公司代码：688082 公司简称：盛美上海
盛美半导体设备（上海）股份有限公司
第一节 重要提示
划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描
述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析：四、风险因素”部分内容。
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
□是 √否
经公司第二届董事会第三次会议审议通过《关于2022年度利润分配预案的议案》，公司2022
年度利润分配预案如下：截至2022年12月31日，公司总股本共433,557,100股，拟每10股派发现金
红利3.72元（含税），共计派发现金红利161,283,241.20元（含税），本次利润分配现金分红金额占
增股本。
如在公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，因可转债转股、回购股份、股权激励
授予股份回购注销、重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持分配
总额不变，相应调整每股分配比例。如后续总股本发生变化，将另行公告具体调整情况。
该利润分配预案尚需提交公司2022年度股东大会审议。
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票上市交易所
股票种类 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
上海证券交易所
A股 盛美上海 688082 不适用
科创板
公司存托凭证简况
□适用 √不适用
联系人和联系方式
联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表
姓名 罗明珠 /
中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路
办公地址 /
电话 021-50276506 /
电子信箱 ir@acmrcsh.com /
(一) 主要业务、主要产品或服务情况
公司从事对先进集成电路制造与先进晶圆级封装制造行业至关重要的单晶圆及槽式湿法清洗
设备、电镀设备、无应力抛光设备、立式炉管设备和前道涂胶显影设备和等离子体增强化学气相
沉积设备等的开发、制造和销售，并致力于为半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺
解决方案，有效提升客户多个步骤的生产效率、产品良率，并降低生产成本。
公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清洗设备、
半导体电镀设备、立式炉管系列设备（包括氧化、扩散、真空回火、LPCVD、ALD）、涂胶显影
Track 设备、等离子体增强化学气相沉积 PECVD 设备、无应力抛光设备；后道先进封装工艺设备
以及硅材料衬底制造工艺设备等。
（1）前道半导体工艺设备
①清洗设备
A.SAPS 兆声波单片清洗设备
晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声
波清洗工艺中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离不同，
因此晶圆上不同位置的兆声波能量也不相同，无法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。而且
由于硬件位置控制的误差，也会造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。
公司自主研发的 SAPS 兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液
膜厚度、兆声波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生
器和晶圆之间的半波长范围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相
同，从而很好的控制了兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。
B.TEBO 兆声波单片清洗设备
公司自主研发的 TEBO 清洗设备，可适用于 28nm 及以下的图形晶圆清洗，通过一系列快速
（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡
