公司代码：603690 公司简称：至纯科技
上海至纯洁净系统科技股份有限公司
第一节 重要提示
划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
元）
第二节 公司基本情况
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
A股 上海证券交易所 至纯科技 603690 无
联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表
姓名 陆磊 张娟
办公地址 上海市闵行区紫海路170号 上海市闵行区紫海路170号
电话 021-80238290 021-80238290
电子信箱 dong_ban@pncs.cn dong_ban@pncs.cn
集成电路领域，随着信息化、智能化技术的快速发展，半导体芯片及器件产品在半导体照明、
新一代移动通信、智能电网、新能源汽车、消费类电子等领域得到广泛应用，集成电路市场规模
实现快速增长。根据 WSTS 资料显示，全球半导体产业销售额已从 2000 年的 2,044 亿美元增长
至 2021 年的 5,559 亿美元，并从中国台湾、日本、韩国向中国大陆转移。根据国际半导体设备
与材料协会（SEMI） 的数据，2021 年全球半导体设备市场规模达到 1,030 亿美元，较 2020 年增
长 42.24%，2022 年第三季度全球半导体设备出货金额达到 287.5 亿美元，环比增长 9%，同比
增长 7%，其中中国大陆半导体设备出货金额占比约 26.4%。
根据 SEMI 报告显示，中国大陆、中国台湾和韩国在 2022 年仍是设备支出的前三大目的地。
中国大陆在继 2020 年首次占据榜首后，2023 年将保持这个位置。尽管大多数地区的设备支出预
计将在 2023 年减少，但在 2024 年将恢复增长。根据浙商证券统计数据显示，2022 年中国大陆共
有 23 座 12 英寸晶圆厂正在投产，总计月产能约为 104.2 万片，与总规划月产能 156.5 万片相比，
产能装载率仅 66.58%。预计中国大陆 2022-2026 年还将新增 25 座 12 英寸晶圆厂，总规划月产能
超过 160 万片，预计截止至 2026 年底，中国大陆 12 英寸晶圆厂的总月产能将超过 276.3 万片，
相比目前提高 165.1%。
目前全球缺芯尚无明显改善迹象，在全球集成电路制造产能持续紧张背景下，近两年我国集
成电路相关领域投资活跃，实现半导体器件设备、电子元件及电子专用材料制造投资额的大幅增
长，中国大陆正在成为全球半导体产业扩张宝地。中国跃升全球半导体第一大市场，但自给率仅
将达到 40%、2025 年达 50%，中国庞大资金与相关配套政策扶植下，估计未来几年半导体建设仍
蓬勃发展。
公司目前 80%的业务服务于集成电路领域，主营业务主要包括半导体制程设备、系统集成及
支持设备的研发和生产销售，以及由此衍生的部件材料及专业服务。
半导体设备是半导体技术迭代的基石，是半导体产业的发动机。芯片的制造过程可以分为前
道工艺和后道工艺。前道工艺设备投资占总设备投资的 80%以上。公司提供湿法清洗设备，包括
湿法槽式清洗设备及湿法单片式清洗设备，聚焦晶圆制造的前道工艺，主要应用于扩散、光刻、
刻蚀、离子注入、薄膜沉积等关键工序段前后。高端产品包括 SPM 高温硫酸、去胶、晶背清洗等
清洗设备。
单片高温 SPM 工艺主要用在刻蚀以及离子注入之后的有机物清洗，目的是把晶圆表面反应后
残余的光刻胶聚合物清除干净。单片 SPM 工艺应用贯穿整个先进半导体的前、中段工艺，清洗工
艺次数超过 30 道，是所有湿法工艺中应用最多的一种设备。此外 SPM 工艺被广泛应用在浅槽隔离
（STI）、接触孔刻蚀后（CT）等高深宽结构，以及鳍式晶体管（FinFET） 、电容（capacitor）
等高度复杂图形区域，故 SPM 工艺被公认是 28/14nm 性能要求最高的工艺，也是最具挑战的湿法
工艺设备。在至纯科技的单片 SPM 获得突破之前，所有的单片 SPM 设备全部由国外厂商所垄断。
此外公司开发硫酸回收系统与单片 SPM 设备搭配使用，最高可以实现 80%以上的硫酸回收，单台
每年可为用户节省 160~180 万美金的硫酸费用，同时降低用户对危废排放的压力。公司单片清洗
机台设计采用类国际一流设备的架构，拥有自己专利和技术布局。目前产品的各项工艺指标与国
际大厂设备是相匹配的，并可实现 37 纳米以下少于 20 个剩余颗粒的处理。
Backside clean（晶背清洗）工艺是在芯片制造工艺中相当重要的湿法工艺。半导体生产过
程中，对于污染是很重视的，尤其是金属污染。一旦有金属污染将损失巨大。半导体生产设备中，
最高单价的就是光刻机，晶圆背面清洗的功能就是将背面的金属污染物清除，把颗粒洗净，让晶
圆以最佳状态进入光刻机，避免光刻机因晶圆背面缺陷问题(金属和颗粒)而停机。晶圆背面清洗
