相关成本；用
于补偿已发生的相关成本费用或损失的，直接计入当期损益或冲减相关成本。
  与资产相关的政府补助，冲减相关资产的账面价值；或确认为负债，在相关
资产使用寿命内按照合理、系统的方法分期计入损益（但按照名义金额计量的政
府补助，直接计入当期损益），相关资产在使用寿命结束前被出售、转让、报废
或发生毁损的，尚未分配的相关负债余额转入资产处置当期的损益。
  财政将贴息资金拨付给贷款银行，由贷款银行以政策性优惠利率向公司提供
贷款的，以实际收到的借款金额作为借款的入账价值，按照借款本金和该政策性
优惠利率计算相关借款费用。
  六、经注册会计师核验的非经常性损益表
  报告期内，公司经注册会计师核验的非经常性损益表如下：
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                                                                 单位：万元
             项目                    2022 年           2021 年        2020 年
非流动资产处置损益，包括已计提资产减
值准备的冲销部分
计入当期损益的政府补助（与正常经营业
务密切相关，符合国家政策规定、按照一
定标准定额或定量持续享受的政府补助除
  注
外） 1
除同公司正常经营业务相关的有效套期业
务外，持有交易性金融资产、衍生金融资
产、交易性金融负债、衍生金融负债产生
的公允价值变动损益，以及处置交易性金                         42.24             -     3,740.94
融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、
衍生金融负债和其他债权投资取得的投资
收益
根据税收、会计等法律、法规的要求对当
期损益进行一次性调整对当期损益的影响                      2,566.85
注2
除上述各项之外的其他营业外收入和支出                      -2,902.07       63.20         16.95
                        注3
其他符合非经常性损益定义的损益项目                       3,296.41             -       223.96
所得税影响数                                   -746.19     -8,074.36     -3,558.46
少数股东权益影响数（税后）                          -32,371.92   -11,455.18    -11,578.40
       非经常性损益金额                        43,827.15    57,677.45     32,439.57
    注 1：报告期各期，公司获得的计入当期损益的政府补助金额分别为 43,601.12 万元、
  注 2：根据《财政部、税务总局、科技部关于加大支持科技创新税前扣除力度的公告》，
公司 2022 年 10 月 31 日至 2022 年 12 月 31 日新购置的设备允许当年一次性全额在计算应纳
税所得额时扣除，并允许在税前实行 100%加计扣除。
  注 3：其他符合非经常性损益定义的损益项目系公司按投资比例享有的上海华虹科技发
展有限公司及上海华虹投资发展有限公司的非经常性损益。
七、主要税种税率、享受的主要税收优惠政策
     （一）主要税种及税率
     本公司及本公司于境外设立的子公司适用当地增值税税率，本公司下属境内
子公司凡被认定为增值税一般纳税人的，应税收入按 13%及 6%的税率计算销项
税，并按扣除当期允许抵扣的进项税额后的差额计缴增值税。
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  本公司于中国香港注册成立，利得税按应纳税所得额 16.5%计缴，于报告期
间在当地无须纳税。境内子公司除因享受税务优惠外，企业所得税按应纳税所得
额的 25%计缴。本公司取得的来源于中国大陆的所得按 10%的税率征收企业所
得税。本公司主要海外子公司税率如下：
   国家及地区                        税率
   中国香港                        16.5%
    开曼                 于报告期间在当地无须纳税
    美国             联邦企业所得税率21%；州税税率8.84%
    日本                         33.58%
  本公司于境内设立的子公司按实际缴纳的增值税的 7%、5%及 1%计缴。
  本公司于境内设立的子公司按实际缴纳的增值税的 3%计缴。
  本公司于境内设立的子公司按实际缴纳的增值税的 2%计缴。
按合同金额 0.5‰计算印花税，建筑安装工程承包合同按承包金额 0.3‰计算印花
税，财产保险合同、财产租赁合同按合同金额 1.0‰计算印花税，货物运输合同
按运输费用金额 0.5‰计算印花税，技术合同按合同金额 0.3‰计算印花税。根据
财政部税务总局 2018 年 5 月 3 日发布的《关于对营业账簿减免印花税的通知》
（财税[2018]50 号），营业账簿中记载资金的账簿按股本和资本公积的合计金额
减半按 0.25‰计算印花税。2022 年 7 月 1 日起，买卖合同按照价款的 0.3‰计算
印花税，加工承揽合同按照加工或承揽收入的 0.3‰计算印花税，建设工程合同
按照价款的 0.3‰计算印花税，财产保险合同、租赁合同按保险费或租金金额的
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款、报酬或使用费的 0.3‰计算印花税。营业账簿中记载资金的账簿按股本和资
本公积的合计金额的 0.25‰计算印花税。
   根据房屋的计税余值，按 1.2%的年税率计算缴纳。
   （二）税收优惠
   本公司下属子公司上海华虹宏力，按《国家税务总局关于实施高新技术企业
所得税优惠政策有关问题的公告》（国家税务总局公告 2017 年第 24 号）的有关
规定享受企业所得税优惠政策，于 2017 年 11 月获得上海市高新技术企业证书，
享受企业所得税优惠政策，减按 15%的税率计缴企业所得税，该证书有效期三年，
自 2017 年 11 月至 2020 年 11 月。该高新技术企业证书到期后，于 2020 年 11 月
再次获得上海市高新技术企业证书，该证书有效期为 2020 年度至 2022 年度。
   本公司下属子公司华虹无锡，符合根据财务部、国家税务总局、国家发展改
革委、工业和信息化部发布的财税[2018]27 号《关于集成电路生产企业有关企业
所得税政策问题的通知》、国务院发布的国发[2020]8 号《新时期促进集成电路
产业和软件产业高质量发展的若干政策》及财政部、税务总局、发展改革委、工
业和信息化部发布的[2020]45 号《关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展
企业所得税的政策的公告》的规定，符合前述规定范围和条件的集成电路生产企
业，可自获利年度起在相应期间内享受免征企业所得税或按照 25%的法定税率减
半征收企业所得税的税收优惠。截至 2022 年 12 月 31 日，华虹无锡尚未进入获
利年度。
用税前加计扣除比例的通知》（财税[2018]99 号），企业开展研发活动中实际发
生的研发费用，未形成无形资产计入当期损益的，在按规定据实扣除的基础上，
再按照实际发生额的 75%在税前加计扣除。
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除政策的公告》（公告[2021]13 号），制造业企业开展研发活动中实际发生的研
发费用，未形成无形资产计入当期损益的，在按规定据实扣除的基础上，自 2021
年 1 月 1 日起，再按照实际发生额的 100%在税前加计扣除；形成无形资产的，
自 2021 年 1 月 1 日起，按照无形资产成本的 200%在税前摊销。
  公司符合上述规定的支出在计算应纳税所得额时加计扣除。
  公司于中国境内设立的子公司根据《财政部 税务总局 科技部关于加大支持
科技创新税前扣除力度的公告》
             （财政部 税务总局 科技部公告 2022 年第 28 号）
的规定，高新技术企业在 2022 年 10 月 1 日至 2022 年 12 月 31 日期间新购置的
设备、器具，允许当年一次性全额在计算应纳税所得额时扣除，并允许在税前实
行 100%加计扣除。
  公司符合上述规定的支出在计算应纳税所得额时加计扣除。
八、主要财务指标
  （一）财务指标
    财务指标
流动比率（倍）                     2.22                  2.21                2.12
速动比率（倍）                     1.71                  1.70                1.78
资产负债率（合并）                42.48%                41.90%              27.60%
应收账款周转率（次）                13.03                 13.16                 8.85
存货周转率（次）                    2.55                  3.08                4.42
息税折旧摊销前利润（万
元）
归属于母公司股东的净
利润（万元）
扣除非经常性损益后归
属于母公司股东的净利            257,034.11            108,322.29           18,106.19
润（万元）
研发投入占营业收入的
比例
每股经营活动产生的现
金流量（元/股）
每股净现金流量（元/股）                2.86                  3.26                2.09
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      财务指标
归属于母公司股东的每
股净资产（元/股）
  注：上述财务指标的计算方法如下：
权平均数
均数
  （二）净资产收益率和每股收益
  根据《公开发行证券的公司信息披露编报规则第 9 号——净资产收益率和每
股收益的计算及披露》（2010 年修订），报告期内公司加权平均净资产收益率
和每股收益如下：
                                 加权平均净资产                     每股收益（元）
  财务指标                 期间
                                   收益率              基本每股收益             稀释每股收益
按照归属于母公
司股东的净利润
按照扣除非经常           2022 年度          13.93%                1.97                1.96
性损益后归属于
母公司股东的净
  利润              2020 年度           1.21%                0.14                0.14
九、经营成果分析
  （一）营业收入分析
  报告期内，公司营业收入的构成情况如下：
                                                                             单位：万元
项目
          金额            占比          金额              占比           金额            占比
主营业
务收入
华虹半导体有限公司                                                         招股说明书
项目
        金额            占比         金额            占比         金额            占比
其他业
务收入
合计    1,678,571.80   100.00%   1,062,967.75    100.00%   673,702.63   100.00%
  公司是全球领先的特色工艺晶圆代工企业，主要从事 8 英寸及 12 英寸晶圆
代工业务。公司主营收入主要来自晶圆代工业务。报告期内，公司主营业务收入
占当期营业收入的比例分别为 98.54%、99.00%和 99.29%，主营业务突出。
  报告期内，公司主营业务收入分别为 663,897.63 万元、1,052,343.59 万元和
因为市场需求增长和公司产能扩张，具体如下：
  （1）市场需求增长
  近年来随着国内工业生产规模不断扩张，疫情下对远程连接技术的需求快速
增长，新能源汽车、工业智造、新一代移动通讯及物联网等领域的应用需求逐步
加强，带动了国内半导体市场规模的快速提升，有力推动了上游晶圆代工行业规
模的持续增长。根据 IC Insights 的统计，2016 年至 2021 年，中国大陆晶圆代工
市场规模从 46 亿美元增长至 94 亿美元，复合增长率为 15.12%。
  （2）公司产能扩张
  公司产能的稳健提升是推动收入规模增长的重要因素。在产品需求快速增长
的有利行业因素推动下，为满足庞大而多样化的市场需求，公司近年来持续加大
产线设备投入，提升生产能力。公司目前拥有 3 座 8 英寸和 1 座 12 英寸晶圆厂，
截至 2022 年末合计产能 32.4 万片/月（按照约当 8 英寸统计）。最近三年公司年
产能分别达 248.52 万片、326.04 万片、386.27 万片（按照约当 8 英寸统计），
年均复合增长率达 24.67%，产能的快速扩充主要来自于公司 12 英寸产线，为公
司主营业务收入快速增长提供了重要保障。
  （1）按服务构成分类
  报告期内，公司主营业务收入的服务构成情况如下：
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                                                                               单位：万元
  项目
            金额            占比           金额               占比         金额             占比
晶圆代工       1,599,825.96    95.99%    1,007,892.46        95.78%   640,007.38      96.40%
其他主营
业务
  合计       1,666,674.99   100.00%    1,052,343.59       100.00%   663,897.63    100.00%
    报告期内，公司主营业务收入主要来自于晶圆代工收入，各期分别为
的收入。
    （2）按晶圆规格分类
    报告期内，公司主营业务收入按晶圆规格分类列示如下：
                                                                               单位：万元
 项目
           金额             占比           金额                占比         金额            占比
 合计       1,666,674.99    100.00%     1,052,343.59      100.00%   663,897.63    100.00%
    公司为客户提供 8 英寸及 12 英寸两种规格的晶圆代工及配套服务。报告期
内，公司 8 英寸晶圆相关收入分别为 620,281.87 万元、742,298.94 万元和
的优化升级。报告期内，公司 12 英寸晶圆相关收入分别为 43,615.76 万元、
入全部来自于公司 2019 年四季度开始投产的 12 英寸产线，随着 12 英寸产线的
产能爬坡、工艺逐渐稳定，公司 12 英寸产品收入及占比快速增长。
    （3）按工艺平台分类
    报告期内，公司主营业务收入按工艺平台类别列示如下：
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                                                                           单位：万元
   项目
            金额             占比         金额            占比          金额           占比
 功率器件       522,589.99     31.36%     360,062.74     34.22%   244,108.25     36.77%
 嵌入式非
 易失性存       520,497.63     31.23%     296,253.05     28.15%   231,059.42     34.80%
 储器
 模拟与电
 源管理
 逻辑与射
 频
 独立式非
 易失性存       138,583.39      8.31%      57,398.19      5.45%     8,222.57      1.24%
 储器
 其他           1,383.23      0.08%       1,577.80      0.15%      929.32       0.14%
   合计      1,666,674.99   100.00%   1,052,343.59    100.00%   663,897.63    100.00%
   公司主营业务收入按工艺平台可分为功率器件、嵌入式非易失性存储器、独
立式非易失性存储器、模拟与电源管理、逻辑与射频及其他工艺平台。
   报告期内，功率器件工艺平台收入稳步增长，收入分别为 244,108.25 万元、
分别为 36.77%、34.22%和 31.36%，是公司最大的业务板块。
   报告期内，公司嵌入式非易失性存储器工艺平台收入分别为 231,059.42 万元、
及 2022 年收入显著上升，主要受益于对 MCU 及智能卡芯片的需求增加，收入
增长趋势与下游产品需求及公司产能的稳定增长相匹配。
   报告期内，公司模拟与电源管理工艺平台收入分别为 93,614.88 万元、
于新一代移动通讯基站建设及新能源市场增长，成为公司高速增长及重点发展的
业务板块。
   经过长期的研发创新与技术沉淀，公司在逻辑与射频工艺平台和独立式非易
失性存储器工艺平台收入均实现了高速增长，最近三年的复合增长率分别达到
   （4）按工艺节点分类
   报告期内，公司主营业务收入按工艺节点分类列示如下：
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                                                                                        单位：万元
      项目
                     金额             占比            金额              占比        金额            占比
 大于 0.35?m          651,819.76      39.11%       453,463.08       43.09%   322,376.91     48.56%
      合计          1,666,674.99     100.00%     1,052,343.59   100.00%      663,897.63    100.00%
    公司为客户提供包括 55nm 及 65nm、90nm 及 95nm、0.11?m 及 0.13?m、
套服务。
    报告期内 55nm 及 65nm 工艺节点收入呈现快速上升趋势，近三年的复合增
长率达到了 619.44%，主要受益于独立式非易失性存储器及逻辑与射频产品收入
的强劲增长；90nm 及 95nm 工艺节点收入同样增长迅速，近三年的复合增长率
达到了 122.32%，主要受益于图像传感器、MCU 以及电源管理芯片的需求旺盛；
大于 0.35?m 工艺节点收入近三年的复合增长率为 42.19%，增长主要来自于功率
器件产品。
    （5）按应用领域分析
    报告期内，公司主营业务收入按照应用领域分类列示如下:
                                                                                        单位：万元
  项目
                 金额              占比             金额                占比         金额             占比
消费电子           1,075,329.63       64.52%       670,625.64         63.73%   410,113.51        61.77%
工业及汽车           373,112.54        22.39%       204,047.79         19.39%   141,330.17        21.29%
通讯产品            165,827.81         9.95%       141,323.51         13.43%    87,647.12        13.20%
计算机              52,405.01         3.14%        36,346.65         3.45%     24,806.84         3.74%
  合计           1,666,674.99      100.00%      1,052,343.59    100.00%      663,897.63       100.00%
  注：消费电子没有标准定义，上述分类与发行人联交所信息披露保持一致，发行人的消
费电子、通讯产品和计算机均属于广义的消费电子领域。其中，发行人的通讯产品主要为手
机产品。
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   公司具备多个技术平台的量产能力，可为客户提供消费电子、工业及汽车、
通讯产品、计算机等不同产品终端应用领域的晶圆代工及配套服务。
   消费电子是公司终端应用的主要板块。报告期内，应用于消费电子领域的主
营业务收入分别为 410,113.51 万元、670,625.64 万元和 1,075,329.63 万元，近三
年的复合增长率为 61.93%。报告期内，应用于工业及汽车领域的主营业务收入
分别为 141,330.17 万元、204,047.79 万元和 373,112.54 万元，近三年的复合增长
率为 62.48%，主要受益于新能源汽车、工业智造等领域的应用需求增长。
   报告期内，公司主营业务收入按照客户归属地区列示如下：
                                                                           单位：万元
   项目
            金额             占比         金额             占比        金额             占比
 中国大陆
 及香港
 亚洲其他
 区域
 北美区       201,633.58      12.10%    102,776.87       9.77%    84,298.05      12.70%
 欧洲区        77,733.96       4.66%     45,583.21       4.33%    45,879.41      6.91%
 日本区        27,894.65       1.67%     17,093.13       1.62%    18,832.40      2.84%
   合计     1,666,674.99    100.00%   1,052,343.59    100.00%   663,897.63    100.00%
  注：客户归属地以其总部归属国家及地区为准。
   经过多年发展，公司在行业内建立了良好的口碑，积累了丰富的客户资源，
销售区域覆盖中国、美国以及日本、欧洲等其他国家和地区。
   报告期内，公司来自中国大陆及香港的主营业务收入分别为 430,639.19 万元、
金额及占比均呈逐年上升趋势，主要受益于下游产品需求的快速增长以及国家对
半导体行业的政策支持，境内半导体行业发展迅速，有力带动了晶圆代工服务
的需求增长。公司在中国占据地理优势，将持续深耕中国市场。
   报告期内，公司产品销售存在第三方回款的情形，主要为法定代表人或下属
企业代付货款，具体情况如下：
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                                                                                 单位：万元
       项目                     2022 年度                  2021 年度              2020 年度
第三方回款合计                                 109.90                       -              370.81
营业收入                             1,678,571.80             1,062,967.75           673,702.63
       占比                               0.01%                        -               0.06%
  报告期内公司仅在 2020 年度和 2022 年度产生少量第三方回款，第三方回款
金额分别为 370.81 万元和 109.90 万元，占当期营业收入的比重分别为 0.06%和
户法定代表人或客户下属企业代付货款。
  报告期内，公司第三方回款具有真实的业务背景和商业合理性，不存在虚构
交易或调节账龄的情形；公司及实际控制人、董事、高级管理人员与第三方回款
的支付方不存在关联（连）关系或其他利益安排。
  报告期内，公司主营业务收入按季度列示如下：
                                                                                 单位：万元
 项目
             金额            占比           金额             占比           金额             占比
第一季度         377,910.17     22.67%    197,984.47        18.81%     141,712.56       21.35%
第二季度         409,462.67     24.57%    223,948.02        21.28%     159,821.12       24.07%
第三季度         429,933.51     25.80%    291,901.12        27.74%     175,418.58       26.42%
第四季度         449,368.64     26.96%    338,509.98        32.17%     186,945.38       28.16%
 合计         1,666,674.99   100.00%   1,052,343.59      100.00%     663,897.63      100.00%
  公司所在行业不存在明显的季节性波动。报告期内，受产能持续扩充及订单
量稳定增长的影响，公司主营业务收入金额整体呈现逐季增加的态势。2021 年
行业下游产品需求快速增长、公司产能持续提升，同时受产品价格上升推动，公
司各季度主营业务收入规模持续提高。
  报告期内，公司主要从事 8 英寸及 12 英寸晶圆代工服务，各期销量及销售
均价具体变动情况如下：
        项目                       2022 年度               2021 年度                  2020 年度
华虹半导体有限公司                                                            招股说明书
         项目                    2022 年度          2021 年度              2020 年度
      销售收入（万元）                 1,599,825.96      1,007,892.46           640,007.38
      销售数量（万片）                      408.66             332.79              219.15
  平均销售单价（元/片）                      3,914.85          3,028.58             2,920.47
  平均销售单价（美元/片）                      581.58             469.31              422.86
  注：销量和单价按照约当 8 英寸统计
   报告期内，公司晶圆销售数量快速增长，2020 年度、2021 年度和 2022 年度
销量分别增长了 11.04%、51.86%和 22.80%，与下游产品需求及公司产能的稳定
增长相匹配。2021 年及 2022 年，行业景气度回升，下游产品需求快速增长，公
司通过新技术新产品导入、产能扩张、产品组合优化，销量、销售单价均实现较
大幅增长。
      （二）营业成本分析
   报告期内，公司营业成本结构如下：
                                                                        单位：万元
 项目
          金额              占比         金额          占比             金额        占比
主营业
务成本
其他业
务成本
 合计      1,076,597.75    100.00%   764,343.79   100.00%    549,305.77    100.00%
   报告期内，公司主营业务成本占比分别为 99.59%、99.70%和 99.72%，与主
营业务收入结构相匹配。
   报告期内，公司主营业务成本分别为 547,039.99 万元、762,014.23 万元和
和 40.88%，与主营业务收入变动趋势一致。
   （1）主营业务成本构成分析
   报告期内，公司主营业务成本按晶圆规格分类列示如下：
华虹半导体有限公司                                                                  招股说明书
                                                                           单位：万元
  项目
          金额              占比          金额            占比         金额             占比
  合计     1,073,531.20    100.00%     762,014.23     100.00%   547,039.99     100.00%
成本近三年的复合增长率为 228.59%。
   （2）主营业务成本按性质构成占比及变动分析
   公司主营业务成本主要包括生产过程中所投入的直接材料、直接人工及分摊
的制造费用。报告期内，公司主营业务成本的具体构成如下：
                                                                           单位：万元
  项目
           金额              占比         金额            占比         金额             占比
直接材料        189,247.59     17.63%   145,143.51       19.05%    99,382.08       18.17%
直接人工         57,704.49      5.38%    41,236.58        5.41%    34,006.82        6.22%
制造费用        826,579.12     77.00%   575,634.14       75.54%   413,651.10       75.62%
  合计      1,073,531.20    100.00%   762,014.23    100.00%     547,039.99      100.00%
   报告期内，公司主营业务成本主要由直接材料、直接人工和制造费用构成。
直接材料主要为半导体产品制造中使用的硅片，直接人工为直接参与生产的工人
的薪酬费用，制造费用指应由产品制造成本承担的，但不能直接计入产品成本的
有关费用，主要包含间接材料、间接人工、折旧费、动力费等。
   报告期内，公司直接材料成本分别为 99,382.08 万元、145,143.51 万元和
长所致；直接材料成本占主营业务成本的比重分别为 18.17%、19.05%和 17.63%，
总体较为稳定。
   报告期内，公司直接人工成本分别为 34,006.82 万元、41,236.58 万元和
扩大，所带来的公司生产人员增加及薪酬支出上升。报告期内，直接人工成本占
主营业务成本的比重分别为 6.22%、5.41%和 5.38%，下降的原因主要系华虹无
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锡 12 英寸生产线自动化程度较高，直接人工成本增长幅度小于制造费用增长幅
度。
   报 告期内，公司制 造 费用分别为 413,651.10 万元、575,634.14 万元 和
持续加大固定资产等资本性投入，折旧规模持续提升。同时，随着生产规模扩大，
间接材料、间接人工费用有所提高，导致制造费用整体上升，制造费用占主营业
务成本的比例分别为 75.62%、75.54%和 77.00%，占比总体较为稳定。
     （三）毛利及毛利率分析
   报告期内，公司综合毛利构成情况具体如下：
                                                                             单位：万元
     项目
            毛利          毛利率           毛利           毛利率           毛利           毛利率
主营业务毛利     593,143.79     35.59%     290,329.36        27.59%   116,857.64     17.60%
其他业务毛利       8,830.25     74.22%       8,294.60        78.07%     7,539.23     76.89%
     合计    601,974.05     35.86%     298,623.96        28.09%   124,396.86    18.46%
   报 告期内，公司综 合 毛利分别为 124,396.86 万元、298,623.96 万元 和
毛利主要由主营业务毛利构成，综合毛利率变动趋势与主营业务毛利率保持一致。
   报告期内，公司其他业务毛利分别为 7,539.23 万元、8,294.60 万元和 8,830.25
万元，公司其他业务毛利率分别为 76.89%、78.07%和 74.22%。公司其他业务毛
利主要来自于对外出租房屋的租金毛利，因房屋折旧摊销成本较低故毛利率水平
较高。
   （1）整体变动分析
   报告期内，公司主营业务毛利分别 116,857.64 万元、290,329.36 万元和
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产规模的扩大、产品组合的优化、产品价格的提升，同时降本增效，有效提升了
公司主营业务毛利水平。
  （2）分类毛利及毛利率分析
  报告期内，公司主营业务毛利及毛利率按晶圆规格分类列示如下：
                                                                            单位：万元
  项目
              毛利          毛利率           毛利          毛利率            毛利        毛利率
  合计         593,143.79    35.59%     290,329.36    27.59%     116,857.64    17.60%
  报告期内，公司主营业务毛利主要来自于 8 英寸产品，报告期内 8 英寸产品
的毛利率分别为 28.55%、36.05%和 46.42%；2021 年及 2022 年公司通过优化产
品组合、提升产品价格，实现了 8 英寸产品整体毛利率的提升。
  公司 12 英寸产线于 2019 年四季度开始投产，由于投产初期 12 英寸产线尚
在产能爬坡阶段，而固定资产折旧、人工费用等固定成本较高，使得 12 英寸产
品单位成本较高，2020 年毛利及毛利率为负值；2021 年及 2022 年，随着公司
毛利及毛利率均实现转正。未来随着生产规模的扩大，规模效应进一步显现，12
英寸产品的毛利率将进一步提升。
  报告期内，公司与同行业上市公司综合毛利率水平的对比情况如下：
   公司名称                    2022 年度                 2021 年度              2020 年度
   格罗方德                             27.61%                15.39%              -14.69%
   联华电子                             45.12%                33.82%               22.05%
   中芯国际                             38.30%                29.31%               23.78%
   世界先进                             46.28%                43.58%               33.97%
   高塔半导体                            27.80%                21.82%               18.43%
   晶合集成                                  -                45.13%               -8.57%
        均值                          37.02%                31.51%               12.50%
       发行人                          35.86%                28.09%               18.46%
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     注：晶合集成 2022 年度综合毛利率尚未披露。
罗方德毛利率为负，2021 年及 2022 年，公司通过新产品新技术导入、优化产品
组合、提升产品价格，同时华虹无锡 12 英寸产线规模化效应逐步显现，公司产
品单位成本相应下降，公司毛利率水平快速提升，由于公司华虹无锡 12 英寸仍
在产能爬坡阶段，导致 2021 年及 2022 年公司整体毛利率水平略低于同行业可比
公司均值。
     （四）期间费用分析
     报告期内，公司期间费用构成如下：
                                                                            单位：万元
 项目                   占营业收入的                       占营业收入                    占营业收入的
          金额                          金额                        金额
                        比例                          的比例                       比例
销售费用       8,338.56        0.50%      6,879.59        0.65%      5,626.60        0.84%
管理费用      68,527.52        4.08%     62,499.67        5.88%    53,292.03         7.91%
研发费用     107,667.18        6.41%     51,642.14        4.86%    73,930.73        10.97%
财务费用      81,092.93        4.83%    -15,046.81       -1.42%    -15,674.05        -2.33%
 合计      265,626.19      15.82%     105,974.59        9.97%    117,175.31       17.39%
     报告期内，公司期间费用合计分别为 117,175.31 万元、105,974.59 万元和
逐步投产，公司进行了较大力度的研发投入。2022 年期间费用率大幅增加，主
要原因系：一方面政府补助抵减的研发费用减少，使得研发费用增加，另一方面
因汇率波动导致财务费用中的汇兑损失大幅增加。
     （1）总体情况
     报告期内，公司销售费用明细情况如下：
                                                                            单位：万元
  项目
             金额          占比             金额           占比           金额            占比
职工薪酬         8,172.35      98.01%       6,378.89     92.72%      5,224.78       92.86%
其他             166.21      1.99%          500.70       7.28%       401.82       7.14%
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 项目
              金额          占比           金额          占比       金额             占比
 合计           8,338.56   100.00%       6,879.59   100.00%   5,626.60       100.00%
  报告期内，公司销售费用分别为 5,626.60 万元、6,879.59 万元和 8,338.56 万
元，主要由职工薪酬构成。报告期内，公司销售人员总体较为稳定，随着公司业
务规模逐年增长，使得销售费用也相应提升。
  （2）与同行业可比上市公司比较
  报告期内，公司与同行业上市公司销售费用率水平的对比情况如下：
       公司名称                   2022 年度             2021 年度            2020 年度
       格罗方德                                   -             -                    -
       联华电子                                   -         2.19%                2.35%
       中芯国际                            0.46%            0.49%                0.73%
       世界先进                            1.13%            1.30%                1.14%
      高塔半导体                                   -             -                    -
       晶合集成                                   -         0.73%                1.31%
        均值                             0.80%            1.18%                1.38%
       发行人                             0.50%            0.65%                0.84%
  报告期内，公司销售费用率略低于同行业可比上市公司，但不存在显著差异。
  （1）总体情况
  报告期内，公司管理费用明细情况如下：
                                                                       单位：万元
 项目
              金额          占比           金额          占比           金额          占比
职工薪酬         27,891.95     40.70%     29,468.46    47.15%   25,057.15       47.02%
环境保护费         6,544.31     9.55%       5,792.45     9.27%       4,143.99     7.78%
折旧费用          5,841.22     8.52%       4,918.12     7.87%       3,764.68     7.06%
专业服务费         5,248.01     7.66%       4,490.45     7.18%       3,952.78     7.42%
日常运营费
用
保险费           3,847.31     5.61%       1,701.83     2.72%       1,924.06     3.61%
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 项目
              金额          占比           金额              占比           金额            占比
使用权资产
折旧费
摊销费用          1,857.40     2.71%       1,904.85         3.05%       1,666.58       3.13%
安保费           2,626.88     3.83%       2,110.62         3.38%       1,897.74       3.56%
计入当期损
益的采用简
化处理的短
期租赁费用
办公费           1,744.99     2.55%       1,830.48         2.93%       1,707.55       3.20%
存货报废损
失
修理费           1,228.22     1.79%        766.56          1.23%           670.35     1.26%
政府补助抵
             -1,322.71     -1.93%                 -     0.00%       -1,417.07     -2.66%
减管理费用
其他            3,834.61     5.60%       1,860.52         2.98%       1,924.66       3.61%
 合计          68,527.52   100.00%      62,499.67       100.00%      53,292.03     100.00%
     报告期内，公司管理费用分别为 53,292.03 万元、62,499.67 万元和 68,527.52
万元，主要由职工薪酬构成。报告期内，公司管理人员总体较为稳定，管理人员
的职工薪酬不存在异常波动。
     （2）与同行业可比上市公司比较
     报告期内，公司与同行业上市公司管理费用率水平的对比情况如下：
       公司名称                  2022 年度                  2021 年度               2020 年度
       格罗方德                             6.12%                   9.03%              9.17%
       联华电子                                   -                 3.75%              3.77%
       中芯国际                             6.14%                   4.61%              5.69%
       世界先进                             5.40%                   5.30%              5.02%
      高塔半导体                             4.79%                   5.12%              5.05%
       晶合集成                                   -                 4.47%             18.12%
        均值                             5.61%                5.38%                  7.80%
       发行人                             4.08%                5.88%                  7.91%
     报告期内，公司管理费用率与同行业可比上市公司不存在显著差异。
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     （1）总体情况
     报告期内，公司研发费用情况如下：
                                                                                         单位：万元
           项目                            2022 年度              2021 年度                2020 年度
           研发费用                             107,667.18            51,642.14                73,930.73
           营业收入                            1,678,571.80        1,062,967.75               673,702.63
          研发费用占比                                6.41%                 4.86%                 10.97%
     政府补助抵减前的研发费用                           128,103.52            93,331.88                92,314.89
  政府补助抵减前的研发费用占比                                7.63%                 8.78%                 13.71%
     公司坚持技术和产品的持续创新，报告期内始终保持较高的研发费用并逐年
增长。报告期内分别为 73,930.73 万元、51,642.14 万元和 107,667.18 万元，占各
年营业收入的比例分别为 10.97%、4.86%和 6.41%。
     （2）研发费用构成
     报告期内，公司研发费用明细情况如下：
                                                                                         单位：万元
     项目
                金额             占比            金额              占比           金额                占比
职工薪酬             67,400.62      52.61%       46,218.97       49.52%       30,861.68          33.43%
研究测试费用           25,141.45      19.63%       22,580.30       24.19%       31,880.41          34.53%
折旧费用             21,926.37      17.12%       12,329.93       13.21%       14,604.17          15.82%
摊销费用              3,497.70       2.73%        3,277.20       3.51%            2,340.47        2.54%
维修维护费             6,651.69       5.19%        5,549.21       5.95%            6,546.21        7.09%
燃料动力及水电
费
其他                   77.40       0.06%         174.77        0.19%             115.07         0.12%
     小计         128,103.52     100.00%       93,331.88    100.00%         92,314.89        100.00%
政府补助抵减研
                -20,436.34           -      -41,689.74            -      -18,384.16                -
发费用
     合计         107,667.18           -       51,642.14            -       73,930.73                -
     报告期内，公司研发费用分别为 73,930.73 万元、51,642.14 万元和 107,667.18
万元，主要由职工薪酬和研究测试费用构成。公司为保持较强的竞争力，重视产
品研发，持续保持较高的研发费用。
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     报告期内，公司研发人员薪酬逐年增长，主要原因系公司 12 英寸生产线投
产和 8 英寸生产线优化升级，均需要增加研发人员的投入。
处于产能爬坡阶段，公司为 12 英寸生产线的研发和量产加大研发投片数量。
     （3）主要研发项目
     报告期内，研发投入对应的主要研发项目及进度情况如下：
                                                                 单位：万元
序号           项目         报告期内累计投入金额                 预算金额          研发进度
      嵌入式/独立式非易失性存储
      器平台研发项目
            小计                     318,404.04           -          -
政府补助抵减研发费用                          80,510.24           -          -
政府补助抵减研发相关资产折旧                       4,653.75           -          -
            合计                     233,240.05           -          -
    注：逻辑与射频平台相关研发布局未来仅为发行人其他工艺平台发展提供基础性支持。
     （4）与同行业可比上市公司比较
     报告期内，公司与同行业上市公司研发费用率水平的对比情况如下：
      公司名称          2022 年度          2021 年度                2020 年度
      格罗方德                5.94%                 7.26%              9.81%
      联华电子                     -                6.07%              7.29%
      中芯国际               10.00%             11.56%                17.01%
      世界先进                5.30%                 4.89%              5.42%
     高塔半导体                5.00%                 5.66%              6.19%
      晶合集成                     -                7.31%             16.18%
       均值                 6.56%             7.13%                 10.32%
      发行人                 6.41%             4.86%                 10.97%
发行人（剔除政府补助抵
   减影响）
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  报告期内，公司剔除政府补助抵减影响后的研发费用占营业收入比重总体与
同行业可比公司相当，2020 年较高的主要原因系年 12 英寸生产线处于产能爬坡
阶段，公司加大研发人员的投入以及研发投片进行测试的数量。
  （5）研发费用的核算
  公司研发支出归集范围包括：研发人员的工资、社保、公积金等人工费用；
研发活动直接投入相关的材料等费用；研发人员使用的设备折旧和摊销等。发行
人制定了研发相关的制度规定，明确了研发支出开支范围和标准，并得到了有效
执行。
  （6）研发内控制度
  报告期内，发行人根据《企业会计准则》的有关规定，制定了研究与开发内
部控制制度，明确了研发支出的审批制度，明确了研发支出范围和标准，公司研
发活动开支审批符合上述制度要求。
  报告期内，公司财务费用明细情况如下：
                                                     单位：万元
      项目            2022 年度         2021 年度         2020 年度
      利息支出              35,669.68       8,651.48       2,007.93
  减：利息收入                18,429.64       8,669.27       7,407.85
 减：利息资本化金额                414.33                -              -
减：政府补助抵减利息支出             7,848.83               -              -
      汇兑损益              71,775.26      -15,421.32     -10,624.44
      其他                  340.79          392.30         350.32
      合计                81,092.93      -15,046.81     -15,674.05
  报告期内，公司财务费用分别为-15,674.05 万元、-15,046.81 万元和 81,092.93
万元，主要由利息支出、利息收入和汇兑损益构成，其中汇兑损益主要系 2020
年起公司有较大金额的外币借款，外币汇率变动形成了汇兑损益。
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  （五）利润表其他项目
                                                                 单位：万元
    项目          2022 年度                   2021 年度              2020 年度
存货跌价损失（转回）/
计提
固定资产减值损失             606.40                    2,504.98              744.21
    合计            14,227.96                    7,167.70             5,755.53
  报告期内，公司资产减值损失分别为 5,755.53 万元、7,167.70 万元和 14,227.96
万元，主要由存货跌价损失和固定资产减值损失构成，固定资产减值损失主要系
机器设备减值计提，存货跌价损失主要系原材料减值计提。
                                                                 单位：万元
      项目              2022 年                 2021 年度           2020 年度
按权益法核算的长期股权投
资收益
交易性金融资产在持有期间
                                      -                   -         6,349.46
取得的投资收益
其他权益工具投资的股利收
入
      合计                    6,033.52            3,595.99            8,368.50
  报告期内，公司的投资收益的金额分别为 8,368.50 万元、3,595.99 万元和
投资收益等。
                                                                 单位：万元
      项目            2022 年度                  2021 年度            2020 年度
与日常活动相关的政府补助              18,771.74                 4,598.56        8,050.36
代扣个人所得税手续费返还                351.65                   200.97          235.84
      合计                  19,123.39                 4,799.53        8,286.20
  报告期内，公司其他收益分别为 8,286.20 万元、4,799.53 万元、19,123.39 万
元，主要为与日常活动相关的政府补助，其具体情况如下表所示：
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                                                               单位：万元
                                                             与资产相关/与
      补助项目       2022 年度       2021 年度         2020 年度
                                                              收益相关
浦东新区财政扶持款           4,335.99      3,595.00        4,655.00   与收益相关
上海市张江科学城专项
