兴福电子获得发明专利授权：“一种高性能氧化硅蚀刻液”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示兴福电子（688545）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种高性能氧化硅蚀刻液”，专利申请号为CN202411042636.2，授权日为2026年5月29日。

专利摘要：本发明提供了一种高性能氧化硅蚀刻液，该蚀刻液按质量百分数计，包括以下成分：5?9%的氢氟酸、30?38%的氟化铵、0.02?0.2%的活性剂，余量为超纯水；其中添加剂为苯胺类小分子与烷基糖苷类大分子的混合物。通过苯胺类小分子与高表面活性烷基糖苷大分子的复配使用，蚀刻液的表面张力低，将凹槽内的氧化硅蚀刻完全且无残留，对碳化硅的浸润性好且损伤性低，碳化硅蚀刻后粗糙度低于0.1nm。更重要的是，该蚀刻液对于光刻胶覆盖下氧化硅侧向蚀刻后角度低于45度，同时光刻胶未出现剥离，可以有效提高器件生产的良率。

今年以来兴福电子新获得专利授权17个，与去年同期持平。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了9291.33万元，同比增20.79%。

通过天眼查大数据分析，湖北兴福电子材料股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目235次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息537条，著作权信息6条；此外企业还拥有行政许可287个。

数据来源：天眼查APP

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