晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202610227349.1，授权日为2026年6月23日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有氧化层；于氧化层上形成叠层的牺牲层及图案化的光刻胶层，并对牺牲层进行图形化处理，以暴露部分氧化层；进行第一次离子注入工艺，于所暴露的所述氧化层下方的所述衬底内注入离子；去除所述光刻胶层；进行第二次离子注入工艺，于所暴露的所述氧化层下方的所述衬底内形成阱区；去除所述牺牲层；其中，所述第二次离子注入工艺的束流强度大于所述第一次离子注入工艺的束流强度，且所述第二次离子注入工艺的注入能量小于所述第一次离子注入工艺的注入能量。本申请减少了离子注入过程中的离子反射，从而减少甚至避免了氧化层损伤，有效提高了半导体器件的性能和稳定性。

今年以来晶合集成新获得专利授权248个，较去年同期增加了40.11%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目645次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1699条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可27个。

数据来源：天眼查APP

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