的重要性及步骤数量随着工艺进步和金属层的增加而增加。目前国内晶圆厂商用的最多的是由海
外大厂制造的机台，而公司目前已实现 Backside etch（背面蚀刻）功能，达到客户的验收标准。
通过背面单片机台清洗后，可实现 40 纳米以上少于 10 个剩余颗粒的处理。同时金属污染可控制
在 1E+9（原子/平方厘米）以内。目前产品的各项工艺指标可对标国际大厂设备指标。截至目前，
核心工序段的高阶设备累计订单量近 20 台。
公司产品如下所示：
产品系列 产品图片 应用领域 技术特点
单片清洗设备
·高温硫酸回收，有助于节约客户
覆盖 40-7nm 制程，重
成本
点应用于去胶清洗、
·高温/高浓度化学品稳定应用
S300-HS 离子注入后清洗、化
·高稳定化学品混配系统
学研磨后清洗、镍铂
·反应腔模组化设计
金属去除等工艺
·高洁精度零部
可覆盖全制程晶背清 ·特有的晶圆翻转系统
S300-BS
洗需求 ·良好的晶背刻蚀均匀性
覆盖 40-28nm 制程，
·更好的机械设计，缩短等待时间
重点应用于接触孔清
·通过化学品回收有效为客户降低
S300-CL 洗、炉管前清洗、薄
运营成本
膜沉积前后清洗等工
·工艺可随世代提升的显著优势
艺
覆盖 90-7nm 制程，重 ·高稳定化学品混配系统
点应用于后段有机物 ·良好的化学品回收能力
S300-SV
清洗及高介电常数金 ·反应腔模组化设计
属清洗工艺 ·高洁精度零部件
槽式清洗设备
重点覆盖 28nm 氮化
B300-HT
硅去除 ·流场优化：重新设计槽体,均匀性
与颗粒表现佳
·浓度控制：可自动侦测并添加药
液
覆盖 90-65nm 制程， ·补酸量控制：可实现小量换酸功
B200 系列 重点应用于刻蚀及去 能
胶领域
其他设备
特色工艺单片
可覆盖薄片工艺、化合物半导体、金属剥离制程等
设备
湿法制绒设备 可覆盖 Topcon 及 HJT 等主流电池生产工艺
炉管设备 可覆盖半导体芯片制程多项核心工艺
涂胶显影设备 可用于集成电路制造前道晶圆加工环节的光刻工序
泛半导体工艺伴随许多种特殊制程，会使用到大量超高纯（ppt 级别）的干湿化学品，这是完
成工艺成果的重要介质，其特点是昂贵并伴随排放，因此高纯工艺系统在这其中发挥着重要作用。
公司为集成电路制造企业及泛半导体产业提供高纯工艺系统的设计、安装、测试调试服务。
高纯工艺系统的核心是系统设计，系统由专用设备、侦测传感系统、自控及软件系统、管阀件等
组成；系统的前端连接高纯介质储存装置，系统的终端连接客户自购的工艺生产设备。
在集成电路领域，高纯工艺系统主要包括高纯特气系统、大宗气体系统、高纯化学品系统、
研磨液供应及回收系统、前驱体工艺介质系统等。高纯工艺中的特气设备和系统服务于各类干法
工艺机台，高纯化学品设备系统服务于各类湿法系统，专用设备和系统和机台的腔体连成一个工
作面，对于良率有重要的影响。
工艺尾气液处理设备、干法机台气体供应模块等工艺支持性的设备作为单独的分类。该类设备作
为和氧化/扩散、刻蚀、离子注入、沉积、研磨、清洗等工艺机台的工艺腔体连为一个工作系统的
支持性设备，是和工艺良率息息相关的必要设备，相当于一个工厂的心血管系统。该类设备随着
进口替代的展开，在高纯工艺系统中占比越来越高。公司已经成为国内该类设备的领先者。
设备名称 产品图片 功能简介
气瓶柜 密闭式安全储存气体并不间断输送
气体阀门分配箱 高纯气体或者液体分流的阀门箱
化学品柜 对多套工艺设备进行化学品供给
化学品附属设备 化学品供应系统中部分设备
研磨液供应设备 按照工艺要求精确配液供给设备
单瓶气压式 LDS 半导体级先进前驱体物料供应系统设备
（1）基于目前国内半导体关键零部件依赖进口的大背景，公司在海宁设立了半导体模组及部
件制造基地。在湿法清洗设备关键零部件技术方面，公司投入了众多资源进行自主研发和合作开
发，取得了一定的技术成果，为部件制造奠定了一定的技术基础。海宁部件基地目前为客户进行
刻蚀设备腔体中的结构件的精密制造。该项业务的顺利开展有利于推动我国关键半导体零部件进
口替代，有利于进一步丰富及优化公司的业务结构、增强公司的综合竞争力。
（2）部件清洗及晶圆再生服务
公司在合肥设立了晶圆再生、部件清洗及表面处理产线，并建有国内首条完整阳极处理线。
晶圆再生产线是国内首条投产的 12 英寸晶圆再生产线，部件清洗及表面处理产线可为 7 纳米及以
上制程的部件提供清洗及表面处理服务。
当客户设备部件出现阳极氧化层和基底暴露、表面损坏、涂层厚度低于规范标准等情况时，
我们使用水刀、喷砂、阳极氧化、电浆熔射、电弧熔射等工艺对部件进行表面处理及物理、化学
清洗，处理后通过量测设备进行各类指标的测量，将设备中的石英、陶瓷、不锈钢、铝等材质的
部件恢复到设备原厂零部件出厂等级。目前部件再生服务已通过近十家客户在刻蚀、薄膜、扩散
工艺环节部分产品的验证并正式接单。
