普冉股份获得发明专利授权：“一种非易失存储器比特工艺的优化方法及装置”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示普冉股份（688766）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种非易失存储器比特工艺的优化方法及装置”，专利申请号为CN202310148031.0，授权日为2026年8月4日。

专利摘要：本发明涉及半导体晶圆测试领域，提供了一种非易失存储器比特工艺的优化方法及装置，包括：在Norflash的器件单元区域的蚀刻流程和离子注入流程之间，输入超纯干燥空气；其中，对从所述蚀刻到进入所述离子注入流程的等待时间进行管控。本发明过以上工艺流程优化有效降低了Norflash在Celletch～CellIMP中产生的defect，减小了IMP注入时对离子的阻挡影响，改善了VTmargintailing分布问题，提升了tailingdieVT初值，从而降低VTmargin失效。

今年以来普冉股份新获得专利授权12个，较去年同期增加了20%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了2.97亿元，同比增22.86%。

通过天眼查大数据分析，普冉半导体（上海）股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目7次；财产线索方面有商标信息36条，专利信息224条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可7个。

数据来源：天眼查APP

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