                           -          219.90      2,080.00   与收益相关
发展扶持资金
无锡高新区产业升级扶
持款
稳岗补贴                 314.13
知识产权款                 48.36
其他                   163.26           783.66        533.36   与收益相关
      合计           18,771.74      4,598.56        8,050.36
                                                               单位：万元
        项目           2022 年度                 2021 年度         2020 年度
       断电损失                3,045.39                              -
        其他                     0.70                57.72         -
        合计                 3,046.09                57.72         -
造成短暂停工以及部分设备损毁，公司预估生产车间断电造成的损失。
     （六）少数股东损益
     报告期各期，公司少数股东损益、净利润金额如下：
                                                               单位：万元
        项目           2022 年度                 2021 年度         2020 年度
      少数股东损益         -28,315.65            -19,686.60        -45,865.25
       净利润           272,545.62            146,313.14         4,680.50
     报告期内，公司少数股东损益来自于子公司华虹无锡，由于华虹无锡属于公
司主营业务的重要组成部分，且少数股东在华虹无锡持股比例较高，故少数股东
损益金额较大，对公司经营成果存在较大影响。
     （七）政府补助
     报告期内，公司分别采用总额法与净额法对政府补助进行计量。公司会根据
经济业务的实质，确定某一类政府补助业务应当采用总额法还是净额法进行会计
处理。针对政府补助文件中明确规定资金专项用途，且该资金使用后公司将最终
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形成长期资产，或明确规定资金用途为补贴公司已经发生的或将要发生的费用的
政府补助，公司会采用净额法进行会计处理，除此之外的政府补助公司会按照总
额法进行会计处理。报告期内，公司采用净额法冲减相关资产账面价值和相关成
本费用金额如下：
                                                                              单位：万元
         冲减相关资产、成本                                            金额
 项目
          或费用损失的项目                   2022 年度                 2021 年度        2020 年度
              在建工程                                   -         38,030.69        52,019.26
与资产相
关的政府          固定资产                         26,652.77           12,904.87         2,298.00
 补助
              无形资产                             103.77                  -                -
              研发费用                         20,436.34           41,689.74        18,384.16
与收益相
关的政府          管理费用                            1,322.71                 -         1,417.07
 补助
              财务费用                            7,848.83                 -                -
     其余政府补助，详见本章节“九、经营成果分析”之“（五）利润表其他项
目”之“3、其他收益”以及“十一、偿债能力与流动性分析”之“（一）公司负债
分析”之“1、流动负债情况”之“（8）其他流动负债”。
     公司针对政府补助的会计处理符合《企业会计准则第 16 号——政府补助》
的规定。
     （八）纳税情况
     报告期内，公司主要税种纳税情况如下：
                                                                              单位：万元
      截至 2020 年 1                        额                                 截至 2022 年 12
税种
      月 1 日未缴数                                                             月 31 日未缴数
企业
所得        19,594.41   16,569.58   13,123.60      33,999.21     63,692.39        53,052.11
税
增值
税
     公司主要税种的税率及税收优惠情况，详见本招股说明书“第六节 财务会
计信息与管理层分析”之“七、主要税种税率、享受的主要税收优惠政策”。
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   （九）累计未弥补亏损
   报告期各期末，公司合并报表的未弥补亏损分别为 415,379.58 万元、
系公司净利润弥补亏损所致。
   公司存在的累计未弥补亏损主要来自于公司起步期的亏损。晶圆代工行业普
遍具有前期投入大且由于产能爬坡和工艺稳定需要一定的时间，销售收入的提升
通常滞后于设备投入；加上公司在建厂初期行业环境和研发投入较大的影响，导
致公司在起步期积累了较大金额的累计未弥补亏损。
   上述累计未弥补亏损主要来源于公司起步期的亏损，符合公司所处晶圆代工
行业的特点。近年来，随着半导体行业发展以及公司特色工艺晶圆代工技术的提
升，公司盈利能力显著提升，公司最近十年保持持续盈利；报告期内，公司分别
实现归属母公司净利润 50,545.75 万元、165,999.74 万元和 300,861.26 万元，经
营活动产生的现金流量净额分别为 243,612.02 万元、390,548.51 万元和 552,429.34
万元，持续保持在较高水平。经营性现金流量的持续流入，为公司业务拓展、人
才吸引、团队稳定性、研发投入、战略性投入及可持续的经营带来了有力的保障。
   公司存在累计未弥补亏损的相关风险，具体详见本招股说明书之“第三节 风
险因素”之“一、与发行人相关的风险”“（四）财务风险”之“（九）公司存在
与累计未弥补亏损相关的风险”。
   近年来随着行业景气度的上升以及公司经营效率的提升，公司持续实现大幅
盈利；随着公司产能提升、销量增加以及特色工艺技术平台完善，公司将继续保
持持续盈利能力。公司本次发行上市后，将进一步提高公司的资本实力、市场影
响力，有利于公司加快发展，进一步提升公司盈利能力。预计未来累计未弥补亏
损将进一步减少。
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  （1）应当披露依法落实保护投资者合法权益规定的各项措施
  关于依法落实保护投资者合法权益规定的各项措施具体详见本招股说明书
“第九节 投资者保护”的相关内容。
  （2）本次发行前累计未弥补亏损是否由新老股东共同承担以及已履行的决
策程序
  关于本次发行前累计未弥补亏损是否由新老股东共同承担以及已履行的决
策程序详见本招股说明书“第九节 投资者保护”之“一、本次发行前滚存利润分
配安排”的相关内容。
十、资产质量分析
  （一）公司资产结构分析
  报告期各期末，公司资产规模及构成情况如下：
                                                                           单位：万元
 项目
           金额            占比              金额            占比         金额            占比
流动资产     2,142,118.96      44.74%      1,522,757.00    39.72%    915,089.03     32.02%
非流动资产    2,645,542.47      55.26%      2,311,033.97    60.28%   1,942,551.12    67.98%
资产总计     4,787,661.43     100.00%      3,833,790.97   100.00%   2,857,640.15   100.00%
  报告期各期末，公司资产规模呈现增长趋势，主要系公司扩大经营规模及公
司盈利能力增强所致。报告期各期末，公司资产结构较为稳定，非流动资产占比
较高。
  报告期各期末，公司流动资产主要由货币资金、存货、应收账款等构成，具
体情况如下：
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                                                                              单位：万元
     项目
           金额             占比           金额              占比         金额            占比
 货币资金     1,406,736.35    65.67%     1,036,274.84      68.05%    605,600.88     66.18%
 应收票据       44,598.67      2.08%       18,122.24        1.19%     16,155.14      1.77%
 应收账款      160,059.37      7.47%       97,663.53        6.41%     63,895.09      6.98%
 预付款项        2,008.98      0.09%          7,156.71      0.47%     67,106.05      7.33%
 其他应收
 款
 存货        496,424.87     23.17%      347,403.71       22.81%    148,317.95     16.21%
 其他流动
 资产
     合计   2,142,118.96   100.00%     1,522,757.00     100.00%    915,089.03   100.00%
     （1）货币资金
     报告期各期末，公司的货币资金构成情况如下：
                                                                              单位：万元
     项目   2022 年 12 月 31 日           2021 年 12 月 31 日             2020 年 12 月 31 日
现金                         12.67                         17.52                       18.12
银行存款                 1,399,011.64                1,026,559.38                  602,090.62
应计利息                     6,986.41                    8,264.41                    3,258.11
其他货币资金                    725.63                      1,433.53                     234.03
     合计             1,406,736.35                 1,036,274.84                  605,600.88
     报告期各期末，公司货币资金主要由银行存款、应计利息及其他货币资金等
构成。其中应计利息为活期存款及结构性存款的利息。其他货币资金主要为商务
卡保证金、保函保证金、借款保证金和证券账户余额等。
     报告期内，公司货币资金呈稳定增长趋势，主要原因系公司因经营规模扩大
增加借款融资以及销售回款所致。
     （2）应收票据
     报告期各期末，公司应收票据及坏账准备计提情况如下：
                                                                              单位：万元
          项目
      银行承兑汇票                    42,793.22            17,798.97       13,823.49
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          项目
     商业承兑汇票             1,806.70           323.56          2,333.37
          小计           44,599.92        18,122.53         16,156.86
     减：应收票据坏账准备               1.26           0.29              1.73
          合计           44,598.67        18,122.24         16,155.14
  报告期各期末，公司应收票据账面价值分别为 16,155.14 万元、18,122.24 万
元、44,598.67 万元，占流动资产总额的比例分别为 1.77%、1.19%、2.08%。
  公司接受个别客户使用银行承兑汇票、商业承兑汇票进行结算，报告期内不
存在票据违约的情况，公司已按会计准则要求对应收商业承兑汇票及时足额计提
坏账准备。
  （3）应收账款
  ①应收账款规模与变动情况分析
  报告期各期末，应收账款账面价值分别为 63,895.09 万元、97,663.53 万元和
应收账款规模随着公司业务规模的扩大而有所增加。公司应收账款构成情况及应
收账款账面余额占营业收入比例的变动情况如下所示：
                                                                单位：万元
     项目
应收账款账面余额             161,166.52            98,739.55                 65,150.52
坏账准备                   1,107.15             1,076.03                  1,255.43
应收账款账面价值             160,059.37            97,663.53                 63,895.09
营业收入               1,678,571.80          1,062,967.75               673,702.63
应收账款账面余额占
营业收入比例
  报告期各期末，公司应收账款余额占营业收入比例分别为 9.67%、9.29%和
配。
  ②应收账款账龄和坏账准备的计提情况
  报告期各期末，公司应收账款账龄及坏账准备计提情况如下：
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                                                           单位：万元
        项目
小计                  161,166.52            98,739.55       65,150.52
减：应收账款坏账准备            1,107.15             1,076.03        1,255.43
        合计          160,059.37            97,663.53       63,895.09
     公司应收账款质量较高，账龄主要集中在 1 年以内，应收账款对应的主要客
户信用良好。报告期内，公司制定了稳健的坏账准备计提政策，并已按会计准则
要求及时足额计提坏账准备。对于不含重大融资成分的应收款项，公司运用简化
计量方法，按照相当于整个存续期内的预期信用损失金额计量损失准备。
     ③公司应收账款前五名情况
     报告期各期末，公司应收账款前五名客户的余额汇总如下：
                                                          单位：万元
        项目
余额前五名的应收账款
总额
占应收账款的比例                    36.80%           42.67%         40.50%
     报告期各期末，公司应收账款前五名客户应收账款余额占比分别为 40.50%、
     ④公司应收账款信用政策
     公司基于对客户的财务状况、从第三方获取担保的可能性、信用记录及其它
因素诸如目前市场状况等评估客户的信用资质并设置相应信用期。公司会定期对
客户信用记录进行监控，对于信用记录不良的客户，会采用书面催款、缩短信用
期或取消信用期等方式，以确保公司的整体信用风险在可控的范围内。
     报告期内发行人对主要客户的信用政策未发生重大变化。
     （4）预付款项
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     公司预付款项主要为预付采购款、预付土地使用权购置款及预付海关的款项
等。报告期各期末，公司预付账款分别为 67,106.05 万元、7,156.71 万元和 2,008.98
万元，其中 2020 年末金额较大主要系预付无锡市国土资源交易中心的购置土地
使用权款项所致。
     （5）其他应收款
     公司其他应收款主要为应收押金以及保证金、代收代付款项、应收保险赔款、
应收股权激励行权成本等。报告期各期末，公司其他应收款账面金额分别为
所示：
                                                                             单位：万元
 款项性质
                金额         占比              金额         占比          金额          占比
代收代付款
项
应收保险赔
款
应收押金以
及保证金
应收股权激
励行权成本
其他               479.04      2.79%          960.61      9.45%      634.71      13.14%
账面净额           17,160.37   100.00%        10,167.45   100.00%     4,828.65    100.00%
     报告期各期末，公司其他应收款账龄构成及坏账计提情况如下：
                                                                             单位：万元
      账龄            2022 年 12 月 31 日        2021 年 12 月 31 日      2020 年 12 月 31 日
账面余额                         17,786.22                10,776.58               5,442.12
减：坏账准备                          625.86                  609.13                 613.47
其他应收款净额                      17,160.37                10,167.45               4,828.65
     （6）存货
     ①存货构成分析
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  报告期各期末，公司存货具体构成情况如下：
                                                                      单位：万元
 项目
        账面价值          占比         账面价值          占比        账面价值          占比
原材料     161,206.75    32.47%     108,768.89     31.31%    69,928.44     47.15%
在产品     122,272.51    24.63%      87,962.88     25.32%    41,214.37     27.79%
产成品      84,563.24    17.03%      45,098.03     12.98%    25,453.79     17.16%
委托加
工物资
在途物
资
房地产
开发成      93,829.23     18.90%     69,950.67     20.14%            -          -
本
 合计     496,424.87    100.00%    347,403.71    100.00%   148,317.95    100.00%
  报告期各期末，公司存货净值分别为 148,317.95 万元、347,403.71 万元和
  公司存货主要由原材料、在产品、产成品、委托加工物资等构成，前述四项
存货在报告期末各期末合计占比分别为 99.64%、79.45%和 80.52%。公司子公司
无锡置业以房地产业务为主，其将土地使用权、建筑开发成本等列入“房地产开
发成本”科目核算，剔除开发成本后，报告期各期末存货的构成及变动如下：
                                                                      单位：万元
 项目
         账面价值           占比        账面价值          占比       账面价值           占比
原材料      161,206.75     40.04%    108,768.89    39.20%    69,928.44     47.15%
在产品      122,272.51     30.37%     87,962.88    31.70%    41,214.37     27.79%
产成品       84,563.24     21.00%     45,098.03    16.25%    25,453.79     17.16%
委托加工物
资
在途物资       2,901.86      0.72%      1,437.85     0.52%       544.59      0.37%
 合计      402,595.64   100.00%     277,453.04   100.00%   148,317.95    100.00%
增长趋势，与其经营规模增长相匹配。
  ②存货跌价准备分析
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  报告期各期末，公司存货余额（剔除开发成本）以及计提的存货跌价准备情
况如下：
                                                           单位：万元
   项目
            账面余额          存货跌价准备             账面价值         跌价计提比例
原材料         175,052.08        13,845.33      161,206.75      7.91%
在产品         125,021.19         2,748.68      122,272.51      2.20%
产成品          87,292.37         2,729.14       84,563.24      3.13%
委托加工物资       31,829.29              178.00    31,651.29      0.56%
在途物资          2,901.86                   -     2,901.86            -
   合计       422,096.79        19,501.15      402,595.64      4.62%
   项目
            账面余额          存货跌价准备             账面价值         跌价计提比例
原材料          118,294.89        9,526.00      108,768.89      8.05%
在产品           89,103.27        1,140.38       87,962.88      1.28%
产成品           46,197.77        1,099.73       45,098.03      2.38%
委托加工物资        34,211.97              26.58    34,185.38      0.08%
在途物资           1,437.85                  -     1,437.85            -
   合计        289,245.74       11,792.70      277,453.04      4.08%
   项目
            账面余额          存货跌价准备             账面价值         跌价计提比例
原材料           78,450.90        8,522.46       69,928.44      10.86%
在产品           43,152.20        1,937.83       41,214.37      4.49%
产成品           26,837.25        1,383.46       25,453.79      5.16%
委托加工物资        11,246.57              69.82    11,176.75      0.62%
在途物资            544.59                   -       544.59            -
   合计        160,231.52       11,913.57      148,317.95      7.44%
  报告期内公司存货跌价准备计提的方法如下：
  对于原材料：公司根据生产计划或技术进步情况确认的未来使用的物料清单
判断原材料是否陈旧或过时，同时考虑原材料用途、库龄、损毁、退货等因素的
影响，按成本与可变现净值孰低计提存货跌价准备。公司以存货的预计销售价格
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减去估计的销售费用、相关税费、为达到预定可销售状态后续可能发生的加工成
本后的金额作为可变现净值的计算基础，并计提跌价准备。
   对于在成品：考虑到其后续仍要继续加工产成品，以产成品的预计销售价格
减去估计的销售费用、相关税费、为达到预定可销售状态后续可能发生的加工成
本后的金额作为可变现净值的计算基础；公司根据在产品可变现净值与账面价值
的差额计提存货跌价准备。
   对于产成品以及委托加工物资：公司以销售订单的价格减去估计的销售费用
和相关税费后的金额作为可变现净值的计算基础；公司根据产成品可变现净值与
账面价值的差额计提存货跌价准备。
   报告期各期末，公司计提的存货跌价准备金额分别为 11,913.57 万元、
为 7.44%、4.08%和 4.62%。公司 2021 年末及 2022 年末存货跌价计提比例降低，
主要系公司产品售价提高导致可变现净值较高，存货跌价准备计提相应减少所致。
   （7）其他流动资产
   公司其他流动资产主要为待抵扣进项税额。报告期各期末，公司其他流动资
产账面价值分别为 9,185.28 万元、5,968.53 万元和 15,130.35 万元，具体情况如
下表所示，2022 年较 2021 年末上升幅度较大主要系待抵扣进项税额增加所致。
                                                                 单位：万元
    项目      2022 年 12 月 31 日       2021 年 12 月 31 日       2020 年 12 月 31 日
预缴税金                 4,815.97                  343.93                 456.85
待抵扣进项税额              9,590.85                5,624.60               8,728.43
上市中介费                  723.53                         -                      -
    合计              15,130.35                5,968.53               9,185.28
   公司非流动资产主要由固定资产、其他权益工具投资、在建工程、无形资产、
长期股权投资等构成，报告期各期末，具体情况如下：
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                                                                               单位：万元
  项目
            金额            占比            金额           占比            金额            占比
长期股权投资      45,374.51      1.72%       34,583.22       1.50%      26,187.24        1.35%
其他权益工具
投资
投资性房地产      23,299.44      0.88%       25,264.32       1.09%      27,229.20        1.40%
固定资产      1,866,371.19    70.55%     1,836,491.80     79.47%    1,074,144.82       55.30%
在建工程       479,067.70     18.11%      150,685.79       6.52%     560,863.74        28.87%
使用权资产       11,256.53      0.43%        9,652.78       0.42%      12,310.72        0.63%
无形资产        66,336.53      2.51%       63,724.69       2.76%      63,982.81        3.29%
长期待摊费用          40.37      0.00%           20.72       0.00%          26.24        0.00%
递延所得税资
产
其他非流动资
产
  合计      2,645,542.47   100.00%     2,311,033.97    100.00%    1,942,551.12     100.00%
   （1）长期股权投资
   公司长期股权投资主要为对联营企业的投资，报告期各期末，账面价值分别
为 26,187.24 万元、34,583.22 万元和 45,374.51 万元。具体如下表所示：
                                                                               单位：万元
   项目        2022 年 12 月 31 日           2021 年 12 月 31 日          2020 年 12 月 31 日
联营企业：
华虹科技                     32,391.18                  29,723.44                   26,187.24
华虹投资                     12,983.32                   4,859.79                           -
   合计                    45,374.51                  34,583.22                   26,187.24
   （2）其他权益工具投资
   公司其他权益工具投资主要为对华力微、上海艾为电子技术股份有限公司、
上海矽睿科技股份有限公司的投资，系以公允价值计量且其变动计入其他综合收
益的金融资产。报告期各期末，账面价值分别为 150,245.86 万元、164,358.16 万
元和 124,409.73 万元，上述变动主要系减持上海艾为电子技术股份有限公司股票
以及根据上述投资公允价值变动所致；其中，华力微报告期内账面价值分别为
华虹半导体有限公司                                                             招股说明书
华力微账面价值波动主要系同行业可比公司二级市场估值波动以及华力微净资
产金额变动所致。
   报告期各期末，公司参考外部估值机构艾华迪商务咨询（上海）有限公司出
具的基准日为 2020 年至 2021 年末的估值报告以及万隆（上海）资产评估有限公
司出具的基准日为 2022 年末的估值报告作为公允价值依据。同时，公司已聘请
万隆（上海）资产评估有限公司出具《关于<关于华虹半导体金融资产估值项目>
估值报告价值分析复核报告》对前述艾华迪商务咨询（上海）有限公司出具的估
值报告进行复核。其他权益工具投资具体如下表所示：
                                                                       单位：万元
      项目        2022 年 12 月 31 日       2021 年 12 月 31 日         2020 年 12 月 31 日
华力微                     121,302.70               153,808.80             148,609.50
上海艾为电子技术股份
有限公司
上海矽睿科技股份有限
公司
      合计                124,409.73               164,358.16             150,245.86
   截至报告期末，公司其他权益工具投资的投资占比及投资目的如下所示：
           项目                         投资占比                          投资目的
华力微                                    6.3428%                  战略投资性质
上海艾为电子技术股份有限公司                         0.1072%                  战略投资性质
上海矽睿科技股份有限公司                           0.6220%                  战略投资性质
   （3）投资性房地产
   公司投资性房地产主要用于经营租赁，报告期各期末，公司投资性房地产账
面价值分别为 27,229.20 万元、25,264.32 万元和 23,299.44 万元。公司投资性房
地产采用成本模式进行后续计量，报告期内公司投资性房地产基本保持稳定。
                                                                       单位：万元
   项目
                原值               累计折旧                  减值准备          账面价值
房屋及建筑物           51,239.55               28,440.86              -        22,798.69
土地使用权                842.98                342.23               -           500.75
   合计            52,082.53               28,783.09              -        23,299.44
   项目                                2021 年 12 月 31 日
华虹半导体有限公司                                                     招股说明书
            原值               累计折旧                减值准备         账面价值
房屋及建筑物        51,239.55              26,493.75           -      24,745.79
土地使用权            842.98                324.45                      518.53
  合计          52,082.53              26,818.20           -      25,264.32
  项目
            原值               累计折旧                减值准备         账面价值
房屋及建筑物        51,239.55              24,546.65           -      26,692.90
土地使用权            842.98                306.67                      536.31
  合计          52,082.53              24,853.32           -      27,229.20
  （4）固定资产
  报告期各期末，公司固定资产主要构成具体如下表所示：
                                                              单位：万元
   项目
             原值             累计折旧                 减值准备         账面价值
房屋及建筑物       292,038.78       140,341.24           7,892.71    143,804.82
厂务设施         684,169.71       383,585.05          55,924.63    244,660.02
机器设备        3,940,491.65    2,274,696.92         199,908.66   1,465,886.06
运输工具           1,049.19              751.58               -        297.61
办公设备          43,044.87        30,566.97            755.23      11,722.67
   合计       4,960,794.19    2,829,941.77         264,481.24   1,866,371.19
   项目
             原值             累计折旧                 减值准备         账面价值
房屋及建筑物       290,994.68       129,829.46           7,892.71    153,272.50
厂务设施         632,210.54       350,740.97          55,909.57    225,560.01
机器设备        3,673,412.43    2,029,066.48         199,755.25   1,444,590.70
运输工具           1,150.93              793.23               -        357.71
办公设备          48,620.97        34,780.01           1,130.08     12,710.88
   合计       4,646,389.55    2,545,210.14         264,687.61   1,836,491.80
   项目
             原值             累计折旧                 减值准备         账面价值
房屋及建筑物       290,679.53       119,309.67           7,892.71    163,477.15
厂务设施         620,853.88       324,792.14          55,926.47    240,135.28
机器设备        2,729,059.14    1,874,905.60         196,698.92    657,454.62
华虹半导体有限公司                                                                      招股说明书
运输工具                       1,268.11          1,029.25                  -               238.86
办公设备                   47,491.40            33,610.13           1,042.36          12,838.91
      合计             3,689,352.06      2,353,646.79           261,560.45       1,074,144.82
     公司固定资产包括房屋及建筑物、厂务设施、机器设备、运输工具和办公设
备组成，其中机器设备主要包括光刻机、离子注入机等生产制造设备。报告期各
期末，机器设备账面价值分别为 657,454.62 万元、1,444,590.70 万元和 1,465,886.06
万元，2020 年至 2021 年增幅较快，主要系公司为扩充产能新增机器设备所致。
     与同行业可比公司的固定资产折旧年限对比如下：
                                                                                单位：年
      台积      格罗     联华        中芯     世界        高塔半          华润      晶合        德州 发行
项目
       电      方德     电子        国际     先进         导体           微      集成        仪器  人
房屋
              最高
及建    10-20          7-56       25     20        10-25        25     20-30     5-40        25
筑物
厂务    未披      未披     未披        未披                                    未披        未披
设施    露       露      露         露                                     露         露
机器
设备
运输    未披      未披       未披      未披      未披
工具    露       露        露       露       露
办公             未披      未披              未披
设备              露      露               露
     注 1：因格罗方德仅披露电脑产品的折旧年限，其办公设备为电脑的折旧年限。
     注 2：世界先进厂务设施主要指机电动力设备及工程、无尘洁净室系统的折旧年限。
     注 3：华润微厂房设施主要指动力及基础设施的折旧年限。
     注 4：晶合集成办公设备主要指电子设备及其他的折旧年限
     由上可见，公司固定资产折旧年限与同行业可比公司不存在显著差异。
     （5）在建工程
     报告期各期末，公司在建工程具体如下表所示：
                                                                               单位：万元
                项目
                                              原值              减值准备             账面价值
产能优化升级-上海华虹宏力 2021 年项目                          6,966.51                   -          6,966.51
产能优化升级-上海华虹宏力 2022 年项目                          5,576.28                   -          5,576.28
华虹无锡一期扩产项目                                   25,912.24                     -      25,912.24
华虹无锡一期增资扩产 2.95 万片/月项目                      422,753.18                     -    422,753.18
上海华虹宏力维持改善项目                                 14,585.90          10,768.05             3,817.85
华虹半导体有限公司                                                                    招股说明书
其他                                        14,041.63                      -        14,041.63
             合计                          489,835.75           10,768.05          479,067.70
             项目
                                          原值                 减值准备            账面价值
产能优化升级-上海华虹宏力 2019 年项目                         911.53                    -          911.53
产能优化升级-上海华虹宏力 2020 年项目                             0.56                  -             0.56
产能优化升级-上海华虹宏力 2021 年项目                        2,091.61                   -         2,091.61
华虹无锡一期项目                                  11,178.87                      -        11,178.87
华虹无锡一期扩产项目                               129,273.87                      -       129,273.87
上海华虹宏力维持改善项目                              17,783.75           10,768.05            7,015.70
其他                                             213.65                               213.65
             合计                          161,453.84           10,768.05          150,685.79
             项目
                                          原值                 减值准备            账面价值
产能优化升级-上海华虹宏力 2018 年项目                          54.82                    -           54.82
产能优化升级-上海华虹宏力 2019 年项目                    22,621.33                      -        22,621.33
产能优化升级-上海华虹宏力 2020 年项目                        3,932.39                   -         3,932.39
华虹无锡一期项目                                 516,616.65                      -       516,616.65
上海华虹宏力维持改善项目                              29,079.02            11,440.46          17,638.56
             合计                          572,304.21            11,440.46         560,863.74
     公司在建工程主要为上海华虹宏力和华虹无锡的产能优化及扩建扩产项目，
报告期各期末，公司在建工程账面价值分别为 560,863.74 万元、150,685.79 万元
和 479,067.70 万元。2021 年末在建工程减少较多，主要系华虹无锡一期项目转
固所致；2022 年末在建工程有所增加，主要系华虹无锡一期增资扩产 2.95 万片/
月项目增加所致。报告期内，在建工程不存在减值迹象，未计提减值准备。
     主要在建工程的变动情况如下所示：
                                                                                单位：万元
   项目                                                本年转入固定资             其他增
             预算数         期初余额         本期增加                                        期末余额
                                                        产                加/减少
产能优化升级
-上海华虹宏       91,491.00     911.53         103.87             -1,015.40       -            -
力 2019 年项目
产能优化升级
-上海华虹宏       14,863.00       0.56          92.21               -92.77        -            -
力 2020 年项目
华虹半导体有限公司                                                                       招股说明书
产能优化升级
-上海华虹宏         54,809.33      2,091.61      29,477.28         -24,602.38         -     6,966.51
力 2021 年项目
产能优化升级
-上海华虹宏         39,759.50             -       8,837.02          -3,260.74         -     5,576.28
力 2022 年项目
华虹无锡一期
项目
华虹无锡一期
扩产项目
华虹无锡一期
增资扩产 2.95     758,664.00             -     557,570.03     -134,816.85            -   422,753.18
万片/月项目
   合计                   -   143,456.44     634,679.33     -316,927.56            -   461,208.22
   项目                                                   本年转入固定资            其他减
              预算数           期初余额           本年增加                                      期末余额
                                                           产                少
产能优化升级
-上海华虹宏         28,300.00        54.82          382.90           -437.72          -            -
力 2018 年项目
产能优化升级
-上海华虹宏         91,491.00     22,621.33      10,406.23         -32,116.04         -      911.53
力 2019 年项目
产能优化升级
-上海华虹宏         14,863.00      3,932.39         140.57          -4,072.40         -         0.56
力 2020 年项目
产能优化升级
-上海华虹宏         54,809.33             -      12,245.44         -10,153.83         -     2,091.61
力 2021 年项目
华虹无锡一期
项目
华虹无锡一期
扩产项目
   合计                   -   543,225.19   528,926.38       -928,695.13            -   143,456.44
   项目                                                   本年转入固定资            其他减
              预算数           期初余额           本年增加                                      期末余额
                                                           产                少
产能优化升级
-上海华虹宏         28,300.00       369.89        1,826.53          -2,141.60         -       54.82
力 2018 年项目
产能优化升级
-上海华虹宏         91,491.00     20,866.44      46,935.99         -45,181.10         -    22,621.33
力 2019 年项目
产能优化升级
-上海华虹宏         14,863.00             -      11,375.96          -7,443.57         -     3,932.39
力 2020 年项目
华虹无锡一期
项目
   合计                   -   267,198.26     652,222.14     -376,195.21            -   543,225.19
    （6）使用权资产
华虹半导体有限公司                                                            招股说明书
   公司自 2019 年 1 月 1 日起，对除应用简化处理的短期租赁和低价值资产租
赁外，确认相关使用权资产和租赁负债。报告期各期末，公司使用权资产具体情
况如下：
                                                                     单位：万元
    项目
                 成本                      累计折旧                       账面价值
房屋及建筑物               24,844.60                    13,588.07           11,256.53
    合计               24,844.60                    13,588.07           11,256.53
    项目
                 成本                      累计折旧                       账面价值
房屋及建筑物               20,598.63                    10,945.85            9,652.78
    合计               20,598.63                    10,945.85            9,652.78
    项目
                 成本                      累计折旧                       账面价值
房屋及建筑物               20,598.63                     8,287.91           12,310.72
    合计               20,598.63                     8,287.91           12,310.72
   （7）无形资产
   公司无形资产主要为土地使用权、生产管理软件和非专利技术。报告期各期
末，公司无形资产账面价值分别为 63,982.81 万元、63,724.69 万元和 66,336.53
万元，报告期内公司无形资产基本保持稳定。报告期内，公司无形资产不存在减
值迹象，未计提减值准备。无形资产主要构成情况如下：
                                                                     单位：万元
    项目
                原值               累计摊销                 减值准备           账面价值
土地使用权            53,538.27         10,219.29                    -     43,318.98
生产管理软件          102,374.00         84,178.12             3,179.47     15,016.40
非专利技术           188,555.13        171,848.25             8,705.72      8,001.15
    合计          344,467.39        266,245.66            11,885.20     66,336.53
    项目
                原值               累计摊销                 减值准备           账面价值
土地使用权            50,144.08             8,977.69                 -     41,166.39
生产管理软件           95,019.78         79,645.48             3,179.47     12,194.83
华虹半导体有限公司                                                               招股说明书
非专利技术           187,918.89        168,849.69             8,705.72          10,363.47
    合计          333,082.75        257,472.86            11,885.20          63,724.69
    项目
                原值              累计摊销                  减值准备               账面价值
土地使用权            47,236.39             7,900.53                     -      39,335.86
生产管理软件           90,081.82         75,577.15             3,176.85          11,327.82
非专利技术           187,918.89        165,894.04             8,705.72          13,319.12
    合计          325,237.10        249,371.72            11,882.57          63,982.81
   （8）其他非流动资产
   公司其他非流动资产主要系预付设备采购款和预付工程款等，报告期各期末，
公司其他非流动资产分别为 9,864.24 万元、10,137.74 万元和 5,392.03 万元，整
体占比较小。
   （二）资产周转能力分析
   报告期内，公司的资产周转能力指标如下：
                                                                           单位：次
         项目                  2022 年度                2021 年度             2020 年度
应收账款周转率                                13.03                13.16                 8.85
存货周转率                                      2.55              3.08                 4.42
                                                                           单位：次
        名称             2022 年度                    2021 年度               2020 年度
      台积电                       10.54                    9.22                     9.37
     格罗方德                        6.12                    5.94                     3.30
     联华电子                              -                 6.82                     6.66
     中芯国际                       10.76                    9.76                     8.88