报告期内合肥工厂还取得了合肥市级含砷处理资质、完成含砷工件专用制程线。
阳极产线实景
（3）半导体级大宗气体整厂供气服务
公司为国内 28 纳米工艺节点的集成电路制造厂商提供配套，投资建设了半导体级的大宗气体
工厂，为用户提供至少 15 年的高纯大宗气体整厂供应。公司已在上海嘉定建成首座完全国产化的
半导体级大宗气体工厂
单位：元 币种：人民币
本年比上年
增减(%)
总资产 9,837,944,985.21 7,933,017,527.63 24.01 5,956,662,795.43
归属于上市公 4,460,129,305.92 4,066,221,927.32 9.69 3,142,734,673.53
司股东的净资
产
营业收入 3,049,525,265.51 2,084,097,721.32 46.32 1,397,056,129.25
归属于上市公 282,441,993.73 281,764,365.40 0.24 260,599,716.15
司股东的净利
润
归属于上市公 285,451,743.60 162,159,706.57 76.03 110,639,917.21
司股东的扣除
非经常性损益
的净利润
经营活动产生 -807,879,519.50 -190,723,819.30 不适用 -280,927,495.31
的现金流量净
额
加权平均净资 6.65 8.10 减少1.45个百分 16.03
产收益率（%） 点
基本每股收益 0.889 0.891 -0.22 1.013
（元／股）
稀释每股收益 0.888 0.889 -0.11 0.987
（元／股）
单位：元 币种：人民币
第一季度 第二季度 第三季度 第四季度
（1-3 月份） （4-6 月份） （7-9 月份） （10-12 月份）
营业收入 547,720,011.50 572,211,779.02 805,564,737.35 1,124,028,737.64
归属于上市公司股东的
净利润
归属于上市公司股东的
扣除非经常性损益后的 38,711,933.55 58,549,614.08 88,381,118.56 99,809,077.41
净利润
经营活动产生的现金流
-232,528,984.13 -216,612,514.77 -148,582,717.18 -210,155,303.42
量净额
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
别表决权股份的股东总数及前 10 名股东情况
单位: 股
截至报告期末普通股股东总数（户） 48,212
年度报告披露日前上一月末的普通股股东总数（户） 57,593
截至报告期末表决权恢复的优先股股东总数（户） 0
年度报告披露日前上一月末表决权恢复的优先股股东总数（户） 0
前 10 名股东持股情况
持有有 质押、标记或冻结情
股东名称 报告期内增 比例 限售条 况 股东
期末持股数量
（全称） 减 (%) 件的股 股份 性质
数量
份数量 状态
境内自然
蒋渊 0 70,802,240 22.05 0 质押 28,600,000
人
共青城尚纯科技产业
投资合伙企业（有限 0 12,667,200 3.95 0 无 0 其他
合伙）
境内自然
陆龙英 0 10,416,963 3.24 0 无 0
人
境内自然
赵浩 -200,000 10,342,620 3.22 0 质押 2,160,000
人
香港中央结算有限公
司
境内自然
吴海华 0 5,430,000 1.69 0 质押 2,300,000
人
宁波银行股份有限公
司－恒越核心精选混 5,033,343 5,033,343 1.57 0 无 0 其他
合型证券投资基金
中国人民财产保险股
份有限公司－传统－ 1,085,054 4,251,000 1.32 0 无 0 其他
收益组合
银华基金－中国人寿
保险股份有限公司－
传统险－银华基金国
寿股份成长股票传统
可供出售单一资产管
理计划
北京盛世宏明投资基
金管理有限公司－北
京集成电路先进制造 0 3,473,428 1.08 0 无 0 其他
和高端装备股权投资
基金中心（有限合伙）
上述股东关联关系或一致行动的说 公司前十名股东，蒋渊、陆龙英、共青城尚纯科技产业投资合伙企业（有
明 限合伙）为一致行动人，公司未知其他是否存在关联关系或一致行动关
系。
表决权恢复的优先股股东及持股数
不适用
量的说明
√适用 □不适用
√适用 □不适用
□适用 √不适用
□适用 √不适用
第三节 重要事项
公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
参见“第三节 管理层讨论与分析”中的“三、报告期内公司从事的业务情况”
。
止上市情形的原因。
□适用 √不适用
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