GaN概念大幅拉升，氮化镓商用加速，国内产业链崛起

（原标题：GaN概念大幅拉升，氮化镓商用加速，国内产业链崛起）

据悉， GaN材料的运行速度比 旧式慢速硅加快了20倍，并且能实现高出三倍的功率。GaN充电器具备小巧、 高效、发热低等优势，在 CES2020 上，有30家厂商推出了66款 GaN 产品， 但是由于技术、良率等问题，价格相对昂贵。随着GaN技术的革新升级，性 能及成本优势加持下，GaN未来有望成为主流快充技术。

GaN充 电器不仅具备了低发热小体积的突出优势，更在充电功率转换上更具优势。一 方面，GaN器件适用于多数功率器件市场，按照整体市场154亿美元来看， 占据68%的该部分低压市场都是GaN的潜在市场，约有105亿美元。作为功 率器件，GaN 在电源设备上先行一步，在其它电子器件市场也有望加速渗透， 能够广泛应用于无线充电件、电源开关、逆变器、交流器等领域。另一方面， 5G为射频主战场带来重大机遇。射频领域是GaN技术渗透率最高，发展前景 最大的行业。2018年GaN射频器件市场规模不足2亿美元，预计将保持23%的年复合增速，预计2023年市场规模可达13亿美元。

西南证券指出，在当前市场格局上，美日欧 厂商处于领先地位，但中国企业已经有所涉及。尽管我国氮化镓材料起步较晚， 但国家相关扶持政策在不断为第三代半导体器件的研制和应用加码。国内已有 数条GaN生产线投入使用，并投建了多个与第三代半导体相关的研发平台。 国外厂商积极布局中国市场的同时，国内厂商三安光电积极利用其国内光电领 域龙头地位的技术领先优势，投资30亿元用于进一步规划GaN外延片及芯片 生产线的筹建，有望在GaN加速渗透趋势中优先收益。

中泰证券表示，GaN产业链按环节分为 Si衬底(或GaN单晶衬底、SiC、蓝宝石)→GaN材料外延→器件设计→器件制造。目前产业以海外企业为主，国内企业在衬底外延和设计制造领域都逐渐开始涉足，如GaN衬底制造厂苏州纳维、东莞中镓；GaN外延制备商苏州晶湛；GaN-on-Si制造企业英诺赛科、耐威科技；GaN晶圆代工企业海特高新；GaN IDM企业三安集成(三安光电)、安世半导体(闻泰科技)等。随着技术方案成熟以及终端放量，国内GaN产业链有望迎来长足发展，相关企业将获得技术渗透带来的红利。

该机构建议重点关注上市公司三安光电、耐威科技、海特高新、闻泰科技(通信组覆盖)等。三安光电旗下子公司三安集成已经能提供成熟的GaN 射频/功率代工工艺，在国内产业链中占据重要地位。耐威科技旗下子公司聚能晶源已成功研制“8英寸硅基氮化镓外延晶圆”，相关项目一期已于2019年9月投产。海特高新具备六英寸GaN代工能力，主要布局硅基GaN。闻泰科技具备GaN器件制备能力，在车用GaN器件领域拓展迅速，处于行业第一梯队。同时关注其他功率半导体企业及LED芯片企业在GaN材料的延伸布局。