     世界先进                        7.17                    5.79                     6.19
     高塔半导体                      11.37                    9.91                     8.76
      华润微                              -                 9.62                     7.83
     晶合集成                              -                 8.94                     8.11
     德州仪器                       11.14                   11.78                 11.62
        均值                       9.52                    8.64                     7.86
华虹半导体有限公司                                              招股说明书
       名称           2022 年度           2021 年度          2020 年度
均值（剔除台积电、德州仪器、
     华润微）
      发行人                     13.03         13.16                8.85
  注：应收账款周转率=营业收入/应收账款平均净额
   报告期内，报告期内应收账款周转率分别为 8.85 次、13.16 次和 13.03 次，
报告期整体呈现上升趋势，主要系公司报告期内营业收入增长，同时应收账款整
体账龄较短，回款效率较高所致，整体水平优于同行业可比公司。
                                                          单位：次
       名称           2022 年度           2021 年度          2020 年度
      台积电                     4.42              4.65             5.70
     格罗方德                     4.77              5.46             8.75
     联华电子                        -              6.19             6.23
     中芯国际                     2.92              3.93             4.36
     世界先进                     5.60              6.98             7.08
     高塔半导体                    4.51              5.44             5.28
      华润微                        -              4.25             4.36
     晶合集成                        -              5.08             5.98
     德州仪器                     2.68              3.09             2.62
       均值                     4.15              5.01             5.59
均值（剔除台积电、德州仪器、
     华润微）
      发行人                     2.55              3.08             4.42
发行人（剔除存货中房地产开
     发成本）
   报告期内，公司存货周转率分别为 4.42 次、3.08 次和 2.55 次，呈现下降趋
势，主要系公司因生产规模扩大，原材料等采购增加所致。2021 年下降明显主
要系存货中新增房地产开发成本金额较大所致，剔除存货中房地产开发成本后的
存货周转率分别为 4.42 次、3.59 次和 3.17 次。
十一、偿债能力与流动性分析
   （一）公司负债分析
   报告期各期末，公司负债规模及构成情况如下：
华虹半导体有限公司                                                                招股说明书
                                                                             单位：万元
 项目
           金额             占比            金额            占比          金额            占比
流动负债      962,795.70      47.34%      690,241.18      42.96%    431,951.20      54.77%
非流动负
债
负债总计     2,033,597.98    100.00%     1,606,525.00    100.00%    788,679.47     100.00%
  报告期各期末，公司负债总额分别为 788,679.47 万元、1,606,525.00 万元和
应付账款、合同负债、应付职工薪酬、应交税费、其他应付款等相应增长；②公
司 2020 年增加了银行贷款以满足项目建设需求。
  报告期各期末，公司的流动负债结构如下：
                                                                             单位：万元
  项目
              金额            占比            金额           占比           金额           占比
短期借款        218,715.20      22.72%      115,877.71     16.79%     28,231.90       6.54%
应付账款        173,445.37      18.01%      132,215.60     19.15%      90,311.55     20.91%
预收款项          2,121.00       0.22%        2,299.35      0.33%       2,488.35      0.58%
合同负债        134,730.03      13.99%      105,072.70     15.22%      50,311.92     11.65%
应付职工薪酬       57,518.22       5.97%       45,002.38      6.52%     27,148.79       6.29%
应交税费         58,238.83       6.05%       44,291.92      6.42%     23,195.31       5.37%
其他应付款       194,180.57      20.17%      179,948.45     26.07%    162,712.43      37.67%
一年内到期的
非流动负债
其他流动负债       42,067.20       4.37%       55,183.06      7.99%     41,743.32       9.66%
  合计        962,795.70     100.00%      690,241.18    100.00%    431,951.20     100.00%
  公司流动负债主要由短期借款、应付账款、合同负债、应付职工薪酬、应交
税费、其他应付款及其他流动负债等组成。
  （1）短期借款
  报告期各期末，公司短期借款分别为 28,231.90 万元、115,877.71 万元和
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部为银行的信用借款。2020 年以来随着经营规模扩大，流动资金需求增加，公
司新增了银行借款。
     （2）应付账款
     公司应付账款主要为应付货款。报告期各期末，公司应付账款账面金额分别
为 90,311.55 万元、132,215.60 万元和 173,445.37 万元。公司应付账款逐年增长
主要系随着公司经营规模扩大，原材料采购金额增长，从而导致报告期各期末对
供应商应付账款规模增长。
     （3）合同负债
     公司合同负债主要系预收货款。报告期各期末，公司合同负债分别为
公司经营规模扩大，预收货款增多所致。
     （4）应付职工薪酬
     报告期各期末，公司应付职工薪酬余额分别为 27,148.79 万元、45,002.38 万
元和 57,518.22 万元，占各期末流动负债的比例分别为 6.29%、6.52%和 5.97%。
公司应付职工薪酬主要为应付职工的工资、奖金、津贴和福利费等。
     报告期各期末，公司应付职工薪酬有所上升，主要原因系公司业务规模和业
绩的增长，员工人数与薪酬水平的提升。
     （5）应交税费
     报告期各期末，公司应交税费明细情况如下：
                                                        单位：万元
       项目
企业所得税                    53,052.11       34,775.11      15,771.60
增值税                       2,611.42        6,769.15       6,011.79
代扣代缴个人所得税                 1,580.80        1,247.87        962.72
其他                       994.5020         1,499.79        449.20
       合计                58,238.83       44,291.92      23,195.31
     报告期各期末，公司应交税费余额分别为 23,195.31 万元、44,291.92 万元和
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年末余额较 2021 年末增加 13,946.91 万元，主要系公司盈利能力提升，企业所得
税增加所致。
     （6）其他应付款
     公司其他应付款主要包括应付资产采购款、应付技术使用费、应付水电费、
应付维修费及其他。报告期各期末，公司其他应付款情况如下：
                                                                          单位：万元
     项目
             金额             占比           金额           占比         金额          占比
应付资产采购
款
应付维修费         9,408.93       4.85%       7,996.57      4.44%     5,719.09     3.51%
应付技术使用
费
应付水电费         3,611.31       1.86%       2,909.64      1.62%     2,531.91     1.56%
其他           11,915.99       6.14%       8,714.87      4.84%     7,542.10     4.64%
     合计     194,180.57     100.00%     179,948.45    100.00%   162,712.43   100.00%
     报告期各期末，其他应付款呈逐步上升趋势，主要系公司扩大产能增加资产
设备采购，应付资产采购款增加所致。其他应付款中，应付资产采购款占比较高，
报告期各期末，应付资产采购款分别为 143,659.47 万元、154,619.57 万元和
     （7）一年内到期的非流动负债
     报告期各期末，公司一年内到期的非流动负债具体构成如下：
                                                                          单位：万元
     项目
            金额            占比          金额            占比          金额          占比
一年内到期的
长期借款
一年内到期的
租赁负债
     合计    81,779.28     100.00%     10,350.01      100.00%    5,807.63     100.00%
     报告期各期末，公司一年内到期的非流动负债余额分别为 5,807.63 万元、
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         （8）其他流动负债
         报告期各期末，公司其他流动负债具体构成如下：
                                                                                          单位：万元
         项目
                         金额              占比          金额              占比        金额          占比
      与政府补助
      相关的收款
      待转销项税
      额
         合计              42,067.20   100.00%        55,183.06    100.00%      41,743.32    100.00%
         报告期各期末，公司其他流动负债主要为与政府补助相关的收款，报告期内
      其变动情况如下：
                                                                                          单位：万元
 项目
          期初余额             本期新增           抵销资产              本期计入损益            期末余额         与资产/收益相关
技术研发项目    18,565.00         10,689.12      15,101.42                      -   14,152.70       资产相关
技术研发项目    24,048.38             90.75                -          12,338.45     11,800.68       收益相关
产业升级项目               -      11,968.13      11,655.11                      -      313.02       资产相关
产业升级项目               -      31,179.43                -          31,179.43             -       收益相关
 合计       42,613.38         53,927.43      26,756.53            43,517.88     26,266.40
 项目
          期初余额             本期新增           抵销资产              本期计入损益            期末余额         与资产/收益相关
技术研发项目        9,500.00      21,969.87      12,904.87                      -   18,565.00       资产相关
技术研发项目    10,948.28         30,424.37                -          17,324.27     24,048.38       收益相关
产业升级项目               -      38,030.69      38,030.69                      -           -       资产相关
产业升级项目    15,322.50           9,262.88               -          24,585.37             -       收益相关
 合计       35,770.78         99,687.81      50,935.56            41,909.64     42,613.38
 项目
          期初余额             本期新增           抵销资产              本期计入损益            期末余额         与资产/收益相关
技术研发项目        9,500.00        6,167.42        6,167.42                    -    9,500.00       资产相关
技术研发项目    12,799.21         10,940.56                -          12,791.49     10,948.28       收益相关
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产业升级项目               -     48,149.84    48,149.84                           -              -         资产相关
产业升级项目        5,490.55     19,703.69                  -            9,871.74        15,322.50         收益相关
 合计        27,789.75       84,961.51    54,317.26                 22,663.23        35,770.78
         报告期各期末，公司非流动负债构成如下：
                                                                                               单位：万元
         项目
                            金额           占比                 金额            占比           金额           占比
       长期借款              1,031,861.27     96.36%          889,587.94      97.09%    338,245.00      94.82%
       租赁负债                10,199.24          0.95%        10,288.17      1.12%      11,356.68       3.18%
      递延所得税负债              28,741.77          2.68%        16,407.72      1.79%       7,126.59       2.00%
      非流动负债总额            1,070,802.28   100.00%           916,283.82   100.00%      356,728.27    100.00%
         报告期各期末，公司的非流动负债金额分别为 356,728.27 万元、916,283.82
      万元和 1,070,802.28 万元，包括长期借款、租赁负债、递延所得税负债。
         （1）长期借款
         公司长期借款均为抵押借款。报告期各期末，公司长期借款余额分别为
      分别为 94.82%、97.09%和 96.36%。长期借款的增加主要系公司生产经营规模扩
      大所致，截至 2022 年 12 月 31 日，公司的长期借款具体情况如下：
                                                                                               单位：万元
         银行名称                     借款日期                        到期日期                        余额
        国家开发银行                   2015/12/30                  2025/12/29                           6,000.00
        国家开发银行                   2020/12/28                  2030/12/27                        198,817.22
        国家开发银行                    2021/9/18                  2030/12/27                        139,292.00
        国家开发银行                    2021/9/30                   2029/9/29                          24,550.22
        国家开发银行                   2021/10/29                   2029/9/29                          24,550.22
        国家开发银行                   2021/12/29                  2030/12/27                        139,292.00
        国家开发银行                   2022/12/30                  2032/12/29                          20,893.80
         上海银行                     2021/9/18                  2030/12/27                          21,639.01
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  银行名称      借款日期                   到期日期         余额
  招商银行      2021/9/22              2030/12/27    16,283.23
  招商银行      2022/1/28              2027/1/20         2,853.00
  招商银行      2022/2/25              2027/1/20          300.00
  招商银行      2022/4/22              2027/1/20          519.79
  招商银行      2022/5/25              2027/1/20         1,483.10
  招商银行      2022/6/28              2027/1/20         2,172.79
  招商银行      2022/7/28              2027/1/20          500.00
  招商银行      2022/7/28              2027/1/20         2,821.72
  招商银行      2022/8/31              2027/1/20         2,068.07
  招商银行      2022/9/28              2027/1/20         1,246.05
  招商银行      2022/11/1              2027/1/20         2,130.76
  招商银行      2022/11/29             2027/1/20         4,009.81
 中国建设银行行    2020/12/28             2030/12/27    12,814.86
 中国建设银行行    2021/3/17              2030/12/27    54,323.88
 中国建设银行行    2021/7/26              2030/12/27        8,357.52
 中国建设银行行    2021/9/18              2030/12/27    20,893.80
 中国建设银行行    2021/9/18              2030/12/27    41,386.00
 中国建设银行行    2021/9/30              2029/9/29         8,183.41
 中国建设银行行    2021/10/29             2029/9/29         8,183.41
 中国农业银行     2020/12/28             2030/12/27    39,907.16
 中国农业银行     2021/3/17              2030/12/27        3,482.30
 中国农业银行     2021/7/26              2030/12/27    29,947.78
 中国农业银行     2021/9/18              2030/12/27    28,812.55
 中国农业银行     2022/12/21             2030/12/27    14,834.60
 中国农业银行     2022/12/21             2030/12/27    17,736.00
  中国银行      2020/12/29             2030/12/27    10,746.38
  中国银行      2021/3/17              2030/12/27    11,839.82
  中国银行      2021/7/27              2030/12/27    11,665.71
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   银行名称          借款日期                   到期日期                   余额
   中国银行          2021/9/18              2030/12/27                29,690.09
   中国银行          2022/12/22             2030/12/27                13,379.00
   中信银行          2020/12/28             2030/12/27                  9,757.40
   中信银行          2021/7/26              2030/12/27                19,675.00
   中信银行          2021/9/18              2030/12/27                16,276.27
   中信银行          2022/12/22             2030/12/27                  8,545.56
                   合计                                           1,031,861.27
   （2）租赁负债
   报告期各期末，公司租赁负债余额分别为 11,356.68 万元、10,288.17 万元和
   （3）递延所得税负债
   报告期各期末，公司递延所得税负债余额分别为 7,126.59 万元、16,407.72
万元和 28,741.77 万元，占非流动负债总额比例分别为 2.00%、1.79%和 2.68%。
   （二）偿债能力分析
   截至报告期末，公司的银行借款余额为 1,329,079.79 万元，对应未来 12 个
月内预计将偿还的本金和利息合计金额约为 369,293.51 万元；报告期内，公司经
营活动产生的现金流量净额分别为 243,612.02 万元、390,548.51 万元和 552,429.34
万元，公司经营活动产生的现金流量净额持续为正，具有良好的偿债能力。
   报告期内各期末，公司主要偿债能力指标如下：
      项目
流动比率（倍）                         2.22                   2.21            2.12
速动比率（倍）                         1.71                   1.70            1.78
资产负债率（合并）                     42.48%                 41.90%         27.60%
息税折旧摊销前利润（万
元）
利息保障倍数（倍）                      19.03                  46.69           79.66
  注：利息保障倍数=息税折旧摊销前利润/利息支出（财务费用项下）
   报告期内，公司与同行业可比上市公司主要偿债能力指标对比情况如下：
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  项目        公司名称
             台积电          40.37%         41.73%        32.97%
            格罗方德          44.17%         46.54%        41.23%
            联华电子                 -       41.37%         39.11%
            中芯国际          33.89%         29.56%        30.77%
            世界先进          55.07%         46.35%        32.32%
            高塔半导体         25.87%         27.60%        30.53%
 资产负债率
             华润微                 -       21.14%        28.62%
  （合并）
            晶合集成                 -       68.38%        54.24%
            德州仪器          46.42%         45.97%        52.52%
             均值           40.97%         40.96%        38.03%
         均值（剔除台积
         电、德州仪器、华         39.75%         43.30%        38.03%
           润微）
            发行人           42.48%         41.90%        27.60%
             台积电              2.17          2.17          1.77
            格罗方德              1.73          1.67          1.58
            联华电子                            2.15          2.07
            中芯国际              2.42          3.58          4.20
            世界先进              2.19          2.28          1.94
            高塔半导体             3.86          4.33          4.04
 流动比率
             华润微                 -          3.41          3.60
 （倍）
            晶合集成                 -          0.57          3.30
            德州仪器              4.70          5.33          4.28
             均值               2.85          2.83          2.98
         均值（剔除台积
         电、德州仪器、华             2.55          2.43          2.85
           润微）
            发行人               2.22          2.21          2.12
             台积电              1.94          1.91          1.55
            格罗方德              1.33          1.32          1.09
 速动比率       联华电子                 -          1.94          1.78
 （倍）        中芯国际              2.14          3.30          3.98
            世界先进              1.91          2.01          1.67
            高塔半导体             3.08          3.48          3.31
华虹半导体有限公司                                                     招股说明书
  项目         公司名称
              华润微                        -             3.05           3.18
             晶合集成                        -             0.50           3.05
             德州仪器                  3.77                4.58           3.47
              均值                   2.36                2.46           2.57
            均值（剔除台积
            电、德州仪器、华               2.12                2.09           2.48
              润微）
              发行人                  1.71                1.70           1.78
告期内，公司资产负债率有所上升，逐渐趋近于行业平均水平，主要系公司所处
行业属于技术密集型和资本密集型行业，扩充产能需要大量资金，公司通过借款
方式筹集资金，形成较大金额的各类借款。
  （三）现金流量分析
  报告期内公司现金流量情况如下：
                                                               单位：万元
       项目           2022 年度                  2021 年度          2020 年度
经营活动产生的现金流量净额           552,429.34             390,548.51       243,612.02
投资活动产生的现金流量净额          -673,607.97            -613,669.12      -328,330.52
筹资活动产生的现金流量净额           463,290.56             654,598.99       366,956.35
汇率变动对现金及现金等价物
的影响
现金及现金等价物净增加额            372,447.40             424,468.16       269,841.99
年初现金及现金等价物余额           1,026,576.91            602,108.74       332,266.75
年末现金及现金等价物余额           1,399,024.31           1,026,576.91      602,108.74
  报告期内，公司经营活动产生的现金流量情况如下：
                                                               单位：万元
       项目               2022 年度               2021 年度         2020 年度
销售商品、提供劳务收到的现金            1,763,828.79         1,179,641.54     791,948.34
收到的税费返还                     65,288.15             80,506.39     149,831.12
收到其他与经营活动有关的现金              96,015.32            127,073.98     112,611.34
华虹半导体有限公司                                               招股说明书
         项目          2022 年度             2021 年度        2020 年度
经营活动现金流入小计            1,925,132.25       1,387,221.91   1,054,390.80
购买商品、接受劳务支付的现金          918,221.87        682,170.64     534,784.64
支付给职工以及为职工支付的现金         295,577.92        214,649.98     175,724.21
支付的各项税费                  78,332.20         41,327.23      31,401.46
支付其他与经营活动有关的现金           80,570.92         58,525.55      68,868.47
经营活动现金流出小计            1,372,702.91        996,673.41     810,778.78
经营活动产生的现金流量净额           552,429.34        390,548.51     243,612.02
净利润                     272,545.62        146,313.14       4,680.50
经营活动产生的现金流量净额/净
利润
  报告期内，公司经营活动产生的现金流量净额分别为 243,612.02 万元、
现金流量也呈逐年增长的趋势。
  报告期各期，公司将净利润调节为经营活动现金流量的过程如下：
                                                        单位：万元
         项目            2022 年             2021 年        2020 年
净利润                      272,545.62       146,313.14       4,680.50
加：资产减值准备                  14,247.62          7,117.93      5,844.04
固定资产折旧                   295,522.33       194,529.11     134,688.70
使用权资产折旧                     2,642.22         2,657.94      2,860.74
无形资产摊销                      8,772.80         8,073.91      5,397.72
投资性房地产折旧与摊销                 1,964.88         1,964.88      1,964.88
长期待摊费用摊销                          8.85           5.52          1.38
处置固定资产损失                         -1.49         49.28           6.55
公允价值变动损失（收益以“－”号
                                     -              -      2,608.52
填列）
财务费用（收益以“－”号填列）           94,284.67          5,394.84      -3,660.28
投资收益                       -6,033.52        -3,595.99      -8,368.50
股份支付费用                          798.01        218.55       5,622.36
递延所得税资产减少（增加以“－”
                           -4,812.52           74.03        -876.58
号填列）
递延所得税负债增加（减少以“－”
号填列）
存货的减少（增加以“－”号填列）         -166,036.92      -203,748.47     -53,310.37
华虹半导体有限公司                                                    招股说明书
        项目             2022 年                2021 年           2020 年
经营性应收项目的减少（增加以“－”
                          -96,829.58          15,942.83         36,481.20
号填列）
经营性应付项目的增加               118,829.67          206,269.88        113,589.25
经营活动产生的现金流量净额            552,429.34          390,548.51        243,612.02
  报告期内，公司经营活动产生的现金流量净额与当期净利润存在一定差异，
主要原因系公司处于资本密集型行业，报告期各期固定资产折旧、无形资产摊销
的金额较大。
  报告期内，公司投资活动产生的现金流量情况如下：
                                                              单位：万元
       项目           2022 年度            2021 年度               2020 年度
收回投资收到的现金                4,051.81                     -        925,833.40
取得投资收益收到的现金                42.24                      -          6,349.46
处置固定资产、无形资产和其他
长期资产收回的现金净额
投资活动现金流入小计               4,170.54               37.40          932,220.87
购建固定资产、无形资产和其他
长期资产支付的现金
投资支付的现金                  4,800.00             8,862.50         517,000.00
投资活动现金流出小计            677,778.51         613,706.52          1,260,551.39
投资活动产生的现金流量净额         -673,607.97        -613,669.12          -328,330.52
  报告期内，公司投资活动产生的现金流量净额分别为-328,330.52 万元、
-613,669.12 万元和-673,607.97 万元。公司为扩充产能持续购置机器设备等长期
资产，导致购建固定资产、无形资产和其它长期资产支出的现金规模相对较大。
  报告期内，公司筹资活动产生的现金流量情况如下：
                                                              单位：万元
       项目               2022 年度                2021 年度        2020 年度
吸收投资收到的现金                       282,944.58        4,790.43       5,643.00
取得借款收到的现金                       352,360.32      693,413.25     598,858.20
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          项目              2022 年度              2021 年度      2020 年度
筹资活动现金流入小计                        635,304.90   698,203.68    604,501.20
偿还债务支付的现金                         131,294.63    30,774.45    233,237.00
分配股利、利润或偿付利息支付的
现金
支付其他与筹资活动有关的现金                      6,483.10     5,850.97      3,054.12
筹资活动现金流出小计                        172,014.34    43,604.69    237,544.85
筹资活动产生的现金流量净额                     463,290.56   654,598.99    366,956.35
   报告期内，公司筹资活动产生的现金流量净额分别为 366,956.35 万元、
万元、698,203.68 万元和 635,304.90 万元，主要为公司综合运用股权融资及债权
融资所筹集的资金。
   （四）股利分配的实施情况
   根据 2019 年 5 月 9 日通过的 2018 年度股东大会决议，公司向全体股东每股
派发现金红利港币 0.31 元，共计派发现金红利港币 39,846.28 万元，折合人民币
十二、持续经营能力分析
   （一）财务状况及未来趋势分析
   报告期内，随着公司下游需求量逐步放大，公司盈利能力显著增强，资产负
债结构良好，偿债能力优于同行业可比上市公司。
   本次公开发行后，公司净资产将大幅增加，资产负债率将有所降低，偿债能
力将进一步提高，流动比率短期内将大幅上升。随着募集资金的逐步投入，固定
资产的规模将逐步增加，产品制造能力增强，核心竞争优势更加突出，从而使得
公司处于良性的可持续成长状态，财务状况将更为良好，资本结构将更为合理。
   （二）盈利能力及未来趋势分析
   未来几年，公司的主营业务将持续增长，下列因素决定了公司具有持续盈利
能力：
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  半导体产品是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展的战略性、基础性
和先导性产业，也是电子产品的核心和信息产业的基石。半导体行业具有下游应
用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快等特点。近年来，随
着新能源汽车、工业智造、新一代移动通讯、物联网等新兴产业的快速发展，全
球半导体行业市场规模整体呈现增长趋势。根据全球半导体贸易统计组织的统计，
至 5,559 亿美元，年均复合增长率为 7.76%。未来，在新兴产业的驱动下，半导
体市场规模有望实现持续增长趋势。
  目前，中国已经是全球最大的半导体消费市场。巨大的下游市场配合积极的
国家产业政策与活跃的社会资本，正在全方位、多角度地支持国内半导体行业发
展。我国在新能源、显示面板、LED 等高新技术行业经过多年发展已达到领先
水平，也大力拉动了上游各类芯片产品的市场需求。随着半导体产业链相关技术
的不断突破，加之我国在新能源汽车、工业智造、新一代移动通讯、物联网等下
游市场走在世界前列，更多细分市场需求有望加速国内半导体供应链的完善与升
级。
  公司深耕晶圆制造特色工艺，主要工艺平台覆盖嵌入式/独立式非易失性存
储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频、传感器等多个领域，良好的行
业前景确保公司未来发展趋势稳中向好。
  技术和研发方面，公司自成立以来专注于特色工艺的技术开发，建立了完善
的研发创新体系，拥有多个全球领先的特色工艺技术平台。
  在人才和管理方面，公司的核心管理团队均在半导体行业任职多年，涵盖了
研发、生产、质量、产品工艺控制、市场销售、行政、知识产权和法律等各领域，
对产业发展趋势与技术发展方向的把握有较高的敏感性和前瞻性。团队成员拥有
超过数十年的半导体制造领域技术研发、制备和量产经验并掌握关键技术，拥有
深厚的行业背景及经验，出色的领导能力和管理能力。公司的核心技术人员均在
半导体领域耕耘数十年，在不同的技术方向具有丰富的研发经验，并对行业未来
华虹半导体有限公司                                     招股说明书
的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术人员的研发能力保证了公
司的市场敏锐度和科研水平，确保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势，亦
满足客户终端产品的创新需求。
   在服务和客户资源方面，经过在行业内多年的深耕发展，公司在嵌入式/独
立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理等特色工艺领域积累了业内领
先的工艺组合，能够为客户提供丰富的芯片产品与系统解决方案，领先的技术水
平和丰富的产品组合为公司带来了优质的客户群体，覆盖汽车、通讯、工业、消
费电子等多个终端领域，地域分布方面则遍及全球多个国家和地区。
   综上所述，公司全方位的优势为盈利能力提供保障。
十三、资本性支出情况分析
   （一）报告期内重大资本性支出情况
   报告期内公司重大资本性支出主要为购建固定资产、无形资产等资本性支出。
报告期内，公司购建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金分别为
   （二）未来可预见的重大资本性支出计划及资金需要量
   截至本招股说明书签署日，公司未来可预见的重大资本性支出及资金需要量
详见本章节之“十五、重要承诺及或有事项”之“（一）承诺事项”及本招股说
明书之“第七节 募集资金运用与未来发展规划”。
   （三）重大资本开支计划对公司未来发展战略的影响
   关于重大资本开支计划对公司未来发展战略的影响，详见本招股说明书之
“第七节 募集资金运用与未来发展规划”。
十四、重大资产重组
   报告期内，公司不存在重大资产重组事项。
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十五、重要承诺及或有事项
     （一）承诺事项
     以下为公司于资产负债表日，已签约而尚不必在资产负债表上列示的资本性
支出承诺：
                                                                     单位：万元
     项目    2022 年 12 月 31 日         2021 年 12 月 31 日         2020 年 12 月 31 日
已签约但未拨备
资本承诺
     合计            198,006.00               147,715.83                116,627.99
     （二）或有事项
     截至报告期期末，公司不存在其他应披露的或有事项。
十六、资产负债表日后事项
     截至本招股说明书签署日，公司不存在其他应披露的资产负债表日后事项。
十七、境内外信息披露差异
     公司作为香港联交所上市公司，按照香港财务报告准则编制财务报表。公司
按企业会计准则编制的财务报表和按照香港财务报告准则编制的财务报表之间
的差异项目及金额如下：
                                                                     单位：万元
                                归属于母公司股东的净利润
     项目
按中国企业会计准
则
差异调整-采用公
允价值模式对投资
性房地产进行后续
计量
差异调整-其他                         -                  -167.97                 71.01
按香港财务报告准
则
                                归属于母公司股东的净资产
项目
按中国企业会计准
则
华虹半导体有限公司                                        招股说明书
差异调整-采用公
允价值模式对投资
性房地产进行后续
计量
差异调整-其他                 -                    -        167.97
按香港财务报告准
则
  企业会计准则下，公司采用成本模式对投资性房地产进行后续计量。在香港
财务报告准则下，公司采用公允价值模式对投资性房地产进行后续计量。
  公司境外会计师事务所为安永会计师事务所，境内外会计师事务所的审计意
见类型不存在差异。
十八、盈利预测报告
  公司未编制盈利预测报告。
十九、财务报告审计截止日后主要财务信息及经营状况
  公司财务报告审计截止日后主要财务信息及经营状况详见本招股说明书之
“第二节 概览”之“一、重大事项提示”之“（五）财务报告审计截止日后主要财
务信息和经营情况”。
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          第七节 募集资金运用与未来发展规划
一、募集资金投资项目概况
     （一）募集资金投资方向与使用安排
发行及特别授权的决议案》及《有关人民币股份发行募集资金用途的决议案》，
公司拟向社会公开发行不超过 43,373 万股人民币普通股（包括行使超额配售选
择权），实际募集资金扣除发行费用后的净额计划投入以下项目：
                                             单位：亿元
序号          项目名称         拟使用募集资金金额       拟使用募集资金比例
           合计                   180.00        100.00%
     本次募集资金投资项目符合国家有关产业政策和公司发展战略，有助于进一
步扩大产能规模，增强研发实力，丰富工艺平台，以更好地满足市场需求、提升
公司在晶圆代工行业的市场地位和核心竞争力。
     如果募集资金超过上述投资项目的总额，公司将按照有关规定履行必要的程
序后将超募资金用于公司主营业务。如果本次发行募集资金不足，公司将通过自
筹资金解决募投项目资金缺口。
     本次募集资金到位之前，公司可以根据项目进展情况使用自筹资金先行投入。
募集资金到位后，公司将首先置换前期投入的自筹资金，剩余款项按照募集资金
使用的相关规定用于募投项目的后续建设。
     （二）募集资金投资项目对同业竞争和独立性的影响
     本次募集资金投资项目为华虹制造（无锡）项目、8 英寸厂优化升级项目、
特色工艺技术创新研发项目以及补充流动资金，项目实施主体均为发行人及其控
股子公司。募集资金投资项目与发行人主营业务、生产经营规模、财务状况、技
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术条件、管理能力、发展目标相匹配。本次募集资金项目实施后不会产生新的同
业竞争，不会对发行人独立性产生不利影响。
  （三）募集资金使用管理制度
  公司已制定《募集资金管理制度》，实行募集资金专户存储制度，将严格按
照相关规定管理和使用本次募集资金。本次募集资金存放于专户集中管理，做到
专款专用，并接受保荐人、开户银行、证券交易所和其他有权部门的监督。
  （四）募集资金重点投向科技创新领域的具体安排
  本次计划实施的募集资金投资项目均围绕公司主营业务进行，主要目标是扩
大产能规模、增强研发实力、丰富工艺平台，提升公司核心竞争力。
  本次募集资金重点投向科技创新领域的具体安排详见本节“二、募集资金运
用情况”。
  （五）募集资金对发行人主营业务发展的贡献、未来经营战略的影响
  公司本次募集资金投资项目在公司现有业务、技术积累的基础上扩大规模，
增强研发实力，以更好地满足市场需求、提升公司在晶圆代工行业的市场地位和
核心竞争力，有助于全面提升公司生产能力、研发能力和盈利能力，实现公司的
可持续发展。
二、募集资金运用情况
  （一）华虹制造（无锡）项目
  华虹制造（无锡）项目计划建设一条投产后月产能达到 8.3 万片的 12 英寸
特色工艺生产线，实施主体为控股子公司华虹半导体制造（无锡）有限公司。该
项目依托上海华虹宏力在车规级工艺与产品积累的技术和经验，进一步完善并延
展嵌入式/独立式存储器、模拟与电源管理、高端功率器件等工艺平台。该项目
将显著提升公司产能并助力公司的特色工艺技术迈上新台阶，增强公司核心竞争
力并提升公司行业地位。
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     本项目预计总投资 67 亿美元，具体情况如下：
序号          名称            金额（亿美元）        占投资总额比例（%）
          合计                     67.00          100.00
     注：最终投资金额以实际发生为准
     本项目新建生产厂房预计 2023 年初开工，2024 年四季度基本完成厂房建设
并开始安装设备。2025 年开始投产，产能逐年增长，预计最终达到 8.3 万片/月。
     本项目建设地点位于无锡高新区（新吴区）内高新技术产业开发区，本项目
厂区西临锡兴路，北临新洲路，东临 312 国道，南侧通过锡钦路连接新华路。华
虹无锡将以其已取得的部分土地使用权转让予华虹制造作为该项目的募投用地，
转让总对价为 170,100,450 元（不包括税项）；前述转让的完成尚需履行取得抵
押权人同意、相关主管部门的审批/登记/备案等程序，预计华虹制造将于 2023
年上半年完成该等土地使用权分割转让手续并取得不动产权证。
     本项目已取得《江苏省投资项目备案证》（锡新行审投备〔2023〕9 号）和
《关于华虹半导体制造（无锡）有限公司华虹制造（无锡）项目环境影响报告表
的批复》（锡行审环许【2023】7005 号）。
     华虹制造（无锡）项目预计总投资额为 67 亿美元，其中 40.2 亿美元将由该
项目实施主体各股东以增资方式向华虹制造投入资金，发行人的出资来源为本次
发行的募集资金，如果本次发行募集资金不足，公司将通过自筹资金解决募投项
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目资金缺口其他股东将同比例增资；剩余 26.8 亿美元将以债务融资方式筹集，
相关银行已出具贷款意向承诺的函。
   发行人、上海华虹宏力、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（以
下简称“大基金二期”）及无锡锡虹国芯投资有限公司（以下简称“锡虹国芯”，
与大基金二期合称为“华虹制造少数股东”）于 2023 年 1 月 18 日签订《关于华
                     （以下简称“《合资经营合同》”）
虹半导体制造（无锡）有限公司的合资经营合同》
                       （以下简称“《投资协议》”），
《关于华虹半导体制造（无锡）有限公司之投资协议》
约定引入大基金二期及锡虹国芯作为华虹制造股东，各股东投资共计 402,000 万
美元。其中，发行人、上海华虹宏力、大基金二期及锡虹国芯将分别向华虹制造
投资 88,038 万美元、116,982 万美元、116,580 万美元及 80,400 万美元以分别持
有华虹制造 21.9%、29.1%、29%、20%的股权。根据《合资经营合同》及《投资
协议》的约定，各股东将按出资比例分三期对华虹制造出资，具体安排如下表所
示，在以下各付款时点各股东均系同比例提供资金：
   款项      付款比例                   主要付款条件
                   (1) 合资各方及华虹制造内部已经批准该交易；
                   (2) 发行人股东已批准本次交易；
                   (3) 该交易及华虹制造（无锡）项目符合主管部门相关政
 第一笔付款       15%
                   策要求，并取得立项核准或备案文件；
                   (4) 关于该交易的交易文件都已正式签署；
                   (5) 工商变更等程序已完成。
                   (1) 合资各方第一笔出资全部缴纳完毕后九个月（或各方
                       一致同意的其他期限）内；
 第二笔付款       60%   (2) 华虹制造已办理完毕相应的国有资产产权登记；
                   (3) 发行人已完成首次公开发行人民币普通股股票并在
                       科创板上市。
 第三笔付款       25%   合资各方第二笔出资全部缴纳完成后三个月内。
   截至本招股说明书出具日，华虹制造注册资本已增加至 402,000 万美元，华
虹制造各股东已按约定支付第一笔投资款完成增资。
   根据《合资经营合同》和《投资协议》的约定，本次募集资金的 125 亿元将
以股东增资形式投入，其他股东将在三个付款节点同比例提供资金增资。
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 （二）8 英寸厂优化升级项目
部分生产线，以匹配嵌入式非易失性存储器等特色工艺平台技术需求；同时，计划
升级 8 英寸厂的功率器件工艺平台生产线。本项目通过更新生产线部分设备，适应
各大特色工艺平台的技术升级需求，进一步提高公司核心竞争力以及抗风险能力。
     本项目预计总投资 200,000 万元人民币，具体情况如下：
序号             名称              金额（万元人民币）           占投资总额比例（%）
      设备购置费（含附带、安装、物
      流和保险等费用）
            合计                           200,000             100.00
     本项目建设期为 3 年，预计 2025 年底前实施完毕。
     本项目实施地点位于发行人现有金桥与张江各厂区范围，不涉及新取得土地
或房产的情况。
     本项目已取得《上海市外商投资项目备案证明》（国家代码：2208-310115-
优化升级项目不涉及申请办理环评相关手续的情况。
     （三）特色工艺技术创新研发项目
     公司结合实际经营情况与未来发展目标，将本次募集资金中的 25 亿元人民
币用于特色工艺技术创新研发项目，拓展公司在相关领域的自主创新能力和研发
水平，保持公司特色工艺平台技术领先地位。
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  本项目投资资金将用于公司各大特色工艺平台技术研发，包括嵌入式/独立
式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理等方向，具体将用于包括但不限
于与上述研发活动相关的设备和无形资产购置费用、维护维修费、研发人员的薪
资福利、直接材料等。