控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无
损伤清洗。公司 TEBO 清洗设备，在器件结构从 2D 转换为 3D 的技术转移中，可应用于更为精细
的具有 3D 结构的 FinFET、DRAM 和新兴 3D NAND 等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件
等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。
公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的 SAPS 和 TEBO 兆声波清洗技术，解决了兆声
波技术在集成电路单片清洗设备上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结
构无损伤的全球性难题。为实现产能最大化，公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔
体，最高可单台配置 18 腔体，有效提升客户的生产效率。
C.高温单片 SPM 设备
随着技术节点推进到 10nm 及以下，工艺温度要求在 145 摄氏度以上，甚至超过 200 摄氏度
的 SPM 工艺步骤逐渐增加。高剂量离子注入后的光刻胶去除、无灰化步骤的纯湿法去胶工艺，以
及特殊的金属膜层刻蚀或剥离，都对 SPM 的温度提出了更高的要求。公司的新型单片高温 SPM
设备使用独特的多级梯度加热系统来预热硫酸，然后将硫酸与过氧化氢混合以达到超高温。同时，
公司的腔体支持配置其他多种化学品，并配备在线化学品混酸（CIM）系统，可用于动态设置工
艺中的化学品配比及温度。该腔体配置还可支持更多的化学品和灵活的辅助清洗方案，比如公司
独有的专利技术 SAPS 和 TEBO 兆声波技术。该设备可支持 300mm 晶圆单片 SPM（硫酸和过氧
化氢混合酸）工艺，可广泛应用于先进逻辑、DRAM，3D-NAND 等集成电路制造中的湿法清洗
和刻蚀工艺，尤其针对处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀、剥离工
艺。
D.单片槽式组合清洗设备
公司自主研发的具有全球知识产权保护的 Tahoe 清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个
模块：槽式模块和单片模块。Tahoe 清洗设备可被应用于光刻胶去除，刻蚀后清洗，离子注入后
清洗，机械抛光后清洗等几十道关键清洗工艺中。Tahoe 清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与
单片中温 SPM 清洗设备相媲美，与此同时，与单片清洗设备相比，还可大幅减少硫酸使用量，帮
助客户降低了生产成本又能更好的符合节能减排的政策。该设备已完成客户端验证，进入量产阶
段。
E.单片背面清洗设备
公司研发的单片背面清洗设备采用伯努利卡盘，应用空气动力学悬浮原理，使用机械手将晶
圆送入腔体后，使晶背朝上，晶圆正面朝下，在工艺过程中，精准流量控制的高纯氮气通过晶圆
与卡具之间的空隙。该设备可用于背面金属污染清洗及背面刻蚀等核心工艺。
F.边缘湿法刻蚀设备
该设备支持多种器件和工艺，包括 3D NAND、DRAM 和先进逻辑工艺，使用湿法刻蚀方法
来去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减
少了边缘污染对后续工艺步骤的影响，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，
进一步优化了工艺和产品结构。
G.前道刷洗设备
采用单片腔体对晶圆正背面依工序清洗，可进行包括晶圆背面刷洗、晶圆边缘刷洗、正背面
二流体清洗等清洗工序；设备占地面积小，产能高，稳定性强，多种清洗方式灵活可选。可用于
集成电路制造流程中前段至后段各道刷洗工艺。
H.全自动槽式清洗设备
公司开发的全自动槽式清洗设备广泛应用于集成电路领域和先进封装领域的清洗、刻蚀、光
刻胶去除等工艺，采用纯水、碱性药液、酸性药液作为清洗剂，与喷淋、热浸、溢流和鼓泡等清
洗方式组合，再配以先进的常压 IPA 干燥技术及先进的低压 IPA 干燥技术，能够同时清洗 50 片晶
圆。该设备自动化程度高，设备稳定性好，清洗效率高，金属、材料及颗粒的交叉污染低。该设
备主要应用于 40nm 及以上技术节点的几乎所有清洗工艺步骤。
②半导体电镀设备
A.前道铜互连电镀铜设备
