晶合集成获得发明专利授权：“孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法”，专利申请号为CN202610290291.5，授权日为2026年6月23日。

专利摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法。所述孔槽制备方法包括以下步骤：提供一层结构，所述层结构包括目标层及形成于目标层上的硬掩膜层；引入光刻技术，于所述硬掩膜层上形成窗口，所述窗口的顶部边缘形成有边缘缺陷；选择性地在窗口内形成填充结构，所述填充结构的材料与所述硬掩膜层的材料不相同，且所述填充结构的顶面高度与所述边缘缺陷的高度相适配；于所述边缘缺陷处填补修复材料以修复所述边缘缺陷，所述修复材料与所述填充结构的材料不相同；去除所述填充结构并沿着窗口向目标层的方向刻蚀所述目标层，形成孔槽。基于以上方法，本发明能够解决关键尺寸偏差问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权248个，较去年同期增加了40.11%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目645次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1699条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可27个。

数据来源：天眼查APP

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