  本项目将在公司各厂区内实施，不涉及新取得土地或房产的情况。
  本项目不涉及向相关部门申请项目备案和环评相关手续的情况。
     （四）补充流动资金
  本次发行募集资金在满足上述项目资金需求的同时拟使用 10 亿元人民币补
充流动资金。公司通过使用部分募集资金以补充流动资金，将有效增加营运资金，
提高经营效率，增强经营能力，满足公司业务规模的扩张带来的新增营运资金需
求，对公司发展战略的实施提供充分的资金支持。
  本项目不直接涉及环保投入，不涉及环境影响评价，符合国家和地方环保要
求。
  未来，本次募投项目在实施过程中，如根据届时适用的法律法规及相关政策
需要履行相应的审批、备案等程序，或主管部门如对项目具体实施程序提出要求
的，发行人将按照相关要求办理。
三、募投项目必要性与可行性分析
     （一）募投项目必要性分析
约瓶颈，亟需扩充产能
  近年来，随着新能源汽车、工业智造、新一代移动通讯、物联网、新能源等
新兴市场的不断发展，全球半导体行业市场规模整体呈现增长趋势。根据全球半
导体贸易统计组织的统计，2017 年至 2021 年，按照销售额口径，全球半导体市
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场规模从 4,122 亿美元增长至 5,559 亿美元，年均复合增长率为 7.76%。根据中
国半导体行业协会的统计，2017 年至 2021 年，
                          中国大陆半导体市场规模从 5,411.3
亿元增长至 10,458.3 亿元，年均复合增长率为 17.91%。
  从目前国内半导体产业发展来说，一方面，国家陆续出台政策支持境内晶圆
代工行业的发展；另一方面，部分境内半导体设计企业积极寻找满足其需求的境
内晶圆代工产能，以保证境内供应链持续稳定。在以上的产业环境下，预计未来
中国大陆晶圆代工行业产能需求将保持较高速的增长趋势。
  报告期内，公司的产能利用率饱和，2020 年度、2021 年度和 2022 年度公司
当年产能利用率分别为 92.70%、107.50%和 107.40%，随着各个产品线的不断上
量以及国内市场需求日益旺盛，产能即将成为公司发展的制约瓶颈，公司迫切需
要通过扩大生产规模以进一步提高市场竞争地位。
核心竞争力以及抗风险能力
  特色工艺平台的丰富性是衡量半导体晶圆代工企业综合实力的重要考量因
素，其不仅体现在单一技术平台所涵盖工艺节点的全面性，也体现在单一工艺节
点可应用于不同技术平台的多样性。经过在行业内多年的深耕发展，公司在嵌入
式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理等特色工艺领域积累了
丰富的产品组合，能够为客户提供多样化的产品与系统解决方案。公司是行业内
工艺平台覆盖最全面的晶圆代工企业，能够满足不同终端市场的应用场景以及同
一细分市场中不同客户的多元化需求。
  为提升相关工艺平台产品广度并提升部分特色工艺平台的柔性制造能力，公
司亟需优化现有工厂生产线、并投入研发资金以拓展公司在相关领域的自主创新
能力和研发水平，保持公司特色工艺平台技术领先地位，并进一步提高公司抗风
险能力。
  （二）募投项目可行性分析
  公司在半导体制造领域拥有超过 20 年的技术积累，逐步形成了先进“特色
IC+功率器件”的产品布局，自主研发了嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器
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件、模拟与电源管理等特色工艺平台。其中，在嵌入式非易失性存储器领域，公
司是全球最大的智能卡 IC 制造代工企业以及国内最大的 MCU 制造代工企业；
在功率器件领域，公司是全球产能排名第一的功率器件晶圆代工企业，也是唯一
一家同时具备 8 英寸以及 12 英寸功率器件代工能力的企业，拥有全球领先的深
沟槽式超级结 MOSFET 以及 IGBT 技术；在模拟与电源管理领域，公司已成为
全球领先的模拟与电源管理工艺技术提供商。
  公司始终重视人才队伍的培养和建设，不断积累核心技术人才、研发创新人
才与项目管理人才，并建立了自主的研发团队、完善的研发流程以及高效的研发
管理体系，由研发团队进行研发、改进，对工艺流程及参数指标进行优化，形成
了公司现有核心技术平台。公司以自身发展战略与竞争优势为依托，经过长期技
术积累与工艺迭代，在主要业务领域形成并掌握了一系列具有自主知识产权的核
心技术。
保持领先优势
  过去二十余年，公司依靠卓越的特色工艺技术实力、稳定的产品性能和供给
能力赢得了全球客户的广泛认可，客户覆盖中国大陆及中国台湾地区、美国及欧
洲等地，客户产品应用覆盖汽车、通讯、工业、消费电子等多个终端领域。在全
球排名前 50 名的芯片产品公司中，超过三分之一与公司开展了业务合作，其中
多家与公司达成研发、生产环节的战略性合作。丰富的全球客户资源以及多样化
的终端市场，使得公司及时了解和把握市场最新需求，准确地进行工艺平台技术
研发以及更新升级，确保公司在市场竞争中保持领先优势。
四、未来发展规划
  （一）公司战略规划
  半导体行业作为一个资金密集、人才密集，对科技水平要求极高的重要国民
经济战略性产业，已成为全球高科技竞争与发展的焦点。作为全球领先的特色工
艺晶圆代工厂商，着眼于国家对半导体行业的战略性发展规划，以及国内相关行
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业高度依赖进口的现状，华虹半导体始终明确自身发展的重要使命与目标，结合
自身定位与竞争优势提出了“8 英寸+12 英寸”及先进“特色 IC+功率器件”两大发
展战略。
  其中，基于半导体行业工艺平台、产品领域众多的特征，公司强调多元化的
产品路线，在嵌入式非易失性存储器及功率器件等特色工艺平台建立起了丰富的
工艺和产品组合，未来仍将围绕该优势工艺领域，打造更具竞争力，工艺制程更
领先的代工能力。具体而言，在非易失性存储器领域，公司将巩固嵌入式产品优
势并进一步开发独立式存储产品，向更小线宽、更大存储单元密度和更优读写性
能的代工产品迈进；在功率器件领域，公司将继续巩固 MOSFET 和 IGBT 工艺
平台的已有优势，继续优化产品性能指标，丰富器件规格，以满足新能源汽车以
及新能源等新兴应用领域快速增长的需求，从而巩固公司特色工艺平台的核心竞
争力；在电源管理领域，持续优化 BCD 平台工艺水平，力争开发更丰富的器件
种类和集成度更高的工艺，以达到海内外知名客户的需求； 在图像传感器领域，
公司将进一步提升像素水平、像素单元密度和产品综合质量。
  另一方面，基于全球半导体代工行业产能无法满足新兴应用市场需求不断增
长的背景，公司在 8 英寸平台继续优化改造既有产品线的同时亦积极投入 12 英
寸平台工艺研发及提升产能，以满足广阔的下游市场对各类特色工艺代工产品的
需求。随着华虹无锡项目产能持续爬坡，未来进一步的资本投入将大幅提升 12
英寸生产线的产能，及基于 90-55 纳米节点各项工艺平台代工的产品组合丰富度，
巩固作为全球领先的半导体特色工艺代工厂商的行业地位。
     （二）报告期内为实现战略目标已采取的措施及实施效果
  为实现公司的总体发展战略和经营目标，公司在报告期内具体实施了以下举
措：
  作为全球领先的特色工艺晶圆代工企业之一，公司拥有全面的特色工艺平台
和产品组合，强大的技术和服务能力，向客户提供从 0.35 微米至 65/55 纳米等制
程节点范围的产品，并应用于各类下游终端市场。未来公司将巩固已有特色工艺
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领域的优势，积极提升基于 12 英寸平台各项工艺领域的综合竞争力，为境内外
客户提供更优的产品性能与更高的产品质量。
   报告期内，公司坚持技术和产品的持续创新，始终保持较高的研发投入。报
告期内的研发费用分别为 73,930.73 万元、51,642.14 万元和 107,667.18 万元，占
各年营业收入的比例分别为 10.97%、4.86%和 6.41%。
   此外，公司承担了多个重大科研项目，为我国的半导体行业发展，迈向更尖
端的前沿技术，建设独立自主的创新体系和生产布局，做出应有的贡献。
   作为一家于香港联交所上市的红筹企业，公司一贯秉承对公司治理及社会责
任的重视，通过对行业优秀研发人才的吸引、任用、培养与保留等一系列政策，
构建公司与员工共同进步的价值理念。公司通过具有市场竞争力的薪酬体系、业
绩激励机制激励研发人才队伍不断进取、持续创新，通过专项福利补贴及多样化
的人才关爱与发展项目保持研发队伍稳定发展。
   其中，在薪酬体系方面，公司于 2015 年制定了股票期权计划，强化对优秀
人才的激励措施，以保持对研发人才的吸引及保留。截至 2022 年 12 月 31 日，
公司分 4 次共计授出 67,732,000 份期权，相关信息详见本招股书“第四节 发行人
基本情况”之“十、公司正在执行的股权激励及其他制度安排和执行情况”。同时，
公司也已建立了业绩激励机制和研发项目激励机制，制定清晰明确的业绩和研发
指标，分项分阶段考察并奖励相关出色完成业务的团队和人员。未来，公司将基
于自身发展需求，充分利用 A 股以及香港资本市场平台，通过股权激励等方式
继续强化激励机制，加强人才与技术保护。
   由于全球半导体行业的代工需求持续攀升，公司产能处于饱和运行状态，一
定程度上限制了公司收入规模及盈利能力的提升。报告期内，公司完成了无锡
应用领域方面，公司持续优化升级既有工艺平台技术，在嵌入式非易失性存储器、
功率器件及电源管理等领域建立起强大的核心竞争优势，并在其他诸如独立式存
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储器等领域亦建立起向境内外各行业客户及产品需求提供高质量产品服务的能
力。
     （三）发行人未来具体发展计划及采取的措施
  人才是半导体行业竞争的根本，公司将继续优化薪酬体系、提出合宜的业绩
激励机制、进一步通过员工持股、期权激励等方式实现对核心员工有效激励，强
化对优秀人才的激励措施，加强人才队伍建设，满足公司未来发展的人才需求。
  未来公司将继续坚定先进“特色 IC+功率器件”的多元化竞争发展战略，积
极进行研发投入，从优势的特色工艺领域到其他新型工艺平台，持续优化工艺技
术，升级代工产品性能与品质，从而满足各下游行业对晶圆产品的高标准需求。
  公司计划对已投产 8 英寸生产线进行优化升级，并进一步大幅提升基于 12
英寸生产线的代工产能，以满足下游新兴行业的旺盛需求，巩固和提升公司作为
全球领先的特色工艺晶圆代工企业的地位。
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            第八节 公司治理与独立性
一、公司治理存在的缺陷及改进情况
  公司设立以来，已按照中国香港法律的规定，结合公司实际情况制定了《公
司章程》，建立了股东大会、董事会等基础性制度，中国香港法律不要求公司设
立监事会。
  公司遵循《联交所上市规则》，多年来形成了规范的公司治理结构。公司股
东大会、董事会按照中国香港法律、《联交所上市规则》《公司章程》等相关规
定，独立运作并切实履行职责。公司董事会下设审核委员会、薪酬委员会、提名
委员会。此外，公司聘任了三名专业人士担任公司独立非执行董事，参与决策和
监督，增强董事会决策的客观性、科学性。
  公司根据中国香港法律设立，并在香港联交所上市，其适用的相关规定在多
个方面与中国境内适用的法律、法规和规范性文件有所不同。
  根据《科创板上市规则》，在境内发行股票并在科创板上市的红筹企业，其
股权结构、公司治理、运行规范等事项适用境外注册地公司法等法律法规，其投
资者权益保护水平包括资产收益、参与重大决策、剩余财产分配等权益，总体上
应不低于境内法律法规的要求。
  基于上述原则，结合《公司条例》《联交所上市规则》《科创板上市规则》
等注册地、境外上市地、中国境内适用法律、法规和规范性文件的具体规定，公
司对《公司章程》《审核委员会的职权范围》《薪酬委员会的职权范围》《提名
委员会的职权范围》进行了修订，公司制定了《股东大会议事规则》《董事会议
事规则》《对外担保管理制度》《对外投资管理制度》《关连（联）交易管理制
度》《募集资金管理制度》《投资者关系管理制度》《信息披露管理制度》《信
息披露境内代表工作细则》等具体制度和细则。
  截至本招股说明书签署日，公司已经按照《证券法》《科创板上市规则》等
中国境内适用法律、法规和规范性文件的具体规定建立了完善的公司治理制度，
股东大会、董事会及其专门委员会顺利运行。公司在投资者权益保护水平包括资
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产收益、参与重大决策、剩余财产分配等权益，总体上不低于境内法律法规的要
求。
    报告期内，公司治理情况良好，不存在重大缺陷。
二、注册地的公司法律制度、《公司章程》与境内《公司法》等法律
制度的主要差异
     （一）利润分配机制、重大事项决策程序、剩余财产分配等方面的主要差
异
    公司为一家根据香港《公司条例》设立的公司。根据《若干意见》的规定，
试点红筹企业的股权结构、公司治理、运行规范等事项可适用境外注册地公司法
等法律法规规定。公司的公司治理制度需遵守香港《公司条例》和《组织章程细
则》的规定，与目前适用于注册在中国境内的一般境内 A 股上市公司的公司治
理模式在利润分配机制、重大事项决策程序、剩余财产分配等方面存在一定差异，
具体如下：
    香港《公司条例》中不存在“法定公积金”及“任意公积金”的概念，根据香港
《公司条例》第 297 条规定，公司只可从可供分派的利润中拨款作出分派。公司
可供分派的利润是将公司以往尚未透过分派或资本化运用的累积已实现利润，减
去以往尚未因股本减少或股本重组而冲销的累积已实现亏损的款项。在利润分配
机制上与境内 A 股上市公司存在差异。在此基础上，公司出具了《关于利润分
配政策的承诺函》并制定了《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A
股）并在上海证券交易所科创板上市后三年股东分红回报规划》，前述文件有利
于保障公司 A 股股东的资产收益权。
    根据公司适用的法律、证券交易所规则和《组织章程细则》的规定以及香港
公司的治理实践，除应当由股东大会批准的事项外，公司的其他重大事项主要由
董事会负责决策。其中，与在境内注册 A 股上市公司相比，公司董事会将有权
审议批准部分通常应由 A 股上市公司股东大会审议批准的事项。
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  根据《组织章程细则》，公司董事会的职权主要包括：
  （1）召集股东大会，并向股东大会报告工作
  （2）执行股东大会的决议；
  （3）制订本公司的利润分配方案和弥补亏损方案；
  （4）制订本公司增加或减少已发行股份的方案；
  （5）制订本公司重大收购、合并、清盘或者更改公司地位（包括公众公司
变更为私人公司等）的方案；
  （6）在适用法律法规、上市规则及本章程细则的规限下，决定公司的对外
投资、收购出售资产、资产抵押、对外担保、委托理财、关连交易、关联交易、
对外捐赠等事项；
  （7）决定委任或罢免本公司总裁及其他高级管理人员、公司秘书，并决定
有关其薪酬和奖惩事项；
  （8）向股东大会提请委任或更换负责本公司审计的核数师；
  （9）制订修订章程细则的方案；
  （10）在适用法律法规、上市规则允许的范围内，就本公司发行一般债券（须
取得股东批准的可换股债券发行除外）作出决定；
  （11）适用法律法规、上市规则、章程细则等规定的其他职权。
  虽然公司董事会的审议事项范围与在境内注册的 A 股上市公司存在差异，
但根据《组织章程细则》，与公司存续、股本变动、董事选举等相关的重大事项
的审议权限仍归属于股东大会。公司已经在香港联交所上市，运行规范，公司目
前采用的公司治理模式符合一般香港上市公司的惯例。
  根据《公司法》及《上市公司章程指引》等相关规定，公司财产在分别支付
清算费用、职工的工资、社会保险费用和法定补偿金，缴纳所欠税款，清偿公司
债务后的剩余财产，应按照股东持有的股份比例进行分配。
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  根据《公司（清盘及杂项条文）条例》等相关规定，公司资产在按先后次序
拨付完固定押记持有人及相关接管人费用（如有）、清盘的费用及开支、全体债
权人费用后，剩余资产（如有）按照股东所享有的权利及权益予以分配派发。
  根据《组织章程细则》的规定，如果公司清盘，在支付所有债权人之后，剩
余资产将根据实缴资本比例分配给各成员。
  因此，本次发行上市后，投资者获取剩余财产分配的权利与根据《公司法》
设立并登记在中国境内的 A 股上市公司之间不存在重大差异。
     （二）其他主要差异
  除上文所述差异以外，公司其他相关安排与在境内注册的 A 股上市公司相
比主要差异如下：
  相对于在境内注册的 A 股上市公司，公司未设置监事及监事会。香港《公
司条例》及《联交所上市规则》均无设置公司监事和监事会的相关要求，如比照
境内相关规则设置监事会亦缺乏公司注册地法律支持。因此，公司无需设置监事
会。
  此外，公司目前已依据《联交所上市规则》的规定聘任了独立非执行董事，
并设置了审核委员会等董事会专门委员会。公司的独立非执行董事和审核委员会
依照相关规定起到了监督公司规范运作的作用，可以行使境内《公司法》《证券
法》下规定的属于监事会的监督职权，满足红筹企业投资者权益保护要求。
  在境内注册的 A 股科创板上市公司应遵守的《科创板上市规则》《上海证
券交易所科创板上市公司自律监管指引第 1 号——规范运作》《上市公司独立董
事规则》《上市公司独立董事履职指引》等规定明确了独立董事的任期、职责、
限制、任职资格等内容。
  公司是一家注册于香港并且在香港上市的公司，对于独立非执行董事的任职
资格及发表意见的规定应按照《联交所上市规则》相关规则执行。
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  在独立非执行董事任职资格方面，《联交所上市规则》要求上市公司董事会
必须包括至少三名独立非执行董事，独立非执行董事至少占董事会成员人数的三
分之一。至少一名独立非执行董事必须具备适当的专业资格，或具备适当的会计
或相关的财务管理专长。若独立非执行董事在任已过 9 年，其是否获续任应以独
立决议案形式由股东审议通过。如独立非执行董事候选人将担任第 7 家上市公司
的董事，需在提出决议案以选任其为独立非执行董事的股东通函中解释其仍有足
够时间履行独立非执行董事责任的理由。《联交所上市规则》同时对独立非执行
董事的独立性标准予以了明确要求。
  《联交所上市规则》对独立非执行董事的任职资格与境内的相关规定要求的
任期、职责、限制、任职资格等内容有一定差异，对于公司来说主要体现在目前
公司部分独立非执行董事连任时间已超过境内对于独立董事任期要求，但公司的
独立非执行董事均为业界知名人士，具备相应的知识、能力与经验，能够有效履
行独立董事职责，提供独立意见，维护公司及股东的整体利益，维护中小股东的
合法权益不受损害。
  此外，
    《联交所上市规则》与中国大陆地区关于独立非执行董事（独立董事）
应发表意见的事项范围略有不同，但在重大交易、关联（连）交易等涉及投资者
权益的主要事项上均要求独立非执行董事（独立董事）发表独立意见。
  公司现行董事会成员熟悉《联交所上市规则》，独立非执行董事具备相应的
知识、能力与经验，能够胜任规则要求。公司按照《联交所上市规则》所规定的
独立非执行董事相关规则执行亦可以实现对于 A 股投资者权益的保护。
  根据《上市公司章程指引》《科创板上市规则》等 A 股的相关规定：
  （1）董事由股东大会选举或者更换，并可在任期届满前由股东大会解除其
职务；该等决议由股东大会以普通决议通过；
  （2）董事会、监事会以及单独或者合并持有公司 3%以上股份的股东有权向
股东大会提出提案，提名董事候选人；
  （3）董事会、监事会、单独或者合并持有上市公司已发行股份 1%以上的股
东可以提出独立董事候选人，并经股东大会选举决定。
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  但根据《组织章程细则》的规定，董事会可委任愿意担任董事职位之人士为
董事，以填补空缺或作为新增董事，惟该等委任不应导致董事人数超出已定上限。
任何按此获委任的董事仅任职至本公司下届股东周年大会，并于该大会上符合资
格膺选连任，惟于厘定将于会上轮换卸任的董事或董事人数时不会计入其中。
  因此，根据《组织章程细则》，董事会可自行选出董事以填补临时空缺或增
加董事名额，与 A 股上市公司董事产生的程序要求存在差异。但董事会委任的
董事至下一次股东周年大会召开时仍需经股东周年大会审议后方可连任，上述制
度安排系对董事席位空缺或为完善董事会成员结构的情况下，对董事会成员的补
足机制，增补董事有利于完善公司决策机制，实质上不会损害投资者的权益。
三、公司内部控制制度情况
  （一）公司管理层对内部控制的自我评价
  公司管理层认为，公司于 2022 年 12 月 31 日按照财政部会同证监会、审计
署、银监会、保监会制定的《企业内部控制基本规范》的要求在所有重大方面保
持了有效的财务报告内部控制。
  （二）注册会计师对本公司内部控制的鉴证意见
  安永会计师为公司出具的“安永华明(2023)专字第 60985153_B01 号”《内
部控制审核报告》认为，“于 2022 年 12 月 31 日华虹半导体有限公司及其子公
司在上述内部控制评估报告中所述与财务报表相关的内部控制在所有重大方面
有效地保持了按照《企业内部控制基本规范》（财会[2008]7 号）建立的与财务
报表相关的内部控制。”
四、报告期内违法违规及受处罚、监管措施、纪律处分或自律监管措
施情况
  （一）行政处罚情况
  发行人报告期内不存在受到处罚金额超过 10,000 元的行政处罚。
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  （二）境外上市期间的合规情况
  自 2014 年 10 月发行人在联交所上市之日至本招股说明书签署日，发行人在
信息披露、股权交易、董事会或股东大会决策等方面不存在受到香港联交所或香
港证券及期货事务监察委员会处罚的情形。
  （三）监管措施、纪律处分或自律监管措施情况
  发行人报告期内不存在受到中国证监会、中国境内证券交易所、证券业协会
所作出的监管措施、纪律处分或自律监管措施的情况。
五、境内外信息披露差异情况
  公司本次在上海证券交易所科创板发行的信息披露与在香港联交所上市期
间的信息披露内容不存在重大实质性差异。
六、公司资金的占用与担保情况
  截至本招股说明书签署日，公司不存在资金被控股股东、实际控制人及其控
制的其他企业占用的情况，也不存在为控股股东、实际控制人及其控制的其他企
业担保的情形。
七、公司独立经营情况
  公司在资产、人员、财务、机构和业务方面均具备独立性，具有完整的业务
体系和直接面向市场独立持续经营的能力。
  （一）资产完整方面
  公司主要从事晶圆代工业务，拥有开展业务所需的相关资质、资产和配套设
施及经营所需的土地、房产、设备、专利等的所有权或使用权，具有独立的原料
采购和产品销售系统，具备与经营有关的业务体系及相关资产。
  （二）业务独立方面
  公司拥有完整、独立的研发、采购、生产和销售的运营管理体系。公司与控
股股东、实际控制人及其控制的其他企业间不存在对公司构成重大不利影响的同
业竞争，以及严重影响独立性或者显失公平的关联（连）交易。公司的业务独立
于其控股股东、实际控制人及其控制的其他企业。
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     （三）财务独立方面
  公司设立了独立的财务会计部门，配备了专职财务人员，建立了独立、完整
的会计核算体系，制订了内部财务管理制度并建立了对下属公司的财务管理制度，
能够独立作出财务决策。公司及其子公司拥有独立的银行账户，公司作为独立纳
税人，履行独立纳税义务。
     （四）机构独立方面
  公司已建立了健全且适应自身发展需要的内部组织机构，建立了相应的内部
管理制度，拥有独立的职能部门并独立行使经营管理职权，公司不存在各职能机
构在经营场所和管理制度等各方面与控股股东、实际控制人及其控制的其他企业
混同而影响公司独立性的情形。
     （五）人员独立方面
  公司建立了健全的法人治理结构，董事、高级管理人员按照《公司章程》等
相关规章制度产生。公司高级管理人员、财务人员不存在在公司控股股东、实际
控制人及其控制的其他企业中担任除董事、监事以外的其他职务并领取薪酬的情
形。
     （六）关于公司主营业务、控制权、管理团队和核心技术人员的变动
  公司主要向客户提供以 8 英寸及 12 英寸晶圆为基础的特色工艺代工服务，
在不同工艺平台上运用半导体专用设备和材料，按照客户需求为其制造多种类的
半导体产品；同时为客户提供包括 IP 设计、测试等配套服务。公司主营业务稳
定，最近 2 年内没有发生变化。
  公司控股股东、实际控制人持有公司股份的情况详见本招股说明书“第四节
发行人基本情况”之“七、持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东及实际
控制人情况”之“（一）控股股东、实际控制人基本情况”。
  公司控制权稳定，控股股东所持公司的股份权属清晰，最近 2 年实际控制人
没有发生变更，不存在可能导致控制权变更的重大权属纠纷。
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  公司董事、高级管理人员及核心技术人员的任职情况详见本招股说明书“第
四节 发行人基本情况”之“九、发行人董事、高级管理人员及核心技术人员情况”。
  公司管理团队和核心技术人员稳定，最近 2 年内董事、高级管理人员及核心
技术人员均没有发生重大不利变化。
  （七）影响持续经营重大影响的事项
  公司不存在主要资产、核心技术、商标的重大权属纠纷，重大偿债风险，重
大担保、诉讼、仲裁等或有事项，经营环境已经或将要发生的重大变化等对持续
经营有重大影响的事项。
八、同业竞争
  （一）公司与控股股东、实际控制人及其控制的其他企业不存在重大不利
影响的同业竞争
  公司主要向客户提供 8 英寸及 12 英寸晶圆的特色工艺晶圆代工服务，在不
同工艺平台上，按照客户需求为其制造多种类的半导体产品；同时为客户提供包
括掩模版、探针卡、IP 设计、测试等配套服务。
  发行人控股股东及其控制的除发行人外的一级子公司和实际控制人上海市
国资委监管的企业的基本情况详见本招股说明书“第四节发行人基本情况”之“七、
持有发行人 5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况”之“（三）发
行人控股股东、实际控制人控制的其他企业情况”。
  截至 2022 年 12 月 31 日，除本公司及其直接或间接控制的子公司以外，华
虹集团控制的其他企业中，上海华力从事先进逻辑工艺晶圆代工服务，具体如下：
  华虹半导体和上海华力是华虹集团基于半导体制造行业的不同技术发展路
径所设立的两大业务板块。华虹半导体定位于特色工艺晶圆代工，上海华力定位
于先进逻辑工艺晶圆代工，差异明显，两者的发展历程汇总如下：
主体名称          华虹半导体               上海华力
发展定位        特色工艺的领先者          先进逻辑工艺的追赶者
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 厂区              8 英寸厂               12 英寸厂          12 英寸厂
项目投建
 时间
主要工艺    95nm     0.18μm   90nm       65/55nm   65/55nm 及
节点定位    及以上       及以上     及以上         及以上         以下
  华虹半导体自成立以来始终布局特色工艺领域，覆盖了 MOSFET、IGBT 等
功率器件代工以及嵌入式非易失性存储器、独立式非易失性存储器、模拟与电源
管理等特色工艺晶圆代工，工艺节点主要覆盖 0.35μm 到 55nm 等，特色工艺以
拓展摩尔定律为指导，不完全依赖向更小线宽的工艺节点演进，而是通过持续优
化器件结构与制造工艺，最大化发挥不同器件的物理特性以提升产品性能及可靠
性。
  上海华力自 2009 年成立便定位于遵循摩尔定律使线宽不断缩小的先进逻辑
工艺领域，旨在追赶台积电等全球领先的集成电路代工企业，主要覆盖逻辑集成
电路代工服务，工艺制程规划最先进已达到 28nm。双方在经营思路、技术发展、
市场布局上存在明显差异。华虹半导体与上海华力各自根据客户需求进行晶圆代
工。
  公司的资产来自于股东投入及持续经营累积，资产独立；公司的人员保持独
立聘任，人员独立；公司独立开展市场采购和销售，价格公允，运营及业务独立；
公司拥有独立、完整的研发体系与研发团队，核心技术主要来自于自主研发，公
司不存在与上海华力共有专利的情形，公司的财务人员由公司独立聘任，财务账
户独立，与上海华力不存在资金占用、核算方面不存在混同的情形，财务独立，
机构保持独立；报告期内，公司与上海华力之间的交易均为正常的业务交易，交
易具有商业合理性，交易价格公允。公司与上海华力独立经营，在资产、人员、
运营、业务、机构、财务等方面完全独立。
  近年来，晶圆代工市场需求旺盛，各晶圆代工企业产能均不足以满足市场需
求，公司与上海华力在从事同类晶圆代工业务时，按照市场情况进行定价，结合
产能、技术要求、客户需求等方面综合考虑后独立作出决策，不存在非公平竞争。
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  华虹集团作为上海市国资委出资企业，通过与各下属企业的股权关系依法依
规行使股东权利。公司与上海华力不存在因同受华虹集团控制而导致的非公平竞
争、利益输送或让渡商业机会的情形。
影响的同业竞争
  报告期内，发行人与华力微存在不同工艺节点的重合平台和相同工艺节点的
重合工艺平台。其中，不同工艺节点的重合平台不具有竞争和替代关系，相同工
艺节点的重合工艺平台存在同业竞争，但不构成重大不利影响的同业竞争，具体
如下：
  （1）双方的总体定位和工艺路线存在显著差异
  报告期内，发行人和上海华力均从事晶圆代工业务。总体定位方面，华虹半
导体定位于特色工艺晶圆代工，上海华力定位于先进逻辑工艺晶圆代工。在各工
艺节点上，发行人的工艺路线核心均为特色工艺，上海华力的工艺路线核心为逻
辑工艺，但华力微在 65/55nm 工艺节点上还涉及特色工艺。
  （2）不同工艺节点代工的重合工艺平台上，双方代工能力存在本质差异，
客户设计的产品只能通过特定的工艺节点实现，不能相互替代和竞争
  在重合工艺平台上，客户在产品定义时根据主频、运算速度或存储容量等方
面的需求确定工艺节点，双方不同工艺节点上代工能力存在显著差异，客户根据
产品定义选择相应的工艺节点，无法在其他工艺节点上代工，不同工艺节点上代
工的重合工艺平台产品也无法通过叠加等方式实现直接替换，双方在不同工艺节
点的重合工艺平台业务不具有替代、竞争关系。
  （3）重合工艺节点的重合工艺平台代工能力存在差异，但结合行业特点和
相关法律法规，双方存在同业竞争
  在重合工艺节点的重合工艺平台，双方的代工能力在器件的规格、类型和丰
富度、配套的 IP 服务、测试服务等方面存在差异，从而使得双方客户也存在较
大差异，并且在报告期内，发行人和华力微的客户群体较为稳定，双方并未在商
业机会的获取上发生相互竞争或让渡的情形。尽管在重合工艺节点的重合工艺平
台层面，发行人和华力微的代工能力存在差异，但是考虑到晶圆代工行业属于高
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度精密制造业务，代工能力的差异主要体现在纳米级别的微观结构层面，而工艺
节点系衡量代工能力的关键因素，因此在重合工艺节点的重合工艺平台，客观上
存在客户进行比较选择的可能性。有鉴于此，从审慎角度出发，并为便于投资者
直观理解，结合 2023 年 2 月 17 日实施的《证券期货法律适用意见第 17 号》相
关规定，发行人和华力微在 65/55nm 工艺节点的重合工艺平台上存在同业竞争。
  （4）华力微 65/55nm 工艺节点重合工艺平台业务占比已降至 30%以内
  双方的同类业务为相同工艺节点下的重合工艺平台的代工业务，即 65/55nm
工艺节点下的独立式非易失性存储器、嵌入式非易失性存储器和逻辑与射频三个
重合工艺平台。2022 年各主体相关数据已经过审计，华力微同类收入或者毛利
占发行人主营业务收入或者毛利的比例均低于 30%，符合监管规则对同业竞争收
入、毛利测算时的财务数据要求。
  综上所述，结合华虹集团做出的明确的业务承接划分、相关业务占比控制在
在对发行人构成重大不利影响的同业竞争，符合相关法律法规规定。
  （1）业务安排
  虽然发行人与上海华力作出了清晰的业务划分，即 65/55nm 独立式非易失性
存储器和嵌入式非易失性存储器工艺平台相关业务由华虹半导体承接，65/55nm
逻辑与射频工艺平台相关业务由华力微承接，但是客户选择晶圆代工厂时的评判
标准是晶圆厂的代工能力与其需求的匹配程度，由于发行人与华力微在 65/55nm
工艺节点重合工艺平台的代工路径和代工能力存在差异，且市场上的晶圆厂选择
也不仅限于发行人与上海华力，因此发行人放弃承接的新客户或现有客户的新产
品需求，不必然能够被华力微获取，反之亦然。
  未来，发行人和华力微将严格按照上述业务划分，一方面尽力争取对方放弃
承接的新客户和新产品需求，另一方面在自身承接的工艺平台上不断加强核心竞
争力，实现业务划分的平稳过渡。
  （2）资产安排
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  在 65/55nm 工艺节点下，发行人及华力微在重合工艺平台下，除 ONO 炉管
为华力微嵌入式非易失性存储器工艺平台 SONOS 工艺路线下的专用设备外，其
余均为晶圆制造所需的通用设备。此外，前述专用设备价格及数量占比较小。
  因此，根据业务规划，发行人与华力微将继续服务现有客户的现有产品，双
方设备、厂房等生产资产无需作出处置或转让等特定安排。双方亦不存在专用于
研发的机台设备。
  （3）人员安排
  在目前设备不做调整的前提下，生产人员不做相应调整安排。而对于双方的
研发人员而言，其均是基于发行人或华力微目前各自的公司发展路线展开研发，
因此对于重合工艺平台的研发人员将在各自内部做转岗或调整研发方向。
  对于发行人而言，针对 65/55nm 及以下工艺节点的逻辑与射频平台研发项目,
未来将仅从事基础性和支持性研发，不再涉及产业化的研发，本项目仅涉及研发
方向的调整，不涉及人员的转岗；对于华力微而言，独立式/嵌入式非易失性存
储器平台的专职研发人员的专业背景包括微电子、材料、化学、物理等，其知识
结构均具有通用性和延展性。因此，未来华力微将调整独立式/嵌入式非易失性
存储器平台研发项目的专职研发人员至其他工艺平台的研发工作中。
  经核查，保荐人和发行人律师认为：发行人和华力微在历史沿革、资产、人
员、商标商号等方面相互独立，双方在总体定位和工艺路线方面存在显著差异；
在不同工艺节点的重合工艺平台，工艺节点是衡量代工能力的关键因素，双方不
具有替代性、竞争性和利益冲突，不存在同业竞争；但在重合工艺节点的重合工
艺平台，双方存在同业竞争，但不存在利益输送或相互让渡商业机会等情形；2022
年度，华力微 65/55nm 重合工艺平台收入和毛利占发行人主营业务收入和毛利的
比例低于 30%，发行人与华虹集团及其控制的其他企业间不存在对发行人构成重
大不利影响的同业竞争，符合相关法律法规规定。
  发行人与控股股东、实际控制人及其控制的其他企业间不存在对发行人构成
重大不利影响的同业竞争。
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     （二）避免同业竞争的承诺
     为避免与发行人发生重大不利影响的同业竞争，直接控股股东华虹国际出具
了《关于避免同业竞争的承诺函》、间接控股股东华虹集团出具了《关于避免同
业竞争的承诺函》及其补充承诺，具体承诺内容详见本招股说明书附录之“附表
七：承诺事项”之“(八)控股股东避免新增同业竞争的承诺”。
九、关联（连）方和关联（连）关系
     根据《科创板上市规则》《联交所上市规则》《企业会计准则第 36 号-关联
方披露》《香港财务报告准则》等相关法律、法规和规范性文件的规定，报告期
内公司的主要关联（连）方如下：
     （一）控股股东、实际控制人
     发行人直接控股股东为华虹国际，直接持有发行人 26.60%的股份；发行人
间接控股股东为华虹集团，直接持有华虹国际 100%的股份；发行人实际控制人
为上海市国资委，直接持有华虹集团 51.59%的股权。控股股东及实际控制人详
细情况详见本招股说明书“第四节 发行人基本情况”之“七、持有发行人 5%
以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况”之“（一）控股股东、实际控
制人基本情况”。
     （二）直接有公司 5%以上股份的股东及其控制的其他企业、间接持有公司
     截至 2022 年 12 月 31 日，直接持有公司 5%以上股份的股东及其控制的其他
企业、间接持有公司 5%以上股份的股东如下：
序号         关联（连）方名称                 关联（连）关系
                           直接持有以及通过全资子公司 Wisdom Power
                               间接持有公司 14.46%的股份
                           通过联和国际及 Wisdom Power 间接持有公司
                           通过巽鑫（上海）投资有限公司间接持有公
                                 司 13.67%的股份
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     （三）控股股东控制的除发行人及其子公司外的其他企业
     截至 2022 年 12 月 31 日，发行人控股股东控制的除发行人及其子公司外的
其他企业详见本招股说明书“第四节 发行人基本情况”之“七、持有发行人 5%
以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况”之“（三）发行人控股股东控
制的其他企业情况”。
     （四）发行人的董事、高级管理人员及其关系密切的家庭成员
     公司的董事、高级管理人员为公司的关联（连）自然人，详细情况详见本招
股说明书之“第四节 发行人基本情况”之“九、发行人董事、高级管理人员及
核心技术人员情况”。
     发行人董事、高级管理人员关系密切的家庭成员为公司的关联（连）方，包
括配偶、年满 18 周岁的子女及其配偶、父母及配偶父母、兄弟姐妹及其配偶、
配偶的兄弟姐妹、子女配偶的父母。
     （五）发行人的联营公司、合营公司
     截至 2022 年 12 月 31 日，发行人合营公司、联营公司详见本招股说明书之
“第四节 发行人基本情况”之“六、发行人子公司、分公司及参股公司情况”
之“（二）参股公司情况”。
     （六）公司控股股东的董事、监事和高级管理人员
     公司的关联（连）自然人还包括公司直接控股股东华虹国际董事、高级管理
人员以及间接控股股东华虹集团的董事、监事和高级管理人员。
     截至本招股说明书签署日，华虹国际董事、高级管理人员，华虹集团董事、
监事和高级管理人员如下：
序号      关联（连）方名称                关联（连）关系
                    华虹半导体董事会主席，华虹国际董事会主席、高级
                          管理人员，华虹集团董事长
                    华虹半导体董事，华虹国际董事，华虹集团董事、高
                             级管理人员
华虹半导体有限公司                                      招股说明书
序号       关联（连）方名称                  关联（连）关系
      （七）关联（连）自然人直接或者间接控制的，或者担任董事、高级管理
人员（独立董事除外）的其他企业
      截至本招股说明书签署日，发行人董事、高级管理人员担任董事、高级管理
人员（独立董事除外）的其他企业详见本招股说明书之“第四节 发行人基本情
况”之“九、发行人董事、高级管理人员及核心技术人员情况”之“（二）董事、高
级管理人员及核心技术人员的兼职情况”。
      发行人董事、高级管理人员关系密切的家庭成员直接或间接控制的企业或其
担任董事、高级管理人员的法人或其他组织为发行人关联（连）方。
      发行人控股股东董事、监事和高级管理人员（独立董事除外）担任董事、高
级管理人员的法人或其他组织为发行人关联（连）方。
      关联（连）自然人直接或者间接控制的，或者担任董事、高级管理人员（独
立董事除外）的除上述企业外的其他与公司存在关联（连）交易企业如下：
序号          关联（连）方名称                  关联（连）关系
华虹半导体有限公司                                               招股说明书
     （八）报告期内曾经的关联（连）方
     报告期内，与公司发生交易或形成往来款余额的曾经存在的关联（连）方如
下表所示：
序号           关联（连）方名称                           关联（连）关系
      国家集成电路产业投资基金二期股份有
             限公司
     （九）根据《联交所上市规则》所界定的关连方
     根据《联交所上市规则》所界定的关连方亦属于发行人的关联（连）方。
十、关联（连）交易情况
     根据《上市规则》规定关连交易必须按照一般商务条款或更佳条款进行，并
事先在上市发行人的股东大会上取得独立股东批准。若所有百分比率（盈利比率
除外）均符合下列其中一个水平界线规定，交易将可获得豁免遵守有关通函（包
括独立财务意见）及独立股东批准的规定：(a) 低于 5%；或(b) 低于 25%，而总
代价（如属财务资助，财务资助的总额连同付予关连人士或共同持有实体的任何
金钱利益）亦低于 1,000 万港元。
     根据公司《关连（联）交易管理制度》规定，公司对关联人提供的担保需经
公司股东大会审议批准；公司与关联人发生的交易金额(提供担保除外)占公司最
近一期经审计总资产或市值 1%以上的交易，且超过 3,000 万元人民币，应当提
供评估报告或审计报告，并提交股东大会审议。
     公司将上述需股东大会批准的关联（连）交易定为重大关联（连）交易。报
告期内，发行人及其子公司上海华虹宏力、华虹无锡与大基金、国家集成电路产
华虹半导体有限公司                                                            招股说明书
业投资基金二期股份有限公司及无锡锡虹联芯投资有限公司签订增资协议，共同
增资华虹无锡构成重大关联（连）交易。
   报告期内，公司一般关联（连）交易情况汇总如下：
                                                                      单位：万元
                项目                     2022 年           2021 年        2020 年
                 采购商品/接受服务              20,361.71        30,340.61     39,290.97
                 销售商品/提供服务              15,046.53        16,854.62     14,144.61
               关联（连）租赁（出租）                  9,580.86      9,354.70      9,005.26
 经常性关联         关联（连）租赁（承租）                  2,226.72      1,866.10      1,917.75
 （连）交易         关联（连）方银行贷款               23,630.89        18,655.30               -
               代收代付水电物业费等               22,186.80        19,850.43     18,394.65
               关联（连）方利息费用                    582.05          20.69        -26.98
                 关键管理人员薪酬                   1,996.53      2,608.54      2,073.15
 偶发性关联             购买无形资产               19,899.15           405.49     12,741.63
 （连）交易               共同投资                          -      9,600.00               -
关联（连）往               应收项目               12,345.12         7,891.94      6,170.81
 来款项                 应付项目               39,020.61        35,986.30     21,135.84
   （一）经常性关联（连）交易
   报告期内，公司向关联（连）方采购商品、接受服务情况如下：
                                                                      单位：万元
                              关联（连）
       关联（连）方                       2022 年度            2021 年度       2020 年度
                              交易内容
 上海华虹虹日电子有限公司                 购买商品      12,397.39      11,804.89        10,568.79
   华海清科股份有限公司                 购买商品          6,884.07    9,566.15         5,550.26
          公司一                 购买商品             74.09    2,405.51         1,253.12
北京北方华创微电子装备有限公
                              购买商品                 -           -        14,743.26
      司
NEC Management Partner，Ltd.   购买商品           388.46     1,428.41          947.30
上海华虹挚芯电子科技有限公司                购买商品           556.00      444.30           362.45
          华力集                 购买商品            47.68      331.07                0.44
上海华虹计通智能系统股份有限
                              购买商品            14.01      161.20           194.52
      公司
          华力微                 购买商品                 -        3.84         1,263.16
华虹半导体有限公司                                                             招股说明书
                 关联（连）
   关联（连）方              2022 年度                  2021 年度               2020 年度
                 交易内容
    上海集成         购买商品                       -               -             1,411.74
 上海仪电智能电子有限公司    接受劳务                       -        3,381.76             2,718.30
上海南洋万邦软件技术有限公司   接受劳务                       -          28.26               254.72
上海南洋软件系统集成有限公司   接受劳务                       -          15.04                22.91
上海华鑫物业管理顾问有限公司   接受劳务                       -         770.18                     -
     关联（连）采购合计               20,361.71              30,340.61            39,290.97
      占营业成本比例                      1.89%              3.97%                7.15%
  报告期内，公司向关联（连）方销售商品、提供服务情况如下：
                                                                       单位：万元
                关联（连）交
   关联（连）方                        2022 年度              2021 年度          2020 年度
                 易内容
    上海集成         销售商品               2,979.61             5,657.97         6,146.58
上海华虹挚芯电子科技有限
                 销售商品               6,592.93             4,150.62         2,130.80
     公司
上海矽睿科技股份有限公司     销售商品               2,757.91             3,930.00         3,290.56
上海华虹虹日电子有限公司     销售商品               2,248.91             2,205.32         1,418.02
上海新微技术研发中心有限
                 销售商品                 226.08               788.82         1,007.44
     公司
芯原微电子（上海）股份有限
                 销售商品                 241.09               121.89          123.55
     公司
    华力集          提供劳务                           -                 -         27.66
     关联（连）销售合计                     15,046.53            16,854.62        14,144.61
      占营业收入比例                         0.90%                1.59%           2.10%
  （1）本公司作为出租方
                                                                       单位：万元
              关联（连）交
  关联（连）方                  2022 年度                   2021 年度           2020 年度
                易内容
   华力微         房屋租赁              9,580.86              9,354.70           9,005.26
         合计                      9,580.86              9,354.70           9,005.26
  （2）本公司作为承租方
                                                                       单位：万元
  关联（连）方      关联（连）交      2022 年度               2021 年度               2020 年度
华虹半导体有限公司                                                                 招股说明书
                           易内容
华虹科技及其子公司                  房屋租赁          1,474.78           1,150.38         1,153.53
                      租赁负债利息
华虹科技及其子公司                                     480.57         512.99           543.89
                        支出
华虹科技及其子公司             物业管理费等                  271.36         202.73           220.33
              合计                         2,226.72           1,866.10         1,917.75
  报告期内，华虹半导体向华虹科技子公司华虹置业租赁房产并签订期限 20
年的长期租赁合同及短期租赁合同，华虹科技子公司华虹置业及其孙公司华锦物
业向发行人提供物业管理等服务。
                                                                           单位：万元
      关联（连）方                      2022 年度              2021 年度            2020 年度
         华力微                        22,178.73            19,842.69          18,386.37
  Hua Hong International
     (Americas),Inc.
          合计                        22,186.80            19,850.43          18,394.65
  报告期内，华力微的代收代付水电物业费等系华力微租赁上海华虹宏力厂房
及洁净室等用于生产经营，上海华虹宏力代收代付其在租赁场地内消耗的电费、
水费、物业费等费用。
                                                                           单位：万元
                           关联（连）
   关联（连）方                              2022 年度            2021 年度          2020 年度
                           交易内容
 上海银行股份有限公司                 银行借款             23,630.89      18,655.30                -
                                                                           单位：万元
                           关联（连）
   关联（连）方                              2022 年度            2021 年度          2020 年度
                            交易内容
 上海银行股份有限公司                 利息收入                -55.15           -54.22        -26.98
 上海银行股份有限公司                 利息支出               637.20            74.91                  -
         利息费用合计                                582.05            20.69         -26.98
华虹半导体有限公司                                            招股说明书
   报告期内，发行人向关键管理人员（含董事、高级管理人员）支付薪酬，关
联（连）交易金额（包括工资、奖金及股权激励费用）分别为 2,073.15 万元、2,608.54
万元和 1,996.53 万元。
   （二）偶发性关联（连）交易
                                                     单位：万元
        关联（连）方           2022 年度       2021 年度       2020 年度
          华力微                      -             -     11,853.57
         上海集成                      -             -       888.06
  上海南洋万邦软件技术有限公司                   -       405.49
          合计                       -       405.49      12,741.63
   报告期内，发行人向华力微及上海集成采购技术，向上海南洋万邦软件技术
有限公司采购软件。
投资设立华虹投资，华虹集团以现金出资 2.88 亿元，占注册资本的 60%，华力
微和上海华虹宏力分别以现金出资 9,600 万元，分别占注册资本的 20%。截至 2022
年 12 月 31 日，上海华虹宏力完成出资人民币 6,720 万元。
国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司及无锡锡虹联芯投资有限公司签
订增资协议。华虹无锡注册资本由 180,000.00 万美元增加至 253,685.18 万美元，
其中，发行人出资 17,777.76 万美元等值人民币认购华虹无锡 16,374.47 万美元新
增注册资本，上海华虹宏力出资 23,022.24 万美元等值人民币认购华虹无锡有限
公司 21,204.97 万美元新增注册资本，无锡锡虹联芯投资有限公司出资 16,000.00
万美元等值人民币认购华虹无锡 14,737.04 万美元新增注册资本，国家集成电路
产业投资基金二期股份有限公司出资 23,200.00 万美元等值人民币认购华虹无锡
增资。
华虹半导体有限公司                                                         招股说明书
  （三）关联（连）方往来余额
  报告期内，关联（连）交易形成的应收应付款项情况如下：
                                                                   单位：万元
  项目         关联（连）方
存放关联（连）   上海银行股份有限公司                   3,136.96      3,080.95        3,083.47
方的货币资金          合计                     3,136.96      3,080.95        3,083.47
          上海矽睿科技股份有限
              公司
          上海华虹挚芯电子科技
             有限公司
 应收账款          上海集成                     384.99          91.91         764.26
          芯原微电子（上海）股
            份有限公司
                合计                     1,448.69        739.74        1,332.96
               华力微                     7,657.86      4,052.08        1,717.66
          上海华虹挚芯电子科技
             有限公司
其他应收款     上海矽睿科技股份有限
              公司
               上海集成                        0.01          0.76               -
                合计                     7,759.48      4,071.24        1,737.61
          上海华虹计通智能系统
其他非流动资                                        -               -        16.77
            股份有限公司
  产
                合计                            -               -        16.77
          总计                          12,345.12      7,891.94        6,170.81
                                                                   单位：万元
  项目        关联（连）方
          上海华虹虹日电子有限
                公司
          上海仪电智能电子有限
                                             -                -       644.79
                公司
 应付账款      NEC Management
                                             -         433.83         226.31
            Partner，Ltd.
          上海华虹挚芯电子科技
              有限公司
          华海清科股份有限公司                    123.38          57.38          31.65
华虹半导体有限公司                                                       招股说明书
  项目        关联（连）方
              华力集                      51.63          39.62                 -
         华虹科技及其子公司                    199.02          18.62           10.38
         上海华虹计通智能系统
           股份有限公司
         上海南洋软件系统集成
                                            -               -          3.03
            有限公司
              华力微                           -          1.28           66.87
         上海集成电路研发中心                         -               -          0.52
              合计                     1,809.85      1,651.16        3,052.78
         华海清科股份有限公司                   560.00         736.00          540.00
         上海南洋万邦软件技术
                                            -               -        122.42
            有限公司
              公司一                           -        240.00          460.00
          NEC Management
其他应付款                                       -         38.24           12.14
           Partner，Ltd.
         上海华虹计通智能系统
                                            -          7.80            3.89
           股份有限公司