公司自主开发针对 28-14nm 及以下技术节点的 IC 前道铜互连镀铜技术 Ultra ECP map。公司
的多阳极局部电镀技术采用新型的电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换，可在
超薄籽晶层（5nm）上完成无空穴填充，同时通过对不同阳极的电流调整，在无空穴填充后实现
更好的沉积铜膜厚的均匀性，可满足先进工艺的镀铜需求。
B.三维堆叠电镀设备
应用于填充 3d 硅通孔 TSV 和 2.5d 转接板的三维电镀设备 Ultra ECP 3d。基于盛美半导体电
镀设备的平台，该设备可为高深宽比（深宽比大于 10:1）铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。
为提高产能而做的堆叠式腔体设计，该设备还能减少消耗品的使用，降低成本，节省设备使用面
积。
C.新型化合物半导体电镀设备
Cu-Ni-Au 等领域。通过差异化的技术以及灵活的模块化设计，使新型化合物半导体电镀机的竞争
力进一步提升。
③立式炉管系列设备
公司研发的立式炉管设备主要包括 LPCVD、氧化炉、扩散炉和炉管 ALD。报告期内，公司
以 Ultra Fn 立式炉设备平台为基础，进一步推出了 ALD（热原子层沉积）立式炉 Ultra FnA。这款
设备聚焦核心技术研发，力求满足高产能批式 ALD 工艺的高端要求。在能满足原子层沉积工艺的
同时具备低累积膜厚气体清洗功能，保证颗粒的稳定性。
④前道涂胶显影 Track 设备
公司的前道涂胶显影 Ultra LithTM Track 设备是一款应用于 300 毫米前道集成电路制造工艺的
设备，可提供均匀的下降气流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的特定需
求。该设备功能多样，能够降低产品缺陷率，提高产能，节约总体拥有成本（COO）。涂胶显影
Track 设备支持主流光刻机接口，支持包括 i-line、KrF 和 ArF 系统在内的各种光刻工艺，可确保
满足工艺要求的同时，让晶圆在光刻设备中曝光前后的涂胶和显影步骤得到优化。
⑤等离子体增强化学气相沉积 PECVD 设备
公司的等离子体增强化学气相沉积 Ultra PmaxTM PECVD 设备配置自主知识产权的腔体、气体
分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性，更优化的薄膜应力和更少的颗粒特性。
⑥无应力铜互连平坦化设备
公司的无应力抛光设备将无应力抛光技术 SFP(Stress-Free-Polish)与低下压力化学机械平坦化
技术 CMP 相结合，集成创新了低 k/超低 k 介电质铜互连平坦化 Ultra-SFP 抛光集成系统，集合二
者优点，利用低下压力化学机械抛光先将铜互联结构中铜膜抛至 150nm 厚度，再采用无应力抛光
SFP 智能抛光控制将直至阻挡层。再采用公司自主开发的热气相刻蚀技术，将阻挡层去除。无应
力抛光设备应用于铜低 k/超低 k 互连结构有诸多优点：其一，依靠抛光自动停止原理，平坦化工
艺后凹陷更均匀及精确可控；其二，工艺简单，采用环保的可以循环实用的电化学抛光液，没有
抛光垫，研磨液等，耗材成本降低 50%以上；对互联结构中金属层和介质层无划伤及机械损伤；
其三，可以将工艺扩展至新型材料钴（Co）和钌（Ru）作为阻挡层的铜低 k/超低 k 互联结构中。
⑦新型化合物半导体刻蚀设备
公司推出了 6/8 寸化合物半导体湿法工艺产品线，以支持化合物半导体领域的工艺应用，包
括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等。
（2）后道先进封装工艺设备
①先进封装电镀设备
公司在半导体先进封装领域进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难
题，2022 年在高速电镀锡银方面也实现突破，在客户端成功量产。采用独创的第二阳极电场控制
技术更好地控制晶圆平边或缺口区域的膜厚均匀性控制，实现高电流密度条件下的电镀，凸块产
品的各项指标均满足客户要求。在针对高密度封装的电镀领域可以实现 2μm 超细 RDL 线的电镀
以及包括铜、镍、锡、银和金在内的各种金属层电镀。自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现
更好的密封效果。2022 年进一步扩大市场规模并取得高端客户的批量订单。
②涂胶设备
公司的升级版 8/12 寸兼容的涂胶设备，用于晶圆级封装领域的光刻胶和 Polyimide 涂布、软
