晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件的制造方法和半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的制造方法和半导体器件”，专利申请号为CN202610252765.7，授权日为2026年7月17日。

专利摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件的制造方法和半导体器件，该方法包括：在基底上方依次形成第一刻蚀停止层、第一介电层、第二刻蚀停止层和第二介电层，基底包括衬底和衬底上方的前层金属层；刻蚀第二介电层、第二刻蚀停止层及第一介电层以暴露第一刻蚀停止层，且第二刻蚀停止层的横向开口小于第二介电层及第一介电层的横向开口；在所得开口内涂布牺牲填充层后，利用刻蚀终点检测模式回刻牺牲填充层；刻蚀第一刻蚀停止层以暴露前层金属层后，在开口内填充金属形成目标金属层。本申请实施例消除了因图案负载效应导致的牺牲填充层残留高度差异，从而提升了器件良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权284个，较去年同期增加了30.88%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目650次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1738条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可29个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。