              华力微                           -               -      1,115.76
              合计                      560.00       1,022.04        2,254.21
              华力微                    2,118.73      2,299.35        2,488.35
 预收款项
              合计                     2,118.73      2,299.35        2,488.35
         上海华虹虹日电子有限
             公司
             上海集成                      46.75         264.04          269.78
         上海新微技术研发中心
            有限公司
 合同负债
         上海华虹挚芯电子科技
            有限公司
         上海矽睿科技股份有限
                                            -          6.92            6.92
             公司
              合计                      612.96       1,376.32        1,696.82
         华虹科技及其子公司                    727.96         693.96          661.54
一年内到期的
         上海银行股份有限公司                  1,991.88        153.02                 -
 非流动负债
              合计                     2,719.84        846.98          661.54
         上海银行股份有限公司              21,639.01        18,502.28                 -
 长期借款
              合计                 21,639.01        18,502.28                 -
         华虹科技及其子公司                   9,560.21     10,288.17       10,982.13
 租赁负债
              合计                     9,560.21     10,288.17       10,982.13
华虹半导体有限公司                                            招股说明书
  项目        关联（连）方
         总计                39,020.61     35,986.30     21,135.84
  （四）关联（连）交易对公司财务状况和经营成果的影响
  报告期内，公司生产经营上不存在依赖关联（连）方的情形。公司主要关联
（连）交易事项均按照市场原则定价，价格合理，不存在损害公司及其他非关联
（连）股东利益的情况。公司报告期内发生的关联（连）交易对公司的财务状况
和经营成果无重大影响。
  （五）关联（连）交易制度安排及决策程序
  公司已在《关连（联）交易管理制度》中明确了关联（连）交易的决策权限
和程序等相关内容。报告期内，公司关联（连）交易均按照《公司章程》《联交
所上市规则》等有关规定履行了程序，交易条件公平、合理，定价政策、定价依
据及交易价格以市场价格为基础，合理、公允，不影响公司的独立性，不存在重
大违反《联交所上市规则》的情形，也不存在损害公司及股东特别是非关联（连）
股东利益的情形。
  （六）公司规范和减少关联（连）交易的措施
  为避免控股股东可能在关联（连）交易中损害公司或其他非关联股东利益，
公司将进一步采取以下措施，以规范和减少关联（连）交易：
  （1）严格按照上市地相关法规要求履行法定关联（连）交易审批程序，并
严格执行关联（连）交易回避制度；
  （2）保证独立非执行董事依法行使职权，确保关联（连）交易价格的公允
性和批准程序的合规性，最大程度保护其他股东利益；
  （3）严格按照《关连（联）交易管理制度》的规定，履行关联（连）交易
决策程序，及时进行信息披露，保证不通过关联（连）交易损害公司及其他股东
的合法权益。
  （4）为减少并规范公司与关联方之间未来可能产生的关联交易，公司直接
控股股东华虹国际、间接控股股东华虹集团就减少并规范关联交易事项出具了
华虹半导体有限公司                          招股说明书
《关于规范和减少关联交易的承诺函》，具体承诺内容详见本招股说明书附录之
“附表七：承诺事项”之“(九)关于规范和减少关联交易的承诺函”。
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             第九节 投资者保护
一、本次发行前滚存利润分配安排
发行前滚存利润分配的计划的决议案》，于本次发行完成前，本公司可根据《公
司章程》及相关内部控制规则进行利润分配；于本次发行完成后，本公司于本次
发行前滚存的未分配利润将由全体股东按照各自持股比例共同享有。未分配利润
为负数表示存在未弥补亏损，因此本次发行前累计未弥补亏损将由全体新老股东
按照各自持股比例共同承担。
二、公司本次发行后的股利分配政策、决策程序及监督机制
  （一）本次发行后的股利分配政策、决策程序及监督机制
  根据经本公司股东大会审议通过的公司首次公开发行 A 股股票并上市后适
用的《组织章程细则》以及《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A
股）并在上海证券交易所科创板上市后三年股东分红回报规划》，本公司本次发
行后实施的股利分配政策如下：
  公司实行持续、稳定的利润分配政策，公司的利润分配应重视投资者的合理
投资回报，兼顾公司的可持续发展，公司董事会和股东大会对利润分配政策的决
策和论证过程应当充分考虑独立非执行董事和公众投资者的意见。
  （1）公司的利润分配形式
  公司可以采取现金、股票、现金与股票相结合或法律、法规及规范性文件允
许的其他方式分配利润。具备现金分红条件的，应当优先采用现金分红的利润分
配方式。
  （2）公司现金分红的条件
  在符合现金分红的条件下，公司应当采取现金分红的方式进行利润分配。符
合现金分红的条件为：
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  ①公司累计未分配利润为正、当年度实现盈利且该年度实现的可分配利润为
正，现金分红后公司现金流仍可以满足公司持续经营和长期发展的需要；
  ②审计机构对公司的该年度财务报告出具标准无保留意见的审计报告；
  ③公司未来十二个月内无重大对外投资计划或重大现金支出（本次发行的募
集资金投资项目除外）；
  ④满足法律、法规及规范性文件规定的其他现金分红条件。
  （3）公司现金形式分红的比例与时间间隔
  在满足现金分红条件的前提下，公司原则上每年进行一次现金分红，公司每
年以现金方式分配的利润不少于当年实现的可分配利润的 10%，且公司最近三年
以现金方式累计分配的利润不少于最近三年实现的年均可分配利润的 30%。
  公司董事会应当综合考虑所处行业特点、发展阶段、自身经营模式、盈利水
平以及是否有重大资金支出安排等因素，在满足现金分红条件的前提下，区分下
列情形，并按照公司章程规定的程序，提出差异化的现金分红政策：
  ①当公司发展阶段属成熟期且无重大资金支出安排的，进行利润分配时，现
金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到 80%；
  ②当公司发展阶段属成熟期且有重大资金支出安排的，进行利润分配时，现
金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到 40%；
  ③当公司发展阶段属成长期且有重大资金支出安排的，进行利润分配时，现
金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到 20%；
  当公司发展阶段不易区分但有重大资金支出安排的，可以按照前项规定处理。
  现金分红在本次利润分配中所占比例为现金股利除以现金股利与股票股利
之和。
  （4）发放股票股利的条件
  若公司经营情况良好，并且董事会认为公司股票价格与公司股本规模不匹配、
每股净资产偏高、发放股票股利有利于公司全体股东整体利益时，可以提出实施
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股票股利分配预案。采用股票股利进行股利分配的，应当考虑公司成长性、每股
净资产的摊薄等真实合理因素。
  （5）利润分配的决策程序和机制
  公司董事会在制定利润分配方案时，应当认真研究和论证现金分红的时机、
条件和最低比例、调整的条件及其决策程序要求等事项，独立非执行董事应当发
表明确意见。股东大会对利润分配方案进行审议前，公司应当通过多种渠道主动
与股东（尤其是中小股东）进行沟通和交流，充分听取中小股东的意见。
  （6）公司利润分配政策调整的决策机制和程序
  公司认为确有必要对利润分配政策进行调整或者变更的，应当将修订后的利
润分配政策提交股东大会审议。
  公司在特殊情况下无法按照既定的现金分红政策或最低现金分红比例确定
当年利润分配方案的，应当按照中国证券监督管理委员会、上海证券交易所的相
关规定执行。
  股东分红回报规划经公司股东特别大会审议通过，自公司首次公开发行人民
币普通股股票并在上海证券交易所科创板上市之日起生效并实施。
  （二）公司本次发行前后的股利分配政策差异情况
  本次发行前，公司根据《证券法》《中国证券监督管理委员会关于进一步落
实上市公司现金分红有关事项的通知》《上市公司监管指引第 3 号-上市公司现
金分红（2022 年修订）》《科创板上市规则》等法律、法规及规范性文件的规
定，配合适用《公司条例》及香港联交所的有关规定，结合《公司章程》及公司
实际情况，公司制定《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）
并在上海证券交易所科创板上市后三年股东分红回报规划》。
  根据该计划，公司进一步完善了本次发行后的股利分配政策，对利润分配原
则及分配形式、公司现金分红的具体条件、现金形式分红的比例与时间间隔、发
放股票股利的条件、利润分配的决策程序和机制等事项进行了明确规定。
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     （三）发行人重要子公司分红政策
     华虹半导体境内主要运营子公司为上海华虹宏力、华虹无锡，上海华虹宏力、
华虹无锡公司章程中关于分红政策的规定如下：
序号   公司名称            《公司章程》中的分红政策
            公司依照中国税法规定缴纳所得税后的利润，应当提取储备基金和职工
            奖励及福利基金，职工奖励及福利基金的提取比例和使用由董事会决
     上海华虹
      宏力
            比例或有关协议分配。公司以往会计年度亏损未弥补前不得分配使用利
            润。
            公司依照中国税法规定缴纳所得税后的利润，应当提取利润的百分之十
            列入公司法定公积金。公司法定公积金累计额为公司注册资本的百分之
            五十以上的，可以不再提取。公司的法定公积金不足以弥补以前年度亏
            损的，在依照前款规定提取法定公积金之前, 应当先用当年利润弥补亏
            损。公司弥补亏损和提取公积金后所余税后利润，由股东决定分配。公
            司以往会计年度亏损未弥补前不得分配使用利润。
三、特别表决权股份、协议控制的特殊安排
     《公司章程》和《组织章程细则》未针对特定股东设置特别表决权股份，公
司股东亦不存在协议控制的特殊安排情况。
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                  第十节 其他重要事项
一、重大合同
     本部分所列示的重大合同，是指对公司报告期内经营活动、财务状况或未来
发展等具有重要影响的已履行或正在履行的合同。报告期内，公司签署的重大合
同主要涉及正常生产经营活动，不存在重大不利或潜在风险和纠纷情况。
     （一）重大销售合同
     截至 2022 年 12 月 31 日，发行人及其控股子公司与报告期累计前五大客户
正在履行的销售框架协议或金额最大的订单如下：
                                                         截至 2022 年
                销售产品及     合同/订单       合同期限或订单签
序号      客户名称                                             12 月 31 日
                 服务        金额           订日期
                                                          履行情况
                                      初始有效期 3 年，
      无锡新洁能股份
       有限公司
                                      期后自动延期 1 年
                                      初始有效期 5 年，
      格科微电子（上
       海）有限公司
                                      期后自动延期 5 年
                             万元
                        初始有效期 3 年，
                        期后自动延期 1 年
                        初始有效期 2 年，
                        期后自动延期 1 年
                        初始有效期 3 年，
    苏州东微半导体
     股份有限公司
                        期后自动延期 1 年
  注：相关合同由按最终控制方合并计算的客户合并范围内的公司签署。
     （二）重大原材料采购合同
     截至 2022 年 12 月 31 日，发行人及其控股子公司与报告期累计前五大原材
料供应商正在履行或履行完毕的金额最大的订单如下：
                                                       截至 2022 年 12
序号         供应商名称         合同标的         合同/订单金额            月 31 日
                                                        履行情况
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        （三）重大设备采购合同
        截至 2022 年 12 月 31 日，发行人及其控股子公司与报告期内主要设备供应
商正在履行的采购框架协议或金额最大的订单如下：
                                                                 截至 2022 年
序号         供应商名称          采购内容    合同金额            合同期限           12 月 31 日
                                                                  履行情况
                                              初始有效期 3 年，除
                                                自动延期 1 年
                                              初始有效期 3 年，除
                                                自动延期 1 年
                                              初始有效期 3 年，除
                                                自动延期 1 年
                                    欧元               署
                                              初始有效期 5 年，除
                                                自动延期 1 年
        （四）重大借款合同
        截至 2022 年 12 月 31 日，公司正在履行的 50,000 万元及以上的银行授信和
借款合同情况如下：
                                                                借款期限/贷款
序号        合同名称          借款方        贷款方              合同金额
                                                                 额度有效期
                                                                自首次提款日
            美元
                              国家开发银行上海市分行、中                     起至 96 个月届
         元银团贷款          宏力                            美元
                                  海张江分行                         （2021/9/30-202
            合同
                              国家开发银行江苏省分行、中
                              国建设银行股份有限公司无
                              锡分行、中国农业银行股份有
                              限公司无锡分行、中国银行股
         银团贷款合                                       150,000    2020/12/28-2030
           同                                         万美元             /12/27
                              行股份有限公司无锡分行、上
                              海银行股份有限公司无锡分
                              行、招商银行股份有限公司无
                                   锡分行
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                                              借款期限/贷款
序号    合同名称   借款方         贷款方       合同金额
                                               额度有效期
     固定资产借          招商银行股份有限公司无锡   14.00 亿    2022/1/21-2027/
      款合同                分行        元人民币            1/20
                                              自该合同约定
     建设项目外
                                     美元       提款日起 12 个
      贷款合同
                                              月期满之日止
                                              自首次提款日
     外汇中长期                                    起至本合同约
                                     美元
       同                                      贷款的最后一
                                               个还本日止
二、公司对外担保情况
     截至 2022 年 12 月 31 日，公司不存在为发行人及其控股子公司之外的第三
方提供担保的情形。
三、重大诉讼或仲裁事项
     （一）发行人或控股子公司的重大诉讼或仲裁事项
     截至本招股说明书签署日，发行人及其控股子公司不存在作为一方当事人对
公司财务状况、经营成果、声誉、业务活动、未来前景等可能产生重大不利影响
的诉讼或仲裁事项。
     （二）控股股东、董事、高级管理人员及核心技术人员的刑事诉讼、重大
诉讼或仲裁事项
     截至本招股说明书签署日，发行人控股股东以及发行人董事、高级管理人员
与核心技术人员均不存在作为一方当事人的刑事诉讼、重大诉讼或仲裁事项，亦
不存在尚未了结或可能面临的重大诉讼。
     （三）发行人董事、高级管理人员和核心技术人员最近三年涉及行政处罚、
被司法机关立案侦查、被中国证监会立案调查情况
     截至本招股说明书签署日，发行人董事、高级管理人员和核心技术人员最近
三年不存在涉及行政处罚、被司法机关立案侦查或被中国证监会立案调查的情况。
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                第十一节 声明
一、发行人全体董事、高级管理人员声明
  本公司及全体董事、高级管理人员承诺本招股说明书的内容真实、准确、完
整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，按照诚信原则履行承诺，并承担
相应的法律责任。
全体董事签字：
    张素心           唐均君             孙国栋
    王   靖         叶    峻          张祖同
    王桂壎           叶龙蜚
除董事以外的全体高级管理人员签字：
                             Daniel Yu-Cheng
    周卫平           倪立华
                             Wang（王鼎）
  Weiran Kong
  （孔蔚然）
                            华虹半导体有限公司
                              年     月     日
华虹半导体有限公司             招股说明书
华虹半导体有限公司             招股说明书
华虹半导体有限公司             招股说明书
华虹半导体有限公司                                   招股说明书
二、发行人控股股东、实际控制人声明
  本公司承诺本招股说明书的内容真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导
性陈述或重大遗漏，按照诚信原则履行承诺，并承担相应的法律责任。
SHANGHAI HUA HONG INTERNATIONAL, INC.（上海华虹国际公司）
                                              （公章）
                           董事会主席：
                                           张素心
                                       年     月   日
华虹半导体有限公司                           招股说明书
二、发行人控股股东、实际控制人声明
  本公司承诺本招股说明书的内容真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导
性陈述或重大遗漏，按照诚信原则履行承诺，并承担相应的法律责任。
                      上海华虹（集团）有限公司（公章）
                    法定代表人：
                                   张素心
                               年     月   日
华虹半导体有限公司                          招股说明书
三、保荐人（主承销商）声明
  本公司已对招股说明书进行核查，确认招股说明书的内容真实、准确、完整，
不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。
项目协办人：
                陈是来
保荐代表人：
                寻国良            李   淳
法定代表人/董事长：
                贺   青
                          国泰君安证券股份有限公司
                               年    月   日
华虹半导体有限公司                          招股说明书
三、保荐人（主承销商）声明
  本人已认真阅读本招股说明书的全部内容，确认招股说明书的内容真实、准
确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。
总经理（总裁）：
                王    松
  董事长：
                贺    青
                          国泰君安证券股份有限公司
                               年    月   日
华虹半导体有限公司                              招股说明书
三、保荐人（主承销商）声明（一）
  本公司已对招股说明书进行核查，确认招股说明书的内容真实、准确、完整，
不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。
项目协办人签名：
              朱威
保荐代表人签名：
             邬凯丞             刘勃延
法定代表人签名：
             周   杰
                               海通证券股份有限公司
                                   年   月   日
华虹半导体有限公司                            招股说明书
三、保荐人（主承销商）声明（二）
  本人已认真阅读华虹半导体有限公司招股说明书的全部内容，确认招股说明
书不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对招股说明书真实性、准确性、
完整性、及时性承担相应法律责任。
总经理签名：
             李   军
董事长签名：
             周   杰
                               海通证券股份有限公司
                                 年   月   日
华虹半导体有限公司                               招股说明书
四、发行人律师声明
  本所及经办律师已阅读华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A
股）股票并在科创板上市招股说明书（以下简称“招股说明书”），确认招股说
明书与本所出具的法律意见书无矛盾之处。本所及经办律师对发行人在招股说明
书中引用的法律意见书的内容无异议，确认招股说明书不致因上述内容而出现虚
假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。
  经办律师：
              李仲英           张征轶
              郭   珣         夏   青
  律师事务所负责人：
              韩    炯
                            上海市通力律师事务所
                                    年    月   日
华虹半导体有限公司              招股说明书
五、会计师事务所声明
华虹半导体有限公司                           招股说明书
六、联席主承销商声明
  本公司已对招股说明书进行核查，确认招股说明书的内容真实、准确、完整，
不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。
法定代表人签名：
             张佑君
                             中信证券股份有限公司
                                年    月   日
华虹半导体有限公司                             招股说明书
六、联席主承销商声明
  本公司已对招股说明书进行核查，确认招股说明书的内容真实、准确、完整，
不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。
法定代表人签名：
             沈如军
                             中国国际金融股份有限公司
                                  年    月   日
华虹半导体有限公司                             招股说明书
六、联席主承销商声明
  本公司已对招股说明书进行核查，确认招股说明书的内容真实、准确、完整，
不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。
法定代表人签名：
             崔洪军
                             东方证券承销保荐有限公司
                                  年    月   日
华虹半导体有限公司                           招股说明书
六、联席主承销商声明
  本公司已对招股说明书进行核查，确认招股说明书的内容真实、准确、完整，
不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。
法定代表人签名：
             孙孝坤
                             国开证券股份有限公司
                                年    月   日
华虹半导体有限公司                     招股说明书
              第十二节 附件
  （一）发行保荐书；
  （二）上市保荐书；
  （三）法律意见书；
  （四）财务报表及审计报告；
  （五）公司章程；
  （六）落实投资者关系管理相关规定的安排、股利分配决策程序、股东投票
机制建立情况；
  （七）与投资者保护相关的承诺；
  （八）发行人及其他责任主体作出的与发行人本次发行上市相关的承诺事项；
  （九）内部控制鉴证报告；
  （十）经注册会计师鉴证的非经常性损益明细表；
  （十一）股东大会、董事会、独立董事、董事会秘书制度的建立健全及运行
情况说明；
  （十二）审核委员会及其他专门委员会的设置情况说明；
  （十三）募集资金具体运用情况；
  （十四）子公司、参股公司简要情况；
  （十五）其他与本次发行有关的重要文件。
华虹半导体有限公司                                                                        招股说明书
                                      附录
附表一：房屋建筑物情况
                                                             建筑面积                   所有权限
序号   所有权人               权证编号                 位置                             用途
                                                             （m2）                    制情况
     上海华虹        沪房地浦字（2015）第
      宏力             010982 号
     上海华虹       沪（2021）浦字不动产权
      宏力           第 132930 号
                                        川桥路 1188 号
     上海华虹       沪（2020）浦字不动产权
      宏力           第 074885 号
                                             幢
                苏（2020）无锡市不动产          新洲路 28，30，                          工业、交
                  权第 0178538 号          锡兴路 27，29                          通、仓储
附表二：租赁房产情况
序号   承租方           出租方           租赁地址           租赁面积（m2）                  租赁期限        用途
                        金桥出口加工
     上海华       住友仓储（中国）                                          2022 年 6 月 15 日至
     虹宏力       有限公司                                              2024 年 6 月 14 日
                        号仓库
     上海华       住友仓储（中国） 申东路 251 弄 4                              2022 年 6 月 15 日至
     虹宏力       有限公司     号仓库                                      2024 年 6 月 14 日
                               上海金山区浦
     上海华       上海北芳储运集                                           2022 年 6 月 1 日至
     虹宏力       团有限公司                                             2024 年 5 月 31 日
                               号
                               香港中环夏慤
               申联国际投资
                               道 12 号美国银        360.00 平方英       2021 年 1 月 1 日至
                               行中心 22 楼              尺           2023 年 12 月 31 日
               司
                                                                 自 2013 年 6 月 3 日至
                               横浜市港北区
     HHGrace                                                     但在合同期满前 6 个
      Japan                                                      月无拒绝更新的意思
                               番地 10
                                                                 表示时，此后自动延
                                                                 长2年
                                                                 自 2014 年 12 月 1 日
                                                                 至 2016 年 11 月 30 日
                               东京都港区虎
     HHGrace   富山电气大厦株                                           为止。在合同期满前
      Japan    式会社                                               6 个月无不延长的意
                               番 20 号
                                                                 思表示时，此后自动
                                                                 延长 2 年
     HHGrace   WH Silicon                       5,770 平方英        2018 年 7 月 1 日至
      USA      Valley VI LP                          尺           2023 年 6 月 30 日
                               Milpitas,CA
                               上海市浦东新
     上海华                       区锦绣东路                             自交付日（2014 年 1        员工翻
     虹宏力                       2777 弄华虹创                         月 1 日）起 20 年         班宿舍
                               新园
                               上海市浦东新
     上海华                       区锦绣东路                             2023 年 1 月 1 日至      员工翻
     虹宏力                       2777 弄华虹创                         2025 年 12 月 31 日     班宿舍
                               新园
注：附表二为发行人及其子公司的经营性主要租赁房产。
华虹半导体有限公司                                                     招股说明书
附表三：土地使用权情况
                                       宗地面积         取得方   权利终止
序号   所有权人     权证编号          位置                                       用途
                                       （㎡）           式     日期
             沪房地浦字
     上海华虹                郭守敬路 668                         2051 年 9   工业用
      宏力                   号                               月4日        地
            沪（2021）浦字
     上海华虹                郭守敬路 818                         2051 年 3   高科技
      宏力                   号                               月8日       用地
            沪（2020）浦字    川桥路 1188
     上海华虹                                                 2046 年 6   工业用
      宏力                                                   月 17 日     地
            苏（2020）无锡    新洲路 28，
                                                           月 27 日     地
                         新吴区清源路
            苏（2021）无锡                                                居住、
                         与净慧西道交                           2061 年 1
                          叉口西南侧                            月6日
                          （A 地块）
                         新吴区清源路
            苏（2021）无锡                                                居住、
                         与净慧西道交                           2061 年 1
                          叉口西南侧                            月6日
                          （B 地块）
华虹半导体有限公司                                                          招股说明书
附表四：主要专利情况
     （一）境内专利情况
     截至 2022 年 12 月 31 日，对发行人主营业务有重要影响的境内专利情况如
下表所示，其中通过继受方式取得的发明专利均因由合并重组继受自合并前主体
而形成。
                                                             专利权   权利
序    专利类                                                                他项权
               专利名称              专利号            专利期限        （申请）   取得
号     别                                                                  利
                                                              人    方式
           具有双超浅隔离结构的                           2009 年 10
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
              制作方法                                 20 年
           一种垂直双扩散 MOS 晶                                    上海华虹   继受
             体管的制备方法                                         宏力    取得
           VDMOS 晶体管测试结                                     上海华虹   继受
                  构                                          宏力    取得
                                                    年
           SONOS 的存储单元及其                                    上海华虹   继受
                操作方法                                         宏力    取得
           一种浮栅为 SONOS 结构                                   上海华虹   继受
               的闪存                                           宏力    取得
                                                    年
           SONOS 闪存器件采用氧                        2009 年 11
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                制作方法                               20 年
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                                                    年
           OTP 器件的单元结构及                                     上海华虹   继受
               其制造方法                                         宏力    取得
                                                    年
           功率 MOS 晶体管内集成                        2009 年 12
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
               制造方法                                 年
           超结 VDMOS 器件及其                                    上海华虹   继受
               制造方法                                          宏力    取得
                                                    年
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                                                    年
           超级结器件的终端保护                          2010 年 4 月   上海华虹   继受
            结构及其制造方法                           6 日起 20 年     宏力    取得
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
           小线宽沟槽 DMOS 的实                       2010 年 1 月   上海华虹   继受
               现方法                             6 日起 20 年     宏力    取得
华虹半导体有限公司                                                          招股说明书
                                                             专利权   权利
序    专利类                                                                他项权
               专利名称              专利号            专利期限        （申请）   取得
号     别                                                                  利
                                                              人    方式
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
           SONOS 器件及其制造方                                    上海华虹   继受
                  法                                          宏力    取得
                                                    年
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                                                    年
           外延片形成方法及使用                                       上海华虹   继受
           该方法形成的外延片                                         宏力    取得
                                                    年
           EEPROM 器件的制作方                                    上海华虹   继受
                  法                                          宏力    取得
                                                    年
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                                                    年
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                                                    年
           沟槽型 MOSFET 结构及                                   上海华虹   继受
              其制备方法                                          宏力    取得
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                                                    年
           用于 NVM 测试中不同
                应方法
           一种存储单元读取装置                                       上海华虹   继受
             及读取方法                                           宏力    取得
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                                                    年
           BCD 工艺中的自对准高                                     上海华虹   继受
           压 CMOS 制造工艺方法                                     宏力    取得
           EEPROM 器件的制作方                                    上海华虹   继受
                  法                                          宏力    取得
           超级结 LDMOS 器件及                                    上海华虹   继受
              制造方法                                           宏力    取得
                                                    年
           超级结半导体器件的制                                       上海华虹   继受
              作方法                                            宏力    取得
                                                    年
            SONOS 工艺中 5 伏                                   上海华虹   继受
           PMOS 器件及制造方法                                      宏力    取得
                                                    年
华虹半导体有限公司                                                            招股说明书
                                                               专利权   权利
序    专利类                                                                  他项权
               专利名称                专利号            专利期限        （申请）   取得
号     别                                                                    利
                                                                人    方式
           结合超级结穿通型沟槽                                         上海华虹   继受
            IGBT 器件制造方法                                        宏力    取得
           超级结器件的终端保护                            2011 年 7 月   上海华虹   继受
            结构及制造方法                              5 日起 20 年     宏力    取得
           MTP 器件的单元结构及                                       上海华虹   继受
               其操作方法                                           宏力    取得
                                                      年
           在 CMOS 工艺中集成光                                      上海华虹   继受
              电二极管的方法                                          宏力    取得
           在 SONOS 非挥发性存储                         2010 年 10
                                                              上海华虹   继受
                                                               宏力    取得
                 的方法                                20 年
           隔离型 LDMOS 的制造                                      上海华虹   继受
                方法                                             宏力    取得
                                                      年
           存储器以及制造存储器                                         上海华虹   继受
              的方法                                              宏力    取得
                                                      年
           超级结半导体器件及其                                         上海华虹   继受
              制作方法                                             宏力    取得
           用于功率金属氧化物晶                             2010 年 11
                                                              上海华虹   继受
                                                               宏力    取得
              位方法                                   20 年
           超级结半导体器件的终                                         上海华虹   继受
           端保护结构及制作方法                                          宏力    取得
                                                      年
                                                              上海华虹   继受
                                                               宏力    取得
                                                      年
           RFCMOS 射频相关性噪                                      上海华虹   继受
                声的模型                                           宏力    取得
                                                      年
           隔离型功率晶体管的制                                         上海华虹   继受
              造方法                                              宏力    取得
                                                      年
           提高 SOA 能力的功率器                                      上海华虹   继受
            件结构及其制造方法                                          宏力    取得
           深亚微米半导体器件的                                         上海华虹   继受
             工艺集成方法                                            宏力    取得
                                                      年
           基于 NMOS 的 OTP 器件                                   上海华虹   继受
               的制造方法                                           宏力    取得
                                                      年
           超级结器件及其制作方                            2012 年 9 月   上海华虹   继受
               法                                 5 日起 20 年     宏力    取得
华虹半导体有限公司                                                          招股说明书
                                                             专利权   权利
序    专利类                                                                他项权
               专利名称              专利号            专利期限        （申请）   取得
号     别                                                                  利
                                                              人    方式
           分栅闪存单元及其形成                                       上海华虹   继受
               方法                                            宏力    取得
                                                            上海华虹   继受
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                                                    年
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