烤及边缘去除。涂胶腔内采用了公司特有的全方位无死角自动清洗技术，可缩短设备维护时间。
这款升级版涂胶设备对盛美原有的涂胶设备性能和外观都进行了优化升级，可实现热板抽屉式抽
出，方便维修及更换，并且能精确复位，有效保障工序运行。
③显影设备
公司的 Ultra C dv 显影设备可应用于晶圆级封装，是 WLP 光刻工艺中的步骤。设备可进行曝
光后烘烤、显影和坚膜等关键步骤。设备具备灵活的喷嘴扫描系统，能够实现精准的药液控制，
技术先进，使用便捷。
④湿法刻蚀设备
公司的湿法刻蚀设备使用化学药液进行晶圆球下金属层（UBM）的刻蚀工艺。该设备具备先
进的喷嘴扫描系统，可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性，专注安全性，且药液回收使
用可减少成本。
⑤湿法去胶设备
公司的 Ultra C pr 湿法去胶设备设计高效、控制精确，提升了安全性，提高了 WLP 产能。该
设备将湿法槽式浸洗与单片晶圆清洗相结合，能够在灵活控制清洗的同时，最大限度地提高效率，
也可与公司专有的 SAPS 兆声波清洗设备一同使用，以清除极厚或者极难去除的光刻胶涂层。
⑥金属剥离设备
公司的湿法金属剥离（Metal Lift off）设备基于公司已有的湿法去胶设备平台，将槽式去胶浸
泡模块与单片清洗腔体串联起来依序使用，在去胶的同时进行金属剥离。该设备可以在不同单片
清洗腔中分别配置去胶功能和清洗功能，并通过优化腔体结构，实现易拆卸、清洗与维护，以解
决金属剥离工艺中残留物累积的问题。
⑦无应力抛光先进封装平坦化设备
公司拓展开发适用于先进封装 3D 硅通孔及 2.5D 转接板中金属铜层平坦化工艺应用，为了解
决工艺成本高，晶圆翘曲大的难点，利用无应力抛光的电化学抛光原理，相对比传统化学机械平
坦化 CMP，没有研磨液，抛光头，和抛光垫，仅使用可循环使用的电化学抛光液；并且不受铜层
是否经过退火的影响，去除率稳定；通过与 CMP 工艺整合，先采用无应力抛光将晶圆铜膜减薄
至小于 0.5μm - 0.2μm 厚度，再退火处理，最后 CMP 工艺的解决方案，能够有效解决 CMP 工
艺存在的技术和成本瓶颈。
（3）硅材料衬底制造工艺设备
①化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备
公司的 CMP 后清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底的制造。这款设备在 CMP 步骤之后，
使用稀释的化学药液对晶圆正背面及边缘进行刷洗及化学清洗，以控制晶圆的表面颗粒和金属污
染，该设备也可以选配公司独有的兆声波清洗技术。并且这款设备有湿进干出（WIDO）和干进
干出（DIDO）两种配置，可以选配 2、4 或 6 个腔体，以满足不同产能需求。
②Final Clean 清洗设备
公司的 Final Clean 清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底制造。这款设备在 Pre Clean 步骤
之后，使用稀释的化学药液同时结合公司独有的兆声波清洗技术对晶圆正背面进行化学清洗，以
控制晶圆表面颗粒和金属污染。该设备适用于 6 寸、8 寸或 12 寸晶圆清洗，并且可以选配 4 腔体、
(二) 主要经营模式
公司作为一家面向国际科技前沿、坚持自主创新的半导体专用设备企业，遵循全球行业惯例，
主要从事技术和工艺研发、产品设计和制造，为客户提供设备和工艺解决方案。公司自身几乎不
从事零部件加工业务，公司根据对产品的设计，组织零部件外购及外协，建立了完善的供应链体
系，与核心供应商建立了密切的合作关系，根据公司的销售预测，提前部署下一年度的产能需求，
提前做好产能安排及快速交付计划，保障了对重要零部件的供应。作为设备厂商，公司提供验证
平台，通过设备厂商带动零部件技术攻关，实现对零部件企业的商业赋能。公司通过长期研发积
累形成的技术优势，保持较高的产品毛利，进而保持较高比例的研发投入及市场开拓，在报告期
内实现了较高的利润率。
公司主要采用自主研发的模式。公司研发部门以半导体专用设备国际技术动态、客户需求为
导向，采用差异化竞争的策略，依靠具有丰富经验的国际化研发团队，研发新工艺、新技术，完
成技术方案的验证，并在全球主要半导体生产国家及地区申请专利保护，把研发成果快速产业化，
取得了一系列的技术创新和突破。此外，公司在韩国组建了专业的研发团队，结合中国上海以及
韩国双方研发团队的各自优势，共同研发用于公司产品的差异化相关技术，提升公司产品性能。
公司制定了《研发项目管理办法》，对研发项目的立项、审批、执行等流程进行了规定。未来公司
