晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制造方法和半导体结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制造方法和半导体结构”，专利申请号为CN202610380978.8，授权日为2026年7月17日。

专利摘要：本申请实施例公开了一种半导体结构的制造方法和半导体结构，该方法包括提供一衬底，衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区；在衬底上方形成覆盖NMOS器件区和PMOS器件区的高介电常数介电层；在高介电常数介电层上方形成栅堆叠结构，栅堆叠结构位于NMOS器件区和PMOS器件区；对高介电常数介电层进行图案化，以保留NMOS器件区中的高介电常数介电层以及PMOS器件区中被栅堆叠结构覆盖的高介电常数介电层；在栅堆叠结构的侧壁形成隔离侧墙以定义西格玛沟槽的边界后，以图案化的高介电常数介电层为掩膜，利用刻蚀工艺在PMOS器件区的栅堆叠结构的隔离侧墙之间形成西格玛沟槽。本申请实施例消除了PMOS器件区的伪栅和NMOS器件区的伪栅之间的高度差。

今年以来晶合集成新获得专利授权284个，较去年同期增加了30.88%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目650次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1738条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可29个。

数据来源：天眼查APP

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