           BiCMOS 工艺中的垂直                        2011 年 12
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                 造方法                               20 年
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                                                    年
           提高沟槽栅顶角栅氧可                                       上海华虹   继受
             靠性的方法                                           宏力    取得
           分栅式存储器制造方法                                       上海华虹   继受
            以及分栅式存储器                                         宏力    取得
                                                    年
            超级结结构、超级结                          2011 年 9 月
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                 法                                  年
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                                                    年
           防止晶圆边缘器件良率                                       上海华虹   继受
              低的方法                                           宏力    取得
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                                                    年
           一种 5VCMOS 器件结构                                   上海华虹   继受
              及其制造方法                                         宏力    取得
                                                    年
           晶圆级测试结构和测试                                       上海华虹   继受
               方法                                            宏力    取得
           逆导型 IGBT 半导体器                                    上海华虹   继受
             件及制造方法                                          宏力    取得
                                                    年
           非挥发性存储器的数据                                       上海华虹   继受
            自动比较测试电路                                         宏力    取得
                                                    年
           IGBT 器件及其制作工艺                                    上海华虹   继受
                  方法                                         宏力    取得
                                                    年
                                                            上海华虹   继受
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                                                    年
华虹半导体有限公司                                                            招股说明书
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序    专利类                                                                  他项权
               专利名称                专利号            专利期限        （申请）   取得
号     别                                                                    利
                                                                人    方式
           自对准多晶硅化物工艺                                         上海华虹   继受
            方法及半导体器件                                           宏力    取得
                                                      年
                                                              上海华虹   继受
                                                               宏力    取得
                                                              上海华虹   继受
                                                               宏力    取得
                                                      年
                                                              上海华虹   继受
                                                               宏力    取得
                                                              上海华虹   继受
                                                               宏力    取得
                                                      年
           CMOS 图像传感器及其                                       上海华虹   继受
                形成方法                                           宏力    取得
                                                      年
                                                              上海华虹   继受
                                                               宏力    取得
                                                      年
           无缺陷选择性外延的生                                         上海华虹   继受
              长方法                                              宏力    取得
                                                      年
           以具有外延层的衬底制                             2011 年 12
                                                              上海华虹   继受
                                                               宏力    取得
              的方法                                     年
           非挥发性存储器的擦除                                         上海华虹   继受
               方法                                              宏力    取得
                                                      年
             CMOS 工艺中集成                          2012 年 8 月
                                                              上海华虹   继受
                                                               宏力    取得
               器件的方法                                  年
           一种改善硅片翘曲度的                                         上海华虹   继受
            深沟槽制造方法                                            宏力    取得
                                                      年
           场截止型绝缘栅双极晶                                         上海华虹   继受
            体管及其制造方法                                           宏力    取得
                                                      年
            ONO 结构及其制作方                                       上海华虹   继受
           法、存储器及其制作方法                                         宏力    取得
           一种 SOI 体接触 MOS 晶                                   上海华虹   继受
            体管及其形成方法                                           宏力    取得
                                                      年
                                                              上海华虹   继受
                                                               宏力    取得
           微机电系统压力传感器                            2012 年 3 月   上海华虹   继受
               的制作方法                             9 日起 20 年     宏力    取得
           光刻对准参数预测方法                            2012 年 5 月   上海华虹   继受
              以及光刻方法                             9 日起 20 年     宏力    取得
           SRAM 存储器及其形成                          2011 年 7 月   上海华虹   继受
                 方法                              4 日起 20 年     宏力    取得
华虹半导体有限公司                                                          招股说明书
                                                             专利权   权利
序     专利类                                                               他项权
               专利名称              专利号            专利期限        （申请）   取得
号      别                                                                 利
                                                              人    方式
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                                                    年
             集成过流保护的                                        上海华虹   继受
            MOSFET 及制造方法                                     宏力    取得
                                                    年
            自对准接触孔的小尺寸                         2012 年 7 月
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                   法                                年
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
            精确控制晶圆减薄厚度                                      上海华虹   继受
               的方法                                           宏力    取得
            形成于 SOI 衬底上的静                                   上海华虹   继受
             态随机存取存储器                                        宏力    取得
                                                    年
            一种晶圆盒清洗装置及                         2012 年 5 月   上海华虹   继受
              其清洗方法                            9 日起 20 年     宏力    取得
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                                                    年
            一次可编程存储器以及                                      上海华虹   继受
               制造方法                                          宏力    取得
            一种深沟槽的硅外延填                                      上海华虹   继受
               充方法                                           宏力    取得
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
            结合快复管的 IGBT 器                                   上海华虹   继受
              件制造方法                                          宏力    取得
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                                                    年
            集成 MEMS 器件及其制                                   上海华虹   原始
                 作方法                                         宏力    取得
                                                    年
            半导体晶圆的刷洗装置                                      上海华虹   原始
              和刷洗方法                                          宏力    取得
                                                    年
华虹半导体有限公司                                                           招股说明书
                                                              专利权   权利
序     专利类                                                                他项权
                专利名称              专利号            专利期限        （申请）   取得
号      别                                                                  利
                                                               人    方式
            图像传感器的像素单元                          2014 年 3 月   上海华虹   原始
              及其形成方法                            7 日起 20 年      宏力   取得
            利用红外光谱检测键合
                法
            EEPROM 结构、存储阵
                  方法
            存储器单元阵列及其形                                       上海华虹   原始
             成方法和驱动方法                                         宏力    取得
                                                     年
                                                             上海华虹   原始
                                                              宏力    取得
                                                     年
            沟槽栅半导体器件的制                                       上海华虹   原始
               造方法                                            宏力    取得
            闪存存储单元及其形成                                       上海华虹   原始
                方法                                            宏力    取得
                                                     年
            沟槽功率器件及其制作                                       上海华虹   原始
                方法                                            宏力    取得
                                                     年
                                                             上海华虹   原始
                                                              宏力    取得
                                                     年
                                                             上海华虹   原始
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                                                              宏力    取得
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            太鼓减薄工艺的去环方                                       上海华虹   原始
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            包含中压 SGT 结构的                                     上海华虹   原始
            MOSFET 及其制作方法                                     宏力    取得
            射频 LDMOS 器件的制                                    上海华虹   原始
                 造方法                                          宏力    取得
            改善 FLASH 可靠性的方                                   上海华虹   原始
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华虹半导体有限公司                                                           招股说明书
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序     专利类                                                                他项权
                专利名称              专利号            专利期限        （申请）   取得
号      别                                                                  利
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            半导体器件及其形成方                                       上海华虹   原始
                法                                             宏力    取得
            改善 IGBT 背面金属化                                    上海华虹   原始
               的工艺方法                                          宏力    取得
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            IGBT 背面金属化退火的                                    上海华虹   原始
                  工艺方法                                        宏力    取得
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            闪存产品自对准光刻工                                       上海华虹   原始
              艺测试方法                                           宏力    取得
            OSC 频率自动校准电路                                     上海华虹   原始
              及自动校准方法                                         宏力    取得
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            ADC 的自适应滤波数字                                     上海华虹   原始
              校准电路和方法                                         宏力    取得
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            嵌入式闪存的结构及嵌                                       上海华虹   原始
            入式闪存的制造方法                                         宏力    取得
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            OTP 器件的结构和制作                                     上海华虹   原始
                  方法                                          宏力    取得
            提高电感器 Q 值的方法                                     上海华虹   原始
               以及电感器                                          宏力    取得
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            IGBT 负阻问题的改善方                                    上海华虹   原始
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            OPC 前期对版图的处理                                     上海华虹   原始
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            MEMS 器件及晶圆级密                                     上海华虹   继受
              封性的测量方法                                         宏力    取得
                                                     年
            一种降低 SONOS 存储器                                   上海华虹   原始
              串联电阻的方法                                         宏力    取得
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            太鼓减薄工艺的环切工                                       上海华虹   原始
               艺方法                                            宏力    取得
            屏蔽栅-深沟槽 MOSFET                      2016 年 1 月
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                成方法                                  年
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序     专利类                                                                   他项权
                 专利名称                专利号            专利期限        （申请）   取得
号      别                                                                     利
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            EEPROM 存储器及其操                          2017 年 1 月   上海华虹   原始
                  作方法                              4 日起 20 年     宏力    取得
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            划片槽测试结构及测试                                          上海华虹   原始
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            BCD 器件深沟槽隔离方                                        上海华虹   原始
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            逆导型超结 IGBT 器件                                       上海华虹   原始
              及其制造方法                                             宏力    取得
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            SRAM 的 IP 地址建立时                                     上海华虹   原始
             间的测量电路和方法                                           宏力    取得
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              屏蔽栅沟槽功率                              2017 年 9 月
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            沟槽型超级结及其制造                                          上海华虹   原始
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                                                             专利权   权利
序     专利类                                                               他项权
                专利名称            专利号             专利期限        （申请）   取得
号      别                                                                 利
                                                              人    方式
            沟槽栅超结器件及其制                                      上海华虹   原始
               造方法                                           宏力    取得
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            IGBT 复合元胞结构及其                                   上海华虹   原始
              构成的可编程 IGBT                                    宏力    取得
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            用于 OPC 验证的验证图                                   上海华虹   原始
             形的量化分析方法                                        宏力    取得
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            清洗单元的清洗效率侦                                      上海华虹   原始
               测方法                                           宏力    取得
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            射频开关器件及其形成                                      上海华虹   原始
                方法                                           宏力    取得
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            存储器及其干扰检测和                                      上海华虹   原始
             消除的方法、装置                                        宏力    取得
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            低噪声放大器及射频终                         2016 年 5 月   上海华虹   原始
                  端                            9 日起 20 年     宏力    取得
            利用多晶锗硅通孔形成                         2016 年 7 月
                                                            上海华虹   原始
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            改善栅极侧墙形貌的方                         2016 年 5 月
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            光刻胶去除方法及半导                                      上海华虹   原始
             体器件制作方法                                         宏力    取得
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            闪存存储器及其形成方                                      上海华虹   原始
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            分栅式闪存器件制造方                                      上海华虹   原始
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            SOI 射频开关结构及集                                    上海华虹   原始
                  成电路                                        宏力    取得
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华虹半导体有限公司                                                          招股说明书
                                                             专利权   权利
序     专利类                                                               他项权
               专利名称              专利号            专利期限        （申请）   取得
号      别                                                                 利
                                                              人    方式
            存储器系统、存储器阵列                                     上海华虹   原始
            及其读和编程操作方法                                       宏力    取得
                                                    年
            CMOS 图像传感器及其                                    上海华虹   原始
                 制作方法                                        宏力    取得
            一种用于光刻版图 OPC                                    上海华虹   原始
             的采样方法及装置                                        宏力    取得
                                                    年
            嵌入式闪存的多晶硅干                                      上海华虹   原始
            蚀刻工艺的选择方法                                        宏力    取得
            防止闪存单元控制栅极                                      上海华虹   原始
            空洞的工艺制造方法                                        宏力    取得
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            芯片的钝化层及形成芯                         2017 年 7 月   上海华虹   原始
             片的钝化层的方法                          7 日起 20 年     宏力    取得
            闪存单元、闪存单元的编
                除方法
            一种自对准曝光半导体                                      上海华虹   原始
             结构的制作方法                                         宏力    取得
            一种 EEPROM 及其擦                                   上海华虹   原始
             除、编程和读方法                                        宏力    取得
            一种检测掩膜版与掩膜                                      上海华虹   原始
            台接触面污染的方法                                        宏力    取得
            探针卡电路及其测试方                                      上海华虹   原始
                法                                            宏力    取得
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                                                    年
            NORD 存储阵列及其制                                    上海华虹   原始
              造方法、存储器                                        宏力    取得
                                                    年
            一种擦除增强型 NORD                                    上海华虹   原始
             闪存及其制备方法                                        宏力    取得
                                                    年
            一种嵌入式闪存结构的                                      上海华虹   原始
               形成方法                                          宏力    取得
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华虹半导体有限公司                                                          招股说明书
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序     专利类                                                               他项权
                专利名称             专利号            专利期限        （申请）   取得
号      别                                                                 利
                                                              人    方式
            超级结及其制造方法、超                                     上海华虹   原始
            级结的深沟槽制造方法                                       宏力    取得
                                                    年
            EEPROM 结构及其制备                      2019 年 9 月   上海华虹   原始
                  方法                           9 日起 20 年     宏力    取得
            射频开关器件的形成方                                      上海华虹   原始
             法及射频开关器件                                        宏力    取得
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            分栅式存储器及其制作                                      上海华虹   原始
                方法                                           宏力    取得
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            OTP 器件结构及其制备                                    上海华虹   继受
                  方法                                         宏力    取得
            功率 MOS 管的结构及其                                   上海华虹   原始
                制造方法                                         宏力    取得
             集成超势垒整流器的                                      上海华虹   原始
            IGBT 器件及制造方法                                     宏力    取得
            提高 IGBT 性能的背面                                   上海华虹   原始
              工艺制作方法                                         宏力    取得
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                                                    年
            采用大马士革工艺制备                         2008 年 8 月
                                                            上海华虹   继受
                                                             宏力    取得
                法                                   年
            超深沟槽的多级刻蚀与                                      上海华虹   继受
               填充方法                                          宏力    取得
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            一种 NVM 中的负电荷                                    上海华虹   原始
                  泵                                          宏力    取得
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序     专利类                                                                 他项权
                专利名称              专利号             专利期限        （申请）   取得
号      别                                                                   利
                                                                人    方式
            一种半导体器件以及形                                        上海华虹   原始
               成方法                                             宏力    取得
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                  工艺方法                                         宏力    取得
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            一种绝缘体上硅射频开                                        上海华虹   原始
            关器件及其制造方法                                          宏力    取得
                                                      年
            刻蚀方法及半导体器件                                        上海华虹   原始
              的制造方法                                            宏力    取得
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            LDMOS 器件及其制作                                             原始
                  方法                                                 取得
            LDMOS 器件的制作方                                             原始
              法、LDMOS 器件                                             取得
            WAT 设备的测试头及其                                             原始
               诊断修复方法                                                取得
                                                              上海华虹   原始
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                                                      年
            LDMOS 晶体管的场氧                         2019 年 5 月
                                                              上海华虹   原始
                                                               宏力    取得
                  方法                                  年
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            晶圆特性测试系统和方                                        上海华虹   原始
                法                                              宏力    取得
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序     专利类                                                                 他项权
                专利名称               专利号            专利期限        （申请）   取得
号      别                                                                   利
                                                                人    方式
            电荷泵电路的待机电压                           2020 年 9 月   上海华虹   原始
               调节方法                              8 日起 20 年     宏力    取得
            一种分栅快闪存储器的                            2019 年 10
                                                              上海华虹   原始
                                                               宏力    取得
                 方法                                 20 年
            定位环及化学机械抛光                                        上海华虹   原始
                机台                                             宏力    取得
                                                      年
            超级结器件的晶圆背面                                        上海华虹   原始
               工艺方法                                            宏力    取得
                                                      年
            MIM 电容的测试结构及                                      上海华虹   原始
                其制备方法                                          宏力    取得
                                                      年
            屏蔽栅沟槽型器件的工                                        上海华虹   原始
               艺方法                                             宏力    取得
                                                      年
            低频振荡电路及偏置电                           2018 年 3 月   上海华虹   原始
             压和电流产生电路                            5 日起 20 年     宏力    取得
            一种提高 OPC 初值预估                                     上海华虹   原始
               精度的方法                                           宏力    取得
                                                      年
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            非挥发性存储器冗余存                           2020 年 5 月
                                                              上海华虹   原始
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              制测试方法                                   年
            离子注入机台的监控方                                        上海华虹   原始
                法                                              宏力    取得
                                                      年
            一种由射频开关控制的                                        上海华虹   原始
               衰减器                                             宏力    取得
            改善 PMOS OTP 性能的                                   上海华虹   原始
                  方法                                           宏力    取得
                                                      年
            MEMS 感知器结构及其                                      上海华虹   原始
                 制造方法                                          宏力    取得
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序     专利类                                                               他项权
               专利名称              专利号            专利期限        （申请）   取得
号      别                                                                 利
                                                              人    方式
                                                            上海华虹   原始
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                                                   年
            电压控制电路及其控制                                      上海华虹   原始
                方法                                           宏力    取得
                                                   年
            一种一次可编程器件的                                      上海华虹   原始
               制造方法                                          宏力    取得
                                                    年
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                                                                   取得