将继续吸引国内外的优秀人才，扩大充实公司世界一流的研发团队，为全球客户不断地提供最好
的工艺解决方案。
为保障公司产品质量和性能，公司建立了完善的采购体系，在报告期内进一步优化了供应链
资源、供应商准入体系和零部件供应策略。持续要求供应商填写《供方调查表》，建立供应商档案，
了解供应商的人员情况、生产能力、设计能力、财务情况、关键零部件供应商情况、生产和检测
设备情况等，对供应商的产品技术与质量、按时交货能力和售后服务等进行综合评估，最终确定
合格供应商，纳入合格供应商名单。报告期内，公司保持与主要供应商稳定的长期合作关系。
公司产品均为根据客户的差异化需求，进行定制化设计及生产制造，主要采取以销定产的生
产模式，按客户订单组织生产。
公司制造部根据市场预测或客户的非约束性预测，编制年度生产计划，并结合客户订单情况
编制每月生产计划。公司研发设计工程师根据客户订单提供装配图纸，分发到仓库和生产车间，
进行仓库领料、配料和装配，预装配并预检合格后，交由生产线组装，并进行各模块的功能测试，
测试合格后，下线发货。公司对外协加工的质量严格把关，与外协厂商建立了多年稳定的合作关
系，确保符合客户的差异化需求。
公司自设立以来，始终坚持全球化发展战略，客户主要位于中国大陆、中国台湾、韩国等国
家和地区。公司的市场开拓策略为：首先开拓全球半导体龙头企业客户，通过长时间的研发和技
术积累，取得其对公司技术和产品的认可，以树立公司的市场声誉。然后凭借在国际行业取得的
业绩和声誉，持续开拓中国大陆等半导体行业新兴区域市场。经过多年的努力，公司已与海力士、
华虹集团、长江存储、中芯国际、合肥长鑫等国内外半导体行业龙头企业形成了较为稳定的合作
关系。
公司通过直销模式销售产品，不存在分销和经销模式。报告期内，公司通过委托代理商推广、
与潜在客户商务谈判或通过招投标等方式获取订单。
(三) 所处行业情况
（1）行业发展态势与面临的机遇
①半导体应用和消费市场需求长期保持增长
比 28.9%，相比 2020 年占比小幅提高，第二次成为全球最大半导体设备市场。近两年来，在全球
缺芯的浪潮和国内半导体市场强劲需求的推动下，中国大陆再次掀起了晶圆产能建设的高潮。
Knometa Research 2022 年版《全球晶圆产能报告》中预计，到 2024 年，在全球 IC 晶圆产能中，
中国大陆的份额将达到 19%，而这些新建的晶圆产能大多数是中国大陆实体所为。晶圆产能的扩
张促进了中国半导体产业专业人才的培养及配套行业的发展，半导体产业环境的良性发展为中国
半导体专用设备制造业产业的扩张和升级提供了机遇。
据 SEMI 的《全球半导体设备市场统计报告》
，2022 年全球半导体设备的销售规模有望突破
千亿大关，为 1175 亿美元，创历史最高，小幅超越 2021 年的销售额（1026 亿美元）
。从全球范
围来看，中国大陆、中国台湾和韩国在全球半导体设备市场中最为活跃，是半导体产业投资的热
点地区；受消费电子、物联网、工业互联、汽车电子等领域快速发展的影响，设备投资大幅上升。
②全球半导体行业区域竞争加剧
半导体行业具有生产技术工序多、产品种类多、技术更新换代快、投资高风险大、下游应用
广泛等特点，叠加下游新兴应用市场的不断涌现，半导体产业链从集成化到垂直化分工的趋势越
来越明确。目前，中国大陆作为全球最大半导体终端产品消费市场，中国半导体产业的规模不断
扩大，中国大陆半导体专用设备需求将不断增长。与此同时，受国内外疫情的影响，国际形势复
杂，全球半导体产业区域竞争加剧。
（2）半导体专用设备行业特点
①半导体专用设备在半导体产业链中的地位至关重要
半导体专用设备作为半导体产业链中核心技术与工艺的载体，在产业发展中发挥着重要的基
础性支撑作用。半导体专用设备的技术复杂，客户对设备的技术参数、运行的稳定性有苛刻的要
求，以保障生产效率、质量和良率。集成电路制造工艺的技术进步，反过来也会推动半导体专用
设备企业不断追求技术革新。同时，集成电路行业的技术更新迭代也带来对于设备投资的持续性
需求，而半导体专用设备的技术提升，也推动了集成电路行业的持续快速发展。
②半导体专用设备技术壁垒高，通过客户验证难度大
半导体专用设备行业为技术密集型行业，生产技术涉及微电子、电气、机械、材料、化学工
程、流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等多学科、多领域知识的综合运用。半导体
专用设备行业的国际巨头企业的市场占有率很高，特别是在光刻机、检测设备、离子注入设备等
方面处于垄断地位，且其在大部分技术领域已采取了知识产权保护措施，因此半导体专用设备行
业的技术壁垒非常高。中国大陆少数企业经过了十年以上的技术研发和工艺积累，在部分领域实
