扬杰科技获得发明专利授权：“一种三层并联的增强型GaN-HFET及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种三层并联的增强型GaN-HFET及其制备方法”，专利申请号为CN202311115223.8，授权日为2026年5月29日。

专利摘要：一种三层并联的增强型GaN?HFET及其制备方法。涉及半导体技术领域。本发明的技术方案是：制备三层向上叠加的异质结结构，利用每一层结构下层高阻氮化镓层和上层氮化硅保护层隔离不同层电性，使不同层结构的电性相互不影响；每一层均有完整的栅、漏、源极区域，通过在终端做两段栅、源、漏方形金属通孔，使三层结构的栅、漏、源极实现金属互联；此外H离子钝化P?GaN工艺也避免了刻蚀工艺带来的刻蚀损伤，大大提升了器件的可靠性能力。使用此结构制备的YJGAN65030C1器件具有680V的耐压，具有30A的通流。与市场上同耐压、同尺寸的SJ Si mos和SiC mos相比，通流方面有显著的优势。

今年以来扬杰科技新获得专利授权12个，较去年同期减少了73.91%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了4.71亿元，同比增11.24%。

通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目306次；财产线索方面有商标信息9条，专利信息792条，著作权信息5条；此外企业还拥有行政许可247个。

数据来源：天眼查APP

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