            沟槽的集成结构及其制                                             原始
               造方法                                                 取得
                                                                   原始
                                                                   取得
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            超薄栅极 CMOS 器件的                                          原始
               制造方法                                                取得
            一种减少晶圆边缘聚焦                                             原始
              不良的方法                                                取得
            OTP 存储器及其制造方                                           原始
                  法                                                取得
                                                                   原始
                                                                   取得
            对硅氧化物和多晶硅的                                             原始
               刻蚀方法                                                取得
            半导体器件的版图和器                                             原始
            件沟槽深度的监控方法                                             取得
                                                    年
                                                                   原始
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            应用于图像传感器的接                                             原始
              触孔形成方法                                               取得
            晶圆测试的自动化控制                                             原始
              系统和方法                                                取得
华虹半导体有限公司                                                              招股说明书
                                                                 专利权   权利
序     专利类                                                                   他项权
                 专利名称                专利号            专利期限        （申请）   取得
号      别                                                                     利
                                                                  人    方式
            NORD 闪存浮栅测试区                            2020 年 12
                                                                       原始
                                                                       取得
              设备和存储介质                                   年
                                                                       原始
                                                                       取得
                                                                       原始
                                                                       取得
            半导体器件及其制造方                                                 原始
                法                                                      取得
                                                        年
            CMOS 图像传感器的制                                               原始
                 造方法                                                   取得
                                                        年
                                                                       原始
                                                                       取得
                                                                       原始
                                                                       取得
                                                        年
            一种改善 NORD flash 单                       2019 年 12
                                                                       原始
                                                                       取得
                的方法                                   20 年
            CIS 器件的隔离区形成                                               原始
                  方法                                                   取得
            半导体测试结构和包含                                                 原始
               其的晶圆                                                    取得
                                                                       原始
                                                                       取得
            浮栅型分栅闪存器件结                                                 原始
             构及其制造方法                                                   取得
                                                        年        宏力
            金属硅化物层的形成方                                                 原始
                法                                                      取得
                                                        年
                                                                       原始
                                                                       取得
                                                        年
            集成电路的仿真模型的                                                 原始
               建立方法                                                    取得
                                                        年        宏力
            屏蔽栅功率器件制造方                                                 原始
             法及其功率器件                                                   取得
                                                        年
            铜铝互连结构的制作方                             2020 年 7 月          原始
                法                                  3 日起 20 年           取得
            半导体器件及其制作方                                                 原始
                法                                                      取得
                                                        年
华虹半导体有限公司                                                            招股说明书
                                                               专利权   权利
序     专利类                                                                 他项权
                专利名称               专利号            专利期限        （申请）   取得
号      别                                                                   利
                                                                人    方式
            MIM 电容的形成方法和                                             原始
                 MIM 电容                                              取得
                                                      年         宏力
             用于改善晶圆翘曲的                                               原始
            SGT 器件及其制作方法                                             取得
                                                      年
            静电贴合方法和静电贴                                               原始
               合装置                                                   取得
                                                                     原始
                                                                     取得
            MIM 电容的形成方法和                                             原始
                 后端结构                                                取得
                                                                     原始
                                                                     取得
            用于 CIS 的富硅氧化物                                            原始
               层制作方法                                                 取得
            闪存的数据保持力测试                                               原始
                方法                                                   取得
            具有栅极保护二极管的                                               原始
              MOS 晶体管                                                取得
            CIS 器件的深沟槽隔离                         2021 年 1 月   华虹无锡
                                                                     原始
                                                                     取得
                     构                                年        宏力
            控制 Taiko 晶圆断差的方                      2021 年 2 月          原始
                     法                           5 日起 20 年           取得
            CMOS 图像传感器及其                                             原始
                 制造方法                                                取得
                                                      年
                                                                     原始
                                                                     取得
                                                      年
                                                                     原始
                                                                     取得
                                                      年
                                                                     原始
                                                                     取得
                                                                     原始
                                                                     取得
                                                      年        宏力
            MOS 器件的制作方法及                                             原始
                 其版图                                                 取得
            针对特定图形旁波效应                            2020 年 12
                                                                     原始
                                                                     取得
              OPC 处理方法                                年
华虹半导体有限公司                                                               招股说明书
                                                                  专利权   权利
序     专利类                                                                    他项权
                 专利名称                专利号             专利期限        （申请）   取得
号      别                                                                      利
                                                                   人    方式
            图像传感器的深沟槽隔                               2020 年 12   华虹无锡
                                                                        原始
                                                                        取得
                结构                                      20 年       宏力
            浮栅型分栅闪存器件结                                                  原始
             构及其制作工艺                                                    取得
                                                         年         宏力
            一种改善厚铝刻蚀工艺                                                  原始
             中聚合物的方法                                                    取得
                                                         年
            NOR Flash Cell 区域控                      2021 年 4 月
                                                                        原始
                                                                        取得
                和控制模块                                    年
            功率器件制作方法和功                                                  原始
              率器件结构                                                     取得
                                                         年
            浮栅分栅闪存器件结构                                                  原始
              及其制造方法                                                    取得
                                                         年
                                                                        原始
                                                                        取得
                                                         年
                                                                        原始
                                                                        取得
            NORD flash 制造方法、                                            原始
              器件和存储介质                                                   取得
            CMOS 图像传感器及其                                                原始
                 制造方法                                                   取得
                                                         年
                                                                 上海华虹   原始
                                                                  宏力    取得
                                                         年
            一种功率半导体器件及                                           上海华虹   原始
              其制作方法                                               宏力    取得
                                                         年
            LDMOS 器件的制备方                                         上海华虹   原始
             法和 LDMOS 器件                                          宏力    取得
                                                         年
                                                                        原始
                                                                        取得
                                                         年
            提高闪存的数据保持力                                                  原始
              的制造方法                                                     取得
            背面减薄晶圆的固定装                                                  原始
                置                                                       取得
            MIM 电容的制造方法以                                                原始
            及包含 MIM 电容的器件                                               取得
            LDMOS 器件及其制造                                                原始
                  方法                                                    取得
                                                         年
华虹半导体有限公司                                                            招股说明书
                                                               专利权   权利
序     专利类                                                                 他项权
                专利名称               专利号            专利期限        （申请）   取得
号      别                                                                   利
                                                                人    方式
            用于光刻设备的曝光补                                               原始
              偿方法及系统                                                 取得
                                                      年
                                                                     原始
                                                                     取得
                                                      年
            半导体器件结构、闪存器                                              原始
              件的制作方法                                                 取得
            晶圆自制背封结构的制                                               原始
               造方法                                                   取得
                                                                     原始
                                                                     取得
                                                      年
            图像传感器及其制作方                           2021 年 2 月          原始
                法                                4 日起 20 年           取得
                                                                     原始
                                                                     取得
                                                      年
            一种 CIS 产品的微透镜                                            原始
                形成方法                                                 取得
                                                      年
                                                                     原始
                                                                     取得
                                                      年
            NORD 闪存及其制作方                                             原始
                  法                                                  取得
                                                      年
            NORD 闪存器件的制作                                             原始
                  方法                                                 取得
                                                      年
            缩小嵌入式闪存控制栅                            2020 年 12
                                                                     原始
                                                                     取得
            方法、终端和存储介质                                年
                                                                     原始
                                                                     取得
                                                      年
            CMOS 光学传感器的深                                             原始
             槽隔离结构形成方法                                               取得
                                                      年
华虹半导体有限公司                                                                          招股说明书
     （二）境外专利情况
     截至 2022 年 12 月 31 日，对发行人主营业务有重要影响的境外专利情况如
下表所示。
序号    权利人             专利名称                         专利号              专利期限            国家/地区
            Thyristor comprising a special
     上海华虹   doped region characterized by                       2008 年 12 月 22 日
      宏力      an LDD region and a halo                           起 20 年又 466 天
                       implant
                  ELECTRICALLY
                    ERASABLE
     上海华虹       PROGRAMMABLE                                    2008 年 10 月 13 日
      宏力        MEMORY AND ITS                                   起 20 年又 310 天
                MANUFACTURING
                      METHOD
     上海华虹                                                       2011 年 10 月 5 日起
      宏力                                                          20 年又 215 天
             WORD-LINE VOLTAGE
     上海华虹    REGULATING CIRCUIT                                 2012 年 7 月 3 日起
      宏力      AND SINGLE POWER                                    20 年又 71 天
               SUPPLY MEMORY
            SUPERJUNCTION LDMOS
     上海华虹                                                       2012 年 9 月 28 日起
      宏力     METHOD OF THE SAME                                    20 年又 35 天
     上海华虹                                                       2012 年 8 月 9 日起
      宏力                                                          20 年又 404 天
                   METHOD OF
     上海华虹                                                       2013 年 6 月 10 日起
      宏力    SEMICONDUCTOR DEVICE                                      20 年
             SILICON-ON-INSULATOR
               RADIO FREQUENCY
     上海华虹                                                       2013 年 12 月 19 日
      宏力     SILICON-ON-INSULATOR                                起 20 年又 41 天
                   SUBSTRATE
     上海华虹                                                       2013 年 8 月 12 日起
      宏力                                                           20 年又 29 天
              RESISTOR STRUCTURE
     上海华虹                                                       2014 年 12 月 29 日
      宏力       FORMING THE SAME                                      起 20 年
              EEPROM DEVICE AND
     上海华虹    FOMRING METHOD AND                                 2014 年 12 月 31 日
      宏力        ERASING METHOD                                       起 20 年
                    THEREOF
     上海华虹       MEMORY TESTING                                  2014 年 12 月 30 日
      宏力    METHOD AND APPARATUS                                     起 20 年
     上海华虹     METHOD OF FORMING                                 2014 年 12 月 18 日
      宏力         MEMS DEVICE                                         起 20 年
              HIGH VOLTAGE LDMOS
                DEVICE WITH AN
     上海华虹   INCREASED VOLTAGE AT                                2015 年 12 月 29 日
      宏力     SOURCE （HIGH SIDE）                                      起 20 年
               AND A FABRICATING
                METHOD THEREOF
              NLDMOS DEVICE AND
     上海华虹         METHOD FOR                                    2015 年 12 月 29 日
      宏力      MANUFACTURING THE                                      起 20 年
                     SAME
     上海华虹   MOSFET AND A METHOD                                 2019 年 8 月 2 日起
      宏力     FOR MANUFACTURING                                        20 年
华虹半导体有限公司                                                                        招股说明书
序号   权利人             专利名称                        专利号              专利期限            国家/地区
                    THE SAME
              CAPACITOR-COUPLED
                    N-TYPE
     上海华虹                                                     2018 年 11 月 28 日
      宏力           ONE-TIME                                        起 20 年
            PROGRAMMABLE DEVICE
              SONOS NONVOLATLE
     上海华虹    MEMORY AND METHOD                                2019 年 6 月 18 日起
      宏力     FOR MANUFACTURING                                   20 年又 8 天
                     SAME
     上海华虹                                                     2019 年 9 月 10 日起
      宏力                                                            20 年
                MANUFACTURING
     上海华虹                                                     2019 年 12 月 6 日起
      宏力       GATE TRENCH DEVICE                                   20 年
              EEPROM MEMORY CELL
     上海华虹                                                     2015 年 12 月 21 日
      宏力       GENERATING CIRCUIT                                  起 20 年
                PATTERN SORTING
     上海华虹                                                     2017 年 12 月 21 日
      宏力          VERIFICATION                                 起 20 年又 71 天
                  TRENCH GATE
     上海华虹                                                     2018 年 9 月 26 日起
      宏力              METHOD                                        20 年
                   SUCCESSIVE
                 APPROXIMATION
                     REGISTER
     上海华虹                                                     2018 年 11 月 28 日
      宏力         CONVERTER AND                                     起 20 年
              CONVERSION METHOD
                     THEREFOR
                 SUPER-JUNCTION
     上海华虹        STRUCTURE AND                                2019 年 6 月 18 日起
      宏力           METHOD FOR                                       20 年
             MANUFACTURING SAME
              TRENCH-GATE MOSFET
     上海华虹                                                     2019 年 8 月 16 日起
      宏力     MANUFACTURING SAME                                     20 年
              SUPER-JUNCTION IGBT
     上海华虹      DEVICE AND METHOD                              2019 年 10 月 11 日
      宏力      FOR MANUFACTURING                                起 20 年又 61 天
                       SAMR
               SPLIT GATE MEMORY
                      DEVICE,
     上海华虹                                                     2014 年 12 月 29 日
      宏力     AND FORMING METHOD                                    起 20 年
                      THEREOF
             MEMORY, AND ERASING
     上海华虹   METHOD, PROGRAMMING                               2015 年 12 月 14 日
      宏力      METHOD AND READING                                   起 20 年
                METHOD THEREOF
                Sampling Method and
     上海华虹                                                     2016 年 12 月 22 日
      宏力         Lithography Layout                             起 20 年又 8 天
              EEPROM,AND METHOD
                        FOR
     上海华虹                                                     2018 年 4 月 9 日起
      宏力        AND READING THE                                     20 年
                      EEPROM
                SPLIT-GATE FLASH
     上海华虹                                                     2018 年 12 月 26 日
      宏力     FABRICATING SAME AND                                  起 20 年
华虹半导体有限公司                                                                   招股说明书
序号   权利人           专利名称                     专利号              专利期限            国家/地区
             METHOD FOR CONTROL
                    THEREOF
                  ELECTRICALLY
              PROGRAMMABLE FUSE
            CIRCUIT, PROGRAMMING
                   METHOD FOR
     上海华虹         ELECTRICALLY                           2019 年 5 月 28 日起
      宏力     PROGRAMMABLE FUSE,                                20 年
              AND STATE DETECTION
                   METHOD FOR
                  ELECTRICALLY
              PROGRAMMABLE FUSE
     上海华虹       RADIO FREQUENCY                          2019 年 5 月 31 日起
      宏力       SWITCHING CIRCUIT                               20 年
            POWER SEMICONDUCTOR
     上海华虹                                                2020 年 10 月 13 日
      宏力     FABRICATING THE SAME                             起 20 年
              TERMINAL STRUCTURE
               FOR SUPERJUNCTION
     上海华虹                                                2011 年 3 月 30 日起
      宏力      MANUFACTURING THE                            20 年又 352 天
                      SAME
     上海华虹       HIGH-VOLTAGE ESD                         2011 年 10 月 18 日
      宏力       PROTECTION DEVICE                              起 20 年
     上海华虹    MEMORY AND METHOD                           2020 年 2 月 12 日起
      宏力    FOR FORMING THE SAME                               20 年
               LDMOS DEVICE AND
     上海华虹                                                2019 年 10 月 18 日
      宏力     MANUFACTURING SAME                           起 20 年又 78 天
              METHOD FOR MAKING
     上海华虹   JFET DEVICE,JFET DEVICE                      2020 年 8 月 13 日起
      宏力    AND LAYOUT STRUCTURE                               20 年
                   THEREOF
               MIM CAPACITOR OF
             EMBEDDED STRUCTURE                          2020 年 12 月 15 日
                AND METHOD FOR                                起 20 年
               MAKING THE SAME
                  METHOD OF
     上海华虹   CONTROLLING INTERNAL                         2021 年 3 月 24 日起
      宏力     ADDRESS FOR A SERIAL                              20 年
              NOR FLASH MEMORY
              METHOD FOR MAKING
     上海华虹                                                2020 年 9 月 16 日起
      宏力         LDOMS DEVICE                                  20 年
              SHIELD GATE TRENCH
     上海华虹      POWER DEVICE AND                          2021 年 4 月 15 日起
      宏力      METHOD FOR MAKING                                20 年
                   THE SAME
华虹半导体有限公司                                                      招股说明书
附表五：主要商标情况
     （一）境内商标情况
序号    商标图样   注册人     核定类别         注册号            专用权期限               取得方式
             上海华虹宏                          2019 年 12 月 21 日至 2029
               力                                 年 12 月 20 日
             上海华虹宏                          2021 年 8 月 28 日至 2031
               力                                 年 8 月 27 日
             上海华虹宏                          2021 年 9 月 7 日至 2031
               力                                  年9月6日
             上海华虹宏                          2021 年 11 月 21 日至 2031
               力                                 年 11 月 20 日
             上海华虹宏                          2021 年 11 月 21 日至 2031
               力                                 年 11 月 20 日
             上海华虹宏                          2021 年 8 月 28 日至 2031
               力                                 年 8 月 27 日
             上海华虹宏                          2021 年 9 月 14 日至 2031
               力                                 年 9 月 13 日
             上海华虹宏                          2021 年 8 月 28 日至 2031
               力                                 年 8 月 27 日
             上海华虹宏                          2021 年 8 月 28 日至 2031
               力                                 年 8 月 27 日
             上海华虹宏                          2021 年 8 月 28 日至 2031
               力                                 年 8 月 27 日
             上海华虹宏                          2021 年 9 月 7 日至 2031
               力                                  年9月6日
             上海华虹宏                          2021 年 11 月 21 日至 2031
               力                                 年 11 月 20 日
             上海华虹宏                          2021 年 9 月 14 日至 2031
               力                                 年 9 月 13 日
             上海华虹宏                          2021 年 8 月 28 日至 2031
               力                                 年 8 月 27 日
             上海华虹宏                          2021 年 11 月 28 日至 2031
               力                                 年 11 月 27 日
             上海华虹宏                          2021 年 11 月 28 日至 2031
               力                                 年 11 月 27 日
             上海华虹宏                          2018 年 3 月 28 日至 2028
               力                                 年 3 月 27 日
             上海华虹宏                          2018 年 3 月 28 日至 2028
               力                                 年 3 月 27 日
             上海华虹宏                          2018 年 2 月 7 日至 2028
               力                                  年2月6日
             上海华虹宏                          2018 年 3 月 28 日至 2028
               力                                 年 3 月 27 日
             上海华虹宏                          2018 年 2 月 7 日至 2028
               力                                 年2月6日
华虹半导体有限公司                                                           招股说明书
序号    商标图样     注册人     核定类别         注册号                专用权期限              取得方式
             上海华虹宏                                2018 年 2 月 7 日至 2028
               力                                       年2月6日
             上海华虹宏                                2018 年 2 月 7 日至 2028
               力                                       年2月6日
             上海华虹宏                                2018 年 2 月 7 日至 2028