现了技术突破和创新，在避免知识产权纠纷的前提下，成功推出了差异化的产品，得到国内外客
户的认可，产品走向了国际市场。半导体专用设备价值较高、技术复杂，对下游客户的产品质量
和生产效率影响较大。半导体行业客户对半导体专用设备的质量、技术参数、稳定性等有严苛的
要求，对新设备供应商的选择也较为慎重。一般选取行业内具有一定市场口碑和市占率的供应商，
并对其设备开展周期较长的验证流程。因此，半导体专用设备企业在客户验证、开拓市场方面周
期较长、难度较大。
（3）集成电路设备行业技术门槛高，公司的技术水平与国际巨头仍有差距，需加快技术研发
与产业化进程。当今国际先进水平的集成电路设备涉及微电子、电气、机械、材料、化学工程、
流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等多学科、多领域知识综合运用及动态密封技术、
超洁净室技术、微粒及污染分析技术等多种尖端制造技术。因此，集成电路设备具有技术含量高、
制造难度大、设备价值高和行业门槛高等特点，被公认为工业界精密制造最高水平的代表之一。
全球半导体清洗设备市场高度集中，尤其在单片清洗设备领域，DNS、TEL、LAM 与 SEMES
四家公司合计市场占有率达到 90%以上，其中 DNS 市场份额最高，市场占有率在 35%以上。本
土 12 英寸晶圆厂清洗设备主要来自 DNS、盛美上海、LAM、TEL。
目前，中国大陆能提供半导体清洗设备的企业较少，主要包括盛美上海、北方华创、芯源微
及至纯科技。公司 2020 年销售额突破 10 亿元，2021 年的收入达到 16 亿元，比 2020 年销售额增
长约 60%，位列全国集成电路设备企业前三；具备了成为国际领先集成电路设备企业的基础和潜
力。
根据中银证券专题报告的历年累计数据统计显示，公司清洗设备的国内市占率为 23%；而
Gartner2021 年数据显示，公司在全球单片清洗设备的市场份额已升至 5.1%。除清洗设备外，公
司亦积极扩大产品组合，在半导体电镀设备、半导体抛铜设备、先进封装湿法设备、立式炉管设
备等领域扩大布局。2022 年推出多款新设备新工艺产品，包括前道涂胶显影 Track 设备、等离子
体增强化学气相沉积 PECVD 设备等。2021 年中国大陆半导体专用设备制造五强企业中，公司位
列其中。
为落实“十四五”数字经济发展规划，支撑新一代信息技术产业率先发展，中国大力发展半
导体制造装备及工艺，促进科技创新，提升产业链关键环节竞争力，加快制造业产业转型升级，
加强引领性科技攻关，保障数字经济发展基础。
（1）将向高精密化与高集成化方向发展
随着半导体技术的不断进步，半导体器件集成度不断提高。一方面，芯片工艺节点不断缩小，
由 12μm-0.35μm（1965 年-1995 年）到 65nm-3nm（2005 年-2022 年），且还在向更先进的方向发
展；另一方面半导体晶圆的尺寸却不断扩大，主流晶圆尺寸已经从 4 英寸、6 英寸，发展到现阶
段的 8 英寸、12 英寸。此外，半导体器件的结构也趋于复杂。例如存储器领域的 NAND 闪存，
根据国际半导体技术路线图预测，当工艺尺寸到达 14nm 后，目前的 Flash 存储技术将会达到尺寸
缩小的极限，存储器技术将从二维转向三维架构，进入 3D 时代。3D NAND 制造工艺中，主要是
将原来 2D NAND 中二维平面横向排列的串联存储单元改为垂直排列，通过增加立体层数，解决
平面上难以微缩的工艺问题，堆叠层数也已经从 32 层、64 层向 256 层发展。这些对半导体专用
设备的精密度与稳定性的要求越来越高，未来半导体专用设备将向高精密化与高集成化方向发展。
（2）各类技术等级设备并存发展
考虑到半导体芯片的应用极其广泛，不同应用领域对芯片的性能要求及技术参数要求差异较
大，如手机使用的 SoC 逻辑芯片，往往需要使用 12 英寸晶圆、7nm 的先进工艺，而对于工业、
汽车电子、电力电子用途的芯片，仍在大量使用 6 英寸和 8 英寸晶圆及 μm 级工艺。不同技术等
级的芯片需求大量并存，这也决定了不同技术等级的半导体专用设备均存在市场需求。未来随着
半导体产业技术的持续发展，适用于 12 英寸晶圆以及更先进工艺的半导体专用设备需求将以更快
的速度成长，但高、中、低各类技术等级的设备均有其对应的市场空间，短期内将持续并存发展。
（3）公司研发新工艺和设备
（Post-CMP）清洗设备、新型热原子层沉积 Ultra FnATM 立式炉设备、新添金属剥离工艺的 Ultra C
prTM 设备、
前道涂胶显影 Ultra LithTM Track 设备、
等离子体增强化学气相沉积 Ultra PmaxTM PECVD
设备。
单位：元 币种：人民币