               力                                       年2月6日
             上海华虹宏                                2018 年 3 月 28 日至 2028
               力                                       年 3 月 27 日
             上海华虹宏                                2015 年 7 月 7 日至 2025
               力                                       年7月6日
             上海华虹宏                                2015 年 7 月 7 日至 2025
               力                                       年7月6日
             上海华虹宏                                2015 年 7 月 7 日至 2025
               力                                        年7月6日
             上海华虹宏                                2015 年 7 月 7 日至 2025
               力                                        年7月6日
             上海华虹宏                                2015 年 7 月 7 日至 2025
               力                                        年7月6日
             上海华虹宏                                2016 年 2 月 14 日至 2026
               力                                       年 2 月 13 日
             上海华虹宏                                2015 年 7 月 7 日至 2025
               力                                        年7月6日
             上海华虹宏                                2015 年 7 月 7 日至 2025
               力                                        年7月6日
             上海华虹宏                                2015 年 6 月 14 日至 2025
               力                                       年 6 月 13 日
             上海华虹宏                                2015 年 6 月 14 日至 2025
               力                                       年 6 月 13 日
             上海华虹宏                                2015 年 6 月 14 日至 2025
               力                                       年 6 月 13 日
             上海华虹宏                                2015 年 6 月 14 日至 2025
               力                                       年 6 月 13 日
             上海华虹宏                                2015 年 6 月 14 日至 2025
               力                                       年 6 月 13 日
             上海华虹宏                                2018 年 4 月 7 日至 2028
               力                                        年4月6日
     （二）境外商标情况
                            核定使用商                                注册国家/     取得
编号      商标图形         注册人                   注册号        有效期限
                              品类别                                 地区       方式
                            第 9 类、第                   2021 年 3
                           类、第 40 类、                  2031 年 3             取得
                             第 42 类                   月8日
                            第 9 类、第                   2021 年 3
                                                                           原始
                                                                           取得
                           类、第 40 类、                  2031 年 3
华虹半导体有限公司                                               招股说明书
                  核定使用商                                注册国家/   取得
编号   商标图形   注册人                  注册号        有效期限
                   品类别                                  地区     方式
                   第 42 类                   月8日
                   第 9 类、第                  2021 年 3
                  类、第 40 类、                 2031 年 3           取得
                    第 42 类                  月8日
                   第 9 类、第
                                            月 31 日至            原始
                       类
                                            月 30 日
                   第 9 类、第
                                            月 31 日至            原始
                       类
                                            月 30 日
                   第 9 类、第
                                            月 31 日至            原始
                       类
                                            月 30 日
                                            月 29 日至            原始
                                            月 28 日
                                            月 29 日至            原始
                                            月 28 日
                                            月 29 日至            原始
                                            月 28 日
华虹半导体有限公司                                                              招股说明书
附表六：集成电路布图设计专有权情况
     截至 2022 年 12 月 31 日，发行人的境内集成电路布图设计专有权如下表所
示，其中通过继受方式取得的专有权均因由合并重组继受自合并前主体而形成。
序    布图设计                                                                   他项权
                登记号        专有权人       申请日              登记日           取得方式
号      名称                                                                    利
     HKCOM     BS.135006   上海华虹
     RG10V1       082       宏力
     HKEFLZ
               BS.135006   上海华虹
       V4
     HKEEPC
               BS.135006   上海华虹
       V1
     HGIOH2I   BS.135006   上海华虹
     NG01V1       112       宏力
     HKCOM     BS.135006   上海华虹
     LD01V1       120       宏力
     HKCOM
               BS.135006   上海华虹
     HKCOM     BS.135006   上海华虹
     RG17V1       147       宏力
     HKCOM     BS.135006   上海华虹
     RG12V1       155       宏力
     HKSPAD
               BS.135006   上海华虹
     HKEFLS
               BS.135006   上海华虹
        V1
     HKEFLL
               BS.135006   上海华虹
        V3
     HKCMR
               BS.135006   上海华虹
        V1
     HKCMR     BS.135006   上海华虹
      GI09V1      201       宏力
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附表七：承诺事项
  （一）不主动放弃控股股东地位的承诺
  “1、本企业将长期持有公司股份，自公司股票在上海证券交易所上市之日起
三十六个月内，本企业不主动放弃公司控股股东地位。
证券监督管理委员会及上海证券交易所的相关规定。
规定或做出进一步规定的，本企业保证将遵守相应的要求。
  本企业将忠实履行上述承诺，若未履行上述承诺，本企业将按照相关法律法
规的规定及监管部门的要求承担相应的责任。”
  “1、本企业将长期持有公司股份，自公司股票在上海证券交易所上市之日起
三十六个月内，本企业不主动放弃公司间接控股股东地位。
证券监督管理委员会及上海证券交易所的相关规定。
规定或做出进一步规定的，本企业保证将遵守相应的要求。
  本企业将忠实履行上述承诺，若未履行上述承诺，本企业将按照相关法律法
规的规定及监管部门的要求承担相应的责任。”
  （二）稳定股价的措施和承诺
  为保持上市后股价稳定，发行人制定了《华虹半导体有限公司首次公开发行
人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创板上市后三年内稳定公司 A 股
股价预案》如下：
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  “一、启动稳定股价预案的触发条件
  自公司股票在上海证券交易所科创板挂牌上市之日起三年内，若非因不可抗
力因素所致，出现连续 20 个交易日股票收盘价低于公司最近一期经审计的每股
净资产（因利润分配、资本公积金转增股本、增发、配股等情况导致公司净资产
或股份总数出现变化的，每股净资产相应进行调整）情形时，公司将自行或促使
本预案中涉及的其他主体依照本预案的规定启动股价稳定措施。
  二、责任主体
  采取稳定公司股价措施的责任主体包括公司、控股股东以及公司的领薪董事
（独立非执行董事除外，下同）和高级管理人员。
  应采取稳定股价措施的董事、高级管理人员既包括在公司上市时任职的董事、
高级管理人员，也包括公司上市后三年内新任职董事、高级管理人员。
  三、公司稳定股价的主要措施
  公司稳定股价措施包括：由公司向社会公众股东回购公司股票；由控股股东
增持公司股票；由公司领薪董事（独立非执行董事除外）、高级管理人员增持公
司股票。上述措施可单独或合并采用。选用前述方式时应考虑：（1）不能导致
公司不满足香港联合交易所有限公司主板和上海证券交易所科创板法定上市条
件；（2）不能迫使控股股东履行要约收购义务。
  当预案的触发条件成就后，公司应依照法律、法规、规范性文件、《HUA
HONG SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）组织章程细则》
                                           （以
下简称“《公司章程》”）及公司相关制度的规定，采取以下全部或部分措施稳定
公司股价：
  （一）在不影响公司正常生产经营的情况下，经公司根据适用法律、法规及
规范性文件有权批准的内部机构审议同意，公司向社会公众股东回购股票；
  （二）在下列情形之一出现时：1、公司无法实施回购股票或回购股票议案
未获得公司股东大会批准，或 2、在上述（一）项措施实施完毕后公司股票的收
盘价格仍低于最近一期经审计的每股净资产的，由控股股东增持公司股票；
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  （三）当控股股东增持公司股票方案实施完毕后公司股票的收盘价格仍低于
最近一期经审计的每股净资产，且董事、高级管理人员增持公司股票不会导致公
司不满足法定上市条件或触发董事、高级管理人员的要约收购义务的情况下，由
公司董事、高级管理人员增持公司股票；
  （四）其他法律、法规、规范性文件规定以及中国证券监督管理委员会或上
海证券交易所认可的其他稳定股价的方式。
  四、实施公司回购股票的程序
  公司回购股票应当符合香港法律法规、香港证券监管机构、证券交易所监管
规则及《公司章程》等规定。公司董事会将在本公司股票价格触发本预案启动股
价稳定措施条件之日起的合理时间内制订稳定公司股价具体方案，并提交董事会
和/或股东大会批准。具体回购方案应在董事会和/或股东大会作出股份回购决议
后公告。
  在股东大会和/或董事会审议通过股份回购方案后，公司将依法通知债权人
（如需），并向证券监督管理部门、证券交易所等主管部门报送相关材料，办理
审批或备案手续（如需）。
  公司回购人民币股份的价格不超过最近一期经审计的每股净资产（因利润分
配、资本公积金转增股本、增发、配股等情况导致公司净资产或股份总数出现变
化的，每股净资产相应进行调整），回购股份的方式为集中竞价、要约或证券监
督管理部门认可的其他方式。如果股份回购方案实施前公司股票价格已经不满足
预案触发条件的，则公司无须继续实施该方案。
  公司为稳定股价进行股份回购的，还应遵循下列原则：单次用于回购股份的
资金金额不高于上一个会计年度经审计的归属于母公司股东净利润的 20%，单一
会计年度用于稳定股价的回购资金合计不超过上一会计年度经审计的归属于母
公司净利润的 40%；超过上述标准的，有关稳定股价措施在当年度不再继续实施。
  若某一会计年度内公司股价多次出现触发本预案规定的股价稳定措施的情
形（不包括公司实施稳定股价措施期间及实施完毕当次稳定股价措施并公告日后
开始计算的连续 20 个交易日股票收盘价仍低于最近一期经审计的每股净资产的
情形），公司将分别按照本预案执行股价稳定措施，除非公司出现股份回购方案
华虹半导体有限公司                        招股说明书
约定的当年度可中止实施稳定股价措施的情形。在某一会计年度公司中止执行股
价稳定措施的情况下，若下一年度继续出现触发本预案规定的稳定股价措施的情
形时，公司将继续按照本预案执行。
  五、实施控股股东增持公司股票的程序
  （一）启动程序
股票或回购股票议案未获得公司股东大会批准，且控股股东增持公司股票不会致
使公司将不满足法定上市条件或触发控股股东的要约收购义务的前提下，公司控
股股东将在达到触发启动股价稳定措施条件或公司股东大会作出不实施回购股
票计划的决议之日、并在履行完毕相关国有资产监管（如需）及控股股东内部审
议程序后的合理期限内向公司提交增持公司股票的方案并由公司公告。
的每股净资产的，公司控股股东将在公司股票回购计划实施完毕或终止之日、并
在履行完毕相关国有资产监管（如需）及控股股东内部审议程序后的合理期限内
向公司提交增持公司股票的方案并由公司公告。
  （二）控股股东增持公司股票的计划
  在履行相应的公告等义务后，控股股东将在满足法定条件下依照方案中所规
定的价格区间、期限实施增持。
  控股股东增持股票的金额不超过控股股东上年度从公司领取的分红，增持股
票的金额不超过其上年度从控股股东领取的分红，增持股份的价格不超过最近一
期经审计的每股净资产，且单次及/或连续十二个月增持数量不超过公司股份总
数的 2%。公司不得为控股股东实施增持公司股票提供资金支持。
  若某一会计年度内公司股价多次出现触发本预案规定的股价稳定措施的情
形（不包括控股股东实施稳定股价措施期间及实施完毕当次稳定股价措施并公告
日后开始计算的连续 20 个交易日股票收盘价仍低于最近一期经审计的每股净资
产的情形），控股股东将继续按照上述稳定股价预案执行。
  六、公司领薪董事（独立非执行董事除外）和高级管理人员增持股票的程序
华虹半导体有限公司                         招股说明书
  当控股股东增持公司股票方案实施完毕后公司股票的收盘价格仍低于最近
一期经审计的每股净资产，且董事、高级管理人员增持公司股票不会导致公司不
满足法定上市条件或触发董事、高级管理人员的要约收购义务的情况下，公司领
薪董事（独立非执行董事除外）和高级管理人员应根据公司的要求在合理期间内
增持股票。
  公司领薪董事（独立非执行董事除外）和高级管理人员通过二级市场以竞价
方式买入公司股份的，买入价格不高于公司最近一期经审计的每股净资产（因利
润分配、资本公积金转增股本、增发、配股等情况导致公司净资产或股份总数出
现变化的，每股净资产相应进行调整）。但如果在增持股票前公司股票价格已经
不满足预案触发条件的，公司领薪董事（独立非执行董事除外）和高级管理人员
可不再继续实施稳定股价的措施。
  若某一会计年度内公司股价多次出现触发本预案规定的股价稳定措施的情
形（不包括公司领薪董事（独立非执行董事除外）和高级管理人员实施稳定股价
措施期间及实施完毕当次稳定股价措施并由公司公告日后开始计算的连续 20 个
交易日股票收盘价仍低于最近一期经审计的每股净资产的情形），公司可分别要
求公司领薪董事（独立非执行董事除外）和高级管理人员按照预案执行稳定股价
措施。但在任何情况下每一人单一年度用以稳定股价所动用的资金应不超过其上
一年度从公司处领取的税后现金薪酬的 10%，超过上述标准的，该人士在当年度
可不再继续实施稳定股价措施。但如下一年度出现触发本预案规定的稳定股价措
施的情形时，将继续按照上述原则执行稳定股价预案。”
  根据中国证监会《关于进一步推进新股发行体制改革的意见》等相关规定的
要求，发行人作出如下承诺：
  “一、公司将在符合相关法律法规的前提下，严格遵守执行股东大会审议通
过的《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交
                       （以下简称“《稳定股价预案》”），
易所科创板上市后三年内稳定公司 A 股股价预案》
按照《稳定股价预案》的相关规定履行稳定公司 A 股股价的义务。
华虹半导体有限公司                      招股说明书
  二、公司在采取前述稳定股价措施时，将按照公司股票上市地上市规则及其
他适用的法律法规履行相应的信息披露义务，并需符合所适用的法律法规及公司
组织章程细则等相关规定。
  三、公司将严格履行承诺，若未能履行上述承诺，公司将按照相关法律法规
的规定及监管部门的要求承担相应的责任。”
  依据中国证监会《关于进一步推进新股发行体制改革的意见》等相关规定的
要求，发行人直接控股股东华虹国际作出如下承诺：
  “一、本企业将在符合相关法律法规的前提下，严格遵守执行股东大会审议
通过的《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券
交易所科创板上市后三年内稳定公司 A 股股价预案》（以下简称“《稳定股价预
案》”），按照《稳定股价预案》中关于控股股东的相关规定履行控股股东关于
稳定公司 A 股股价的义务。
  二、本企业在采取前述稳定股价措施时，将按照公司股票上市地上市规则及
其他适用的法律法规履行相应的信息披露义务，并需符合所适用的法律法规及公
司组织章程细则等相关规定。
  三、本企业将严格履行承诺，若未能履行上述承诺，本企业将按照相关法律
法规的规定及监管部门的要求承担相应的责任。”
  依据中国证监会《关于进一步推进新股发行体制改革的意见》等相关规定的
要求，发行人间接控股股东华虹集团作出如下承诺：
  “一、本企业将在符合相关法律法规的前提下，严格遵守执行股东大会审议
通过的《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券
交易所科创板上市后三年内稳定公司 A 股股价预案》（以下简称“《稳定股价预
案》”），按照《稳定股价预案》中关于间接控股股东的相关规定履行间接控股
股东关于稳定公司 A 股股价的义务。
华虹半导体有限公司                         招股说明书
  二、本企业在采取前述稳定股价措施时，将按照公司股票上市地上市规则及
其他适用的法律法规履行相应的信息披露义务，并需符合所适用的法律法规及公
司组织章程细则等相关规定。
  三、本企业将严格履行承诺，若未能履行上述承诺，本企业将按照相关法律
法规的规定及监管部门的要求承担相应的责任。”
承诺
  依据中国证监会《关于进一步推进新股发行体制改革的意见》等相关规定的
要求，发行人领薪董事（不含独立非执行董事）、高级管理人员作出如下承诺：
  “一、本人将在符合相关法律法规的前提下，严格遵守执行股东大会审议通
过的《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交
                       （以下简称“《稳定股价预案》”），
易所科创板上市后三年内稳定公司 A 股股价预案》
按照《稳定股价预案》的相关规定履行稳定公司 A 股股价的义务。
  二、本人在采取前述稳定股价措施时，将按照公司股票上市地上市规则及其
他适用的法律法规履行相应的信息披露义务，并需符合所适用的法律法规及公司
组织章程细则等相关规定。
  三、上述承诺为本人的真实意思表示，本人将严格履行承诺，若未能履行上
述承诺，本人将按照相关法律法规的规定及监管部门的要求承担相应的责任。”
     （三）股份回购和股份买回的措施和承诺
  发行人出具股份回购和股份购回的承诺如下：
  “1、如证券监督管理部门或其他有权部门认定公司本次发行的招股说明书所
载之内容存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏之情形，该等情形对判断
公司是否符合法律规定的发行条件构成重大且实质影响，且以欺诈手段骗取发行
注册并已经发行上市的，则公司承诺将依法回购本次发行的全部新股。
华虹半导体有限公司                      招股说明书
证券交易所科创板上市后三年内稳定公司 A 股股价预案》中约定的启动稳定股
价的触发条件成就时，公司将按照前述预案的规定履行回购公司股份的义务。
  如公司违反上述承诺，将遵照公司另行出具的《关于未履行承诺时的约束措
施的承诺函》承担相应责任。”
  发行人直接控股股东华虹国际出具股份回购和股份购回的承诺如下：
  “1、如证券监督管理部门或其他有权部门认定公司本次发行的招股说明书所
载之内容存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏之情形，该等情形对判断
公司是否符合法律规定的发行条件构成重大且实质影响，且以欺诈手段骗取发行
注册并已经发行上市的，则本企业承诺将督促公司依法回购本次发行的全部新股。
证券交易所科创板上市后三年内稳定公司 A 股股价预案》中约定的启动稳定股
价的触发条件成就时，本企业将督促公司按照前述预案的规定履行回购公司股份
的义务。
  如本企业违反上述承诺，将遵照本企业另行出具的《关于未履行承诺时的约
束措施的承诺函》承担相应责任。”
  发行人间接控股股东华虹集团出具股份回购和股份购回的承诺如下：
  “1、如证券监督管理部门或其他有权部门认定公司本次发行的招股说明书所
载之内容存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏之情形，该等情形对判断
公司是否符合法律规定的发行条件构成重大且实质影响，且以欺诈手段骗取发行
注册并已经发行上市的，则本企业承诺将督促公司依法回购本次发行的全部新股。
证券交易所科创板上市后三年内稳定公司 A 股股价预案》中约定的启动稳定股
价的触发条件成就时，本企业将督促公司按照前述预案的规定履行回购公司股份
的义务。
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  如本企业违反上述承诺，将遵照本企业另行出具的《关于未履行承诺时的约
束措施的承诺函》承担相应责任。”
  （四）对欺诈发行上市的股份回购和股份买回承诺
  发行人承诺如下：
  “1、保证公司本次发行不存在任何欺诈发行的情形；
的，公司将在该等违法事实被证券监管部门作出认定或处罚决定后的五个工作日
内启动股份购回程序，依法回购本次发行的全部新股。”
  发行人直接控股股东华虹国际承诺如下：
  “1、保证公司本次发行不存在任何欺诈发行的情形；
的，本企业将在该等违法事实被证券监管部门作出认定或处罚决定后的五个工作
日内启动股份购回程序，依法回购本次发行的全部新股。
  如本企业未能依照上述承诺履行义务的，将依照未能履行承诺时的约束措施
承担相应责任。”
  发行人间接控股股东华虹集团承诺如下：
  “1、保证公司本次发行不存在任何欺诈发行的情形；
的，本企业将在该等违法事实被证券监管部门作出认定或处罚决定后的五个工作
日内启动股份购回程序，依法回购本次发行的全部新股。
  如本企业未能依照上述承诺履行义务的，将依照未能履行承诺时的约束措施
承担相应责任。”
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  （五）填补被摊薄即期回报的措施及承诺
承诺函
  发行人就填补公司首次公开发行人民币普通股被摊薄即期回报措施作出如
下承诺：
  “（一）公司将基于行业发展特征及规律，增大对主营业务的投入，努力开
拓市场空间、提升销售收入，并持续重视研发投入，增加持续盈利能力，缓解即
期回报被摊薄的风险；
  （二）加强经营管理，优化决策程序，提升经营效率和盈利能力；同时公司
将加强公司治理结构建设，确保独立非执行董事认真履行职责，维护公司整体及
公众股东的利益；
  （三）推进募投项目的建设，提升公司产品的市场前景与经济效益。同时提
高资金使用效率，严格执行募集资金管理制度，确保项目顺利实施。本次募投项
目的实施有利于更好地满足客户对公司产品的需要，增强公司可持续盈利能力，
符合公司股东的长期利益；
  （四）完善利润分配政策，结合公司经营情况和发展规划，积极推动对投资
人的利润分配及现金分红，努力提升股东回报。
  如公司违反上述承诺，将遵照公司另行出具的《关于未履行承诺时的约束措
施的承诺函》承担相应责任，同时向投资者提出补充承诺或替代承诺，以尽可能
保护投资者的利益，并在公司股东大会审议通过后实施补充承诺或替代承诺。”
措施的承诺函
  发行人直接控股股东华虹国际就发行人申请首次公开发行人民币普通股（A
股）并在上交所科创板上市被摊薄即期回报的填补措施能够得到切实履行作出以
下承诺：
  “为维护公司和全体股东的合法权益，确保填补回报措施能够得到切实履行，
本企业作为公司控股股东，本企业承诺不越权干预公司经营管理活动，不侵占公
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司利益，并承诺切实督促公司履行其制定的有关填补即期回报措施以及对此作出
的有关填补即期回报措施的承诺，若本企业违反该等承诺并给公司或者投资者造
成损失的，本企业愿意依法承担对公司或者投资者的赔偿责任。”
措施的承诺函
  发行人间接控股股东华虹集团就发行人申请首次公开发行人民币普通股（A
股）并在上交所科创板上市被摊薄即期回报的填补措施能够得到切实履行作出以
下承诺：
  “为维护公司和全体股东的合法权益，确保填补回报措施能够得到切实履行，
本企业作为公司间接控股股东，本企业承诺不越权干预公司经营管理活动，不侵
占公司利益，并承诺切实督促公司履行其制定的有关填补即期回报措施以及对此
作出的有关填补即期回报措施的承诺，若本企业违反该等承诺并给公司或者投资
者造成损失的，本企业愿意依法承担对公司或者投资者的赔偿责任。”
的承诺函
  发行人全体董事及高级管理人员就发行人申请首次公开发行人民币普通股
（A 股）并在上交所科创板上市被摊薄即期回报的填补措施能够得到切实履行作
出以下承诺：
  “1、不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益，也不采用其他方
式损害公司利益。
相挂钩。
钩。
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何有关填补被摊薄即期回报的措施的承诺，如违反该等措施对投资人或公司造成
损失的，本人愿意依法承担对公司或投资者的补偿责任。
  本人作出的承诺须符合适用法律、法规及规范性文件的规定及证券监督管理
部门的要求。如本人违反上述承诺，将遵照另行出具的《关于未能履行相关承诺
的约束措施的承诺函》承担责任。”
  （六）利润分配政策的承诺
  为充分保障公司股东的合法权益，为股东提供稳定持续的投资回报，促进股
东投资收益最大化的实现，发行人就利润分配政策作出如下承诺：
  “公司在本次发行后将严格依照中国证券监督管理委员会《关于进一步落实
上市公司现金分红有关事项的通知》
               《HUA HONG SEMICONDUCTOR LIMITED
（华虹半导体有限公司）之组织章程细则》《华虹半导体有限公司首次公开发行
人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创板上市后三年股东分红回报规划》
等规定执行利润分配政策。
  如公司违反上述承诺，将遵照公司另行出具的《关于未履行承诺时的约束措
施的承诺函》承担相应责任。”
  （七）依法承担赔偿责任的承诺
  为维护公众投资者的利益，发行人作出如下承诺：
  “1、公司本次发行的招股说明书不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，
且公司对上市文件所载之内容真实性、准确性、完整性承担相应法律责任。
对判断公司是否符合法律规定的发行条件构成重大、实质影响，且以欺诈手段骗
取发行注册并已经发行上市的，公司将在该等违法事实被证券监管部门作出认定
或处罚决定后，依法回购首次公开发行的全部新股。
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致使投资者在证券交易中遭受损失的，公司将在证券监管部门依法对上述事实作
出认定或处罚决定后依法赔偿投资者损失。
  如公司违反上述承诺，将遵照公司另行出具的《关于未履行承诺时的约束措
施的承诺函》承担相应责任。”
  为维护公众投资者的利益，发行人直接控股股东华虹国际作出如下承诺：
  “1、公司本次发行的招股说明书不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，
且本企业对上市文件所载之内容真实性、准确性、完整性承担相应法律责任。
对判断公司是否符合法律规定的发行条件构成重大、实质影响，且以欺诈手段骗
取发行注册并已经发行上市的，本企业将在该等违法事实被证券监管部门作出认
定或处罚决定后，依法回购首次公开发行的全部新股。
致使投资者在证券交易中遭受损失的，本企业将在证券监管部门依法对上述事实
作出认定或处罚决定后依法赔偿投资者损失。
  如本企业违反上述承诺，将遵照本企业另行出具的《关于未履行承诺时的约
束措施的承诺函》承担相应责任。”
  为维护公众投资者的利益，发行人间接控股股东华虹集团作出如下承诺：
  “1、公司本次发行的招股说明书不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗
漏，且本企业对上市文件所载之内容真实性、准确性、完整性承担相应法律责任。
对判断公司是否符合法律规定的发行条件构成重大、实质影响，且以欺诈手段骗
取发行注册并已经发行上市的，本企业将在该等违法事实被证券监管部门作出认
定或处罚决定后，依法回购首次公开发行的全部新股。
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致使投资者在证券交易中遭受损失的，本企业将在证券监管部门依法对上述事实
作出认定或处罚决定后依法赔偿投资者损失。
  如本企业违反上述承诺，将遵照本企业另行出具的《关于未履行承诺时的约
束措施的承诺函》承担相应责任。”
  为维护公众投资者的利益，发行人全体董事及高级管理人员作出如下承诺：
  “1、公司本次发行的招股说明书不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，
且本人对上市文件所载之内容真实性、准确性、完整性承担相应法律责任。
致使投资者在证券交易中遭受损失的，本人将在证券监管部门依法对上述事实作
出认定或处罚决定后依法赔偿投资者损失。
  如本人违反上述承诺，将遵照本人另行出具的《关于未履行承诺时的约束措
施的承诺函》承担相应责任。”
  （八）控股股东避免新增同业竞争的承诺
  发行人间接控股股东华虹集团已出具《关于避免同业竞争的承诺函》，主要
内容如下：
工艺技术平台不同，发行人主要定位于特色工艺，上海华力主要定位于先进逻辑
工艺，双方的产品服务在工艺技术的方向上存在本质不同，上海华力与发行人及
其控股子公司间不存在构成重大不利影响的同业竞争。
控制的除发行人及其控股子公司外的其他企业（以下简称“控制的其他企业” ）
均未从事或参与与发行人及其控股子公司主营业务构成重大不利影响的同业竞
争的业务，未来亦不会主动从事或参与任何与发行人及其控股子公司主营业务构
成竞争或可能存在竞争的业务。
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股子公司外的其他企业从任何第三方获得的商业机会与发行人经营的业务构成
重大不利影响的同业竞争，华虹集团将立即通知发行人，以适当方式将该等商业
机会优先提供予发行人，或由发行人在相同条件下优先收购有关业务所涉及的资
产或股权以避免与发行人构成重大不利影响的同业竞争的情况。
行人遭受或产生的任何损失或开支，华虹集团将予以全额赔偿。
  发行人间接控股股东华虹集团就《关于避免同业竞争的承诺函》补充承诺如
下：
子公司外的其他企业未来不会在 65/55nm 工艺节点上扩充产能。
行人遭受或产生的任何损失或开支，华虹集团将予以全额赔偿。
  发行人间接控股股东华虹集团就《关于避免同业竞争的补充承诺函》进一步
补充承诺如下：
  “1、自本承诺函出具之日起，对于华虹半导体与华力微在 65/55nm 工艺节
点存在部分业务重合的三个工艺平台业务，进行如下分割：65/55nm 独立式非易
失性存储器和嵌入式非易失性存储器工艺平台相关业务，由华虹半导体承接；
司将确保未来华力微在 65/55nm 重合工艺平台的营业收入和毛利占发行人主营
业务收入和毛利的比例始终保持在 30%以下。具体如下：
  （1）独立式/嵌入式非易失性存储器平台
  自本承诺函出具之日起，该平台新增客户由华虹半导体承接；华力微将继续
服务现有客户，且不在该平台承接新增客户以及现有客户的新产品。
  （2）逻辑与射频平台
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  自本承诺函出具之日起，该平台新增客户由华力微承接；华虹半导体将继续
服务现有客户，且不在该平台承接新增客户以及现有客户的新产品。
艺平台上的业务，也将按照上述划分标准执行，即独立式非易失性存储器和嵌入
式非易失性存储器工艺平台相关业务由华虹半导体承接，逻辑与射频工艺平台相
关业务由华力微承接。
入和毛利的比例不超过 30%，具体措施包括但不限于：（1）自本承诺函出具日
起，本公司将监督华虹半导体及华力微严格按照上述方式开展业务；（2）本公
司每季度末将对华虹半导体及华力微 65/55nm 重合工艺平台的客户结构、已执行
订单、在手订单、产能安排、收入及毛利情况进行动态监测；（3）若在监测中
发现上述比例接近临界值，将及时对双方的生产经营计划作出调整；（4）督促
华虹半导体在其年度报告中披露相关承诺的履行情况。
按照国家战略部署安排，在履行政府主管部门审批程序后，华虹集团将华力微注
入发行人。
作为发行人间接控股股东期间有效；如上述承诺与本公司此前出具的承诺任何不
一致，均以此承诺函为准；自本承诺函出具之日起，若因本公司违反本承诺函任
何条款而致使发行人遭受或产生的任何损失或开支，本公司将予以全额赔偿。”
  发行人直接控股股东华虹国际已出具《关于避免同业竞争的承诺函》，主要
内容如下：
人及其控股子公司外的其他企业（以下简称“控制的其他企业”）均未从事或参
与与发行人及其控股子公司主营业务构成竞争的业务，未来亦不会从事或参与任
何与发行人及其控股子公司主营业务构成竞争或可能存在竞争的业务。
股子公司外的其他企业从任何第三方获得的商业机会与发行人经营的业务构成
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竞争或可能构成竞争，华虹国际将立即通知发行人，以适当方式将该等商业机会
优先提供予发行人，或由发行人在相同条件下优先收购有关业务所涉及的资产或
股权以避免与发行人形成同业竞争的情况。
行人遭受或产生的任何损失或开支，华虹国际将予以全额赔偿。
  （九）关于规范和减少关联交易的承诺函
  公司直接控股股东、间接控股股东出具了《关于规范和减少关联交易的承诺
函》并承诺如下：
  “1、本企业以及本企业直接或间接控制的企业（如有，为本承诺函之目的，
不包括公司及其直接或者间接控制企业）将尽最大努力减少或避免与公司之间的
关联交易。在进行确属必要且无法规避的关联交易时，保证按市场化原则和公允
定价原则进行公平操作，签署关联交易协议，并按相关法律法规、规范性文件、
公司章程和其他公司内部治理文件规定履行审批程序及信息披露义务。
理文件的规定，在审议与本企业有关的关联交易事项时，切实遵守公司董事会、
股东大会进行关联交易表决时的回避程序；严格遵守公司关联交易的决策制度，
确保不损害公司和其他股东的合法利益；保证不利用在公司的地位和影响，通过
关联交易损害公司以及其他股东的合法权益。
本企业或本企业直接或间接控制的企业（如有）违反上述承诺而导致公司或其他
股东的权益受到损害，本企业将依法赔偿由此给公司或其他股东造成的实际经济
损失。”
  （十）其他承诺
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  （1）发行人关于未履行承诺时的约束措施的承诺函
  根据中国证监会《关于进一步推进新股发行体制改革的意见》等相关规定，
发行人将严格履行就本次 A 股发行上市所作的所有公开承诺事项，并作出承诺
如下：
  “1、公司在本次发行中作出的全部公开承诺（以下简称“承诺事项”）均为公
司的真实意思表示，并对公司具有约束力，公司自愿接受监管机构及社会公众的
监督。公司将严格履行承诺事项中的各项义务和责任。
诺将采取以下措施予以约束：
  （1）可以采取相应补救措施或提出新的承诺（相关承诺需按法律、法规及
规范性文件、公司章程及相关内控制度的规定履行相关审批、审议和信息披露程
序）；
  （2）在证券监管部门或其他有权部门认定公司违反或者未实际履行承诺事
项之日起 30 日内，或认定因公司违反或未实际履行承诺事项而致使投资者在证
券交易中遭受损失之日起 30 日内，公司将依法向投资者赔偿相应损失，补偿金
额依据公司与投资者协商确定的金额，或者证券监管部门或其他有权部门认定的
方式或金额确定。
出承诺的公司股东、董事、高级管理人员，公司将立即停止对其进行现金分红，
并停发其应在公司领取的薪酬、津贴，直至该等人士履行相关承诺。”
  （2）直接控股股东关于未履行承诺时的约束措施的承诺函
  根据中国证监会《关于进一步推进新股发行体制改革的意见》等相关规定，
发行人控股股东华虹国际将严格履行就本次 A 股发行上市所作的所有公开承诺
事项，并作出承诺如下：
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  “1、本企业在本次发行中作出的全部公开承诺（以下简称“承诺事项”）均为
本企业的真实意思表示，并对本企业具有约束力，本企业自愿接受监管机构及社
会公众的监督。本企业将严格履行承诺事项中的各项义务和责任。
业承诺将采取以下措施予以约束：
  （1）可以采取相应补救措施或提出新的承诺（相关承诺需按法律、法规及
规范性文件、本企业章程及相关内控制度的规定履行相关审批、审议等程序）；
  （2）在证券监管部门或司法机关最终认定本企业违反或者未实际履行承诺
事项且应承担赔偿责任的，本企业将依法承担相应赔偿责任；
  （3）因违反承诺所产生的收益全部归公司所有，公司有权暂扣本企业应得
的现金分红（如有），直至本企业将违规收益足额交付公司为止。”
  （3）间接控股股东关于未履行承诺时的约束措施的承诺函
  根据中国证监会《关于进一步推进新股发行体制改革的意见》等相关规定，
发行人间接控股股东华虹集团将严格履行就本次 A 股发行上市所作的所有公开
承诺事项，并作出承诺如下：
  “1、本企业在本次发行中作出的全部公开承诺（以下简称“承诺事项”）均
为本企业的真实意思表示，并对本企业具有约束力，本企业自愿接受监管机构及
社会公众的监督。本企业将严格履行承诺事项中的各项义务和责任。
业承诺将采取以下措施予以约束：
  （1）可以采取相应补救措施或提出新的承诺（相关承诺需按法律、法规及
规范性文件、本企业章程及相关内控制度的规定履行相关审批、审议等程序）；
  （2）在证券监管部门或司法机关最终认定本企业违反或者未实际履行承诺
事项且应承担赔偿责任的，本企业将依法承担相应赔偿责任；
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  （3）因违反承诺所产生的收益全部归公司所有。”
  （4）董事、高级管理人员关于未履行承诺时的约束措施的承诺函
  根据中国证监会《关于进一步推进新股发行体制改革的意见》等相关规定，
发行人全体董事、高级管理人员将严格履行就本次 A 股发行上市所作的所有公
开承诺事项，并作出承诺如下：
  “1、本人在本次发行中作出的全部公开承诺（以下简称“承诺事项”）均为本
人的真实意思表示，并对本人具有约束力，本人自愿接受监管机构及社会公众的
监督。本人将严格履行承诺事项中的各项义务和责任。
诺将采取以下措施予以约束：
  （1）可以采取相应补救措施或提出新的承诺（相关承诺需按法律、法规及
规范性文件、公司章程及相关内控制度的规定履行相关审批、审议等程序）；
  （2）在证券监管部门或其他有权部门认定本人违反或者未实际履行承诺事
项之日起 30 日内，或认定因本人违反或未实际履行承诺事项而致使投资者在证
券交易中遭受损失之日起 30 日内，本人自愿将从公司领取的全部薪酬和/或津贴、
现金分红（如有）对投资者先行进行赔偿；
  （3）若本人未履行承诺，公司可以视情节轻重对本人采取扣减绩效薪酬、
降薪、降职、停职、撤职等处罚措施。”
  （1）发行人关于适用法律和管辖法院的承诺函
  为保障境内投资者可依据相关法律规定在中国境内有管辖权的人民法院提
起民事诉讼，发行人就适用法律和管辖法院作出如下承诺：
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  “1、若因公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创
板上市以及公司在科创板上市期间所发生的纠纷，将适用中华人民共和国（仅为
本承诺函之目的，不包含中国香港特别行政区、中国澳门特别行政区及中国台湾
地区）（以下简称“中国”）法律，并由中国境内有管辖权的人民法院管辖。公司
不会对上述法律适用及法院管辖提出异议。
务时违反法律法规或者公司章程的规定给公司造成损失的，或者他人侵犯公司合
法权益给公司造成损失的，连续一百八十日以上单独或者合计持有公司百分之一
以上人民币普通股（A 股）的股东提起的派生诉讼；（2）因公司未按照规定披
露信息，或者公告的证券发行文件、定期报告、临时报告及其他信息披露资料存
在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使人民币普通股（A 股）股东在证券
交易中遭受损失的，人民币普通股（A 股）的股东针对公司及其他相关责任人提
起的民事赔偿诉讼。”
  （2）直接控股股东关于适用法律和管辖法院的承诺函
  为保障境内投资者可依据相关法律规定在中国境内有管辖权的人民法院提
起民事诉讼，发行人直接控股股东华虹国际就适用法律和管辖法院作出如下承诺：
  “公司已承诺，若因公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券
交易所科创板上市以及公司在科创板上市期间所发生的相关纠纷，将适用中华人
民共和国（仅为本承诺函之目的，不包含中国香港特别行政区、中国澳门特别行
政区及中国台湾地区）（以下简称“中国”）法律，并由中国境内有管辖权的人民
法院管辖。
  上述“纠纷”应包括：（1）董事、高级管理人员执行公司职务时违反法律法
规或者公司章程的规定给公司造成损失的，或者他人侵犯公司合法权益给公司造
成损失的，连续一百八十日以上单独或者合计持有公司百分之一以上人民币普通
股（A 股）的股东提起的派生诉讼；（2）因公司未按照规定披露信息，或者公
告的证券发行文件、定期报告、临时报告及其他信息披露资料存在虚假记载、误
导性陈述或者重大遗漏，致使人民币普通股（A 股）股东在证券交易中遭受损失
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的，人民币普通股（A 股）的股东针对公司及其他相关责任人提起的民事赔偿诉
讼。
  本企业作为公司的控股股东，承诺不会对上述法律适用及法院管辖提出异议
（如涉及）。”
  （3）间接控股股东关于适用法律和管辖法院的承诺函
  为保障境内投资者可依据相关法律规定在中国境内有管辖权的人民法院提
起民事诉讼，发行人间接控股股东华虹集团就适用法律和管辖法院作出如下承诺：
  “公司已承诺，若因公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券
交易所科创板上市以及公司在科创板上市期间所发生的相关纠纷，将适用中华人
民共和国（仅为本承诺函之目的，不包含中国香港特别行政区、中国澳门特别行
政区及中国台湾地区）（以下简称“中国”）法律，并由中国境内有管辖权的人民
法院管辖。
  上述“纠纷”应包括：（1）董事、高级管理人员执行公司职务时违反法律
法规或者公司章程的规定给公司造成损失的，或者他人侵犯公司合法权益给公司
造成损失的，连续一百八十日以上单独或者合计持有公司百分之一以上人民币普
通股（A 股）的股东提起的派生诉讼；（2）因公司未按照规定披露信息，或者
公告的证券发行文件、定期报告、临时报告及其他信息披露资料存在虚假记载、
误导性陈述或者重大遗漏，致使人民币普通股（A 股）股东在证券交易中遭受损
失的，人民币普通股（A 股）的股东针对公司及其他相关责任人提起的民事赔偿
诉讼。
  本企业作为公司的间接控股股东，承诺不会对上述法律适用及法院管辖提出
异议（如涉及）。”
  （4）董事、高级管理人员关于适用法律和管辖法院的承诺函
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  为保障境内投资者可依据相关法律规定在中国境内有管辖权的人民法院提
起民事诉讼，发行人全体董事、高级管理人员就适用法律和管辖法院作出如下承
诺：
  “1、若因公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创
板上市以及公司在科创板上市期间所发生的纠纷，将适用中华人民共和国（仅为
本承诺函之目的，不包含中国香港特别行政区、中国澳门特别行政区及中国台湾
地区）（以下简称“中国”）法律，并由中国境内有管辖权的人民法院管辖。本人
不会对上述法律适用及法院管辖提出异议。
务时违反法律法规或者公司章程的规定给公司造成损失的，或者他人侵犯公司合
法权益给公司造成损失的，连续一百八十日以上单独或者合计持有公司百分之一
以上人民币普通股（A 股）的股东提起的派生诉讼；（2）因公司未按照规定披
露信息，或者公告的证券发行文件、定期报告、临时报告及其他信息披露资料存
在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使人民币普通股（A 股）股东在证券
交易中遭受损失的，人民币普通股（A 股）的股东针对公司及其他相关责任人提
起的民事赔偿诉讼。”
  发行人针对股东信息披露事宜出具承诺如下：
  “1、直接或间接持有公司股份的股东及其出资人中不存在法律法规规定禁止
持股的主体。
股股份外，本次发行上市的中介机构或其负责人、高级管理人员、经办人员不存
在直接或间接持有公司股份的情形。
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合竞价、连续竞价交易方式增加的股东。”
  （1）保荐人承诺
  联席保荐人（联席主承销商）国泰君安承诺如下：
  “1、因发行人招股说明书及其他信息披露材料有虚假记载、误导性陈述或者
重大遗漏，致使投资者在证券发行和交易中遭受损失的，将依法赔偿投资者损失。
性陈述或者重大遗漏，给投资者造成损失的，将依法赔偿投资者损失。”
  联席保荐人（联席主承销商）海通证券承诺如下：
  “海通证券承诺因本公司为发行人首次公开发行股票制作、出具的文件有虚
假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给投资者造成损失的，本公司将依法赔偿投
资者损失”。
  （2）发行人律师承诺
  发行人律师通力律师承诺如下：
  “若因本所未能勤勉尽责地履行法定职责而导致本所为发行人出具的公开法
律文件中存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并因此给投资者造成损失的,
本所将依法赔偿投资者由此遭受的损失。如果投资者依据本承诺函起诉本所,赔
偿责任及赔偿金额由被告所在地或发行人本次发行的上市交易地有管辖权的法
院确定。”
  （3）发行人会计师承诺
  发行人会计师安永承诺如下：
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   “本所承诺，因本所为华虹半导体有限公司首次公开发行科创板股票出具的
以下文件有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，从而给投资者造成损失的，本所
将依法赔偿投资者损失：（1）于 2023 年 3 月 24 日出具的审计报告（报告编
号：安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号）。（2）于 2023 年 3 月 24 日
出具的内部控制审核报告（报告编号：安永华明（2023）专字第 60985153_B01
号）。（3）于 2023 年 3 月 24 日出具的非经常性损益的专项说明（专项说明
编号：安永华明（2023）专字第 60985153_B02 号）。”
附表八：落实投资者关系管理相关规定的安排、股利分配决策程序、
股东投票机制建立情况
   （一）落实投资者关系管理相关规定的安排
   为切实保护投资者的合法权益，根据适用法律法规的规定，公司制定了《组
织章程细则》《信息披露境内代表工作细则》等制度，能有效保障公司与投资者
之间的良好沟通，增加投资者对公司的了解，进一步提升公司治理水平，从而更
好地实现公司整体利益的最大化，并保护投资者的合法权益。公司未来将采用多
种方式与投资者进行及时、有效和深入的沟通，提高沟通效率，降低沟通成本。
   （二）股利分配决策程序
   公司董事会在制定利润分配方案时，应当认真研究和论证现金分红的时机、
条件和最低比例、调整的条件及其决策程序要求等事项，独立非执行董事应当发
表明确意见。股东大会对利润分配方案进行审议前，公司应当通过多种渠道主动
与股东（尤其是中小股东）进行沟通和交流，充分听取中小股东的意见。
   （三）股东投票机制建立情况
   根据《国务院办公厅关于进一步加强资本市场中小投资者合法权益保护工作
的意见》《上市公司治理准则（2018 修订）》的相关规定，单一股东及其一致
行动人拥有权益的股份比例在 30%及以上的上市公司应当采用累积投票制。截至
报告期末，公司不存在单一股东及其一致行动人拥有权益的股份比例在 30%及以
上的情况，因此，公司股东大会就选举董事进行表决时可以不采用累积投票制。
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   公司作为香港上市公司，港股股份存管于中央结算及交收系统（CCASS，
即 The Central Clearing and Settlement System）。该系统由香港中央结算有限公司
（HKSCC，即 The Hong Kong Securities Clearing Company Limited）拥有及运营。
存管于 CCASS 系统的港股股份由香港中央结算有限公司的全资附属公司香港中
央结算（代理人）有限公司（即 HKSCC Nominees Limited）持有，公司股东名
册上显示香港中央结算（代理人）有限公司持有所有存管于 CCASS 系统的股份。
公司股东大会前，各港股实益股东须向其聘请的 CCASS 系统参与者（即经纪人）
给出投票指示，香港中央结算（代理人）有限公司会统计所有 CCASS 系统参与
者的投票指示，并在合并的基础上，就已收到投票指示的所有存管于 CCASS 系
统的股份进行投票，因此公司无法穿透到港股实益股东层面计票，亦无从判断港
股实益股东是否为中小股东，无法为其单独计票。
   公司独立非执行董事的主要职责包括参与董事会会议并提供独立意见，如会
议拟决议事项涉及主要股东或有利益冲突（且董事会认为所涉利益属重大）董事，
则与所涉事项无重大利益的独立非执行董事将出席董事会及其辖下委员会会议
并带领讨论。因此，独立非执行董事在股东大会审议影响中小投资者利益的重大
事项前，能够发挥其专长，对影响或可能影响中小投资者利益的事项提出相应意
见与建议，从而保护中小投资者利益。
   根据《组织章程细则》，董事可全权酌情指定股东大会以实体大会、混合大
会或电子大会形式举行。董事会应当按照适用法律法规、上市规则、章程细则的
规定，采用安全、经济、便捷的网络或其他方式为股东参加股东大会提供便利。
附表九：股东大会、董事会、独立董事、董事会秘书制度的建立健全
及运行情况说明
   《组织章程细则》和《股东大会议事规则》对股东大会的职权、召开、通知、
提案等事项作出了明确的规定。
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  （1）股东大会的职权
  根据《组织章程细则》和《股东大会议事规则》的规定，公司股东大会可行
使下列职权：
  ①审议批准本公司增加已发行在外股份总数（包括发行股票（含优先股）、
可转换为股份的证券、认股权证等影响本公司股本的证券）；
  ②注销于有关决议案通过当日仍未被任何人士认购或同意认购的任何股份；
  ③任命及罢免董事（在适用法律法规及《组织章程细则》中允许董事会任命
或罢免的情况除外）；
  ④批准在合同规定权益外，因免职或退休而向任何董事或前任董事支付任何
补偿；
  ⑤审议批准本公司的股息分派方案；
  ⑥审议批准董事会的年度报告；
  ⑦决定本公司业务的根本变化；
  ⑧对本公司聘用、解聘负责年审的核数师作出决议；
  ⑨审议批准适用法律法规、上市规则规定应当由股东大会批准的对外担保；
  ⑩审议批准本公司的股权激励计划和员工持股计划；
  ?审议批准适用法律法规及上市规则规定的应当由股东大会批准的重大交
易；
  ?审议批准适用法律法规及上市规则规定的应当由股东大会批准的关连或
关联交易；
  ?在遵守适用法律法规、《组织章程细则》及《公司条例》其他要求的基
础下，减少本公司已发行在外股份总数（包括股东在股东大会上授予的一般授权
未涵盖的任何股票赎回或回购）；
  ?批准修改《组织章程细则》，或者通过本公司新《组织章程细则》；
  ?审议批准本公司在一年内购买或出售重大资产超过本公司最近一期经审
计总资产 30%的事项；
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  ?审议批准适用法律法规及规范性文件、上市规则规定的须由股东大会批
准的变更募集资金用途事项；
  ?批准本公司合并、分立、分拆、解散、清算或者变更公司形式；
  ?批准任何主动撤回股票在现有证券交易所的交易，并决定不再在现有证
券交易所交易，或转而申请在其他股份交易平台买卖或转让；
  ?审议批准适用法律法规、上市规则、《组织章程细则》及其他规定订明
由股东大会审议批准的其他事项。
  （2）股东大会的召集及召开
  根据《组织章程细则》和《股东大会议事规则》的规定，本公司须根据法律
法规的规定于本公司各财政年度举行一次股东大会作为股东周年大会，并须在召
开大会之通告中指明召开周年大会。周年股东大会应于每个财政年度结束后的六
个月内召开。股东周年大会以外的所有股东大会均称作股东特别大会。
  董事会可在其认为适当时，召开股东大会。单独或者合计持有本公司发行在
外有表决权股份总数的 5%或以上股份的股东有权向董事会请求召开股东大会。
  （3）股东大会的提案
  根据《组织章程细则》和《股东大会议事规则》的规定，股东大会会议通知
发出之后，以不影响公司股东大会按期召开为前提，达到以下要求的股东根据《组
织章程细则》适当提交股东大会处理的事务：
  本章程细则或其他本公司制度规定的由该名股东向公司提出临时提案的日
期以及确定有权于有关股东大会投票的记录日期，均为记录在股东名册的公司股
东，且单独或合并持有公司发行在外有表决权股份总数的 3%以上（含 3%），以
及相关股东在股东大会召开 10 日前提出临时提案并书面提交董事会。
  （4）股东大会的通知
  根据《组织章程细则》和《股东大会议事规则》的规定，股东周年大会须最
少发出二十一个足日（或上市规则所规定的更长期间）之书面通告，而举行股东
特别大会则最少须发出十四个足日（或上市规则所规定的更长期间）之书面通告。
通告必须注明举行会议的地点、日期、时间（倘会议于两个或两个以上地点举行，
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则须注明会议主要地点及其他地点）、议程及决议案详情，倘会处理特别事项，
则必须注明有关事项的一般性质，倘召开股东周年大会，则须指明其为股东周年
大会。
  （5）股东大会的运行情况
  报告期内，公司共召开过 6 次股东大会。公司严格按照有关法律、法规、规
范性文件和《公司章程》的规定规范运作，严格执行股东大会制度，股东依法行
使股东权利。
  《组织章程细则》和《董事会议事规则》对董事会的职权、召开、决议等事
项作出了明确的规定。
  （1）董事会的构成及职权
  《组织章程细则》和《董事会议事规则》公司董事会行使的职权如下：
  ①召集股东大会，并向股东大会报告工作；
  ②执行股东大会的决议；
  ③制订本公司的利润分配方案和弥补亏损方案；
  ④制订本公司增加或减少已发行股份的方案；
  ⑤制订本公司重大收购、合并、清盘或者更改公司地位（包括公众公司变更
为私人公司等）的方案；
  ⑥在适用法律法规、上市规则及本章程细则规限下，决定公司的对外投资、
收购出售资产、资产抵押、对外担保、委托理财、关联（连）交易、对外捐赠等
事项；
  ⑦决定委任或罢免本公司总裁、其他高级管理人员及公司秘书，并决定有关
其薪酬和奖惩事项；
  ⑧向股东大会提请委任或更换负责本公司审计的核数师；
  ⑨制订修订章程细则的方案；
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  ⑩在适用法律法规、上市规则允许的范围内，就本公司发行一般债券（须取
得股东批准的可换股债券发行除外）作出决定；
  ?适用法律法规、上市规则及章程细则等规定的其他职权。
  （2）董事会的召开
  根据《组织章程细则》和《董事会议事规则》的规定，董事会每年至少召开
四次会议，约每季度一次。董事如认为合适，可召开会议以处理公司事务、将会
议延期及以其他方式规管会议。
  （3）董事会的议事程序
  根据《组织章程细则》的规定，任何董事会议上提出的问题须以大多数投票
作出决定。任何会议处理事项需经出席有关会议的董事的过半数表决通过，适用
法律法规、上市规则、章程细则另有规定的除外。董事会决议的表决，实行一人
一票制。如果票数相等，则主席将有权投第二票或决定票。董事，及秘书（在董
事之要求下），可召集董事会会议。同时担任替任董事之董事有权于其委任人缺
席之情况下代其委任人作出自身投票以外之独立投票；获两名或以上董事委任之
替任董事有权于委任人缺席之情况下代其委任人分别作出独立投票。
  （4）董事会的通知
  根据《组织章程细则》的规定，会议通知于亲自以书面形式或以口头方式或
发送予董事之最新地址或任何其他其告知本公司之地址时已视为妥为送达。董事
可豁免收取任何会议之通告，有关豁免可具前瞻效力或追溯效力。
  （5）董事会的运行情况
  报告期内，公司共召开过 30 次董事会。公司严格按照有关法律、法规、规
范性文件和《公司章程》的规定规范运作，董事依照有关法律、法规、规范性文
件和《公司章程》的规定行使职权、勤勉尽职地履行职责和义务。
  截至本招股说明书签署日，公司聘任了 3 名独立非执行董事。公司独立非执
行董事的主要职责包括参与董事会会议并在涉及公司策略、政策、公司表现及操
守准则等方面提供独立的意见，以及在出现潜在利益冲突时发挥牵头引导作用并
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及时监察汇报公司表现。公司独立非执行董事发挥其在业务方面的专长，对公司
的经营管理、战略发展、内部控制及募集资金投资项目等方面提出了相应意见与
建议，对完善公司治理结构和规范公司运作发挥了积极作用，有利于完善法人治
理结构，保护公司及公司中小股东的利益，提高科学决策能力。
  公司设公司秘书，负责公司股东大会和董事会会议的筹备、文件的保管事宜。
确保董事会成员之间信息交流以及遵循董事会政策及程序。
  信息披露境内代表为境内信息披露事务的负责人，负责办理公司人民币普通
股股票上市期间的人民币普通股相关的信息披露和监管联络事宜。
  报告期内，公司秘书依照相关规定履行职责，确保公司股东大会和董事会依
法召开会议、依法行使职权，及时向公司股东、董事通报公司的有关信息，建立
与股东的良好关系，对公司治理结构的完善和股东大会、董事会正常行使职权发
挥了重要的作用。
附表十：审核委员会及其他专门委员会的设置情况说明
  公司董事会下设审核委员会、薪酬委员会及提名委员会三个专门委员会，各
专门委员会对董事会负责，专门委员会成员全部由董事组成。
  审核委员会由本公司董事会委任的不少于三名成员组成，全部须为非执行董
事且均应符合法律、香港联交所、上交所以及任何其他适用的主管监管机构的独
立性、财务素养及其他要求。
  审核委员会主席须由董事会委任，且必须为一名具备会计或相关财务管理专
长的独立非执行董事。
  公司制定的《审核委员会的职权范围》明确了审核委员会的成员、主席、法
定人数、会议次数、责任与职权相关事项。
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  薪酬委员的大部分成员均需由独立非执行董事组成。其中一名独立非执行董
事成员经董事会提名为委员会主席。
  公司制定的《薪酬委员会的职权范围》明确了薪酬委员会的成员、主席、法
定人数、会议次数、责任与职权相关事项。
  提名委员会的大部分成员均需由独立非执行董事组成。其中一名独立非执行
董事成员或董事长经董事会提名为委员会主席。
  公司制定的《提名委员会的职权范围》明确了提名委员会的成员、主席、法
定人数、会议次数、责任与职权相关事项。
附表十一：募集资金具体运用情况
  募集资金具体运用情况详见本招股说明书“第七节 募集资金运用与未来发
展规划”之“二、募集资金运用情况”。
附表十二：子公司、参股公司简要情况
  公司子公司、参股公司简要情况详见本招股说明书“第四节 发行人基本情
况”之“六、发行人子公司、分公司及参股公司情况”。

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