本年比上年
增减(%)
总资产 8,175,564,025.53 6,337,413,410.30 29.00 1,843,523,679.83
归属于上市公司股
东的净资产
营业收入 2,873,045,516.26 1,620,869,141.67 77.25 1,007,471,809.80
归属于上市公司股
东的净利润
归属于上市公司股
东的扣除非经常性 689,892,830.15 194,734,275.20 254.27 92,437,799.49
损益的净利润
经营活动产生的现
-268,715,774.96 -189,182,778.11 不适用 -88,244,945.02
金流量净额
加权平均净资产收
益率（%）
基本每股收益（元
／股）
稀释每股收益（元
／股）
研发投入占营业收
入的比例（%）
单位：元 币种：人民币
第一季度 第二季度 第三季度 第四季度
（1-3 月份） （4-6 月份） （7-9 月份） （10-12 月份）
营业收入 353,723,933.82 741,808,303.18 882,575,412.68 894,937,866.58
归属于上市公司股东的
净利润
归属于上市公司股东的
扣除非经常性损益后的 23,598,062.38 233,826,161.41 223,491,879.80 208,976,726.56
净利润
经营活动产生的现金流
-125,521,330.78 -202,088,820.72 -12,066,123.08 70,960,499.62
量净额
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
名股东情况
单位: 股
截至报告期末普通股股东总数(户) 9,610
年度报告披露日前上一月末的普通股股东总数
(户)
截至报告期末表决权恢复的优先股股东总数
（户）
年度报告披露日前上一月末表决权恢复的优先
股股东总数（户）
截至报告期末持有特别表决权股份的股东总数
（户）
年度报告披露日前上一月末持有特别表决权股
份的股东总数（户）
前十名股东持股情况
质押、标记
或冻结情
包含转融通 况 股
持有有限售
股东名称 报告期内 期末持股数 比例 借出股份的 东
条件股份数 股
（全称） 增减 量 (%) 限售股份数 性
量 份 数
量 质
状 量
态
境
ACM
外
RESEARCH, 0 357,692,308 82.50 357,692,308 357,692,308 无
法
INC.
人
芯维（上海）管
其
理咨询合伙企业 0 4,756,154 1.10 0 0 无
他
（有限合伙）
国
上海浦东新兴产 有
业投资有限公司 法
人
国
上海集成电路产
有
业投资基金股份 0 4,615,384 1.06 0 0 无
法
有限公司
人
中国工商银行股
份有限公司－诺 其
安成长混合型证 他
券投资基金
中金财富证券－
招商银行－中金
财富盛美半导体 其
-895,754 2,323,444 0.54 0 0 无
员工参与科创板 他
战略配售集合资
产管理计划
尚融创新（宁波）
其
股权投资中心 0 2,076,924 0.48 0 0 无
他
（有限合伙）
无锡国联产业投
资有限公司－江
苏疌泉太湖国联 其
新兴成长产业投 他
资企业（有限合
伙）
上海金浦智能科
技投资管理有限
公司－上海金浦 其
临港智能科技股 他
权投资基金合伙
企业（有限合伙）
国
上海张江科技创 有
业投资有限公司 法
人
上述股东关联关系或一致行动的说明 上海浦东新兴产业投资有限公司持有上海集成电
路产业投资基金股份有限公司 7.02%的股份，上
海集成电路产业投资基金股份有限公司和上海浦
东新兴产业投资有限公司均持有公司 1.06%的股
份。除此之外，公司未知上述股东是否存在关联
关系或一致行动关系。
表决权恢复的优先股股东及持股数量的说明 不适用
存托凭证持有人情况
□适用 √不适用
截至报告期末表决权数量前十名股东情况表
□适用 √不适用
√适用 □不适用
√适用 □不适用
□适用 √不适用
□适用 √不适用
第三节 重要事项
公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
报告期内，公司实现营业收入 28.73 亿元，较上年同期增长 77.25%；归属于上市公司股东的
净利润为 6.68 亿元，较上年同期增长 151.08%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利
润为 6.90 亿元，较上年同期增长 254.27%。
止上市情形的原因。
□适用 √不适用
首页
微信公众号
证券之星APP
